| 意味 | 例文 |
GROUP TYPEの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2919件
Why people changed their mind, and what type of group changed their minds?例文帳に追加
なぜ考えを変えたのか どんなことで考えを変えたのか? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
PREPARATION OF POLY(VINYL ALCOHOL) TYPE RESIN CONTAINING ACETOACETIC ESTER GROUP例文帳に追加
アセト酢酸エステル基含有ポリビニルアルコール系樹脂の製造法 - 特許庁
The code words are distributed over at least one group (G11, G12) of a first type and at least one group (G2) of a second type.例文帳に追加
コード語は第1の型の少なくとも1個の群(G11、G12)と、第2の型の少なくとも1個の群(G2)とに分散される。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE FOR P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
p型のIII族窒化物半導体の製造方法、およびp型のIII族窒化物半導体用の電極の製造方法 - 特許庁
Later it was classified as a new type, "shochu group Ko" or existing type, "shochu group Otsu" according to the Liquor Tax Law. 例文帳に追加
その後、酒税法で「新式焼酎」にあたる「焼酎甲類」と、在来焼酎にあたる「焼酎乙類」の区分が制定された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
To crystal-grow an n- or i-type group III nitride semiconductor on the surface of a p-type group III nitride semiconductor, and to expose the surface of the p-type group III nitride semiconductor without etching a part of the n- or i-type group III nitride semiconductor.例文帳に追加
p型のIII族窒化物半導体の表面に、n型またはi型のIII族窒化物半導体を結晶成長するとともに、n型またはi型のIII族窒化物半導体の一部をエッチングしないでp型のIII族窒化物半導体の表面を露出させる - 特許庁
A group III nitride semiconductor element 11 comprises a substrate 13, an n-type group III nitride semiconductor region 15, a light-emitting layer 17, and a p-type group III nitride semiconductor region 19.例文帳に追加
III族窒化物半導体素子11は、基板13、n型III族窒化物半導体領域15、発光層17、及びp型III族窒化物半導体領域19を備える。 - 特許庁
To provide a forming method of p-type group III nitride semiconductor regions and group III nitride semiconductor elements which is performed by activating p-type dopants present in group III nitride semiconductor regions.例文帳に追加
III族窒化物半導体領域中のp型ドーパントを活性化するp型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法、および半導体素子を提供する。 - 特許庁
The compound is a one-chain type phenol compound having a hydrogen-bonding associative group such as an amide group and a urea group in a main chain part, having a gemini type structure bonded through a spacer to an object and an amide group, a urea group etc., at the para position of 4-hydroxyphenyl group.例文帳に追加
主鎖部分中にアミド基、尿素基等の水素結合性会合基を有する1鎖型フェノール化合物が、スペーサーを介して対象に結合したジェミニ型構造を有し、4−ヒドロキシフェニル基のパラ位にアミド、尿素基等を有する化合物。 - 特許庁
CAGE-TYPE SILSESQUIOXAN RESIN WITH FUNCTIONAL GROUP AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加
官能基を有するかご型シルセスキオキサン樹脂とその製造方法 - 特許庁
To downsize a battery through improvement of volume efficiency of a winding type flat electrode group.例文帳に追加
捲回式扁平電極群の体積効率を向上する。 - 特許庁
To provide a compact, light-weight and bright projection type variable focus lens that has a four-group or five-group lens configuration, and to provide a projection type display device.例文帳に追加
4群または5群レンズ構成とされ、明るく、小型、軽量な投写型可変焦点レンズおよび投写型表示装置を得る。 - 特許庁
ROLLED ELECTRODE GROUP, RECTANGULAR SECONDARY BATTERY, AND LAMINATED TYPE SECONDARY BATTERY例文帳に追加
巻回体電極群、角形二次電池およびラミネート形二次電池 - 特許庁
The imaging optical system includes: a refraction type optical element group 2 having negative refractive power; and a reflection type optical element group 3 having positive refractive power.例文帳に追加
負の屈折力を有する屈折型光学素子群2と、正の屈折力を有する反射型光学素子群3とを備える。 - 特許庁
HOUSING STRUCTURE OF SWITCH GROUP IN VARIABLE CAPACITY TYPE KEYBOARD DEVICE例文帳に追加
容積可変型のキーボード装置におけるスイッチ群のハウジング構造 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING CROSSLINKABLE TYPE CARBOXY GROUP-CONTAINING WATER-SOLUBLE POLYMER例文帳に追加
架橋型カルボキシル基含有水溶性重合体の製造方法 - 特許庁
special design or visual object representing a quality, type, group, etc. 例文帳に追加
ある性質、型、グループなどを代表する特別なデザインまたは視覚 - 日本語WordNet
The second cladding region 23 includes a first p-type group III nitride semiconductor layer 27 and a second p-type group III nitride semiconductor layer 29.例文帳に追加
第2のクラッド領域23は、第1p型III族窒化物半導体層27及び第2p型III族窒化物半導体層29を含む。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING WURTZITE TYPE GROUP III-V NITRIDE THIN FILM CRYSTAL例文帳に追加
ウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶の製造法 - 特許庁
ASSOCIATIVE WORD GROUP RETRIEVAL DEVICE AND SYSTEM, AND CONTENT MATCH TYPE ADVERTISEMENT SYSTEM例文帳に追加
連想語群検索装置、システム及びコンテンツマッチ型広告システム - 特許庁
P-TYPE ACTIVATING METHOD OF GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
III族窒化物系化合物半導体のp型活性化方法 - 特許庁
METHOD OF IMPROVING P-TYPE CONDUCTIVITY OF Mg-DOPED GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
MgドープIII族窒化物半導体のP型導電性向上方法およびP型III族窒化物半導体の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING (METH)ACRYLATE TYPE POLYMER HAVING VINYL ETHER GROUP例文帳に追加
ビニルエーテル基含有(メタ)アクリル酸エステル系重合体の製造方法 - 特許庁
SULFO GROUP-CONTAINING POLYIMIDE MEMBRANE AND SOLID POLYMER TYPE FUEL CELL例文帳に追加
スルホン酸基含有ポリイミド膜及び固体高分子型燃料電池 - 特許庁
The first p-type group III nitride semiconductor layer 27 is provided between the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 and the active layer 25.例文帳に追加
第1p型III族窒化物半導体層27は第2p型III族窒化物半導体層29と活性層25との間に設けられる。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING P-TYPE GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加
p型のIII族窒化物半導体層を含む半導体装置 - 特許庁
When each code word belonging to the group (G11, G12) of the first type is delivered, a corresponding group establishes a coding state of a first type.例文帳に追加
第1の型の群(G11、G12)に属する各コード語の出力に関しては、対応する群は第1の型の符号化状態を生成する。 - 特許庁
To provide an easily producible flowerpot attached with a folding type or detachable type pocket for group planting.例文帳に追加
製作容易な、寄せ植え用の折りたたみ式又は着脱式ポケット付き鉢を提供する。 - 特許庁
DIELECTRIC FILTER OF INTRA-BAND GROUP DELAY FIXED TYPE AND AMPLIFIER OF DISTORTION COMPENSATING TYPE USING IT例文帳に追加
帯域内群遅延一定型誘電体フィルタおよびそれを用いた歪み補償型増幅器 - 特許庁
The acrylic type elastomer composition comprises an acrylic type elastomer containing a carboxy group and a thiazole compound.例文帳に追加
カルボキシル基含有アクリルエラストマーにチアゾール系化合物を配合したアクリル系エラストマー組成物。 - 特許庁
To provide a method for making a p-type semiconductor out of a group III nitride compound semiconductor and an element having the p-type region.例文帳に追加
III 族窒化物系化合物半導体のp型化とp型領域を有する素子の形成 - 特許庁
The inverted sex-inducing type gene group may be the gene group induced and expressed in a hepatic cell.例文帳に追加
ここで、前記逆性誘導型遺伝子群は肝細胞に誘導発現された遺伝子群であってもよい。 - 特許庁
To increase the relative distance change of a front group to a rear group in a thin collapsible mount type lens barrel.例文帳に追加
薄型の沈胴式レンズ鏡筒において、前群と後群の相対距離の変化を大きくすること。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE p-TYPE SEMICONDUCTOR AND LUMINOUS ELEMENT OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
III族窒化物p型半導体の製造方法およびIII族窒化物半導体発光素子 - 特許庁
FORMING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR REGION, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
p型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法、およびIII族窒化物半導体素子 - 特許庁
The mesh-type network is constituted of a group of mesh network constituting nodes 13 (TSG) and a group of links 15.例文帳に追加
メッシュ網構成ノード(TSG)13群とリンク15群とによってメッシュ型ネットワーク網を構成する。 - 特許庁
This coating agent containing a methylol group and a self- crosslinking type acrylic base resin having a functional group making the self- crosslinking, such as hydroxyl group.例文帳に追加
メチロール基と水酸基のような自己架橋する官能基を有する自己架橋型アクリル系樹脂を含有する塗型剤組成物。 - 特許庁
In the granulated carbon and its producing method, the granulation is performed by using at least one kind selected from a group (group A) consisting of acrylic type and acrylic-styrene type and at least one kind selected from a group (group B) consisting of methyl cellulose type, carboxymethyl cellulose type and polyvinyl alcohol type as binders.例文帳に追加
バインダーとして、アクリル系、アクリル・スチレン系からなる群(A群)から選ばれる少なくとも1種類と、メチルセルロース系、カルボキシメチルセルロース系、ポリビニルアルコール系からなる群(B群)から選ばれる少なくとも1種を用いて造粒された造粒炭及びその製造方法によって上記課題を達成することができる。 - 特許庁
In the method for producing an oxide dispersion type alloy prescribed in the claim 1 or 2, the alloy powder consists of a group containing one or more kinds selected from an Fe group, an Ni group, a Co group and a Cr group.例文帳に追加
さらに、合金粉末がFe基、Ni基、Co基、Cr基の1種または2種以上を含有する基からなる請求項1または2記載の酸化物分散型合金の製造方法。 - 特許庁
This reduction type flux composition contains at least one kind selected from biguanide compounds expressed by the structural formulae (I) to (V) (wherein; R is an alkyl group, a substituted alkyl group, an alkoxy group, an ester group or a biguanide group).例文帳に追加
式(I)〜(V)で示されるビグアニド化合物(式中、Rはアルキル基、置換アルキル基、アルコキシ基、エステル基またはビグアニド基を示す)の少なくとも1種を含有する還元型フラックス組成物。 - 特許庁
The group-III nitride light-emitting device includes an n-type layer, a p-type layer, and an active region which can emit light between the p-type layer and the n-type layer.例文帳に追加
n型層、p型層、及び、p型層とn型層との間で発光することができる活性領域を含むIII族窒化物発光装置。 - 特許庁
A semiconductor structure has an n-type region, a p-type region, and a group III-nitride light-emitting layer arranged between the n-type region and the p-type region.例文帳に追加
半導体構造体は、n型領域、p型領域、及びn型領域とp型領域の間に配置されるIII族窒化物発光層を有する。 - 特許庁
The group III nitride light emitting device includes an n type layer, the p type layer and the active region in which lights can be emitted between the p type layer and the n type layer.例文帳に追加
n型層、p型層、及び、p型層とn型層との間で発光することができる活性領域を含むIII族窒化物発光装置。 - 特許庁
p-type and n-type ohmic electrodes provided in a p-type BP series semiconductor layer and an n-type group III nitride semiconductor layer, respectively, are made of identical material.例文帳に追加
p形BP系半導体層及びn形III族窒化物半導体層に設けるp形及びn形オーミック電極を同一の材料から構成する。 - 特許庁
A group of plates are formed by insulating the plate 1 by a bag type separator.例文帳に追加
極板1を袋状セパレータで絶縁して極板群を形成する。 - 特許庁
To form a p-type group III nitride semiconductor on a desired region.例文帳に追加
所望の領域にp型のIII 族窒化物半導体を形成すること。 - 特許庁
On September 15, 1944, a part of the first half of the 15th group of the Ko-type of the preparatory pilot training course was enrolled. 例文帳に追加
昭和19年9月15日 甲飛第15期前期の一部入隊。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
p-TYPE GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加
p型III族ナイトライド化合物半導体およびその製造方法 - 特許庁
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