「GROUP TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The processing element group 14 comprises a plurality of processing elements 16 of data flow type processors.例文帳に追加

処理エレメント群１４はデータフロー型プロセッサの複数の処理エレメント１６を備えている。 - 特許庁

VOLUME PHASE TYPE HOLOGRAM RECORDING MATERIAL AND RECORDING MEDIUM USING MATRIX WITH FUNCTIONAL GROUP例文帳に追加

官能基付きマトリックスを用いる体積位相型ホログラム記録材料および記録媒体 - 特許庁

The solid electrolyte is to contain a carbonate group-containing polymer of a branched type and electrolyte salt.例文帳に追加

分岐型のカーボネート基含有ポリマーと、電解質塩とを含む固体電解質とする。 - 特許庁

The open-chain type ether alcohol is desirable to be glycolic ether group or an aromatic ether alcohol.例文帳に追加

開鎖エーテルアルコールは好ましくはグリコールエーテル類又は芳香族エーテルアルコールである。 - 特許庁

The whole of the carboxyl group incorporated in each copolymer is an acid type.例文帳に追加

各共重合体に含まれるカルボキシル基が全て酸型であることを特徴とする。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体層を含む半導体装置とその製造方法 - 特許庁

To provide a (meth)acrylate type polymer having a vinyl ether group at high efficacy.例文帳に追加

ビニルエーテル基含有（メタ）アクリル酸エステル系重合体を経済的に効率良く提供する。 - 特許庁

ELECTRODE STRUCTURE OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER AND METHOD FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体層上の電極構造とその形成方法 - 特許庁

METHOD FOR SYNTHESIZING PROTEIN HAVING NON-NATURAL TYPE AMINO ACID WITH PHOTOREACTIVE FUNCTIONAL GROUP INTEGRATED THEREIN例文帳に追加

光反応性官能基を有する非天然型アミノ酸組み込みタンパク質の合成方法 - 特許庁

An AlGaN (AlxGa1-xN, 0<x<1) substrate 1 is used as a group III nitride type compound semiconductor element substrate.例文帳に追加

III族窒化物半導体素子の基板として窒化アルミニウムガリウム（Al_xGa_1-xN、0＜x＜1）基板１を用いる。 - 特許庁

The search control section classifies the type of the channel based on the business group to which each channel belongs.例文帳に追加

サーチ制御部は、各チャンネルが属する系列に基づいて、チャンネルのタイプ分けを行う。 - 特許庁

To provide a new polymer containing a functional group of vicinal substitution type and the use thereof.例文帳に追加

新規なビシナル置換型官能基含有重合体およびその用途を提供する。 - 特許庁

In the method for fabricating an n-type group XIII nitride semiconductor, resistance of the n-type group XIII nitride semiconductor is increased by irradiation of light within the range of light energy density not accompanied by change of crystal structure from external side of the n-type group XIII nitride semiconductor.例文帳に追加

ｎ型の１３族窒化物半導体の製造方法であって、 前記ｎ型の１３族窒化物半導体の外部から、結晶構造の変化を伴わない光エネルギー密度範囲の光照射によって、ｎ型の１３族窒化物半導体を高抵抗化する。 - 特許庁

The ink composition contains a copolymer which contains a diene type repeating unit that contains a sulfonic acid group and a vinyl type repeating unit that does not contain a sulfonic acid group and in which the molar content of the diene type repeating unit containing the sulfonic acid group in the copolymer is ≥50 mol%.例文帳に追加

インク組成物は、スルホン酸基含有ジエン系繰返単位とスルホン酸基非含有ビニル系繰返単位とを含み、共重合体における前記スルホン酸基含有ジエン系繰返単位のモル含有率が５０モル％以上である共重合体を含有する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device including a p-type group III nitride semiconductor layer 8, comprises: etching or dicing a laminate structure including the p-type group III nitride semiconductor layer 8 from a front surface or a back surface thereof to a depth not reaching the p-type group III nitride semiconductor layer 8; and dividing the laminate structure into individual semiconductor devices by cleaving the remaining thickness.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層８を含む積層構造の表面または裏面からｐ型のIII族窒化物半導体層８に達しない深さまでエッチングまたはダイシングし、残った厚みをへき開して個々の半導体装置に分割する。 - 特許庁

This capacity switching type memory card recognizing system is provided with a host equipment group 1, a memory card group 3 for exchanging information with the host equipment group 1, and a bus 2 for transmitting/receiving data between the host equipment group 1 and the memory card 2.例文帳に追加

容量切り替え型メモリカード認識システムは、ホスト機器グループ１と、ホスト機器グループ１と情報を交換するメモリカード群３と、ホスト機器グループ１とメモリカード２間でデータを送受信するバス２からなる。 - 特許庁

The negative type photosensitive composition includes [1] a polyorganosiloxane resin having an epoxy group and/or an oxetane group, a polyorganosiloxane resin having a hydroxy group, and an alkali-soluble polyorganosiloxane resin having a carboxyl group.例文帳に追加

［１］エポキシ基および／またはオキセタン基を有するポリオルガノシロキサン樹脂と、水酸基を有するポリオルガノシロキサン樹脂と、カルボキシル基を有するアリカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂とを含有してなるネガ型感光性組成物。 - 特許庁

The rheology modifier includes a specific quarternary salt type compound having a quaternary cationic group and aromatic anion group and an anionic aromatic compound in a specific molar ratio of cationic group/(anionic group+anionic aromatic compound).例文帳に追加

４級カチオン基と芳香族アニオン基とを含む特定の４級塩型化合物と、アニオン性芳香族化合物とを、特定のカチオン基／（アニオン基＋アニオン性芳香族化合物）モル比で含有するレオロジー改質剤。 - 特許庁

(in formula, R^1 denotes a hydrogen atom or a methyl group, R^2 denotes a 4-18C chain type saturated aliphatic hydrocarbon group, W denotes an ethylene group or a propylene group, and n denotes an integer of 0 to 2).例文帳に追加

（式中、Ｒ^1は、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^2は、炭素数４〜１８の鎖式飽和脂肪族炭化水素基を表す。Ｗは、エチレン基又はプロピレン基を表す。また、ｎは、０〜２の整数を表す。） - 特許庁

The in-band group delay flattening circuit is totally constituted by differentiating central frequencies of respective projected type group delay circuits.例文帳に追加

各凸型群遅延回路の中心周波数を異ならせることにより、全体として帯域内群遅延平坦回路を構成する。 - 特許庁

To provide a small inner focus type optical system having a small, lightweight focusing group and a vibration-proof group and having an excellent imaging performance.例文帳に追加

小型、軽量のフォーカス群および防振群を備え、優れた結像性能を有する小型のインナーフォーカス式光学系を提供する。 - 特許庁

The shape type of each face group is judged by referring to a shape type judging rule data base(DB) 21.例文帳に追加

この結果できた各面グループごとに、形状タイプ判定ルールＤＢ（データベース）２１を参照してその形状タイプを判定する。 - 特許庁

This nitride semiconductor layer group is composed of an n-type conductive layer 14, a light reception layer 15, and a p-type conductive layer 16.例文帳に追加

この窒化物半導体層群は、ｎ型導電層１４、受光層１５及びｐ型導電層１６から構成される。 - 特許庁

The HIC 12 divides users into two groups and forms a canceller for which a parallel type canceller and a serial type canceller are combined for each group.例文帳に追加

HIC 12は、ユーザを２グループに分け、グループごとに並列型キャンセラと直列型キャンセラとを組み合わせたキャンセラを形成している。 - 特許庁

Then, the first dot-shaped pattern group constitutes the star type pattern 202 of first color, and the second dot-shaped pattern group constitutes the star type pattern 202 of second color.例文帳に追加

そして、第１のドット状のパターン群により第１の色の星型パターン２０２が構成され、第２のドット状のパターン群により第２の色の星型パターン２０２が構成されている。 - 特許庁

In this case, the vinyl polymeric functional group is of an electron deficient type, and the vinyl polymeric group contained in the printing face of the image receiving material is preferably of a diene type.例文帳に追加

この際、染料のビニル重合性の官能基が電子欠損性のものであり、受像材料印画面に含有させたビニル重合性基がジエン型であることが望ましい。 - 特許庁

The first p-type group III nitride semiconductor layer 27 is composed of an InAlGaN layer, and the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 is composed of a semiconductor different from a material of the InAlGaN layer.例文帳に追加

第１ｐ型III族窒化物半導体層２７はＩｎＡｌＧａＮ層からなり、第２ｐ型III族窒化物半導体層２９は該ＩｎＡｌＧａＮ層と異なる半導体からなる。 - 特許庁

The p-type clad layer 13 and the active layer 14 are composed of group III-V compound semiconductor and the n-type clad layer 15 is composed of group II-VI compound semiconductor.例文帳に追加

そして、ｐ型クラッド層１３と活性層１４とはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなっており、ｎ型クラッド層１５はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなっている。 - 特許庁

To provide a vaccine and a method for immunizing mammals, including humans against infection with Group B streptococcus type II (GBS II) and/or Group B streptococcus type V (GBS V).例文帳に追加

グループＢストレプトコッカス・タイプII（ＧＢＳ II）及び／又はグループＢストレプトコッカス・タイプＶ（ＧＢＳ Ｖ）による感染に対して、人間を含む哺乳類を免疫化させるワクチン及び方法を提供すること。 - 特許庁

The laminating temperature of the buffer layer, the p-type group III nitride semiconductor crystal layer of cubic system and the n-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system is optimized.例文帳に追加

上記緩衝層、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の積層温度を最適化する。 - 特許庁

A first group of cache segments can be handled only for streaming transfer of a first type of information, and a second group of cache segments can be handled only for bulk transfer of a second type of information.例文帳に追加

第１のグループのキャッシュセグメントは第１のタイプの情報のストリーミング転送のみを動作し、第２のグループのキャッシュセグメントは第２のタイプの情報のバルク転送のみを動作してもよい。 - 特許庁

To provide a rectangular waveguide resonator type band pass filter of a group delay time compensation type which compensates a group delay time characteristic and can reduce amplitude deviation and group delay time deviation in a pass rectangular waveguide resonator band.例文帳に追加

群遅延時間特性を補償し、通過矩形導波管共振器帯域内の振幅偏差、群遅延時間偏差を少なくすることが可能な群遅延時間補償型の矩形導波管共振器型帯域通過フィルタを提供する。 - 特許庁

A light emitting layer 12 made of a group III-V nitride semiconductor is formed between a first semiconductor layer 11 made of an n-type group III-V nitride semiconductor and a second semiconductor layer 13 made of a p-type group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

ｎ型のIII-Ｖ族窒化物半導体からなる第１半導体層１１と、ｐ型のIII-Ｖ族窒化物半導体からなる第２半導体層１３との間に、III-Ｖ族窒化物半導体からなる発光層１２が形成されている。 - 特許庁

After a group III nitride crystal 1 containing at least both a p-type impurity and hydrogen is grown, a surface layer 2 is removed entirely or partially from the group III nitride crystal 1 to produce a p-type group III nitride semiconductor 3.例文帳に追加

ｐ型不純物と水素の両方を少なくとも含むIII族窒化物結晶１を成長させた後、III族窒化物結晶１の表面層２の全部または一部を除去してｐ型III族窒化物半導体３を作製する。 - 特許庁

In the access control device 100, a first storage part 109 stores user information showing a group each user belongs to in group type basis and in user basis, and a second storage part 110 data information showing a group to which access to each data is permitted in group type basis and in data basis.例文帳に追加

アクセス制御装置１００において、第１の記憶部１０９は各ユーザが属するグループを示すユーザ情報をグループ種別ごと及びユーザごとに記憶し、第２の記憶部１１０は各データへのアクセスを許可するグループを示すデータ情報をグループ種別ごと及びデータごとに記憶する。 - 特許庁

The skin detergent composition comprises (A) a surfactant, (B) an uncrosslinked polymer having ≥3,000,000 average molecular weight and constituted of constituent monomers in which ≥60 mol% is a monomer having a sulfonic acid group or a salt type group thereof, or a sulfuric acid group or a salt type group thereof, and (C) water.例文帳に追加

（Ａ）界面活性剤、（Ｂ）平均分子量が３００万以上であって、構成モノマーの６０モル％以上がスルホン酸基又はその塩型の基、あるいは硫酸基又はその塩型の基を有するモノマーである非架橋のポリマー、及び（Ｃ）水を含有する皮膚洗浄剤組成物。 - 特許庁

There are provided the epoxy resin characterized by urethane-(meth)acrylating the hydroxyl group of a hydroxyl group-having epoxy resin such as a bisphenol A type epoxy resin or a phenol novolak type epoxy resin with a compound having a (meth)acryloyl group and an isocyanate group; and an epoxy resin composition using the same.例文帳に追加

ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂等の水酸基を有するエポキシ樹脂の水酸基を、（メタ）アクリロイル基及びイソシアネート基を有する化合物によって、ウレタン（メタ）アクリレート化したことを特徴とするエポキシ樹脂及びそれを用いたエポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

When displaying a data group in which one or more properties are defined by type of data in a tabular form, a display device obtains a data group to be displayed, and specifies the type of data from the obtained data group, and displays the property of the data group by giving priority to the property which is common in the data group and the property defined according to the specified type of data.例文帳に追加

表示装置が、データの種類毎に一又は複数のプロパティが定義されているデータ群を表形式で表示する際に、表示するデータ群を取得し、取得したデータ群からデータの種類を特定し、データ群で共通のプロパティと特定したデータの種類で定義されているプロパティとを優先して、データ群のプロパティを表示することによって課題を解決する。 - 特許庁

Also, in the nanoparticle dispersion, the weight ratio of the phospholipid to the multi-chain and multi-hydrophilic group type compound (weight of phospholipid/weight of multi-hydrophilic group type compound) satisfies inequalities: 0.05≤(weight of phospholipid/weight of multi-hydrophilic group type compound)≤20.例文帳に追加

また、ナノ粒子分散液は、前記リン脂質と前記多鎖多親水基型化合物の重量比（リン脂質の重量／多鎖多親水基型化合物の重量）が、０．０５≦（リン脂質の重量／多鎖多親水基型化合物の重量）≦２０を満たすことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a structure wherein a depletion layer traverses an n-type layer piercing a p-type layer during an off period in an n-channel vertical group III nitride semiconductor device including an n-type group III nitride semiconductor layer piercing the p-type layer.例文帳に追加

ｐ型層を貫通するｎ型のIII族窒化物半導体層を備えているｎチャネル型の縦型のIII族窒化物半導体装置であって、オフ時にはｐ型層を貫通するｎ型層を空乏層が横断する構造と、その構造を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A micro type projection lens 1 includes, disposed in order from a formation image side towards a video source side, a first lens group G11, a second lens group G12, and a third lens group G13.例文帳に追加

マイクロ型投影レンズ１は、形成像側から映像源側にかけて順次配列された第１のレンズ群Ｇ１１、第２のレンズ群Ｇ１２及び第３のレンズ群Ｇ１３を備える。 - 特許庁

Then, the predetermined type of unit processing is classified into a first processing group and a second processing group whose estimated load is smaller than that of the first processing group based on the estimated load.例文帳に追加

そして、見積もり負荷に基づいて、所定の種類の単位処理を、第１の処理グループと、第１の処理グループよりも見積もり負荷が小さい第２の処理グループと、に分類する。 - 特許庁

This positive type photosensitive composition contains (a) a carboxylic group containing acrylic resin containing a structural unit expressed by General Formula (1), (b) a naphthoquinone azide compound, and (c) a solvent, where R^1 represents hydrogen atom or methyl group, and R^2 represents a 2-15C bivalent organic group.例文帳に追加

（ａ）下記一般式（１）で表される構造単位を含むカルボキシル基含有アクリル樹脂、（ｂ）ナフトキノンジアジド化合物、（ｃ）溶剤を含有するポジ型感光性組成物。 - 特許庁

When the positive charge type MICR toner containing fine dry silica powder and fine wet silica powder as additives is provided, fine dry silica powder having a positive charge type polar group and a hydrophobic group and fine wet silica powder surface-treated with a silicone oil and having a positive charge type polar group and a fluorine-containing negative charge type polar group are used.例文帳に追加

外添剤として、乾式シリカ微粉末および湿式シリカ微粉末を含有してなる正帯電ＭＩＣＲトナーを提供するにあたり、正帯電極性基および疎水性基を有する乾式シリカ微粉末と、正帯電極性基およびフッ素含有負帯電極性基を有するとともに、シリコーンオイルにより表面処理してある湿式シリカ微粉末とをそれぞれ使用する。 - 特許庁

When the positive charge type toner containing fine dry silica powder and fine wet silica powder as external additives is provided, fine dry silica powder having a positive charge type polar group and a hydrophobic group and fine wet silica powder surface-treated with a silicone oil and having a positive charge type polar group and a fluorine-containing negative charge type polar group are used.例文帳に追加

外添剤として、乾式シリカ微粉末および湿式シリカ微粉末を含有してなる正帯電トナーを提供するにあたり、正帯電極性基および疎水性基を有する乾式シリカ微粉末と、正帯電極性基およびフッ素含有負帯電極性基を有するとともに、シリコーンオイルにより表面処理してある湿式シリカ微粉末とをそれぞれ使用する。 - 特許庁