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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 面チャネリングに関連した英語例文

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面チャネリングの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 13



例文

ウェハ自体の結晶方位を変更することなく、イオン注入時の面チャネリングを抑制する。例文帳に追加

To suppress plane channeling at the time of ion implantation without changing a crystal plane direction of a wafer itself. - 特許庁

管状シャフトのキャビティ内に、入力チャネリング部分40および出力チャネリング部分42が、各チャネリング部分が第1の密度と、管状シャフトの内に対して弾性バイアス力を与えるのに十分な直径とをもつ第1の所定フォーム材料から形成される。例文帳に追加

In the cavity of a tubular shaft, the input channeling part 40 and the output channeling part 42 are formed from the first predetermined foam material which each channeling part has the first consistency and the sufficient diameter to give the elastic bias force to the inner face of the tubular shaft. - 特許庁

このとき、イオン注入の角度は、半導体基板の方位、すなわち、チャネリング現象が発生する結晶方向に対して±3°以内の角度とする。例文帳に追加

At this time, the angle of ion implantation is within ±3° with respect to the orientation of the semiconductor substrate, namely where a channeling phenomenon occurs. - 特許庁

また、結晶から数度オフされたを上とすることにより、不純物拡散層4等を形成する際のチャネリングを防止することができる。例文帳に追加

Since a surface cut off from a crystal surface several times is used as an upper surface, the generation of channeling can be prevented in forming an impurity diffusion layer 4 or the like. - 特許庁

例文

チャネリング分布が内で均一であり、均一にドーピングを行なうことができるイオン注入装置及びイオン注入方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an ion implanting apparatus in which channeling distribution is uniform in a surface and uniform doping is enabled, and an ion implanting method. - 特許庁


例文

被処理基板毎に方位を測定することにより、被処理基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion injection device injecting ions while controlling an affection resulting from channeling for each substrate to be treated by measuring a surface direction for each substrate. - 特許庁

絶縁碍子の表に付着したカーボンをサイド放電により焼失させるプラグにおいて、カーボン清浄性能を確保しつつ、チャネリングの発生を抑制する。例文帳に追加

To restrain generation of channeling while securing carbon cleaning performance in a plug burning off carbon attached to the surface of an insulator by side discharge. - 特許庁

この発明は、内燃機関の制御装置に関し、サブ放電電極を利用した沿放電の意図しない発生を抑制することによりチャネリングを防止することを目的とする。例文帳に追加

To provide a control device for an internal combustion engine that prevents channeling by suppressing unintended creeping discharge using a sub-discharge electrode. - 特許庁

面チャネリング現象を防止するためのチャンネルストップの形成に余分のマスキング構成を要しないトレンチ型MOSFETの構造を提供する。例文帳に追加

To provide a trenched MOSFET structure which does not require any additional masking steps to form a channel stop for prevention of surface channeling phenomena. - 特許庁

例文

球形ビーズ(24)間の点接触は空洞(22)のほぼ完全な充填と一緒になって気相の最小のチャネリング並びに喫煙中の気相と球形ビーズ(24)のカーボン表との間の最大接触を生み出す。例文帳に追加

Point-to-point contact between the spherical beads carbon (24) together with substantially complete filling of the cavity (22) produces minimal channeling of ambulatory gas phase as well as maximum contact between the gas phase and the carbon surface of the spherical beads carbon (24) during smoking. - 特許庁

例文

本発明のレーザ加工装置は、レーザパルスをサファイアの表近傍に集光照射して、サファイアの表を起点として内部に向かう、光軸方向に伸張した形状の応力ひずみ領域を、セルフチャネリング効果により形成する。例文帳に追加

The laser machining apparatus condenses the laser pulse and irradiates the vicinity of the surface of the sapphire with the laser pulse to form a stress strain region starting at the surface of the sapphire and directed to the inside and having a shape extending in the optical axis direction by utilizing self-channeling effects. - 特許庁

P型ウェル4の不純物濃度のピーク部分を形成するために所定のレジストパターン3を介して、半導体基板1の主側に直に高エネルギーでBイオンをイオンチャネリングを起こすように半導体基板1の結晶軸の方向にイオン注入する。例文帳に追加

B ion is directly implanted at high energy on the main surface side of a semiconductor substrate 1 in the direction of crystal axis of the semiconductor substrate 1 to cause ion channeling, by way of a specified resist pattern 3 to form a peak part in impurity concentration of a p-type well 4. - 特許庁

例文

MOSFETのソース・ドレイン拡散層を形成するにあたって、まず側壁を有するゲート電極13を形成し、これをマスクとし且つ基板11の配向と整合した方向からIn又はAsイオン注入を行って、基板深さ方向に濃度勾配が小さなチャネリングテールを有するディープSD領域24を形成し、次いで、B又はAsの通常のイオン注入によってソース・ドレイン領域25を形成する。例文帳に追加

When the source-drain diffusion layer of an MOSFET is formed, a gate electrode 13 having a sidewall is formed at first and In or As ions are implanted from a direction aligned with the orientation face of a substrate 1 using the gate electrode 13 as a mask thus forming a deep SD region 24 having a channeling tail of small concentration gradient in the depth direction of the substrate. - 特許庁

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