「Epitaxial layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An n- epitaxial layer 12B with impurity concentration higher than the epitaxial layer 12A and thinner than the epitaxial layer is formed on the epitaxial layer 12A, and a (p) buried layer 13B is formed in the epitaxial layer 12B.例文帳に追加

エピタキシャル層１２Ａ上には、エピタキシャル層１２Ａに比べて、不純物濃度が高くかつ厚さが薄いｎ^−エピタキシャル層１２Ｂが形成され、エピタキシャル層１２Ｂにはｐ埋め込み層１３Ｂが形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR PRETREATING EPITAXIAL LAYER, METHOD FOR EVALUATING EPITAXIAL LAYER, AND APPARATUS FOR EVALUATING EPITAXIAL LAYER例文帳に追加

エピタキシャル層の前処理方法およびエピタキシャル層の評価方法並びにエピタキシャル層の評価装置 - 特許庁

Further, a second epitaxial layer 13, lower than the first epitaxial layer 12 in the concentration, is provided on the first epitaxial layer 12.例文帳に追加

また、第１のエピタキシャル層１２上には、第１のエピタキシャル層１２よりも低濃度の第２のエピタキシャル層１３が設けられている。 - 特許庁

On the GaN epitaxial layer, an AlN epitaxial layer 3 is formed.例文帳に追加

ＧａＮエピタキシャル層２の上にＡｌＮエピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

The second epitaxial crystal layer is composed of the same crystal as that of the first epitaxial crystal layer.例文帳に追加

第２のエピタキシャル結晶層は前記第１のエピタキシャル結晶層と同じ結晶からなる。 - 特許庁

A GaN epitaxial layer 17 is provided on the AlN epitaxial layer 15.例文帳に追加

ＧａＮエピタキシャル層１７は、ＡｌＮエピタキシャル層１５上に設けられている。 - 特許庁

The p-type base layer 14 is formed by epitaxial growth on the upper surface of the epitaxial layer 12.例文帳に追加

エピタキシャル層１２の上面にｐ型ベース層１４がエピタキシャル成長により形成される。 - 特許庁

A P-type epitaxial layer 53 is arranged on the N-type epitaxial layer 52.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層５２上に、Ｐ型エピタキシャル層５３が配置される。 - 特許庁

The epitaxial layer forming apparatus 110 forms an epitaxial layer on a substrate.例文帳に追加

エピタキシャル層形成装置１１０は、基板上にエピタキシャル層を形成する。 - 特許庁

A second epitaxial layer 32 whose conduction type is p^--type is formed by epitaxial growth on the first epitaxial layer 31.例文帳に追加

続いて、第１エピタキシャル層３１の上に、エピタキシャル成長により、導電型がＰ^−型である第２エピタキシャル層３２が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER HAVING EPITAXIAL LAYER例文帳に追加

エピタキシャル層を有する半導体ウェハの製造方法 - 特許庁

EPITAXIAL WAFER CONTAINING InGaAs LAYER例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ層を含むエピタキシャルウエハ - 特許庁

SELECTIVE FORMATION OF SILICON CARBON EPITAXIAL LAYER例文帳に追加

シリコン炭素エピタキシャル層の選択形成 - 特許庁

An n- epitaxial layer 12C is formed with impurity concentration higher than the epitaxial layer 12A and thinner than the epitaxial layer 12A is formed on the epitaxial layer 12B.例文帳に追加

エピタキシャル層１２Ｂ上には、エピタキシャル層１２Ａに比べて、不純物濃度が高くかつ厚さが薄いｎ^−エピタキシャル層１２Ｃが形成されている。 - 特許庁

EPITAXIAL GROWTH METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

化合物半導体層のエピタキシャル成長方法 - 特許庁

SUBSTRATE, SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

基板、エピタキシャル層付基板および半導体装置 - 特許庁

The semiconductor epitaxial layer 19 is composed of InGaN.例文帳に追加

半導体エピタキシャル層１９は、ＩｎＧａＮからなる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT EPITAXIAL LAYER SEPARATING METHOD例文帳に追加

半導体素子のエピタキシャル層分離方法 - 特許庁

METHOD OF GROWING GaN EPITAXIAL LAYER例文帳に追加

ＧａＮエピタキシャル層の成長方法 - 特許庁

ALGaInN-BASED LED WITH EPITAXIAL LAYER例文帳に追加

エピタキシャル層を有するＡｌＧａＩｎＮベースＬＥＤ - 特許庁

VAPOR GROWTH APPARATUS FOR EPITAXIAL LAYER例文帳に追加

エピタキシャル層の気相成長装置 - 特許庁

A support substrate is bonded to the semiconductor epitaxial layer.例文帳に追加

半導体エピタキシャル層に支持基板を接着する。 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING NITRIDE EPITAXIAL LAYER, AND ITS STRUCTURE例文帳に追加

窒化物エピタキシャル層製造方法及びその構造 - 特許庁

EPITAXIAL LAYER STRUCTURE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

エピタキシャル層構造及びその製造方法 - 特許庁

To analyze a semiconductor epitaxial layer with high resolution.例文帳に追加

半導体エピタキシャル層を高解像度で分析する。 - 特許庁

The groove is filled with an epitaxial layer.例文帳に追加

溝をエピタキシャル層で充填する。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING CARRIER CONCENTRATION OF SILICON EPITAXIAL LAYER例文帳に追加

シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度測定方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FILM BY ATOMIC LAYER EPITAXIAL GROWING METHOD例文帳に追加

原子層エピタキシャル成長法による成膜方法 - 特許庁

Then, a sub-epitaxial layer 2 is formed at a lower temperature than the growth temperature of a main epitaxial layer 3 (step S8), and the main epitaxial layer 3 is formed on the sub-epitaxial layer 2 at ≥900°C and ≤1,200°C (step S9).例文帳に追加

そして主エピタキシャル層3の成長温度よりも低温で副エピタキシャル層2を形成し（ステップS8）、900℃以上1200℃以下の温度で副エピタキシャル層2上に主エピタキシャル層3を形成する（ステップS9）。 - 特許庁

The selection epitaxial layer is made of 3C silicon carbide.例文帳に追加

選択エピ層は３Ｃの炭化珪素から構成する。 - 特許庁

NITRIDE-EPITAXIAL-LAYER STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD OF THIS STRUCTURE例文帳に追加

窒化物エピタキシャル層構造とその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING EPITAXIAL WAFER FREE FROM EPITAXIAL LAYER DEFFECT USING NITROGEN-ADDED SUBSTRATE例文帳に追加

窒素添加基板を用いたエピ層欠陥のないエピタキシャルウエハの製造方法 - 特許庁

The epitaxial layer is made to develop from the epitaxial growth surface in which the substrate is exposed.例文帳に追加

エピタキシャル層は、前記基板の露出されたエピタキシャル成長面から成長される。 - 特許庁

SILICON WAFER FOR LAMINATING EPITAXIAL LAYER AND EPITAXIAL WAFER, AND MANUFACTURE THERE OF例文帳に追加

エピタキシャル層積層用シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ並びにその製造方法 - 特許庁

To provide a method of forming an epitaxial layer of a light-emitting diode by self-bonding epitaxial growth.例文帳に追加

自己接合エピタキシャルで発光ダイオードのエピタキシャル層を形成する方法の提供。 - 特許庁

The epitaxial wafer is obtained by forming an epitaxial layer on the surface of the wafer.例文帳に追加

および該ウエーハの表面にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウエーハ。 - 特許庁

Consequently, liquid layer epitaxial growth of the epitaxial film is performed to eliminate the slip accompanying heating during epitaxial growth.例文帳に追加

これにより、エピタキシャル膜の液層エピタキシャル成長を可能とし、エピ成長時の加熱に伴うスリップの発生を無くせる。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING THICKNESS OF EPITAXIAL LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR CONTROLLING MANUFACTURING PROCESS OF EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

エピタキシャル層の膜厚測定方法、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ製造工程管理方法 - 特許庁

In the compound semiconductor epitaxial wafer, a GaAs epitaxial layer, a GaInP epitaxial layer and an AlGaInP epitaxial layer are successively grown on a GaAs substrate by an organo-metallic vapor phase growth method.例文帳に追加

有機金属気相成長法によりＧａＡｓ基板上にＧａＡｓエピタキシャル層、ＧａＩｎＰエピタキシャル層およびＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル層を順次成長させてなる化合物半導体エピタキシャルウェハ。 - 特許庁

EPITAXIAL GROWTH METHOD OF InGaP LAYER OR InAlP LAYER例文帳に追加

ＩｎＧａＰ層又はＩｎＡｌＰ層のエピタキシャル成長方法 - 特許庁

A metal contact layer 55 is formed on the p-type epitaxial layer.例文帳に追加

ｐ型エピタキシャル層上に金属接点層５５を形成する。 - 特許庁

Furthermore, an n^--type epitaxial layer 9 and a p^+-type layer 10 are formed on a part opposite to the bottom of the trench 6 in the p^+-type layer 8 and the n^--type epitaxial layer 7, and an n^+-type layer 11 having higher concentration than the n^--type epitaxial layer 9 is formed above the n^--type epitaxial layer 9.例文帳に追加

さらに、Ｐ^＋型層８およびＮ^−型エピ層７のうちトレンチ６の底面と対向する部分の上にＮ^−型エピ層９とＰ^＋型層１０とを形成し、Ｎ^−型エピ層層９の上部に、Ｎ^−型エピ層９よりも高濃度のＮ^＋型層１１を形成する。 - 特許庁

The light receiving element has a PIN structure having a p^+-layer 2, a p-type epitaxial growth layer 3 formed on the p^+-layer, an n-type epitaxial growth layer 4 formed on the p-type epitaxial growth layer 3, and an n^+-diffusion layer 5 formed on the n-type epitaxial growth layer 4.例文帳に追加

受光素子は、Ｐ^＋層２と、Ｐ^＋層上に形成されるＰ型エピタキシャル成長層３と、Ｐ型エピタキシャル成長層３上に形成されたＮ型エピタキシャル成長層４と、Ｎ型エピタキシャル成長層４上に形成されるＮ^＋拡散層５から構成されるＰＩＮ構造を有する。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing an epitaxial wafer by optionally controlling the thickness of an epitaxial layer (or the roll-off of the epitaxial layer, ZDD) around the outermost periphery during epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長の際、最外周付近におけるエピタキシャル層の厚さ（あるいはエピタキシャル層のロールオフ、ＺＤＤ）を任意に制御してエピタキシャルウエーハを製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

The method for measuring the thickness of the epitaxial layer in a manufacturing process of the epitaxial wafer includes formation of the epitaxial layer on the surface of a semiconductor wafer by subjecting the semiconductor wafer to an epitaxial growth process.例文帳に追加

半導体ウェーハをエピタキシャル成長工程に付すことにより、該半導体ウェーハの表面にエピタキシャル層を形成することを含むエピタキシャルウェーハの製造工程におけるエピタキシャル層の膜厚測定方法。 - 特許庁