「GROUP TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The cationic polymerization type ink includes at least a monomer having an epoxy group or an oxetane group as a functional group and can be hardened by cationic polymerization.例文帳に追加

カチオン重合型インクは、エポキシ基又はオキセタン基を官能基として有するモノマーを少なくとも含み、カチオン重合することで硬化する。 - 特許庁

In addition, the nitride semiconductor layer formed on the group III nitride substrate has at least the active layer, an n-type nitride semiconductor layer, and a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

前記半導体素子は、前記活性層はアルミニウム含有窒化物半導体を具える。 - 特許庁

The method for producing a deacylated product of a glycolipid type biosurfactant comprises regioselectively cleaving the acyl group of a glycolipid type biosurfactant by using a hydrolase.例文帳に追加

糖脂質型バイオサーファクタントのアシル基を、加水分解酵素を用いて位置選択的に切断する。 - 特許庁

NOVOLAK TYPE PHENOL RESIN HAVING CARBOXY GROUP AND POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION USING THE PHENOL RESIN例文帳に追加

カルボキシル基を有するノボラック型フェノール樹脂および該フェノール樹脂を用いたポジ型感光性樹脂組成物 - 特許庁

Each sub array group consists of the connection bodies of the same type to facilitate control on a group basis.例文帳に追加

各サブアレイ集団が同じ種類の連結体で構成されているので、集団単位での制御が簡便となる。 - 特許庁

Cylinders of V-type eight cylinder engine of ignition order #1→#8→#4→#3→#6→#5→#7→#2 are divided into two groups of group A:#1→#4→#6→#7 and group B:#8→#3→#5→#2.例文帳に追加

点火順序が＃１→＃８→＃４→＃３→＃６→＃５→＃７→＃２のＶ型８気筒機関の気筒を、グループＡ：＃１→＃４→＃６→＃７、グループＢ：＃８→＃３→＃５→＃２に分ける。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor optical element capable of improving electrical characteristics of a p-type group III nitride semiconductor.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。 - 特許庁

In the formula, A_1 represents bisbenzothiophene type bivalent combination group.例文帳に追加

［化１］上記一般式中、Ａ_１は、ビスベンゾチオフェン型二価連結基を表す。 - 特許庁

The first type area includes at least one function group item, and each of the function group items corresponds to one of the n-second type areas.例文帳に追加

第１タイプ領域が少なくとも１つの機能グループ項目を備え、かつ各機能グループ項目がｎ個の第２タイプ領域の１つに対応する。 - 特許庁

POSITIVE TYPE RESIST COMPOSITION AND ACID DISSOCIABLE GROUP-CONTAINING MONOMER USED IN SAME例文帳に追加

ポジ型レジスト組成物およびそれに用いる酸解離性基含有モノマー - 特許庁

STORAGE SYSTEM GROUP INCLUDING SCALE-OUT TYPE STORAGE SYSTEM AND MANAGEMENT METHOD THEREOF例文帳に追加

スケールアウト型ストレージシステムを含んだストレージシステム群及びその管理方法 - 特許庁

FORMING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法および発光素子 - 特許庁

BRANCH-TYPE POLAR GROUP-CONTAINING OLEFIN COPOLYMER, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

分岐型極性基含有オレフィン共重合体およびその製造法 - 特許庁

To provide a novel group III nitride compound semiconductor vertical type transistor.例文帳に追加

新規なIII族窒化物系化合物半導体縦型トランジスタを提供する。 - 特許庁

DIAMINE CONTAINING IMIDO GROUP, POLYIMIDE PRECURSOR CONTAINING THE IMIDE GROUP, POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN CONTAINING THE PRECURSOR, MANUFACTURING METHOD OF POSITIVE TYPE PATTERN, AND ELECTRONIC PARTS例文帳に追加

イミド基含有ジアミン、該イミド基含有ポリイミド前駆体、該前駆体を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型パターンの製造方法及び電子部品 - 特許庁

The specific resistance ρ29 of the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 is lower than the specific resistance ρ27 of the first p-type group III nitride semiconductor layer 27.例文帳に追加

第２ｐ型III族窒化物半導体層２９の比抵抗ρ２９は第１ｐ型III族窒化物半導体層２７の比抵抗ρ２７より低い。 - 特許庁

METHOD, SYSTEM AND APPARATUS FOR FINDING OFFERING-TYPE CONVERSATION GROUP IDENTIFIER例文帳に追加

提供型会話グループ識別子の発見のための方法、システムおよび装置 - 特許庁

N-TYPE GROUP III NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND PRODUCTION METHOD THEREFORE例文帳に追加

ｎ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体及びその製造方法 - 特許庁

CONTACT BONDING METHOD USING TERMINAL SILYL GROUP-CONTAINING POLYMER-TYPE ADHESIVE例文帳に追加

末端シリル基含有ポリマー型接着剤を用いたコンタクト接着方法 - 特許庁

A tunnel junction TJ is formed with the p-type III-V group compound semiconductor layer 18 and the n-type III-V group compound semiconductor 20.例文帳に追加

ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１８とｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０とによってトンネル接合ＴＪが形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR RAPID DETECTION OF SERUM TYPE OF SALMONELLA O4 GROUP USING LAMP METHOD例文帳に追加

ＬＡＭＰ法を用いたサルモネラＯ４群の血清型迅速検出法 - 特許庁

HYDROXYL GROUP-TERMINATED POLYURETHANE PREPOLYMER AND TWO LIQUID TYPE POLYURETHANE HARDENING COMPOSITION例文帳に追加

水酸基末端ポリウレタンプレポリマーおよび二液型ポリウレタン硬化性組成物 - 特許庁

Will return 'mixed' if elements contained in the group are of different types.Return value returnsgroup elements type 例文帳に追加

複数の型の要素から構成されるグループの場合は'mixed' を返します。 - PEAR

Fig. 2-2-14 Most used location/business type by category (separated by age group)例文帳に追加

第2-2-14図　品目別の最もよく利用する場所・実態（年齢階層別） - 経済産業省

This coating composition is normal-temperature curing type and comprises a hydroxyl-group-containing graft-type fluororesin, an epoxy-type silylating agent, and a nonyellowing polyisocyanate.例文帳に追加

水酸基含有グラフト型フッ素樹脂、エポキシ系シリル化剤、及び無黄変型ポリイソシアネートからなる常温硬化型塗料組成物。 - 特許庁

This coating composition for automotive weather strip and glass run is obtained by incorporating a curing-type urethane-based emulsion coating with at least two silane coupling agents each having amino group, epoxy group, methacryloxy group or acryloxy group or a reaction product thereof.例文帳に追加

硬化型ウレタン系エマルジョン塗料にアミノ、エポキシ、メタクリロキシ、アクリロキシシランカップリング剤のうちの２種類以上又はその反応生成物を添加ウエザーストリップ及びグラスサン塗料組成物。 - 特許庁

A refraction type projection optical system is composed of a 1st negative lens group G1, a 2nd positive lens group G2, a 3rd negative lens group G3, a 4th lens group G4, and a 5th positive group G5 in order from the side of a 1st surface A.例文帳に追加

屈折型の投影光学系は、第１面Ａ側から順に、負の第１レンズ群Ｇ１と、正の第２レンズ群Ｇ２と、負の第３レンズ群Ｇ３と、第４レンズ群Ｇ４と、正の第５レンズ群Ｇ５とを備える。 - 特許庁

The hydrophobic adsorbent is an alkyl group-modified silica gel adsorbent, and the alkyl group-modified silica gel adsorbent is one type selected from among a group that includes octadecyl group-modified silica gel, octyl group-modified silica gel, and cyclohexyl group-modified silica gel.例文帳に追加

疎水性吸着剤がアルキル基修飾シリカゲル吸着剤であり、アルキル基修飾シリカゲル吸着剤が、オクタデシル基修飾シリカゲル、オクチル基修飾シリカゲル、及びシクロヘキシル基修飾シリカゲルからなる群から選ばれる少なくとも１種である。 - 特許庁

The one component type thermosetting resin composition includes a compound having a carboxysilane group and an epoxy group, and an epoxy group activation catalyst and a coupling agent.例文帳に追加

カルボキシラン基とエポキシ基とを含有する化合物と、エポキシ基活性化触媒、カップリング剤とを含んでなるこ１液型熱硬化性樹脂組成物。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer group comprising a first group III nitride including at least Ga is formed over the group III nitride base layer.例文帳に追加

次いで、前記ＩＩＩ族窒化物下地層の上方において、少なくともＧａを含む第１のＩＩＩ族窒化物からなるｐ型半導体層群を形成する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor light emitting element includes a crack preventive layer 15 made of an n-type GaN having a lower dopant concentration than an n-type contact layer 4A between the n-type contact layer 4A made of the n-type GaN of the element obtained by laminating a group III nitride semiconductor and an n-type clad layer 5A made of an n type AlGaN.例文帳に追加

３族窒化物半導体を積層してなる発光素子のｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層４Ａとｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層５Ａとの間に、ｎ型コンタクト層４Ａよりもドーパント濃度が低いｎ型ＧａＮからなるクラック防止層１５を設ける。 - 特許庁

Each layer of a group-III nitride semiconductor light-emitting element is made of a group-III nitride semiconductor, and the group-III nitride semiconductor light-emitting element includes at least an n-type-layer-side cladding layer 103, a light-emitting layer 104, and a p-type-layer-side cladding layer 106.例文帳に追加

各層がIII 族窒化物半導体から成り、ｎ型層側クラッド層１０３、発光層１０４、ｐ型層側クラッド層１０６を少なくとも有するIII 族窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

After group III nitride crystal 32 including at least both of a p-type impurity and hydrogen is grown and cooled, the group III nitride semiconductor is manufactured as the p-type type group III nitride semiconductor by forming a predetermined lamination structure 33 on the group III nitride crystal 32.例文帳に追加

ｐ型不純物と水素の両方を少なくとも含むIII族窒化物結晶３２を結晶成長させて冷却した後に、前記III族窒化物結晶３２の上に、所定の積層構造３３を形成することによって、前記III族窒化物結晶をｐ型III族窒化物半導体として製造する。 - 特許庁

In the group 21, the number of sensors (17) of the first type exceeds the number of sensors 18, 19, 20 of the second type.例文帳に追加

グループ２１において、第１のタイプのセンサ（１７）の数は、第２のタイプのセンサ（１８、１９、２０）の数を超える。 - 特許庁

[2] In the method of manufacturing described in [1], the group III-V compound semiconductor is n-type or p-type.例文帳に追加

〔２〕３−５族化合物半導体が、ｎ型またはｐ型であることを特徴とする上記〔１〕の製造方法。 - 特許庁

A group of layers from the n-type contact layer 104 to the p-type contact layer 108 compose a UV-ray emission portion.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層１０４からｐ型コンタクト層１０８までの層が紫外線発光部を構成している。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor region 13 of the first conductivity type contains an InP substrate 21 of the first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型III−V化合物半導体領域１３は第１導電型のＩｎＰ基板２１を含む。 - 特許庁

This partial deacylation type gellan gum is characterized in that a part of acetyl group and glyceryl group of the acetyl group and the glyceryl group of native type gellan gum is deacylated and residual amount of the glyceryl group is 5-110 mg/g and that of the acetyl group is 3-80 mg/g.例文帳に追加

ネイティブ型ジェランガムのアセチル基及びグリセリル基うち、一部のアセチル基及びグリセリル基を脱アシル化したことを特徴とする部分脱アシル型ジェランガムであって、前記グリセリル基の残基量が５〜１１０ｍｇ／ｇで、アセチル基の残基量が３〜８０ｍｇ／ｇであることを特徴とするものである。 - 特許庁

A group Vb element or a group VI element other than nitrogen is also used as an n-type dopant for forming impurity regions.例文帳に追加

不純物領域形成のためのｎ型ドーパントとしても、窒素以外のＶｂ族、またはＶＩ族元素を用いる。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor region 13-1 includes a p-type dopant and hydrogen.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域１３−１はｐ型ドーパント及び水素を含む。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor region 13-1 includes a p-type dopant and hydrogen.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域１３−１は、ｐ型ドーパント及び水素を含む。 - 特許庁

The distribution of impurity concentrations is provided in a p-type group-III nitride semiconductor layer 8.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層８に不純物濃度の分布を設ける。 - 特許庁

PRODUCTION OF CARBOXYLIC ACID TYPE TWO-CHAIN TWO- HYDROPHILIC GROUP-CONTAINING ANIONIC SURFACTANT例文帳に追加

カルボン酸型２鎖２親水基含有陰イオン界面活性剤の製造方法 - 特許庁

The n-type semiconductor is created by mixing group IIIb elements with iron sulfide.例文帳に追加

硫化鉄にIIIｂ族元素を混ぜることにより、ｎ型半導体を作製する。 - 特許庁

The control valve type lead-acid storage battery is manufactured by using the above electrode plate group.例文帳に追加

そして、この極板群を用いて制御弁式鉛蓄電池を製造する。 - 特許庁