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Al interfaceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 61件
To provide a different material joining joint between a steel sheet and an aluminum alloy sheet whose joining strength can be made high by eliminating production itself of an Al-Fe-based brittle intermetallic compound layer in the joining interface of spot welding, and a different material joining method.例文帳に追加
スポット溶接の接合界面におけるＡｌ−Ｆｅ系の脆い金属間化合物層の生成自体を無くして、高い接合強度とできる、鋼板とアルミニウム合金板との異材接合継手および異材接合方法を提供することにある。 - 特許庁
By appropriately adjusting Al composition and In composition of the n-side intermediate layer 12 and p-side intermediate layer 14, a band gap is provided, which is larger than the energy corresponding to the emission wavelength of the active layer 13, and the effect of polarization field is relaxed at the interface with an adjoining layer.例文帳に追加
ｎ側中間層１２およびｐ側中間層１４のＡｌ組成とＩｎ組成とを適切に調整することにより、活性層１３の発光波長に相当するエネルギーより大きいバンドギャップとなると共に、隣接する層との界面における分極場の影響が緩和される。 - 特許庁
This semiconductor device has a film whose main component being silicon, and an aluminum alloy film directly connected with a film whose main component being silicon, e.g., an ohmic low resistance Si film 8 and containing at least Al, Ni, and N near the connection interface, e.g., a source electrode 9 or a drain electrode 10.例文帳に追加
半導体デバイスは、シリコンを主成分とする膜と、シリコンを主成分とする膜、例えば、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接接続し、接続界面近傍に、少なくともＡｌ、Ｎｉ、及びＮを含むアルミニウム合金膜、例えば、ソース電極９またはドレイン電極１０と、を有する。 - 特許庁
The reactive layer 2 of these bonding interface is formed on the inter face between the first reactive layer 4 containing an active metal as Ti and the alumina part and has the second reactive layer 7 substantially free from the active metal as Ti and containing Cu-Al-O.例文帳に追加
これらの接合界面の反応層２は、Ｔｉのような活性金属を含む第１の反応層４と、アルミナ部材１との界面側に生成され、Ｔｉのような活性金属を実質的に含まないＣｕ−Ａｌ−Ｏからなる第２の反応層７とを有している。 - 特許庁
In the III-V compound semiconductor crystal comprising In and Al, carbon of 1×10^17 cm^-3 or more is contained as a dopant, and the composition variation of In is made within 10%, the height difference of a recess and a projection of an interface in a growth direction is made 5 nm or less and an S parameter is made 0.535 or less.例文帳に追加
ＩｎとＡｌを含有するIII−Ｖ族化合物半導体結晶において、ドーパントとして１×１０^17cm^-3以上の炭素を含有させ、Ｉｎの組成変動を１０％以内、成長方向の界面の凹凸の高低差を５ｎｍ以下、Ｓパラメータを０．５３５以下とする。 - 特許庁
The information recording medium has an oxide dielectric layer containing an oxide D1 (D1 is an oxide having at least one element selected from Zr, Hf, Y, In, Al, Ti, Cr and Si) and an oxide D2 (D2 is an oxide having at least one element selected from Sb, Sn, Te and Bi) as a second interface layer 14 and a first interface layer 16.例文帳に追加
酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を第２界面層１４および第１界面層１６として備えることを特徴とする情報記録媒体。 - 特許庁
To avoid depositing solder to the interface of bump electrodes and wiring pads of a flip chip with possibility suppressing the cost up, in a method of mounting the flip chip on a substrate by soldering it via the Au bump electrodes formed by the wire bonding method on the Al wiring pads.例文帳に追加
Ａｌ配線パッド上にワイヤボンディング法によりＡｕよりなる突起状電極を形成してなるフリップチップを、該突起状電極を介して半田接合することで基板上に実装する方法において、コストアップを極力抑えつつ、突起状電極と配線パッドとの界面に半田が付着するの防止する。 - 特許庁
The insulating layer 1012 does not cause the diffusion of silicon, a silicide generation reaction with silicon, or the generation of a low-permittivity interface layer, while being a metal oxide layer that contains La and Al having a sufficiently higher permittivity than SiO_2.例文帳に追加
高誘電率ゲート絶縁層１０３の上の界面において、シリコンの拡散、シリコンとのシリサイド生成反応および低誘電率界面層の生成を起こすことのない、かつＳｉＯ_２と比して十分高い誘電率をもつＬａとＡｌを含む金属酸化物層である絶縁層１０１２をバリア層として具備した構造を提供する。 - 特許庁
When a steel material 1 and an aluminum alloy material 2 which are different kinds of metal are welded, the steel material 1 with a galvanized layer 1z deposited thereon as a third metal different from the above metals is overlapped between both metal materials 1, 2, so as to weld while generating a eutectic molten metal 3 of Al and Zn in a welding interface.例文帳に追加
異種金属である鋼材１とアルミニウム合金材２とを異材接合するに際し、両材料１，２の間に、これら材料とは異なる第３の金属として、鋼材１に亜鉛めっき層１ｚを形成した状態で重ね合わせ、接合界面にＡｌとＺｎの共晶溶融金属３を生じさせて接合する。 - 特許庁
In the high electron mobility transistor, which has a heterostructure consisting of an In_xGa_1-xN channel layer/In_yAl_zGa_1-y-zN wide band gap layer, the Al crystal ratio of the wide band gap layer is reduced with separation from hetero-interface, to accelerate the electronic mobility of the two-dimensional electron gas flowing through a channel layer.例文帳に追加
Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮチャネル層／Ｉｎ_ｙＡｌ_ｚＧａ_１−ｙ−_ｚＮワイドバンドギャップ層からなるヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、そのワイドバンドギャップ層のＡｌ混晶比をヘテロ界面から離れるに従って小さくすることにより、チャネル層を流れる２次元電子ガスの電子移動度を高速化する。 - 特許庁
Anneal is performed in a state where the first electrode film 30 and the main dielectric film 31 are formed, thereby aluminum (Al) in the first electrode film is allowed to react with oxygen (O) in the main dielectric film to form a subsidiary dielectric film 35 containing aluminum oxide at an interface between the first electrode film and the main dielectric film.例文帳に追加
第１の電体膜３０と主誘電体膜３１とが形成されている状態でアニールを行うことにより、第１の電極膜中のアルミニウム（Ａｌ）と主誘電体膜中の酸素（Ｏ）とを反応させて、第１の電極膜と主誘電体膜との界面に、酸化アルミニウムを含む副誘電体膜３５を形成する。 - 特許庁
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