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「GROUP TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > GROUP TYPEの意味・解説 > GROUP TYPEに関連した英語例文

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GROUP TYPEの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2919



例文

This novolac type phenolic resin containing a fluorene bisphenol group comprises a structure of formula (1).例文帳に追加

式(1)の構造を含むノボラック型フェノール樹脂。 - 特許庁

METHOD OF FORMING p-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

p型のIII族窒化物半導体の形成方法 - 特許庁

The color matching table group groups for each type of papers.例文帳に追加

色合せテーブル群は、用紙の種類ごとにグルーピングする。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING FLUORINE-CONTAINING POLYMER HAVING SULFONIC ACID TYPE GROUP例文帳に追加

スルホン酸型基を有する含フッ素ポリマーの製造方法 - 特許庁

例文

CARBOXY GROUP-CONTAINING NOVOLAC-TYPE RESIN AND CURED PRODUCT THEREOF例文帳に追加

カルボキシル基含有ノボラック型樹脂及びその硬化物 - 特許庁


例文

NEW STRAIGHT-CHAIN TYPE SPIN TRAPPING AGENT HAVING DIPHENYLPHOSPHINYL GROUP例文帳に追加

ジフェニルホスフィニル基をもつ新規直鎖型スピントラップ剤 - 特許庁

a certain type of clothing worn by all members of a group 例文帳に追加

ある特定の団体で着用されるそろいの服 - EDR日英対訳辞書

this type of study does not usually have a control group. 例文帳に追加

この種類の研究には通常、対照群がない。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

METHOD FOR PRODUCING N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

n型III族窒化物単結晶の製造方法、n型III族窒化物単結晶および結晶基板 - 特許庁

例文

The p-type semiconductor layer 2 is constituted of the p-type semiconductor layer 2 and a chalcopyrite structure semiconductor including a Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element.例文帳に追加

p形半導体層2はIb族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含むカルコパイライト構造半導体からなる。 - 特許庁

例文

To lower a resistance of a p-type semiconductor layer group in a semiconductor device with a p-type semiconductor layer group and an n-type semiconductor layer group laminated on a predetermined wafer so that the p-type semiconductor layer group is satisfactorily activated for a practical use.例文帳に追加

所定の基板上において、p型半導体層群及びn型半導体層群が積層されてなる半導体素子において、前記p型半導体層群が十分に活性化処理されて実用に足るべく低抵抗化する。 - 特許庁

LADDER TYPE SILSESQUIOXANE COMPOUND CONTAINING STYRYL GROUP AS SUBSTITUENT GROUP AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

スチリル基を置換基として含むラダー型シルセスキオキサン化合物およびその製造方法 - 特許庁

N-DIMENSIONAL TORUS TYPE DISTRIBUTION PROCESSING SYSTEM, GROUP COMMUNICATION METHOD AND GROUP COMMUNICATION PROGRAM例文帳に追加

n次元トーラス型分散処理システム、集団通信方法及び集団通信プログラム - 特許庁

To enable the reproduction of contents group by group by only operating a rotary pressurization type operation element.例文帳に追加

回転押圧型操作素子の操作のみで、グループ単位のコンテンツの再生を可能にする。 - 特許庁

The 13th group of the Ko-type, which was recruited in 1943, exceeded 20000 students, including both the first and second halves of the group. 例文帳に追加

昭和18年に募集した甲種第13期は、前後期合わせて20000人を超えた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In another aspect, the inverted sex-inducing type gene group may be a cytochrome P450(CYP) isozyme gene group.例文帳に追加

また、前記逆性誘導型遺伝子群はcytochrome P450(CYP)アイソザイム遺伝子群であってもよい。 - 特許庁

PARTS GROUP FOR ARRAY TYPE DISPLAY DEVICE, METHOD FOR INSTALLING ARRAY-TYPE DISPLAY DEVICE AND THE ARRAY-TYPE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

配列型表示装置用パーツ群,配列型表示装置の設置方法及び配列型表示装置 - 特許庁

FOLDING TYPE OR DETACHABLE TYPE FLOWER POCKET POT ENABLING ANYBODY TO EASILY MAKE GROUP PLANTING例文帳に追加

誰でも簡単に寄せ植えが出来る、折りたたみ式・又は、着脱式フラワーポッケット鉢 - 特許庁

ELECTRODE GROUP FOR FLAT-TYPE SECONDARY BATTERY AND FLAT-TYPE SECONDARY BATTERY USING THE SAME例文帳に追加

扁平形二次電池用電極群およびこれを用いた扁平形二次電池 - 特許庁

The n-type III-V group compound semiconductor layer 20 contains tellurium as an n-type dopant.例文帳に追加

n型III−V族化合物半導体層20は、n型ドーパントとしてテルルを含む。 - 特許庁

TWO-HYDROPHOBIC CHAIN/TWO-HYDROPHILIC GROUP TYPE SURFACTANT AND USE THEREOF例文帳に追加

二鎖二親水基型界面活性剤およびその用途 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING CAGE-TYPE METAL OXIDE MODIFIED WITH ORGANIC GROUP例文帳に追加

かご型有機基修飾金属酸化物の製造方法 - 特許庁

PN JUNCTION TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE例文帳に追加

pn接合型III族窒化物半導体発光素子 - 特許庁

To provide a novolac type phenolic resin containing an azo group.例文帳に追加

アゾ基を含有するノボラック型フェノール樹脂を提供する。 - 特許庁

PRIMARY AMINO GROUP-CONTAINING POLYMER EMULSION TYPE FLOCCULANT例文帳に追加

一級アミノ基含有重合体エマルジョン型凝集剤 - 特許庁

The 13th group of the Ko-type preparatory pilot training course recruited an unprecedented 30000 students. 例文帳に追加

甲飛第13期は空前の30000人規模の募集を図った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE HAVING P TYPE ACTIVE LAYER例文帳に追加

p型活性層を有するIII族窒化物発光装置 - 特許庁

P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加

III族窒化物p型半導体およびその製造方法 - 特許庁

P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

p型III族窒化物半導体とその製造方法 - 特許庁

this type of study usually does not have a control group. 例文帳に追加

通常この種類の研究では対照群を定めない。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

CAGE-TYPE SILOXANE COMPOUND CONTAINING ALKOXY GROUP, CAGE-TYPE SILOXANE COMPOUND CONTAINING SILANOL GROUP AND PRODUCTION METHODS THEREOF例文帳に追加

アルコキシル基含有籠型シロキサン化合物及びシラノール基含有籠型シロキサン化合物並びにこれらの製造方法 - 特許庁

P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE USING P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

p型III族窒化物半導体、その製造方法およびそれを用いた半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

A group II element or a group III element (or a group V or a group VI element material) is introduced into the site of the silicon atom of the iron silicide film for forming a p-type (or an n-type) iron silicide semiconductor film.例文帳に追加

鉄シリサイド膜のシリコン原子のサイトにII族元素又は III族元素(又はV族又はVI族元素原料)を導入してp型(又はn型)鉄シリサイド半導体膜を形成する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer group comprising a second group III nitride including at least Ga is formed on the p-type semiconductor layer group after the activated processing of the p-type semiconductor layer group.例文帳に追加

次いで、前記p型半導体層群を活性化処理した後、前記p型半導体層群上において、少なくともGaを含む第2のIII族窒化物からなるn型半導体層群を形成する。 - 特許庁

This core-shell type hyper branched polymer is characterized by containing at least one kind of repeating units each derived from a monomer having a polar group represented by a sulfonyl group, phosphonate group, phosphinate group or phosphate group in the shell portion of the core-shell type hyper branched polymer.例文帳に追加

コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるシェル部に、スルホニル基、ホスホネート基、ホスフィネート基又はホスフェート基で表される極性基を有するモノマーからなる繰り返し単位の少なくとも1種を含有する。 - 特許庁

A portable type telephone terminal and non-portable type telephone terminal are included in the same group.例文帳に追加

携帯型電話端末と非携帯型電話端末とを同一グループの所属とする。 - 特許庁

IN-BAND GROUP DELAY CONSTANT TYPE DIELECTRIC FILTER AND DISTORTION COMPENSATING TYPE AMPLIFIER UTILIZING THE SAME例文帳に追加

帯域内群遅延一定型誘電体フィルタとそれを用いた歪み補償型増幅器 - 特許庁

A group III nitride light emitting layer is disposed between an n-type region and a p-type region.例文帳に追加

III族発光層は、n型領域とp型領域との間に配置される。 - 特許庁

STACK TYPE BATTERY, MANUFACTURING JIG FOR STACK TYPE ELECTRODE GROUP AND MANUFACTURING METHOD OF THE STACK TYPE BATTERY USING THE JIG例文帳に追加

積層式電池、積層電極体群作製冶具及びその冶具を用いた積層式電池の製造方法 - 特許庁

BLOOD GROUP DETERMINING KIT FOR TYPE AND SCREENING AND BLOOD GROUP DETERMINING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

タイプ&スクリーニングのための血液型判定キット及び該キットを用いる血液型判定装置 - 特許庁

The mold release agent for the form contains a silane coupling agent having at least one type or more of reactive functional group selected from the group consisting of an acryloyl group, and a methacryloyl group, an active hydrogen-containing amino group, an epoxy group, a vinyl group, a perfluoroalkyl group and a mercapto group.例文帳に追加

アクリロイル基、及びメタクリロイル基、活性水素含有アミノ基、エポキシ基、ビニル基、パーフルオロアルキル基及びメルカプト基から選ばれた少なくとも1種以上の反応性官能基を有するシランカップリング剤を含有することを特徴とする型枠用離型剤を用いることで解決できる。 - 特許庁

METHOD FOR SYNTHESIZING PHOSPHATE GROUP-TYPE SCAVENGER BY GRAFT POLYMERIZATION METHOD例文帳に追加

グラフト重合法によるリン酸基型捕集材の合成方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE PLATE GROUP FOR MONO BLOCK TYPE LEAD ACID STORAGE BATTERY例文帳に追加

モノブロック式鉛蓄電池用の極板群の製造方法 - 特許庁

CONTROL DEVICE FOR DESTINATION FLOOR RESERVATION TYPE GROUP SUPERVISORY OPERATION ELEVATOR AT LANDING例文帳に追加

乗り場行先階予約式群管理エレベーターの制御装置 - 特許庁

POLYMER CONTAINING FUNCTIONAL GROUP OF VICINAL SUBSTITUTION TYPE AND USE THEREOF例文帳に追加

ビシナル置換型官能基含有重合体及びその用途 - 特許庁

IN-BAND GROUP DELAY FLATTENING CIRCUIT AND DISTORTION COMPENSATION TYPE AMPLIFIER例文帳に追加

帯域内群遅延平坦回路および歪み補償型増幅器 - 特許庁

October 5: The 13th group of the Ko-type preparatory pilot training course was enrolled (graduated on July 25, 1944). 例文帳に追加

10月5日 甲飛第13期入隊(19年7月25日卒業) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

April 6: The 14th group of the Ko-type preparatory pilot training course was enrolled (the graduation on October 31 was postponed). 例文帳に追加

4月6日 甲飛第14期入隊(10月31日卒業延期) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

p型III族窒化物系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

例文

WURTZITE-TYPE GROUP III-V NITRIDE THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜とその製造法 - 特許庁




  
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