例文 (462件) |
BURIED TYPEの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 462件
UNDERGROUND BURIED TYPE CONTROL BOARD例文帳に追加
地下埋設型制御盤 - 特許庁
WALL BURIED TYPE STORAGE SHELF例文帳に追加
壁埋没型収納棚 - 特許庁
BURIED TYPE STRAIN METER例文帳に追加
埋設型ひずみ計 - 特許庁
ELECTROMAGNETIC INDUCTION TYPE BURIED OBJECT EXPLORATION APPARATUS例文帳に追加
電磁誘導型埋設物探査装置 - 特許庁
UNDERGROUND BURIED TYPE RESERVOIR TANK FOR FARMLAND例文帳に追加
農地用地下埋設式貯留槽 - 特許庁
The buried layer 70A includes a p-type first buried layer 70a_1, a p-type fourth buried layer 70b_2 and a p-type second buried layer 70b_1.例文帳に追加
埋め込み層70Aは、p型第1埋め込み層70a_1、p型第4埋め込み層70b_2及びp型第2埋め込み層70b_1を含む。 - 特許庁
PACKAGING BOX FOR BURIED TYPE WIRING INSTRUMENTS, PACKAGING METHOD AND CURING SHEET FOR BURIED TYPE WIRING INSTRUMENTS例文帳に追加
埋込形配線器具用の梱包箱並びに梱包方法、埋込形配線器具用の養生シート - 特許庁
The first conductivity type buried layer 25 is formed on the second conductivity type buried layer 23.例文帳に追加
第1導電型埋め込み層25は、第2導電型埋め込み層23上に設けられている。 - 特許庁
An n-type buried region 113 is formed between the p-type buried regions 104a and 104b.例文帳に追加
P型埋め込み領域104a、104bの間には、N型埋め込み領域113を形成する。 - 特許庁
A buried semiconductor region 19 includes a first conductivity type buried layer and a second conductivity type buried layer.例文帳に追加
埋め込み半導体領域19は、第1導電型埋め込み層および第2導電型埋め込み層を含む。 - 特許庁
P-type buried layers 35 are formed on the bottom of the conduits.例文帳に追加
溝の底部には、p埋め込み層35が形成されている。 - 特許庁
DRILLING ROD BURIED TYPE NON-WIDENING LONG-SIZED FOREPOLING CONSTRUCTION METHOD例文帳に追加
削孔ロッド埋設型の無拡幅長尺先受工法 - 特許庁
WALL SURFACE FINISH CONSTRUCTION METHOD OF PIPING JOINT END PORT BURIED TYPE例文帳に追加
配管継端口埋設式壁面仕上げ工法 - 特許庁
Then the trench is buried with a p-type semiconductor 25.例文帳に追加
次いで、トレンチをp型半導体25で埋める。 - 特許庁
RESIN BURIED TYPE STRAIN QUANTITY MEASURING APPARATUS例文帳に追加
樹脂埋設型の歪み量計測装置 - 特許庁
SELECTOR VALVE FOR SHALLOW LAYER BURIED TYPE UNINTERRUPTIVE WATER BRANCHING WORK例文帳に追加
浅層埋設型不断水分岐工事用切換弁 - 特許庁
HEAT RADIATION STRUCTURE OF WALL-BURIED TYPE LIQUID CRYSTAL PANEL UNIT例文帳に追加
壁埋め込み型液晶パネルユニットの放熱構造 - 特許庁
BURIED SLAB TYPE COMPOSITE BEAM IN STEEL-FRAMED FLANGE例文帳に追加
鉄骨フランジのスラブ埋め込み型合成梁 - 特許庁
WALKING TYPE BURIED EXPLOSIVE SUBSTANCE DETECTING DEVICE AND METHOD FOR DETECTING BURIED EXPLOSIVE SUBSTANCE USING IT例文帳に追加
歩行型埋設爆発物探知装置とそれを使用した埋設爆発物探知方法 - 特許庁
The semiconductor device has, on a P type semiconductor substrate 1, a P+ type collector layer 8 electrically connected to a collector electrode 15 of an IGBT, a P+ type buried layer 4 connected with the P+ type collector layer 8, an N type buried layer 2 below the P+ type buried layer 4, and an N+ type buried layer 3 between the P+ type buried layer 4 and the N type buried layer 2.例文帳に追加
P型半導体基板1に、IGBTのコレクタ電極15と電気的に接続するP+型コレクタ層8と、当該P+型コレクタ層8と連続するP+型埋め込み層4と、該P+型埋め込み層4の下層のN型埋め込み層2と、該P+型埋め込み層4と該N型埋め込み層2の間のN+型埋め込み層3とを形成する。 - 特許庁
The buried electrodes are provided on the bottoms of trenches penetrating through the second-conductive-type base layer and reaching the buried layers, and contact the buried layers.例文帳に追加
埋め込み電極は、第2導電形ベース層を貫通して埋め込み層に達するトレンチの底部に設けられ、埋め込み層に接する。 - 特許庁
FIXED TYPE DREDGING DEVICE AND DREDGING METHOD BY BURIED TYPE PERFORATED PIPE例文帳に追加
埋設型有孔管による固定式浚渫装置と浚渫工法 - 特許庁
P^+-Type impurities (such as boron B) are ion-implanted, and a p^+-type buried diffusion layer is formed on an n^+-type buried diffusion layer.例文帳に追加
P^+型不純物(例えばボロンB)をイオン注入し、N^+型埋め込み拡散層上にP^+型埋め込み拡散層を形成する。 - 特許庁
A p-type buried layer 3' is provided in an n-type buried layer 2 provided on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加
p型の半導体基板1に設けられたn型埋め込み層2には、p型埋め込み層3´が設けられている。 - 特許庁
The p-type clad region 15, the first i-type buried layer 35 and the n-type buried layer 33 form a pin structure.例文帳に追加
p型クラッド領域15、第1のi型埋め込み層35及びn型埋め込み層33がpin構造を成す。 - 特許庁
Further, the semiconductor device has a NPN transistor 101 formed on the P type substrate 3, an N+ type buried region 4 provided right below the NPN transistor 101 and buried in the P type substrate 3, and a P+ type buried region 2 provided in the N+ type buried region 4.例文帳に追加
P型基板3上に形成されたNPNトランジスタ101と、NPNトランジスタ101の直下に設けられるP型基板3に埋め込まれたN+型埋込領域4と、N+型埋込領域4の内部に設けられたP+型埋込領域2とを備える。 - 特許庁
By disposing the P type buried diffusion layer 9 between the P type buried diffusion layer 8 and the P type diffusion layer 10, a lateral diffusion width W1 of the P type buried diffusion layer 8 is reduced.例文帳に追加
そして、P型の埋込拡散層8とP型の拡散層10との間にP型の埋込拡散層9が配置されることで、P型の埋込拡散層8の横方向拡散幅W1が狭められる。 - 特許庁
Further, the p-type buried layer 109 is formed so as to cover the upper surface of the n-type buried layer 108 so that at least a part of the n-type buried layer 108 is contacted with the n^--type epitaxial layer 110.例文帳に追加
また、このN型埋め込み層108の少なくとも一部とN^−型エピタキシャル層110とが接するように、N型埋め込み層108の上面を覆うようにP型埋め込み層109が形成されている。 - 特許庁
An n-type buried diffusion layer 9 is formed on a p-type buried diffusion layer 6 in the substrate 3 and the epitaxial layer 4.例文帳に追加
基板3とエピタキシャル層4には、N型の埋込拡散層9がP型の埋込拡散層6上に形成されている。 - 特許庁
The optical amplifier includes a second conductive type lower buried layer and a first conductive type or semi-insulative upper buried layer.例文帳に追加
第2導電型の下部埋込層と、第1導電型または半絶縁性の上部埋込層とを含む。 - 特許庁
A buried object that is detected by magnetic field detection type prospecting is selected out of a plurality of buried objects being detected by radar type prospecting.例文帳に追加
レーダ式探査によって検出された複数の埋設物のうち、磁界検出式探査によって検出された埋設物を選択する。 - 特許庁
INDEX GUIDE TYPE BURIED HETEROSTRUCTURE NITRIDE LASER DIODE STRUCTURE例文帳に追加
インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザダイオード構造 - 特許庁
SELF-ALIGNED INDEX GUIDE TYPE BURIED HETEROSTRUCTURE NITRIDE LASER STRUCTURE例文帳に追加
自己整合インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザ構造 - 特許庁
UNDERGROUND WATER CIRCULATING SYSTEM BURIED TYPE SNOW MELTING APPARATUS USING SURFACE LAYER UNDERGROUND AQUIFER例文帳に追加
表層地下帯水層を利用した地下水循環式埋設型融雪装置 - 特許庁
BURIED TYPE OPTICAL ISOLATOR USING COMPOSITE OPTICAL ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
複合光学素子を用いた埋込型光アイソレータとその製造方法 - 特許庁
The buried layers are selectively provided in the first-conductive-type base layer.例文帳に追加
埋め込み層は、第1導電形ベース層中に選択的に設けられた。 - 特許庁
CEILING BURIED TYPE AIR CONDITIONER, AND MANUFACTURING METHOD OF HEAT EXCHANGER例文帳に追加
天井埋込型空気調和装置及び熱交換器の製造方法 - 特許庁
Then, a p-type InP is buried in the groove 53a, and the surface is flattened.例文帳に追加
次に、溝53a内にp型InPを埋め込み、表面を平坦化する。 - 特許庁
The second buried layer 13 is formed by only the N+ type impurity layer.例文帳に追加
第2の埋め込み層13はN+型の不純物層のみで形成される。 - 特許庁
To provide a heat radiation structure of a wall buried type liquid crystal panel unit.例文帳に追加
壁埋め込み型液晶パネルユニットの放熱構造を提供する。 - 特許庁
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