「GROUP TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The positive type photosensitive polyimide composition comprises a multi-blanched polyimide containing a phenolic hydroxyl group as an alkali soluble group and a quinone diazido compound as a dissolution inhibitor.例文帳に追加

アルカリ可溶性基としてフェノール性水酸基を有する多分岐ポリイミドと溶解抑制剤としてキノンジアジド化合物を含有してなるポジ型感光性ポリイミド組成物。 - 特許庁

The 2nd lens group 12 is held by a 2nd-group frame 5 positioned on an imaging side and comprises an aspherical surface resin-cemented type lens 12a as a front lens and a rear lens 12b.例文帳に追加

上記第２レンズ群１２は、結像側に位置する第２群枠５に保持され、前方レンズの非球面樹脂接合型レンズ１２ａと後方レンズ１２ｂとからなる。 - 特許庁

A ranking type retrieval part 110 sequences the document group based on retrieval scores between the second retrieval words and the second components in the document group.例文帳に追加

ランキング型検索部１１０は、上記文書集合を第２の検索語と文書集合中の第２構成要素との間の検索スコアによって順序付けする。 - 特許庁

In the paint composition, the ratio of the isocyanate group (NCO) of the HDI type polyisocyanate to the hydroxide group (OH) of the copolymerized polycarbonate diol (NCO/OH) is 0.8-2.5.例文帳に追加

塗料組成物において、共重合ポリカーボネートジオールの水酸基（ＯＨ）に対するＨＤＩ系ポリイソシアネートのイソシアネート基（ＮＣＯ）の比（ＮＣＯ／ＯＨ）は、０．８〜２．５である。 - 特許庁

To obtain an intraoral dissolution type tablet that includes liposoluble medicines such as vitamin E group, vitamin K group, and the like, and shows excellent intraoral disintegration.例文帳に追加

ビタミンＥ群、ビタミンＫ群等の脂溶性薬物を配合し、口腔内での崩壊性に優れた口腔内溶解型錠剤及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This moisture-curing type water-swelling sealing material has a core layer comprising (A) an NCO group-terminated urethane prepolymer and a coating layer comprising (B) an active hydrogen-containing group- terminated urethane prepolymer.例文帳に追加

ＮＣＯ基末端ウレタンプレポリマー（Ａ）からなるコア層と活性水素含有基末端ウレタンプレポリマー（Ｂ）からなる被覆層を有する湿気硬化型水膨張性シーリング材。 - 特許庁

To provide an in-band group delay constant type dielectric filter with a small loss, having prescribed group delay characteristics and a small size.例文帳に追加

低損失かつ一定の群遅延特性をもつ小形の帯域内群遅延一定型誘電体フィルタおよびそれを用いた小形の歪み補償型増幅器を提供する。 - 特許庁

The bobbin-type coil winding 17 of the first group and that of the second one are connected in series for forming a circuit.例文帳に追加

第１群のボビン式巻線17と第２群のボビン式巻線17は直列に接続して回路を形成する。 - 特許庁

To produce an n-type group III nitride single crystal that has a high quality and a low resistance by a simple process.例文帳に追加

簡単な工程によって、高品質かつ低抵抗であるｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶を製造する。 - 特許庁

To provide a group-III nitride light-emitting device having at least one p-type layer in an active region.例文帳に追加

活性領域に少なくとも１つのｐ型層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置を提供する。 - 特許庁

The device is equipped with a traction device (for example, a small-sized backhoe 40) for developing and moving the belt type geophone group 13.例文帳に追加

また、ベルト型受振器群１３を展開移動するための牽引装置（例えば、小型バックホー４０など）を備える。 - 特許庁

A weak basic anion exchange resin having a primary amine type ion exchange group is used as the anion exchange resin.例文帳に追加

アニオン交換樹脂として、１級アミン形のイオン交換基を有する弱塩基性アニオン交換樹脂を用いる。 - 特許庁

A monomer and/or an oligomer both having carboxyl group is/are included in the ultraviolet hardening-type adhesive composition.例文帳に追加

紫外線硬化型接着剤組成物の中に、カルボキシル基を有するモノマー及び／又はオリゴマーを含有させる。 - 特許庁

POLYARYLENE HAVING SULFONIC ACID GROUP, ITS MANUFACTURING METHOD AND PROTON CONDUCTIVE MEMBRANE FOR DIRECT METHANOL TYPE FUEL CELL例文帳に追加

スルホン酸基を有するポリアリーレンおよびその製造方法、ならび直接メタノール型燃料電池用プロトン伝導膜 - 特許庁

To provide a group III nitride light emitting device having at least one p type layer in an active region.例文帳に追加

活性領域に少なくとも１つのｐ型層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor optical element including a p-type GaN-based semiconductor layer reduced in resistance.例文帳に追加

低抵抗化されたｐ型窒化ガリウム系半導体層を含むIII族窒化物半導体光素子を提供する。 - 特許庁

A channel layer 17 is made of an n-type group III nitride semiconductor and is provided on the embedded gate region 15.例文帳に追加

チャネル層１７は、ｎ型III族窒化物半導体からなり、また埋め込みゲート領域１５上に設けられる。 - 特許庁

To provide a technology for making a leg type robot walk while straightening a group of leg links (particularly, grounded legs).例文帳に追加

脚式ロボットが、脚リンク群（特に接地脚）を伸ばしながら歩行することを可能とする技術を提供する。 - 特許庁

To provide an inversion type group III nitride light-emitting device(LED) with a high light generation capability as a whole.例文帳に追加

本発明は、全体として高い光生成能力を有する反転型III−窒化物発光デバイス（ＬＥＤ）である。 - 特許庁

A current path region 21 made of an n-type group III nitride semiconductor is provided on the fourth area 27f.例文帳に追加

ｎ型III族窒化物半導体からなる電流経路領域２１は、第４のエリア２７ｆ上に設けられる。 - 特許庁

To improve the effect-expressing speed of a stems and leaves-treating type fine particle herbicide having an anionic group and prevent its scattering.例文帳に追加

陽イオン基を有する茎葉処理型微粒除草剤の効果発現速度の向上と飛散の防止。 - 特許庁

To automatically extract an answer to a question from a document group without using a question type.例文帳に追加

質問タイプを用いることなく、質問に対する解答を文書群の中から自動的に抽出できるようにする。 - 特許庁

The first member 1 is formed of one type of material selected from the group consisting of Si or SiC, and the second member 2 is formed of Al or Cu.例文帳に追加

一方の部材１がＳｉまたはＳｉＣからなり、他方の部材２がＡｌまたはＣｕからなる。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING PERFLUOROCARBON POLYMER BEARING SULFONIC ACID TYPE FUNCTIONAL GROUP AND METHOD FOR PRODUCING ION EXCHANGING MEMBRANE例文帳に追加

スルホン酸型官能基を有するパーフルオロカーボン重合体の製造方法、およびイオン交換膜の製造方法 - 特許庁

The second half of the 13th group of the Ko-type of the preparatory pilot training course was enrolled (16890 students in total including Mie Naval Air Corps, Tsuchiura Naval Air Corps, and Matsuyama Naval Air Corps) 例文帳に追加

甲飛第13期後期入隊(三重空・土浦海軍航空隊・松山海軍航空隊で計16890名) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Then the thickness L1 of a group of the p^+-type collector regions 22 is thinner than the electron diffusion length.例文帳に追加

そして、ｐ^＋型コレクタ領域２２群の厚みＬ１が、電子の拡散長よりも薄いことを特徴としている。 - 特許庁

A microwave synthesizer output is applied to an SNS-type superconducting junction group 43 from a microwave input part 41.例文帳に追加

マイクロ波入力部４１からマイクロ波シンセサイザ出力をＳＮＳ型超伝導接合群４３に照射する。 - 特許庁

TILT STRUCTURE OF KEYBOARD DEVICE AND MOVABLE STRUCTURE OF SWITCH GROUP OF TILT STRUCTURE OF VARIABLE CAPACITY TYPE KEYBOARD DEVICE例文帳に追加

キーボード装置の傾斜構造及び容積可変型キーボード装置の傾斜構造におけるスイッチ群の可動構造 - 特許庁

The resin composition is characterized as comprising the compound (A) having the ethylenically unsaturated group and the cage type silica (B).例文帳に追加

エチレン性不飽和基を有する化合物（Ａ）とカゴ型シリカ（Ｂ）を含有することを特徴とする樹脂組成物。 - 特許庁

METHYLTRANSFERASE, DNA THEREOF AND PORPHYRIN TYPE COMPOUND HAVING METHYL GROUP INTRODUCED INTO SPECIFIC SITE例文帳に追加

メチル基転移酵素、そのＤＮＡ、及び特定部位にメチル基が導入されたポルフィリン型化合物の製造方法 - 特許庁

The n-type cladding layer 12 is formed on the principal surface 11a of the group III-V compound semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１２は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面１１ａ上に形成される。 - 特許庁

SULFONIC ACID GROUP-CONTAINING PROTON CONDUCTIVE POLYMER COMPOSITION, SOLID ELECTROLYTE FILM, AND SOLID POLYMER TYPE FUEL CELL例文帳に追加

スルホン酸基含有プロトン伝導性ポリマー組成物、固体電解質膜および固体高分子型燃料電池 - 特許庁

An active energy line hardening type hard coating composition contains a compound having a (meth)acryloyl group and N-vinylformamide.例文帳に追加

（メタ）アクリロイル基を有する化合物とＮ−ビニルホルムアミドとを含有する活性エネルギー線硬化型ハードコート組成物。 - 特許庁

To surely weld a group of electrodes and a collecting boards together in a battery having a non-sintered type electrode.例文帳に追加

非焼結式電極を有する電池で電極群と集電板とを確実に溶着できるようにする。 - 特許庁

The routers forming a group includes only one master or actually-used type and the remainder routers being in a stand-by mode as one used for backup.例文帳に追加

一群を成すルータは一つのみがマスタ又は現用系であり、残りはバックアップ用として待機する。 - 特許庁

A flip-chip-type group III nitride semiconductor light-emitting element comprises: a sapphire substrate 10; and an n-type layer 11, a light-emitting layer 12, and a p-type layer 13 that are sequentially formed on the sapphire substrate 10.例文帳に追加

図１に示すフリップチップ型のIII 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０と、サファイア基板１０上に順に形成されたｎ型層１１、発光層１２、ｐ型層１３を有している。 - 特許庁

The method for producing a polymer having a cage-type structure includes polymerizing a compound having a partial structure A containing an adamantane type cage-type structure and a polymerizable reactive group B contributing to a polymerization reaction in the molecule.例文帳に追加

さらには、金属不純物の含有量が低減された膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を含む有機膜及び前記有機膜を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The method for producing the amphoteric core-shell type aqueous emulsion resin composition is improved by localizing an anion group and a cation group on a shell and a core respectively to improve the characteristics of the conventional amphoteric core-shell type emulsion which is constituted by using both of the anion group and the cation group as the shell components.例文帳に追加

本発明の要点はアニオン基とカチオン基の両方がシェル成分として構成されている従来の両性コア−シェル型水性エマルジョンの特性を、アニオン基とカチオン基をそれぞれシェルとコアに局在化させることで改良することに成功した両性コア−シェル型水性エマルジョン樹脂組成物の製造方法である。 - 特許庁

A releasable material having a fluorine type compound having an addition polymerizable functional group such as a vinyl group, an acryl group, a methacryl group or the like at least on one side of a polymer film base material 1, in a layered state by a vacuum deposition method and the formed layer is irradiated with radiation such as ultraviolet rays or an electron beam to be subjected to addition polymerization to provide fluorine type release layer 2.例文帳に追加

高分子フィルム基材１の少なくとも片面に、ビニル基、アクリル基、メタクリル基などの付加重合性官能基を有するフッ素系化合物を成分に持つ剥離性材料を真空成膜法により層状に設けてから、当該層に紫外線や電子線などの放射線を照射して付加重合せしめてフッ素系剥離層２を設ける。 - 特許庁

This hair cosmetic is characterized by containing (A) a short chain alkyl ether type ester group-containing mono-long chain quaternary ammonium salt and (B) one or more ammonium salts selected from a terminal OH type short chain alkyl ether type ester group-containing di-long chain quaternary ammonium salt and an ester group-containing tri-long chain quaternary ammonium salt.例文帳に追加

（Ａ）短鎖アルキルエーテル型エステル基含有モノ長鎖第４級アンモニウム塩と、（Ｂ）末端ＯＨ型短鎖アルキルエーテル型エステル基含有ジ長鎖第４級アンモニウム塩、さらにエステル基含有トリ長鎖第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる１種以上を含有することを特徴とする毛髪化粧料。 - 特許庁

The ZnO based compound semiconductor element includes: an n-type semiconductor layer which is doped with nitrogen (N) together with group III elements; a p-type semiconductor layer which is formed over the n-type semiconductor layer; and the active layer formed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体素子は、ＩＩＩ族元素とともに窒素（Ｎ）がドープされたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上方に形成されたｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に形成された活性層とを含む。 - 特許庁

In this semiconductor light-emitting element, a p-type guide layer 14 interposed between an activated layer 13 and a p-type clad layer 15 is constituted of compound semiconductors of groups III to V containing B (boron) as a group-III element, specifically a p-type BInP, a p-type BGaAs or a p-type BAlP.例文帳に追加

活性層１３とｐ型クラッド層１５との間に設けられたｐ型ガイド層１４が、ＩＩＩ族元素としてＢ（ホウ素）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、具体的には、ｐ型ＢＩｎＰ、ｐ型ＢＧａＡｓまたはｐ型ＢＡｌＰにより構成されている。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor light-emitting element 100 has a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 11, an n-type AlGaN layer 12, a light-emitting layer 13 of GaN/InGaN multiple quantum well structure, a p-type AlGaN layer 14, a p-type GaN layer 15, and a p^+-type GaN layer 16.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、ｎ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＡｌＧａＮ層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１３、ｐ型ＡｌＧａＮ層１４、ｐ型ＧａＮ層１５、ｐ^+型ＧａＮ層１６を有する。 - 特許庁

On one principal surface of an n-type Si substrate 11, the nitride-based group III-V compound semiconductor layer 13, an n-type active layer 14, and a p-type nitride-based group III-V compound semiconductor layer 15 are grown with a buffer layer 12 interposed therebetween to form the light emitting diode structure.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板１１の一方の主面に、バッファ層１２を介してｎ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１３、活性層１４およびｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させて発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

This positive type chemical amplification resist composition includes a trisulfonium salt type photoacid generator of benzenesulfonic acid having an acid dissociable carbonic acid ester group, and a copolymer resin including a hydroxy styrene unit containing hydroxy styrene and an alkoxyalkyl type acid dissociable group of phenoxy substitution or non-substitution.例文帳に追加

酸解離性炭酸エステル基を有するベンゼンスルホン酸のトリスルホニウム塩型光酸発生剤と、ヒドロキシスチレン及びフェノキシ置換または無置換のアルコキシアルキル型の酸解離性基を含むヒドロキシスチレン単位を含む共重合体樹脂とを含む化学増幅ポジ型のレジスト組成物。 - 特許庁