「Bi CMOS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a CMOS low current reference circuit providing fixed currents to a load regardless of the change of a power source and a temperature by simply constituting a circuit only of a CMOS transistor without using any bi-polar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタを使用しなくＣＭＯＳトランジスタのみで回路を簡単に構成して、電源及び温度変化にも一定の電流を負荷に提供し得るようにしたＣＭＯＳ低電流レファレンス回路を提供することである。 - 特許庁

To enhance the general-purpose performance of a device for converting ATM cell format where even an LSI by CMOS or Bi-CMOS process can process ATM cells of a high speed data stream and a bus width in 32-bit well compatible with a CPU can be adopted.例文帳に追加

ＣＭＯＳやＢｉ−ＣＭＯＳプロセスのＬＳＩでも高速データストリームのＡＴＭセル処理が可能とするとともに、ＣＰＵとの整合性のよい３２ビットのバス幅を有することを可能とし、汎用性を高める。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, wherein the total heat treatment time in manufacturing process is shortened for accelerated bipolar transistor (especially a Bi-CMOS).例文帳に追加

製造過程の総熱処理時間が短縮され、バイポーラトランジスタが高速化された半導体装置（特にＢｉ−ＣＭＯＳ）およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The motor driving circuit of this digital (audio, video) player comprises a preamplifier and a power amplifier without using the Bi-CMOS, and the preamplifier generates a high operation voltage by a CMOS connected in series to thereby reduce conducting resistance of the power amplifier, increase output current and drive a motor.例文帳に追加

本デジタル（オーディオ、ビデオ）プレーヤーのモータ駆動回路はＢｉ−ＣＭＯＳを用いずに、プリアンプ及びパワーアンプから構成し、該プリアンプは直列接続されたＣＭＯＳにより高い作動電圧を発生することによって、パワーアンプの導通抵抗を低減して出力電流を高め、モータを駆動させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device and a method for manufacturing the same capable of preventing a noise/interference from the inductor and improving inductance characteristics, in a Bi-CMOS transistor using an inductor for use in high frequency.例文帳に追加

高周波用のインダクタを用いたＢｉ−ＣＭＯＳトランジスタにおいて、インダクタからのノイズ・干渉防止やインダクタの特性向上を実現する半導体集積回路装置およびその製造方法に関する。 - 特許庁

The method, which is integrated with a Bi CMOS process and which forms the polysilicon-to-polysilicon capacitor, comprises a step in which the lower-part plate electrode of the capacitor is formed, while the gate electrode of a CMOS transistor is stuck and a step in which an upper-part SiGe plate electrode is formed, while the SiGe base region of a heterojunction bipolar transistor is grown.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳプロセスと一体化されたポリシリコン−ポリシリコン間キャパシタを形成する方法が、ＣＭＯＳトランジスタのゲート電極の付着の間に、ポリシリコン−ポリシリコン間キャパシタの下部プレート電極を形成するステップと、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのＳｉＧｅベース領域の成長の間に、上部ＳｉＧｅプレート電極を形成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a motor driving circuit of a digital player that uses a non-composite CMOS (complimentary metal oxide semiconductor) which does not have to use a Bi-CMOS, can generate a high output current, can attain cost reduction and can further be built in the same IC as that of a control circuit by constituting the motor driving circuit by a COMS in particular.例文帳に追加

特にＣＯＭＳによりモータ駆動回路を構成することにより、Ｂｉ−ＣＭＯＳを用いなくてもよく、高い出力電流を発生させることかでき、且つ低コスト化を図ることができ、更には制御回路と同一ＩＣ内に組み込むこともできる非混成型ＣＭＯＳを使用したデジタルプレーヤーのモータ駆動回路を提供する。 - 特許庁

To improve lowering of hFE and degradation in reliability with a low current caused by the increase of a surface recoupling current by preventing the exposure of a silicon part in a bipolar transistor forming area when forming the sidewall of an MOS transistor in a Bi-CMOS process.例文帳に追加

Ｂｉ−ＣＭＯＳプロセスにおいて、ＭＯＳトランジスタのサイドウォール形成時にバイポーラトランジスタ形成領域のシリコン部分の露出を防いで、表面再結合電流の増加による低電流でのｈ_FEの低下、信頼性の悪化を改善する。 - 特許庁

To obtain a fabrication method of Bi-CMOS semiconductor device in which ion implantation conditions can be set independently for the emitter region of a vertical PNP bipolar transistor and the source-drain region of a PMOS transistor without requiring additional photoresist processes.例文帳に追加

Ｂｉ−ＣＭＯＳ半導体装置の製造方法において、フォトレジスト工程を追加することなく、縦型ＰＮＰ型バイポーラトランジスタのエミッタ領域とＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域とのイオン注入条件をそれぞれ独立に設定することができるようにする。 - 特許庁

To decrease stably sheet resistance value of a polycrystalline silicon resistor without depending on a pattern and length of the resistor, in a semiconductor integrated circuit device wherein the polycrystalline silicon resistor is formed on a LOCOS oxide film of a Bi-CMOS transistor.例文帳に追加

Ｂｉ−ＣＭＯＳトランジスタのＬＯＣＯＳ酸化膜上に多結晶シリコン抵抗体が形成された半導体集積回路装置において、多結晶シリコン抵抗体のシート抵抗値を抵抗体のパターンや長さに依存することなく安定して下げることを目的とする。 - 特許庁