「GROUP TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The crystalline silicate is preferably one or more selected from the group consisting of MFI type zeolite, mordenite and β-zeolite.例文帳に追加

なお、前記結晶性シリケートは、ＭＦＩ型ゼオライト、モルデナイトおよびベータゼオライトからなる群より選択される１以上であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device structured to take ohmic contact even with a low-concentration n-type group III nitride semiconductor.例文帳に追加

低濃度のｎ型のIII 族窒化物半導体に対してもオーミックコンタクトをとることが可能な構造の半導体装置を提供すること。 - 特許庁

IONIC GROUP-BEARING POLYMER, POLYELECTROLYTE MATERIAL, POLYELECTROLYTE COMPONENT, MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY, AND POLYELECTROLYTE-TYPE FUEL CELL例文帳に追加

イオン性基を有するポリマー、高分子電解質材料、高分子電解質部品、膜電極複合体および高分子電解質型燃料電池 - 特許庁

To provide a tubular membrane filtration group, in which the flow rate of filtration is increased in a dip type membrane filtration system using a tubular filtration membrane.例文帳に追加

管状ろ過膜を用いた浸漬型膜ろ過方式におけるろ過流量を高めることができる管状ろ過膜群を実現する。 - 特許庁

To this amine-type latent curing agent contained in the curable resin composition, at least one selected from a group composed of compounds containing vinyl group, compounds containing carbonyl group and compounds containing silyl phosphate, wherein e value satisfies 0<e≤1.2, is added so that the content of these groups is 0.3 equivalent or more to a nitrogen atom of the amine-type latent curing agent.例文帳に追加

硬化性樹脂組成物中に含まれる、アミン系の潜在性硬化剤に対して、ｅ値が０＜ｅ≦１．２であるビニル基含有化合物、カルボニル基含有化合物およびリン酸シリルエステル基含有化合物からなる群から選択される少なくとも１つを、これらの基がアミン系潜在性硬化剤の窒素原子に対し、０．３当量以上添加する。 - 特許庁

This coating composition comprises (A) a polyester resin containing hydroxy group and carboxylic acid group, (B) a novolak-type epoxy resin, (C) at least one type curing agent selected from the group consisting of a phenol resin obtained by reacting a phenol compound other than bisphenol- A with formaldehyde and an amino resin, (D) a basic curing catalyst, and (E) an acidic curing catalyst.例文帳に追加

（Ａ）水酸基及びカルボン酸基含有ポリエステル樹脂、（Ｂ）ノボラック型エポキシ樹脂、（Ｃ）ビスフェノールＡ以外のフェノール類とホルムアルデヒドとを反応させてなるフェノール樹脂及びアミノ樹脂から選ばれる少なくとも１種の硬化剤、（Ｄ）塩基性硬化触媒、及び（Ｅ）酸性硬化触媒を含有することを特徴とする塗料組成物。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor layer 2 has a lamination structure, where an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron blocking layer 23, and a p-type contact layer 24 are laminated successively from the side of the GaN substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron blocking layer 23, and a p-type contact layer 24 laminated successively from the side of the GaN single-crystal substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

An operation type likelihood prediction and correction part 30 sets the parameter of a probability model so that the operation type group can be most satisfactorily reproduced, and extracts the typical operation type as a symbol name sequence having the highest likelihood by using the parameter.例文帳に追加

動作類型尤度予測修正部３０は、動作類型群を最も良く再現できるよう確率モデルのパラメータを設定し、これを利用して、典型的な動作類型を最も高い尤度を与える象徴名称列として抽出する。 - 特許庁

Also provided is a cationic group-containing copolymer which is obtained by copolymerizing an ether carboxylic acid type surfactant (A), an ether sulfate type surfactant (B), a betaine type amphoteric surfactant (C) and a monomer mixture containing three kinds of monomers (D).例文帳に追加

（Ａ）エーテルカルボン酸塩型界面活性剤（Ｂ）エーテル硫酸塩型界面活性剤（Ｃ）ベタイン型両性界面活性剤（Ｄ）３種の単量体を含有するモノマー混合物を共重合することにより得られるカチオン性基含有共重合体 - 特許庁

The p-side electrode 114 of a multiple structure formed on the surface of the second conductivity type semiconductor layer group on the side of an upper ridge 130 makes contact with the side surface of the ridge 130 and with the surface of the second conductivity type semiconductor layer group in the vicinity of the ridge 130.例文帳に追加

上記第２導電型の半導体層群の上側のリッジ部１３０側の表面に形成された多層構造のｐ側電極１１４が、リッジ部１３０の側面およびリッジ部１３０近傍の第２導電型の半導体層群の表面に接している。 - 特許庁

A first region 15 comprising the p-type GaN group compound semiconductor including at least Ni is formed on the surface of a principal side 14b opposed to a principal side 14a of the p-type GaN group compound semiconductor 14 in contact with an MQW light emitting layer 13.例文帳に追加

ＭＱＷ発光層１３と接触するｐ型ＧａＮ系化合物半導体１４の主面１４ａと対向する主面１４ｂの表面には、少なくともＮｉを含むｐ型ＧａＮ系化合物半導体で構成された第１の領域１５が形成されている。 - 特許庁

The light emitting diode is constituted using the p-type boron-phosphide-based semiconductor layer 106 of low resistance which is formed on a p-type Group III nitride semiconductor layer 105 formed above a crystal substrate 100 through a thin-film layer composed of a hexagonal Group III nitride semiconductor.例文帳に追加

結晶基板１００上に設けたｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５上に、六方晶のＩＩＩ族窒化物半導体からなる薄膜層を介在させて形成した、低抵抗のｐ形リン化硼素系半導体層１０６を利用して発光ダイオードを構成する。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor light-emitting element comprises: a sapphire substrate 10 on which an uneven shape is formed; and an n-type layer, a light-emitting layer, and a p-type layer that are sequentially stacked on a surface of the sapphire substrate 10 at the uneven shape side via a buffer layer and are composed of a group III nitride semiconductor.例文帳に追加

実施例１のIII 族窒化物半導体発光素子は、凹凸形状が形成されたサファイア基板１０と、サファイア基板１０の凹凸形状側表面上に、バッファ層を介して順に積層された、III 族窒化物半導体からなるｎ型層、発光層、ｐ型層と、を有している。 - 特許庁

To restrain battery swelling due to S-shaped buckling of an electrode group after repetition of charge and discharge cycles, in a flat type nonaqueous electrolyte secondary battery equipped with a flat type wound-around electrode group including an alloy system active material in a negative electrode.例文帳に追加

負極に合金系活物質を含む扁平状の捲回型電極群を備えた扁平型非水電解質二次電池において、充放電サイクルの繰返し後に電極群がＳ字状に挫屈することにより発生する電池膨れを抑制することを目的とする。 - 特許庁

The fatty acid and its salt can be contained by performing polymerization of a hydrophobic group-containing polycarboxylic acid type polymer in the presence of a fatty acid or its salt or by synthesizing a hydrophobic group-containing polycarboxylic acid type polymer and adding a fatty acid or its salt therein.例文帳に追加

脂肪酸類またはその塩を含有させるには、疎水基含有ポリカルボン酸型ポリマーの重合反応を脂肪酸類またはその塩の存在下に行うか、疎水基含有ポリカルボン酸型ポリマーを重合反応で合成した後、脂肪酸類またはその塩を添加することができる。 - 特許庁

To provide a new antigen construct useful as a reagent in immunoassay for detection and identification of antibodies to human immunodeficiency virus type 1 (HIV-1) group M, HIV-1 group O and human immunodeficiency virus type 2 (HIV-2), polynucleotides useful for the preparation of antigens, DNA clone, expression vectors, and transformed host cells.例文帳に追加

ヒト免疫不全ウイルス1型（HIV-1）M群、HIV-1 O群およびヒト免疫不全ウイルス2型（HIV-2）に対する抗体の検出および識別のためのイムノアッセイにおける試薬として有用な新規抗原構築物、抗原の調製に有用なポリヌクレオチド、DNAクローン、発現ベクター、形質転換宿主細胞に関する。 - 特許庁

The water dispersion type pressure sensitive adhesive composition comprises 100 pts.wt of a water dispersion type copolymer obtained by polymerizing a vinyl monomer mixture containing alkyl (meth)acrylates as principal component and a vinyl monomer containing an alkoxy group, and 0.005-2 pts.wt. of a silane compound containing an epoxy group.例文帳に追加

主成分として（メタ）アクリル酸アルキルエステル、および、アルコキシシリル基含有ビニルモノマーを含有するビニルモノマー混合物を重合して得られる水分散型共重合体１００重量部に、エポキシ基含有シラン化合物０．００５〜２重量部を配合して、水分散型粘着剤組成物を得る。 - 特許庁

In the semiconductor laser device, a p-side electrode 115, contacting with semiconductor layers group 108-114 of a second conductive type, comprises an Ag layer 115a, a Pd layer 115b and an Au layer 115c in order from a side contacting with the semiconductor layers group 108-114 of the above-mentioned second conductive type.例文帳に追加

この発明の半導体レーザ素子では、上記第２導電型の半導体層群１０８〜１１４に接するｐ側電極１１５は、上記第２導電型の半導体層群１０８〜１１４に接する側から順に、Ａｇ層１１５ａと、Ｐｄ層１１５ｂと、Ａｕ層１１５ｃとを有する。 - 特許庁

This equipment covers a group of general I/O connections, arranged in the periphery that uses wiring type connections between a chip and other circuit of a substrate on which the chip is mounted, and uses a group of C4 type I/O connections arranged inside, in relation to an IC chip located above.例文帳に追加

チップとチップが実装された基板の他の回路との間に配線タイプの接続を使用する周囲に配置された一般的なＩ／Ｏ接続の組を覆ってかつ上方にある集積回路チップに対して、内側に配置されたＣ４タイプのＩ／Ｏ接続の組を使用する装置。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor light-emitting element comprises at least an n-type layer side clad layer 103, a light-emitting layer 104 having a multiquantum structure using an Al_xGa_1-xN(0<x<1) layer as a barrier layer 141 and a p-type layer side clad layer 106, each layer composed of a group III nitride semiconductor.例文帳に追加

各層はIII 族窒化物半導体から成り、ｎ型層側クラッド層１０３、Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）層を障壁層１４１とする多重量子構造を有した発光層１０４、ｐ型層側クラッド層１０６を少なくとも有するIII 族窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

The aqueous dispersion of the novolak type phenol resin is obtained by dispersing the novolak type phenol resin having a 3-30C acid group-containing aliphatic hydrocarbon group as a substituent on an aromatic nuclear by using casein as a surfactant and a hydroxyalkylcellulose as a protective colloid in an aqueous medium.例文帳に追加

カゼインを界面活性剤として、ヒドロキシアルキルセルロースを保護コロイドとして用い、炭素原子数３〜３０の酸基含有脂肪族炭化水素基を芳香核上の置換基として有するノボラック型フェノール樹脂を、水性媒体中に分散させてなるノボラック型フェノール樹脂水性分散体。 - 特許庁

In a fluorine solvent, a perfluorocarbon monomer bearing a sulfonic acid type functional group and a perfluoro-olefin are copolymerized by using a chain transfer agent that comprises a saturated hydrocarbon of three to ten carbons, for example, cyclohexane to obtain a perfluorocarbon polymer bearing the sulfonic acid type functional group.例文帳に追加

フッ素系溶剤中で、シクロヘキサン等の炭素数が３〜１０の飽和炭化水素からなる連鎖移動剤を用いて、スルホン酸型官能基を有するパーフルオロカーボンモノマーと、パーフルオロオレフィンとを共重合させることを特徴とするスルホン酸型官能基を有するパーフルオロカーボン重合体の製造方法。 - 特許庁

The solder resist composition comprises a resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group within one molecule, a bisacylphosphine oxide type photopolymerization initiator, a monoacylphosphine oxide type photopolymerization initiator, a photopolymerizable monomer, a titanium oxide, an epoxy compound, and an organic solvent.例文帳に追加

本発明のソルダーレジスト組成物は、１分子内にエチレン性不飽和基とカルボキシル基を含む樹脂と、ビスアシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤と、モノアシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤と、光重合性モノマーと、酸化チタンと、エポキシ化合物と、有機溶剤とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

Audio data 131 etc. associated with the number of photographed images and the type of image group are stored in an acoustic memory; and the audio data corresponding to the number of photographed images, the number of reproduced images, and the type of the image group are taken out from the audio memory and are output as an notification sound in photographing or reproducing.例文帳に追加

音響メモリに撮影枚数や画像グループの種類に対応付けた音データ１３１等を格納しておき、撮影時や再生時に撮影枚数或いは再生枚数や、画像グループの種類等に対応する音データを音響メモリから取り出して報知音として出力させる。 - 特許庁

The one-liquid epoxy resin mixes a curing agent with at least one kind of the epoxy resin of a group comprising cresol borax type, phenol borax type, biphenyl type, dicyclopetadiene type and naphthal type epoxy resin, and comprises a material adding at least one or more of a hardening accelerator, a low stress agent, a filler, a flame retarder, a coupling agent, a parting agent and a pigment thereto.例文帳に追加

１液性エポキシ樹脂は、クレゾールノボラック形、フェノールノボラック形、ビフェニル形、ジシクロペンタジエン形、及びナフタレン形エポキシ樹脂からなるグループの内少なくとも１種類のエポキシ樹脂に硬化剤を配合し、これに硬化促進剤、低応力化剤、充填材、難燃剤、カップリング剤、離型剤、顔料の内少なくとも１つ以上を加えた材料からなる。 - 特許庁

This storage control system 600 is provided with a scale-out type NAS head group 111 constituted of two or more NAS heads and a scale-up type NAS head 110H being an NAS head whose performance is higher than that of each NAS head member 110L being an NAS head configuring the scale-out type NHAS head group 111 in a case body 10.例文帳に追加

記憶制御システム６００が構築される筐体１０内に、２以上のＮＡＳヘッドから構成されるスケールアウト型ＮＡＳヘッドグループ１１１と、スケールアウト型ＮＡＳヘッドグループ１１１を構成するＮＡＳヘッドである各ＮＡＳヘッドメンバ１１０Ｌよりも高性能のＮＡＳヘッドであるスケールアップ型ＮＡＳヘッド１１０Ｈとの両方が備えられる。 - 特許庁

The method is to form a semiconductor material of low-resistance p-type compounds on a substrate, and includes (a) a stage which forms a semiconductor material of p-type impurity-doped group III-V compounds on the substrate and (b) a stage which carries out a micro wave processing on the semiconductor material of the p-type impurity-doped group III-V compounds.例文帳に追加

基板上に低抵抗ｐ型化合物半導体材料を形成する方法であって、（ａ）基板上にｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、（ｂ）ｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えたことをを特徴とする。 - 特許庁

A photonic crystalline surface light-emitting laser 10a includes a group III-V compound semiconductor substrate, an n-type cladding layer 12, a light-emitting layer 15, a p-type cladding layer 16, and a photonic crystalline layer 13.例文帳に追加

フォトニック結晶面発光レーザ１０ａは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板と、ｎ型クラッド層１２と、発光層１５と、ｐ型クラッド層１６と、フォトニック結晶層１３とを備えている。 - 特許庁

The group III nitride based compound semiconductor light-emitting device 201 has an insulation board 20, an n type region 21n, and a p type region 22p in this order, and a light emitting region is shown by a bold line A.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子２０１は、絶縁性基板２０と、ｎ型領域２１ｎと、ｐ型領域２２ｐとをこの順に有し、発光領域を太線Ａで示した。 - 特許庁

A binary type flash memory 2 and multivalued type flash memories 31 to 33 are mixed in a flash memory group 200, management data are stored in the memory 2 and user data are stored in the memories 31 to 33.例文帳に追加

２値型フラッシュメモリ２と多値型フラッシュメモリ３１〜３３とをフラッシュメモリ群２００に混載し、管理データを２値型フラッシュメモリ２に、ユーザデータを多値型フラッシュメモリ３１〜３３に、それぞれ格納する。 - 特許庁

To provide a compact, light-weight, and bright projection type variable focus lens that has a three-group lens configuration, and in particular, satisfactorily corrects various aberrations when varying magnification, and to provide a projection type display device.例文帳に追加

３群レンズ構成とされ、小型化、軽量化を図り得るとともに、明るく、特に変倍時における諸収差を良好に補正し得る投写型可変焦点レンズおよび投写型表示装置を得る。 - 特許庁

As an optical film constituting the optical film group 6, a prism film 62 and a prism-integrated reflection type polarizing film 64 in which the prism film and a reflection type polarizing film are integrated are provided.例文帳に追加

光学フィルム群６を構成する光学フィルムとしては、プリズムフィルム６２と、プリズムフィルムと反射型偏光性フィルムとが一体化されたプリズム一体反射型偏光性フィルム６４とを有する。 - 特許庁

This resin composition contains a vinylic polymer of a star type structure having a cross-linkable silyl group at the terminal or a vinylic block copolymer of the star type structure or a chain extended vinylic block copolymer.例文帳に追加

末端に架橋性シリル基を有する星型構造のビニル系重合体、又は、星型構造の若しくは鎖延長されたビニル系ブロック共重合体を含有する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The ferromagnetic nanoparticle is selected from the group consisting of single metals having ferromagnetism, CuAu type ferromagnetic ordered alloys, Cu_3Au type ferromagnetic ordered alloys and rear earth-based ferromagnetic alloys.例文帳に追加

該強磁性ナノ粒子が、強磁性を有する金属の単体、ＣｕＡｕ型強磁性規則合金、Ｃｕ_３Ａｕ型強磁性規則合金及び希土類系強磁性合金からなる群から選択される。 - 特許庁

A wafer with an n-type semiconductor layer 17a and a p-type semiconductor layer 17b formed of group III-V compound semiconductors laminated on a surface 3 of a substrate 1 is cut along cut planned lines.例文帳に追加

基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。 - 特許庁

A wafer with an n-type semiconductor layer 17a and a p-type semiconductor layer 17b each formed of a group III-V compound semiconductor laminated on a surface 3 of a substrate 1 is cut along a cut-planned line.例文帳に追加

基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。 - 特許庁

This agent contains, as an effective ingredient, at least one type of tissue inhibitor selected from the group consisting of TIMPs, and is useful for curing and/or preventing allergy, in particular I type allergy.例文帳に追加

TIMPs からなる群から選ばれた少なくとも一つのティシュ インヒビターを有効成分として含有することを特徴とする医薬は、アレルギー、特にはＩ型アレルギーの治療及び／又は予防に有用である。 - 特許庁

The p-type MgZnO-based thin film 1 is designed so that the concentration of an n-type impurity of a group 4 element such as silicon, which serves as a donor, is not more than about 1.0×10^17 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、ドナーとなるシリコン等の４族の元素からなるｎ型不純物が約１．０×１０^１７ｃｍ^−３以下の濃度となるように構成されている。 - 特許庁

Further, the p-type MgZnO-based thin film 1 is designed so that the concentration of an n-type impurity of a group 3 element such as boron and aluminum, which serve as a donor, is not more than about 1.0×10^16 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、ドナーとなるボロン及びアルミニウム等の３族の元素からなるｎ型不純物が、約１．０×１０^１６ｃｍ^−３以下の濃度となるように構成されている。 - 特許庁

To avoid a situation where a steer-by-wire type steering system is disabled due to deficiency of power by exactly judging the load state of a battery for supplying power to a load group including the steer-by-wire type steering system.例文帳に追加

ステア・バイ・ワイヤ式操舵装置を含む負荷群に給電するバッテリの負荷状態を的確に判定し、ステア・バイ・ワイヤ式操舵装置が電力不足で作動不能になる事態を未然に回避する。 - 特許庁

The microcapsule is manufactured, for example, by first curing a film comprising water soluble protein by the amino acid crosslinked type curing agent and subsequently curing the cured film by the carboxyl group crosslinked type curing agent.例文帳に追加

このマイクロカプセルは、例えば水溶性タンパク質からなる被膜を、まずアミノ基架橋型硬化剤で硬化させ、次いでカルボキシル基架橋型硬化剤で硬化させることで製造することができる。 - 特許庁

The hexagonal boron nitride particles treated by such method are combined with unreacted monomer selected from a group consisting of benzoxazine and epoxy resins and novolak type or resol type phenol resins and the monomer filled with the treated boron nitride is polymerized.例文帳に追加

このように処理された六方晶窒化ホウ素粒子を、ベンゾオキサジン、エポキシ樹脂及びノボラック型又はレゾール型フェノール樹脂からなる群から選択される未反応モノマーと混ぜた後、重合させる。 - 特許庁

This boron adsorbing ion exchanging column is packed with a I type or II type strongly alkaline anion exchange resin having a quaternary ammonium group whose actual capacity for decomposing neural salt is equal to or higher than the prescribed value.例文帳に追加

ホウ素吸着用イオン交換塔を実中性塩分解能力が所定値以上の４級アンモニウム基をもつI型又はII型強塩基性陰イオン交換樹脂が充填されているものとする。 - 特許庁

This is a projection type linear encoder 1 comprising a movable plate 5 having transmitting grids 3 and a group of grid type photodiodes, and a reflection grid plate 7 having reflection grids 6 facing it.例文帳に追加

投影型リニアエンコーダ１は、透過格子３および格子状のホトダイオード群４が形成された移動板５と、これに対峙した反射格子６が形成された反射格子板７とを有している。 - 特許庁