「GANP」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Instead of the GaP layers, the GaNP layer may be formed by laminating GaAs layers and the GaN layers.例文帳に追加

ＧａＰ層のかわりにＧａＡｓをＧａＮ層と積層してＧａＮＰ層を形成してもよい。 - 特許庁

To search and identify a GANP binding protein increasing or decreasing with a GANP protein participating in the abnormal proliferation of B cell recognizable in cancers or autoimmune diseases.例文帳に追加

癌又は自己免疫疾患において認められるＢ細胞の異常増殖に関与しているＧＡＮＰタンパク質とともに増減するＧＡＮＰ結合性タンパク質を探索し、同定すること。 - 特許庁

There are provided the transgenic mammal carrying a GANP (germinal center-associated nuclear protein) gene transferred thereinto; a progeny thereof or a part thereof; and a method for producing the high-affinity antibody using the same.例文帳に追加

GANP遺伝子を導入したトランスジェニック哺乳動物、その子孫又はそれらの一部、並びにそれを用いた高親和性抗体の産生方法。 - 特許庁

P atoms of the GaNP layer are selectively incorporated at dislocation positions to terminate the dislocation there and reduce the dislocation density of the GaN layer.例文帳に追加

ＧａＮＰ層のＰ原子が転位の位置に選択的に取り込まれて、転位をそこで終端させ、ＧａＮ層の転位密度を低減させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaNP mixed crystal film which does not require special device constitution, which is excellent in crystallinity, and which has a steep hetero interface.例文帳に追加

特別な装置構成を必要とせず、結晶性に優れ、かつ、急峻なヘテロ界面を有するＧａＮＰ混晶膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high quality GaN-based light-emitting element, in which a GaNP layer or a GaNAs layer is used as an active layer and to provide its formation method.例文帳に追加

ＧａＮＰやＧａＮＡｓを活性層とした良質なＧａＮ系発光素子およびその作成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a good quality GaN based light emitting element having an active layer of GaNP or GaNAs and its manufacturing method.例文帳に追加

ＧａＮＰやＧａＮＡｓを活性層とした良質なＧａＮ系発光素子およびその作成方法を提供すること。 - 特許庁

(a) A specific amino acid sequence; (b) an amino acid sequence corresponding to the specific amino acid sequence (a) provided that one or more amino acids are deleted, substituted and/or inserted in the specific sequence and having binding activity to GANP; and (c) an amino acid sequence having a homology of ≥60% to the specific amino acid sequence (a) and having binding activity to GANP.例文帳に追加

（ａ）特定なアミノ酸配列；（ｂ）特定なアミノ酸配列において１から数個のアミノ酸が欠失、置換及び／又は挿入したアミノ酸配列であって、ＧＡＮＰに対する結合活性を有するアミノ酸配列；又は、（ｃ）特定なアミノ酸配列と６０％以上の相同性を有するアミノ酸配列であって、ＧＡＮＰに対する結合活性を有するアミノ酸配列： - 特許庁

In this manner, the dislocation density of the GaN layers is reduced by inserting the quantum well layer (MQW) 14 composed of GaN and GaNP between the GaN layers in the GaN compound semiconductor device.例文帳に追加

このように、ＧａＮ系化合物半導体装置において、ＧａＮ系層間にＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層を挿入することでＧａＮ層の転位密度を低減させる。 - 特許庁

A GaN buffer layer 11, a GaN layer 12, a multiple quantum well (MQW) layer 14 consisting of GaN and GaNP, and a GaN layer 16 are sequentially grown on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。 - 特許庁

Phosphorus (P) ions are implanted into a p-type GaN layer 14 formed on an n-type GaN layer 13 which is then heated to form a GaNP layer 15 serving as an active layer.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層１３上に積層されたｐ型ＧａＮ層１４中にＰをイオン注入し、その後加熱することによって、活性層となるＧａＮＰ層１５を形成する。 - 特許庁

The GaN-based light-emitting element is constituted, in such a way that the GaNP layer which is changed into a mixed crystal by executing heat treatment is used as the active layer with reference to a multilayer film 30', which is constituted by laminating GaN layers and GaP layers.例文帳に追加

ＧａＮ層とＧａＰ層との積層により構成される多層膜３０’に対し、熱処理を施すことで混晶化されたＧａＮＰ層を活性層としてＧａＮ系発光素子を構成する。 - 特許庁

A GaN buffer layer 11, a GaN layer 12, a quantum well layer (MQW: multiple quantum well) 14 composed of GaN and GaNP, and a GaN layer 16, are made to grow on a board 10 in increasing order.例文帳に追加

基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。 - 特許庁

The base material for a semiconductor device comprises a substrate, a GaInNP buffer layer or a GaNP buffer layer deposited on the substrate, and a base layer for formation of a functional element deposited on the GaInNP buffer layer or the GaNP buffer layer, wherein the base layer for a functional element includes a high crystalline Al_xGa_1-xN semiconductor layer as the uppermost layer and also includes a low crystalline AlGaN semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置用基材は、基板と、この基板上に形成されたＧａＩｎＮＰバッファ層またはＧａＮＰバッファ層と、このＧａＩｎＮＰバッファ層またはＧａＮＰバッファ層上に形成された積層体である機能素子形成用下地層とよりなり、機能素子形成用下地層は、その最上層が高結晶性Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ半導体層よりなり、当該機能素子形成用下地層中には低結晶性ＡｌＧａＮ半導体層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The epitaxial lateral overgrowth substrate comprises a mother substrate, an island-like protective layer disposed on the mother substrate, and a GaNP layer disposed in contact with the upper faces and the sidewalls of the mother substrate and of the island-like protective layer.例文帳に追加

母材基板と、前記母材基板に設けられた島状保護層と、前記母材基板と前記島状保護層の上面および側壁とに接して設けられたＧａＮＰ層とを備えたエピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース基板とする。 - 特許庁