「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a gallium nitride-based semiconductor device including a gallium nitride semiconductor film provided on a gallium oxide wafer and having a flat (c) surface.例文帳に追加

酸化ガリウムウエハ上設けられ平坦なｃ面を有する窒化ガリウム系半導体膜を含む窒化ガリウム系半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶，及びその製造方法 - 特許庁

EQUIPMENT FOR TREATMENT OF WASTE WATER CONTAINING GALLIUM FINE PARTICLE例文帳に追加

ガリウム微粒子含有廃水の処理装置 - 特許庁

BUFFER LAYER STRUCTURE OF GALLIUM NITRIDE BASED DIODE DEVICE例文帳に追加

窒化ガリウム系ダイオード装置のバッファ層構造 - 特許庁

WET ETCHING METHOD OF GALLIUM OXIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶のウェットエッチング方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体素子の製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加

窒化ガリウム半導体及びその製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, GALLIUM NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE, EPITAXIAL WAFER, AND METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体発光素子、窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法、窒化ガリウム系発光ダイオード、エピタキシャルウエハ、及び窒化ガリウム系発光ダイオードを作製する方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT RECEIVING ELEMENT例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体受光素子 - 特許庁

MICRO CAPILLARY TYPE GALLIUM LIQUID METAL ION SOURCE例文帳に追加

マイクロキャピラリー型Ｇａ液体金属イオン源 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DEVICE WITH ROUGHENED SURFACE例文帳に追加

表面粗化した窒化ガリウム系発光素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体基板の作製方法 - 特許庁

SAPPHIRE/GALLIUM NITRIDE LAMINATE WITH REDUCED WARPAGE例文帳に追加

反りが減少したサファイア／窒化ガリウム積層体 - 特許庁

The metal bath is preferably composed of gallium.例文帳に追加

金属浴はガリウムからなることが好ましい。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE-BASED MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化ガリウム系材料及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム化合物半導体の製造方法 - 特許庁

GALLIUM RAW MATERIAL FOR FORMING COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

化合物半導体作成用のガリウム原料 - 特許庁

The light emitting device includes an oxide including gallium aluminum over a gallium oxide substrate, a nitride including gallium aluminum over the oxide including gallium aluminum, and a light emitting structure over the nitride including gallium aluminum.例文帳に追加

本発明に従う発光素子は、酸化ガリウム基板の上にガリウムアルミニウムを含む酸化物と、前記ガリウムアルミニウムを含む酸化物の上にガリウムアルミニウムを含む窒化物と、前記ガリウムアルミニウムを含む窒化物の上に発光構造物と、を含む。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE-BASED SOLID SOLUTION THIN-FILM METAL SUBSTRATE, GALLIUM NITRIDE-BASED SOLID SOLUTION THIN-FILM SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加

窒化ガリウム系固溶体薄膜金属基板、同固溶体薄膜基板、及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR DOPING OXYGEN TO GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND OXYGEN-DOPED n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたｎ型窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁

The liquid metal gaskets may contain a liquid metal such as mercury, gallium or a gallium alloy.例文帳に追加

液体金属ガスケットは水銀、ガリウム又はガリウム合金のような液体金属を含んでいてよい。 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING GERMANIUM IN GALLIUM, GALLIUM OBTAINED BY THE METHOD AND GERMANIUM REMOVAL DEVICE例文帳に追加

ガリウム中のゲルマニウム除去方法及びこの方法によって得たガリウム並びにゲルマニウム除去装置 - 特許庁

The epitaxial wafer contains a gallium-nitride-based semiconductor region 33 provided on the gallium nitride film 17.例文帳に追加

エピタキシャルウエハは、窒化ガリウム膜１７上に設けられた窒化ガリウム系半導体領域３３を含む。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体基板 - 特許庁

METHOD FOR REFINING GOLD-CONTAINING GALLIUM, AND METHOD FOR COLLECTING GOLD FROM GOLD-CONTAINING GALLIUM例文帳に追加

金を含有するガリウムの精製方法、及び金を含有するガリウムからの金の採取方法 - 特許庁

Ammonia gas can be used as an atmospheric gas, and a gallium chloride powder can be used as the gallium compound powder.例文帳に追加

雰囲気をアンモニアガスとし、ガリウム化合物粉末として塩化ガリウム粉末を用いてもよい。 - 特許庁

The carbon nanotube may be filled with gallium without a cavity, or a cavity may be provided in gallium.例文帳に追加

カーボンナノチューブには空隙がないようにガリウムを充填するかガリウムの空隙を設けてもよい。 - 特許庁

The liquid metal is gallium, or its alloy.例文帳に追加

液体金属はガリウムないしその合金である。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM NITRIDE-BASED SOLID SOLUTION THIN FILM例文帳に追加

窒化ガリウム系固溶体薄膜の製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE MOLDED ARTICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

窒化ガリウム成形物及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM NITRIDE (GaN) COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, AND GALLIUM NITRIDE (GaN) COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法及びＧａＮ系化合物半導体結晶 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for supplying gallium to an apparatus for producing a gallium nitride crystal, which can prevent clogging of a gallium supply pipe.例文帳に追加

ガリウム供給管の閉塞を防止することができる窒化ガリウム結晶製造装置のガリウム供給方法及び装置を提供する。 - 特許庁

GALLIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL BASE PLATE, ITS PRODUCTION AND METHOD OF PRODUCING GALLIUM PHOSPHIDE LIGHT-EMITTING DIODE例文帳に追加

ＧａＰ単結晶基板及びその製造方法並びにＧａＰ発光ダイオ—ドの製造方法 - 特許庁

LAYOUT DESIGN FOR HIGH POWER, GALLIUM NITRIDE BASED FET例文帳に追加

ハイパワーＧａＮベースＦＥＴ用のレイアウトデザイン - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE THICK FILM例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法 - 特許庁

GROWTH METHOD OF GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, PRODUCTION PROCESS OF EPITAXIAL WAFER, AND EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハの製造方法およびエピウエハ - 特許庁

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND LAMP例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子及びランプ - 特許庁

METHOD OF FORMING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, TRANSFER METHOD OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND SILICON SUBSTRATE TO WHICH GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR IS BONDED例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体層の形成方法、移設方法、及び窒化ガリウム系化合物半導体層が接合されたシリコン基板 - 特許庁

MELT COMPOSITION FOR GROWING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶育成用融液組成物および窒化ガリウム単結晶を育成する方法 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD OF GALLIUM NITRIDE, GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

窒化ガリウムの結晶成長方法および窒化ガリウム基板の製造方法並びに窒化ガリウム基板 - 特許庁

Preferably, the metal alloy contains gallium.例文帳に追加

金属の合金がガリウムを含むことが好ましい。 - 特許庁

A new indium gallium nitride laser diode is described.例文帳に追加

新規な窒化インジウムガリウムレーザダイオードを記載する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING CRYSTAL OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法と窒化ガリウム系化合物半導体 - 特許庁

A p-type second nitride gallium layer 8 is formed on the surface of the first nitride gallium layer 6.例文帳に追加

次に、第１の窒化ガリウム層６の表面にｐ型の第２の窒化ガリウム層８を形成する。 - 特許庁