「GROUP TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a projection type zoom lens and a projection-type display device, having a 5-group and 8-sheet lens configuration, attaining size reduction and reduction of weight, and properly correcting various aberrations, especially, inclination of image plane.例文帳に追加

５群８枚のレンズ構成とされ、小型化、軽量化を達成し、諸収差、特に像面の倒れを良好に補正し得る投写型ズームレンズおよび投写型表示装置を得る。 - 特許庁

A group 18 element such as Ar and an impurity element used as a donor or acceptor are added to the semiconductor layer separated as an element, to form an n-type or p-type gettering site region.例文帳に追加

素子分離された半導体層に、Ａｒなどの第１８族元素と、ドナーまたはアクセプタとなる不純物元素とを添加し、ｎ型またはｐ型のゲッタリングサイト領域を形成する。 - 特許庁

A standard operation command corresponding to the name and attribute and object type of an object in a picture is read from a standard operation command group corresponding to picture definition information and the object type.例文帳に追加

まず画面定義情報とオブジェクト型に応じた標準操作コマンド群から、画面内のオブジェクトの名前・属性とオブジェクト型に対応する標準操作コマンドを読み出す。 - 特許庁

The bed surface treatment is selected from a group of phosphate coating film treatment, sealing treatment for the multipolar magnet of the sintered body, blast treatment, dry type super ultraviolet ozone plasma etching, wet type coupling, and primer treatment.例文帳に追加

下地処理は、燐酸塩皮膜処理、焼結体の多極磁石の封孔処理、ブラスト処理、乾式超紫外線オゾンプラズマエッチング、湿式カップリング、およびプライマー処理のいずれかとされる。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor element 100 is constituted so that an intermediate layer 108 is formed between a p-type AlGaN layer 107 to which an acceptor impurity is added and a p-type GaN layer 109.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体素子１００のアクセプタ不純物の添加されたｐ−ＡｌＧａＮ層１０７とｐ−ＧａＮ層１０９の間に中間層１０８を設ける。 - 特許庁

When the close condition is satisfied by the position sensor group, α-rays and β-rays from the clothes are measured simultaneously by each plane type detector and each curved-surface type detector.例文帳に追加

位置センサ群により前記近接条件が満たされているときに、各平面型検出器及び湾曲面型検出器によって衣服類のα線とβ線を同時に測定する。 - 特許庁

To provide a projection type zoom lens and a projection type display device, having a 5-group and 7-sheet lens configuration, attaining size reduction and reduction of weight, and properly correcting various aberrations, especially, inclination of image plane.例文帳に追加

５群７枚のレンズ構成とされ、小型化、軽量化を達成し、諸収差、特に像面の倒れを良好に補正し得る投写型ズームレンズおよび投写型表示装置を得る。 - 特許庁

To provide the crystal growth method of a p-type group III nitride semiconductor by which the activation rate of a p-type dopant can be improved and high carrier concentration exceeding 10^18 cm^-3 order be obtained.例文帳に追加

ｐ型ドーパントの活性化率を向上させ、１０^18ｃｍ^-3のオーダーを超える高キャリア濃度を得ることの可能なｐ型III族窒化物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

A group of the thermoelectric conversion elements obtained by connecting n-type semiconductors 6a and p-type semiconductors 6b in series with electrodes 3 alternately are inserted and held between a pair of ceramic substrates 4.例文帳に追加

ｎ型半導体６ａとｐ型半導体６ｂとが交互に電極３をもって直列に接続される熱電変換素子群が一対のセラミックス基板４をもって挟持されている。 - 特許庁

A nickel thin film is formed on the surface of an n-type III group nitride semiconductor, and an n-type electrode of a 2-layer structure in which an aluminum thin film is further mounted to a surface of the nickel thin film is formed.例文帳に追加

ｎ型 III族窒化物半導体表面にニッケル薄膜を形成し、該ニッケル薄膜の表面にさらにアルミニウム薄膜を載置した２層構造のｎ型電極とする。 - 特許庁

Related to a semiconductor laser of a rib type or a PBH type of InGaAsP/InP group, a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers is formed so as to function as a current constriction layer by adjusting a forbidden band width.例文帳に追加

InGaAsP/InP系のリブ型またはPBH型の半導体レーザにおいて、p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を、禁制帯幅の調整により電流狭窄層として機能するように形成する。 - 特許庁

This polyethylene-based resin composition characterized by comprising a polyethylene-based resin and one or more white additives selected from the stearates of metal belonging to the group 1 in the long period type periodic table, the srearates of metals belonging to the group 2, the oxides of metals belonging to the group 3, and the oxides or stearates of metals belonging to the group 12.例文帳に追加

ポリエチレン系樹脂に、長周期型周期表の１族に属する金属のステアリン酸塩、２族に属する金属のステアリン酸塩、３族に属する金属の酸化物、１２族に属する金属の酸化物あるいはステアリン酸塩から選ばれる一種以上の白色添加剤を配合する。 - 特許庁

The solvent type gravure printing ink has a polyurethane resin as a main binder and contains a quaternary ammonium salt having four alkyl groups R1, R2, R3 and R4 bonded to N, wherein R1 denotes a 8-22C alkyl group, R2 and R3 each denote a methyl group and R4 denotes a 1-18C alkyl group or a benzyl group.例文帳に追加

ポリウレタン樹脂を主バインダーとし、Ｎに結合している４個のアルキル基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４がそれぞれＲ１が炭素数８〜２２のアルキル基、Ｒ２，Ｒ３がメチル基、Ｒ４が炭素数１〜１８のアルキル基またはベンジル基である４級アンモニウム塩を含有することを特徴とする溶剤型グラビア印刷インキ。 - 特許庁

To provide an n-type compound semiconductor thin film, a method of manufacturing thereof and a solar cell using the same, by allowing a compound semiconductor thin film expressed as a composition formula AB3C5 (A is a group Ib element, B is a group IIIb element, and C is a group VIb element) in which a group II element is contained.例文帳に追加

組成式がＡＢ_3Ｃ_5（ただしＡはＩｂ族元素、ＢはIIIｂ族元素、ＣはVIｂ族元素）で表わされる化合物半導体薄膜にII族元素を含有させることによって、キャリア密度の高いｎ型の化合物半導体薄膜およびその製造方法ならびにこれを用いた太陽電池を提供する。 - 特許庁

(iv) Where no Company, etc. in a Specified Group of Companies, etc. falls under the type of Company, etc. listed in the preceding item, a Company, etc. whose assets in the balance sheet are the largest among the Companies, etc. belonging to the Specified Group of Companies, etc.: the Number of Voting Rights Held by the Group of Companies, etc. in the Specified Group of Companies, etc. 例文帳に追加

四　特定会社等集団に属する会社等のうちに前号に掲げる会社等がない場合において、当該特定会社等集団に属する会社等のうちその貸借対照表上の資産の額が最も多い会社等　当該特定会社等集団に係る会社等集団保有議決権数 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A resist film 11 comprising a chemical amplification type resist material having a base resin containing at least one selected from a t-butyl group, a t-butyloxycarbonyl group and a t-butyloxycarbonylmethyl group as a protective group and an acid generator is formed and patternwise exposed by irradiation with extreme-ultraviolet radiation (13.5 nm band) 13.例文帳に追加

保護基として、ｔ−ブチル基、ｔ−ブチルオキシカルボニル基及びｔ−ブチルオキシカルボニルメチル基のうちの少なくとも１つを含むベース樹脂と酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜１１を形成した後、該レジスト膜１１に極紫外線（１３．５ｎｍ帯）１３を照射してパターン露光を行なう。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 formed sequentially from the GaN single crystal substrate 1 side.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

The preprocessing part 2 stores the inputted image (a) by unit of frame, predicts by which type of the field type and the frame type encoding processing performance improvement can be expected and notifies a JPEG (joint picture experts group) 2000 encoding part 3 of its prediction result.例文帳に追加

前処理部２は、入力画像ａをフレーム単位で蓄積し、フィールドタイプとフレームタイプのいずれのタイプの符号化処理が性能改善を期待できるかを予測し、その予測結果をＪＰＥＧ２０００符号化部３へ通知する。 - 特許庁

Then, an electrode plate group in which the paste type positive electrode plate and the paste type negative electrode plate are laminated in such a state that at least one of the longitudinal bone 4 or the lateral bone 5 is not facing is manufactured, and used in the control valve type lead-acid storage battery.例文帳に追加

そして、ペースト式正極板及びペースト式負極板を、縦骨4又は横骨5の少なくとも一方が対峙しない状態で積層されている極板群を製造して、制御弁式鉛蓄電池に用いる。 - 特許庁

This polyurethane adhesive is obtained by adding an isocyanulate type or a burette type hexamethylene diisocyanate to a terminal isocyanate group-containing urethane polymer obtained by the reaction of a 1,4-type polybutadiene polyol with an alicyclic isocyanate.例文帳に追加

１，４−型ポリブタジエンポリオールと脂環式イソシアネートとの反応によって得られる末端イソシアネート基含有ウレタンプレポリマーにイソシアヌレート型或いはビュレット型のヘキサメチレンジイソシアネートを添加したことを特徴とするポリウレタン接着剤。 - 特許庁

After at least one kind of a hydrophobic monomer is polymerized in the presence of (A) a copolymer of a tertiary amino group containing monomer, a (meth)acrylate ester type monomer and a styrene type monomer, and a surfactant, the ter-amino group in the copolymer (A) is converted into a quarternary ammonium salt.例文帳に追加

３級アミノ基含有モノマーと（メタ）アクリルエステル系モノマーとスチレン系モノマーの共重合体(Ａ)と界面活性剤の存在下で、１種以上の疎水性モノマーを重合した後、共重合体（Ａ）の３級アミノ基を４級アンモニウム塩基とする。 - 特許庁

DNA sequences in many regions of mitochondria genomes of bigeye tuna are newly determined and a single base substitution that has a sufficiently high frequency of appearance in bigeye tuna type α group and a negligible low frequency of appearance in a bigeye tuna type β group is found in an ND1 region.例文帳に追加

メバチのミトコンドリア・ゲノム上の多数の領域についてDNA配列を新たに決定し、メバチα型集団内での出現頻度が十分に高く、かつ、β型集団内での出現頻度が無視できるほど低い一塩基置換をND1領域に見出した。 - 特許庁

A gate electrode 21 is provided on the well region 19 between a first conductivity type source region 17 formed of a second group III nitride system semiconductor and a first conductivity type drift region 15 formed of a first group III nitride system semiconductor.例文帳に追加

ゲート電極２１は、第２のIII族窒化物系半導体から成る第１導電型のソース領域１７と第１のIII族窒化物系半導体から成る第１導電型のドリフト領域１５との間に設けられたウエル領域１９上に設けられている。 - 特許庁

As a result of investigation of a therapeutic agent of diseases associated with 17βHSD type 5, it is verified that an amide compound having a hydroxyalkyl group on a cyclic amino group has a strong inhibitory action on the 17βHSD type 5.例文帳に追加

本発明者らは、１７βＨＳＤ ｔｙｐｅ ５の関与する疾患の治療剤について検討し、環状アミノ基上にヒドロキシアルキル基を有するアミド化合物が強力な１７βＨＳＤ ｔｙｐｅ ５阻害活性を有することを確認し、本発明を完成した。 - 特許庁

This photoelectric conversion element is provided with at least one type of semiconductor, at least one type of organic pigment having a pigment coloring group and at least one electrode, wherein the multi-layered pigment coloring group is sucked to the semiconductor surface.例文帳に追加

少なくとも１種の半導体、色素発色団を有する少なくとも１種の有機色素および少なくとも一つの電極を有する光電変換素子であって、該半導体表面に色素発色団が多層に吸着している光電変換素子。 - 特許庁

This nonsolvent type curable silicone releasing agent composition includes two kinds of specified alkenyl group containing organopolysiloxanes, an organo-hydrogen-polysiloxane, an addition reaction retardant, and a platinum group metal catalyst, and a viscosity of the nonsolvent type curable silicone releasing agent is within a range of 100-1,500 mPa s at 25°C.例文帳に追加

特定の二種のアルケニル基含有オルガノポリシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、付加反応抑制剤、および白金族金属系触媒を含有してなり、２５℃における粘度が１００〜１，５００ｍＰａ.ｓの範囲内である無溶剤型硬化性シリコーン剥離剤組成物。 - 特許庁

This composition contains a polymer (1) made of at least one type of monomer selected from the group consisting of monomers expressed by formula (I) and formula (II), at least one type of monomer (2) selected from the group consisting of monomers expressed by formula (III) and formula (IV), and a photo polymerization initiator (3).例文帳に追加

式（Ｉ）および式（ＩＩ）のモノマーからなる群から選ばれる少なくとも１種のモノマーからなる重合体（１）、式（ＩＩＩ）および式（ＩＶ）のモノマーからなる群から選ばれる少なくとも１種のモノマー（２）ならびに光重合開始剤（３）を含む。 - 特許庁

Connecting parts 20x, 21x are formed at the current collector exposed parts 20, 21 which are arranged at both end parts in longitudinal direction of the wound-type electrode group 1, and the wound-type electrode group 1 and the current collection terminal plates are connecting by welding through the connecting parts 20x, 21x.例文帳に追加

捲回型電極群１の長手方向両端部に配置される集電体露出部２０、２１に接続部２０ｘ、２１ｘを形成し、この接続部２０ｘ、２１ｘを介して捲回型電極群１と、集電端子板とを溶接により接合する。 - 特許庁

The method for manufacturing the thermoelectric material comprises the steps of liquid quenching a molten metal of a composition containing at least one type of element selected from the group consisting of Bi and Sb, and at least one type of element selected from the group consisting of Te and Se, thereby obtaining a unidirectionally solidified material.例文帳に追加

Ｂｉ及びＳｂからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｔｅ及びＳｅからなる群から選択された少なくとも１種の元素とからなる組成の溶融金属を液体急冷させることにより、一方向凝固材を得る。 - 特許庁

The diode comprises: a Group III nitride heterojunction diode with a p-type Group III nitride contact layer; an ohmic contact to the p-type contact layer; and a diode with a sputter-deposited silicon nitride composition passivation layer on the ohmic contact.例文帳に追加

前記ダイオードは、ｐ型ＩＩＩ族窒化物コンタクト層を有するＩＩＩ族ヘテロ接合ダイオード、前記ｐ型コンタクト層に対するオーミックコンタクト、及び前記オーミックコンタクト上に存在するスパッタ堆積された窒化珪素組成物パッシベーション層を有するダイオードを含む。 - 特許庁

In the polymer supported gold catalyst, the catalyst is made by carrying the trivalent gold to the styrene type polymer, wherein the styrene type polymer is a styrene monomer-based polymer and the main chain or benzene ring of the polymer has a hydrophilic side chain having hydroxide group or alkoxy group.例文帳に追加

本発明は、３価の金をスチレン系高分子に担持させて成る触媒であって、該スチレン系高分子が、スチレンモノマーをベースとし、その主鎖又はベンゼン環が水酸基又はアルコキシ基を有する親水性側鎖を有する高分子担持金触媒である。 - 特許庁

The releasing material for polysaccharides or their salt with 1,3-β-crosslink type D-glucose as a repeating unit has introduced the sulfate group comprising a polymer material for carrying the polysaccharides or their salt with 1,3-β-crosslink type D-glucose introducing the sulfate group as the repeating unit.例文帳に追加

硫酸基が導入された1,3-β-架橋型Ｄ−グルコースを繰り返し単位とする多糖類又はその塩を担持したポリマー材料よりなる硫酸基が導入された1,3-β-架橋型Ｄ−グルコースを繰り返し単位とする多糖類又はその塩の徐放材。 - 特許庁

Disclosed is the hydrogen storage material with a micro porous structure on the surface, which is composed of a structure essentially constituted of a trifunctional type fundamental unit expressed by general formula RSiO_1.5 (R denotes a methyl group or a phenyl group) and a tetrafunctional type fundamental unit expressed by SiO_2.例文帳に追加

一般式ＲＳｉＯ_1.5（Ｒはメチル基またはフェニル基を表す。）で表される３官能型の基本単位と、ＳｉＯ_２で表される４官能型の基本単位と、を主体とする構造からなる、表面に微小なポーラス構造を有する水素貯蔵材料である。 - 特許庁

Then, an n-type GaN layer 3 made of group III nitride semiconductor, a p-type GaN layer 4 and an n-type GaN layer 5 are grown in this order from the n-type GaN layer 7 exposed from the opening 9 of the insulation film mask 8, forming a mesa lamination part 15 with npn structure.例文帳に追加

そして、この絶縁膜マスク８の開口部９から露出するｎ型ＧａＮ層７から、III族窒化物半導体からなるｎ型ＧａＮ層３、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５が、この順に成長させられてｎｐｎ構造からなるメサ状積層部１５が形成される。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor lamination structure 2 has semiconductor diode structure with a p-type clad layer 18 and an n-type clad layer 14, a p-type guide layer 16 and an n-type guide layer 15 sandwiched between them, and an active layer 10 including In sandwiched between them.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｐ型クラッド層１８およびｎ型クラッド層１４と、これらに挟まれたｐ型ガイド層１６およびｎ型ガイド層１５と、これらに挟まれたＩｎを含む活性層１０とを備えた半導体レーザダイオード構造を有している。 - 特許庁

One- side edges of a plurality of n-type divided drift path regions 1 are pn-joined to a p-type channel diffusion region 7, and the other edges are connected to an n^+-type drain region 9 so that a drift path group 100 connected in parallel can be formed so as to be branched from the n^+-type drain region 9 side.例文帳に追加

複数のｎ型分割ドリフト経路域１の一方端はｐ型のチャネル拡散領域７にｐｎ接合し、それらの他端はｎ＋型のドレイン領域９に接続しており、ｎ＋型のドレイン領域９側から分岐して並列接続のドリフト経路群１００を形成している。 - 特許庁

A resistive element group 13 is composed of four serially connected resistance groups R, 2R, 4R and 8R, and the mountable vehicle type discriminating terminal 9 is connected to both ends of the resistive element group 13.例文帳に追加

抵抗素子群１３は、Ｒ，２Ｒ，４Ｒ，８Ｒが直列に接続された４個の抵抗群から構成され、抵抗素子群１３の両端に搭載車種判別端子９が接続される。 - 特許庁

A photodiode group 5 for detecting the origin position is formed in a moving grating board 6 of this projection type linear encoder 1, and a reflecting grating group 8 for detecting the origin position is formed in a reflecting grating board 9.例文帳に追加

投影型リニアエンコーダ１の移動格子板６には原点位置検出用のホトダイオード群５が形成され、反射格子板９には原点位置検出用の反射格子群８が形成されている。 - 特許庁

In the dicing/die bonding sheet 10, the adhesive layer 12b is made of a phenyl-based silicone adhesive containing a phenyl group, and the bonding agent layer 13 is made of an addition reaction type silicone bonding agent containing no phenyl group.例文帳に追加

ダイシングダイボンドシート１０では、粘着剤層１２bがフェニル基を含有するフェニル系シリコーン粘着剤であり、接着剤層１３がフェニル基非含有の付加反応型シリコーン接着剤である。 - 特許庁

To provide an end unit for relay for a multiple-type sensor system for securely establishing the electrical connection between a sensor unit and a group of units and between the group of units without changing the sensor units.例文帳に追加

センサユニットに変更を加えることなく、センサユニットとユニット群との間やユニット群の間の電気的接続を確実に確立する連装型センサシステムのための中継用エンドユニットを提供する。 - 特許庁

To provide an elevator group management controller and an elevator group management control method capable of eliminating an overcrowded situation due to delay, congestion or dead lock in an elevator system of longitudinally and laterally moving type.例文帳に追加

縦横移動型エレベータシステムにおける停滞、渋滞又はデッドロック等による輻輳状況を解消することのできるエレベータ群管理制御装置及びエレベータ群管理制御方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a capsule type medical device without uselessly abandoning a remaining functional component group in a non-defective state even when a part of the functional component group mounted on a circuit board is in a defective state.例文帳に追加

回路基板に実装した機能部品群の一部が不良状態であっても、良品状態である残りの機能部品群を無駄に廃棄せずにカプセル型医療装置を製造できること。 - 特許庁

To increase the melt viscosity of a resin before its curing without harming its curing property by solving a problem of the conventional curable resin composition of a radical curing type using (meth)acryloyl group as a main reacting group such as having a low melt viscosity.例文帳に追加

（メタ）アクリロイル基を主な反応基とするラジカル硬化型の、従来の硬化性樹脂組成物の問題点を解決し、硬化性を損なうことなく、硬化前における樹脂の溶融粘度を増す。 - 特許庁

The organic particles having a functional group capable of forming a cation can be formed by polymerizing methyl methacrylate and the like with the use of an azo type polymerization initiator having the functional group.例文帳に追加

陽イオンを形成し得る官能基を有する有機粒子は、この特定の官能基を有するアゾ系の重合開始剤を使用し、メチルメタクリレート等を重合させることにより生成させることができる。 - 特許庁

The liquid composition includes a liquid polymer having an acid anhydride group, and a photogeneration-type latent amine curing agent in which an amine protective group escapes by ultraviolet rays to generate a polyamine compound.例文帳に追加

酸無水物基を有する液状高分子と、紫外線によりアミン保護基が脱離してポリアミン化合物が発生する光発生型の潜在性アミン硬化剤と、を含有する液状組成物とする。 - 特許庁