「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a new structure which can improve the characteristic for distributing luminous intensity of a light emitting element using the rear surface of a substrate composed of a gallium nitride compound semiconductor on which a laminated structure containing a light emitting layer is not formed as its main light emitting surface immediately above the element and, at the same time, can maintain the luminous intensity of the element at a high level.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

Oxygen, carbon dioxide and water contained in crude ammonia as impurities are removed by contacting commercial crude ammonia for industrial use or crude ammonia recovered from the process for gallium nitride type compound semiconductor, with the catalyst having manganese or nickel oxide as the effective component, followed by further contacting the crude ammonia with synthetic zeolite of 4-10 Å equivalent pore diameter.例文帳に追加

工業用として市販されている粗アンモニアまたは窒化ガリウム系化合物半導体プロセスから回収された粗アンモニアを、酸化マンガンまたはニッケルを有効成分とする触媒と接触させた後、さらに細孔径が４〜１０Å相当の合成ゼオライトと接触させて、粗アンモニアに不純物として含まれる酸素、二酸化炭素、水を除去する。 - 特許庁

There is provided a method of etching a substrate to be processed whose at least surface layer is composed of gallium nitride by exciting a chlorine gas into a plasma state, including a step of etching the substrate to be processed by the plasm generated from the chlorine gas in the presence of a material containing aluminum nitride (AlN) that generates aluminum radicals and aluminum chloride radicals.例文帳に追加

本発明は、少なくとも表層が窒化ガリウムで構成された被処理基板を、塩素ガスをプラズマ状態に励起することによりエッチングする際に、前記塩化ガスから発生されたプラズマにより、アルミニウムラジカル及び塩化アルミニウムラジカルを発生する窒化アルミニウム（AlN）を含む物質を存在させた状態でエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。 - 特許庁

A raw material solution is prepared by dissolving raw material X, Y, the raw material solution is sprayed on the surface of a substrate 1s via an atmosphere while the substrate 1s is heated, thereby, the raw material is reacted on the surface of the substrate 1s and the oxide thin film 1f including zinc-gallium multiple oxide is formed.例文帳に追加

溶媒中に原料Ｘ，Ｙを溶解することにより原料溶液を作製し、基材１ｓを熱しながら、スプレーガンの噴出口から原料溶液を雰囲気を介して基材１ｓの表面上に噴霧ことにより、基材１ｓの表面上で原料を反応させ、亜鉛−ガリウム複合酸化物を含む酸化物薄膜１ｆを形成される。 - 特許庁

The method of forming a semiconductor film comprises a process S120a of placing a substrate in an organic metal vapor phase deposition apparatus, and a process S130 of supplying a gallium source material, a indium source material, a arsenic source material, a nitride source material, and a phosphorus source material to the organic metal vapor phase deposition apparatus, to form the III-V compound semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜を形成する方法は、有機金属気相成長装置内に基板を置く工程Ｓ１２０ａと、ガリウムソース材料、インジウムソース材料、砒素ソース材料、窒素ソース材料、及び燐ソース材料を前記有機金属気相成長装置に供給してIII−Ｖ族化合物半導体膜を形成する工程Ｓ１３０と備える。 - 特許庁

The copper-based catalyst is produced by reducing a copper catalyst (I) constituted of metal oxides including copper oxide, zinc oxide and aluminum oxide as essential components, and zircon oxide, gallium oxide and silicon oxide as optional components, at a temperature equal to or higher than the reaction temperature in producing methanol or the like and not higher than the calcination temperature in producing the catalyst (I).例文帳に追加

酸化銅、酸化亜鉛および酸化アルミニウムを必須成分とし、酸化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化ケイ素を任意成分とする金属酸化物より構成される銅系触媒（Ｉ）を、メタノール製造などの反応温度以上、触媒製造時の焼成温度以下で還元して得られることを特徴とする銅系触媒を用いる。 - 特許庁

This method for producing the trialkylgallium includes a first process for heating a mixture of the magnesium and the gallium in a molten state under a vacuum and a second process for reacting the mixture heated under the vacuum with at least one kind of the alkyl chloride in at least one kind of the hydrocarbon compound so as to synthesize the trialkylgallium.例文帳に追加

マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種の炭化水素化合物中で、真空加熱された上記混合物と、少なくとも１種の塩化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 - 特許庁

In the coloring matter sensitizing solar battery, at least part of an oxide semiconductor particle (oxide semiconductor electrode material) 27 forming an oxide semiconductor electrode 22 is coated with a metal oxide film 26 made of at least one kind of an aluminum oxide, magnesium oxide, nickel oxide, chromium oxide, manganese oxide, copper oxide, germanium oxide, gallium oxide, and zirconium oxide.例文帳に追加

色素増感型太陽電池１において、酸化物半導体電極２２を構成する酸化物半導体微粒子（酸化物半導体電極材）２７の少なくとも一部を、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ニッケル、酸化クロム、酸化マンガン、酸化銅、酸化ゲルマニウム、酸化ガリウム、酸化ジルコニウムのうち少なくとも１種からなる金属酸化物膜２６で被覆する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light emitting element which can increase an internal quantum efficiency using a gallium-nitride compound semiconductor having a reduced dislocation density, and also to provide a method for manufacturing a light emitting element which can avoid cracks in the light emitting element and increase a light output efficiency by simplifying a step of forming a substrate having an unevenness structure.例文帳に追加

転位密度を低減した窒化ガリウム系化合物半導体を用いて内部量子効率を向上させた発光素子の製造方法、また基板の凹凸構造の形成工程を簡易化して発光素子にクラックが生ずるのを回避し、光の取り出し効率の向上した発光素子を製造できる製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a high-quality nitride semiconductor layer as well as a gallium nitride layer, a semiconductor element and a semiconductor device, which are capable of manufacturing a high performance device by the nitride semiconductor layer, and to provide the manufacturing method of them by reducing the occurrence of strain and stress due to the difference of thermal expansion coefficient between the nitride semiconductor and a substrate.例文帳に追加

窒化物半導体と基板の熱膨張係数の差に由来する歪と応力の発生を低減し、高品質の窒化物半導体層並びに前記窒化物半導体層により高性能なデバイスを作製することが可能な窒化ガリウム層、半導体素子及び半導体デバイスおよびそれらの作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate with a transparent conductive film which is stable to prevent characteristics from being deteriorated due to chemical and physical actions in a display element production process or the like, and a manufacturing method thereof, with respect to the substrate on which the transparent conductive film using a zinc oxide (GZO) containing gallium or a zinc oxide (AZO) containing aluminum is formed.例文帳に追加

ガリウムを含む亜鉛の酸化物（ＧＺＯ）、またはアルミニウムを含む亜鉛の酸化物（ＡＺＯ）を用いた透明導電膜が形成された透明導電膜付き基板において、表示素子作成工程等で、化学的，物理的作用を受けて特性劣化を起こしにくい安定した透明導電膜付き基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

There are provided a surface microstructure manufacturing method for manufacturing an unevenness P3 of nano meter order through dry etching by seeding a nano diamond fine particle P2 on the test piece surface of a test piece P1 composed of silicon, gallium arsenide, and diamond and using this as a minute hard mask, and a diamond nano electrode manufacturing method using the microstructure.例文帳に追加

シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料Ｐ１の試料表面にナノダイヤモンド微粒子Ｐ２を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸Ｐ３を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法及びこの微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法。 - 特許庁

While the dissolved semiconductor materials M are brought into contact with the surface of a semiconductor wafer W housed in the wafer-housing part 12, a heater 3 is controlled, and a temperature difference which is about 30°C is formed between the gallium phosophide housing part 11 and the wafer housing part 12, and a semiconductor layer can be grown on the surface of the semiconductor wafer W due to the temperature difference.例文帳に追加

ウエハ収容部１２に収容された半導体ウエハＷの表面に溶融半導体材料Ｍが接触した状態で、ヒータ３が制御されて、ガリウム燐収容部１１とウエハ収容部１２との間に約３０℃の温度差が形成されると、この温度差により半導体ウエハＷの表面に半導体層が成長する。 - 特許庁

To provide a multi-wavelength light-emitting type light-emitting element and a manufacturing method thereof which suppress the age-based changes of coloramaticity and color tone and the optical absorptions by light-emitting layers, by forming a plurality of aligned light-emitting layers having different light-emitting wavelengths in a one-layer gallium-nitride-based compound semiconductor layer which is present above the light transmitting type semiconductor substrate.例文帳に追加

透光性半導体基板上の１層の窒化ガリウム系化合物半導体層内に発光波長の異なる発光層を複数層並べて形成することにより、色度、色調の経時的な変化、及び発光層同士での光の吸収を抑えることができる多波長発光型の発光素子、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

One pair of electrodes composed of anode and cathode, are disposed into the solution containing the gallium, arsenic, acid and the organic substances and while keeping the temperature of solution at 30-70°C, the amounts of the arsenic and the organic substances are reduced by supplying the current to the electrode while the current density is kept to be ≥100 A/m^2 , desirably ≥500 A/m^2.例文帳に追加

ガリウムと砒素と酸と有機物を含む溶液中に陽極と陰極からなる一対の電極を配置し、溶液の温度を３０℃〜７０℃に維持しながら、陰極の電流密度を１００Ａ／ｍ^２以上、好ましくは５００Ａ／ｍ^２以上に保持して電極に通電することにより、砒素と有機物の量を低減させる。 - 特許庁

An amplifier circuit and a drive circuit of display elements, which are constituted of the thin-film transistors employing the oxide semiconductor containing indium, gallium, and zinc and have small characteristic variations, are used to convert light intensity distribution received by the photodiodes disposed in a matrix into electrical signals with high reproducibility for extraction, thus the display elements disposed in a matrix being driven in a uniform manner.例文帳に追加

インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成した特性にバラツキが少ない増幅回路と表示素子の駆動回路を用いて、マトリクス状に配置したフォトダイオードが捉える光の強度分布を再現よく電気信号に変換して取り出し、マトリクス状に配置した表示素子をムラなく駆動する。 - 特許庁

The first and the second semiconductor layers are configured by nitride gallium compound semiconductor layers, a gate electrode 36 is formed on the second semiconductor layer, a second electrode 39 is formed on the first semiconductor layer, and the gate electrode 36 and second electrode 39 are configured to sandwich the first and the second semiconductor layers.例文帳に追加

第１の半導体層及び第２の半導体層は窒化ガリウム系化合物半導体層より構成され、第２の半導体層にゲート電極３６が形成され、第１の半導体層に第２の電極３９が形成され、ゲート電極３６及び第２の電極３９で第１の半導体層及び第２の半導体層を挟むよう構成している。 - 特許庁

To provide a deposition apparatus and a deposition method which can reduce the quantity of the electric power to be used by utilizing chemical energy accompanying catalyst reaction, and can efficiently deposit a thin film of metal oxide such as zinc oxide, a thin film of metal nitride such as gallium nitride and aluminum nitride, a thin film of silicon nitride or the like on a substrate at low cost.例文帳に追加

触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することによって使用電力量を低減でき、酸化亜鉛等の金属酸化物の薄膜、窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の金属窒化物の薄膜、および珪素窒化物の薄膜などを、低コストで効率良く基板に堆積させる堆積装置および堆積方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting element is constituted having a nitride gallium compound semiconductor layer 13 with a p-n junction, a conductive substrate 11 located in a p-side or an n-side of the semiconductor layer, and a reflection layer 12 which is located between the semiconductor layer and the substrate and has high resistance when compared to a substrate and a semiconductor layer being basically undoped with impurities.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体層１３と、前記半導体層のｐ側もしくはｎ側に位置する導電性の基板１１と、半導体層と基板との間に位置し、基本的に不純物をドープしないことにより基板と半導体層とに比べて高抵抗とした反射層１２とを備えるように構成したものである。 - 特許庁

A first p-type clad layer 96a of a p-type clad layer 96 provided on the layer 95 is formed of a p-type nitride semiconductor containing an aluminum and a gallium and a second p-type clad layer 96b is formed of the similar p-type nitride semiconductor and having larger band gap than that of the first p-type clad layer 96b.例文帳に追加

活性層９５上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層９６ａをアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層９６ｂを同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層９６ｂよりもバンドギャップの大きいもので形成する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is irradiated with semiconductor laser beams of 380-500 nm wavelength and provided on a substrate with a photosensitive layer containing gallium phthalocyanine or oxytitanium- phthalocyanine having an intense peak in a diffraction angle of 27.2±0.2° in the CuK α characteristic X-ray diffraction.例文帳に追加

３８０〜５００ｎｍの波長を有する半導体レーザー光を照射される電子写真感光体であって、支持体及びその上の感光層を有し、該電感光層がガリウムフタロシアニン化合物またはＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角の２７．２#±０．２°に強いピークを有するオキシチタニウムフタロシアニンを含有することを特徴とする。 - 特許庁

When a gallium nitride semiconductor containing at least indium is produced by organo-metallic CVD system, contamination of organic metal compound is reduced by employing nitrogen as a carrier gas for gasifying the organic metal compound of an indium source and employing hydrogen for the organic metal compound other than indium source.例文帳に追加

有機金属気相成長法により、少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体を製造するに際して、有機金属化合物の気化に用いるキャリアガスをインジウム源の有機金属化合物では窒素とし、インジウム源以外の有機金属化合物では水素とすることによって、有機金属化合物の汚染を低減する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a n-type GaN semiconductor layer, an active layer formed on the gallium surface of the n-type GaN semiconductor layer, a p-type semiconductor layer formed on the active layer, and a n-type electrode containing a lanthanum (La)-nickel (Ni) alloy, formed on the nitrogen surface of the n-type GaN semiconductor layer.例文帳に追加

本発明による半導体発光素子は、ｎ型ＧａＮ半導体層、ｎ型ＧａＮ半導体層のガリウム表面に形成された活性層、活性層上に形成されたｐ型半導体層と共に、ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面に形成されたランタン（Ｌａ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を含むｎ型電極を含む。 - 特許庁

In the method for forming a silicon based thin film, a substrate having a surface formed with at least one thin metal film of aluminum, tin, zinc, antimony, indium, gallium, silver, nickel, tellurium and germanium is placed in a vacuum chamber and material gas is supplied onto the surface of the heated substrate in order to form a silicon based thin film.例文帳に追加

本発明のシリコン系薄膜製造方法は、表面にアルミニウム、錫、亜鉛、アンチモン、インジウム、ガリウム、銀、ニッケル、テルル、及びゲルマニウムのうち少なくとも一つの金属薄膜を形成した基板を、真空槽内に設置し、加熱した当該基板の表面上に原料ガスを供給してシリコン系薄膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

GaInNAs comprising gallium(Ga), indium(In), nitrogen(N), and arsenic(As) with a thickness of 2 nanometers or less, while a composition of arsenic(As) or phosphorus(P) being 20% or less, or GaInNP where the arsenic is replaced with phosphorus(P), is a light-emitting layer, providing light-emission at a wavelength of 500-600 nanometer range.例文帳に追加

厚さが２ナノメートル以下で、砒素（Ａｓ）あるいは燐（Ｐ）の組成が２０％以下である、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、窒素（ N ）および砒素（Ａｓ）を構成元素とするＧａＩｎＮＡｓ、あるいはこの材料の砒素を燐（Ｐ）に置き換えたＧａＩｎＮＰ、を発光層とする半導体発光素子材料および構造により、波長５００〜６００ナノメートルにおける発光を得る。 - 特許庁

The catalyst for selectively reducing and removing nitrogen oxide by using a reducing agent in an oxygen environment containing water vapor and excessive oxygen is prepared by physically mixing: catalyst particles (A) comprising alumina which contains silver; and alumina particles and/or alumina particles (B) containing at least one kind metal selected from a group consisting of gallium, tungsten, indium, cobalt and iron.例文帳に追加

アルミナに銀を含有する触媒粒子(A)と、アルミナ粒子及び／又はガリウム、タングステン、インジウム、コバルト、鉄よりなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有するアルミナ粒子(B)を物理的に混合した、水蒸気と過剰の酸素が存在する酸化雰囲気中で、還元剤を使用して、窒素酸化物を選択的に還元除去するための触媒。 - 特許庁

The manufacturing method of the compound semiconductor element includes a process sequence for applying heat treatment at a heat treatment temperature in the range of 350 to 430°C, after electrodes 17, 19 containing Pt (platinum) and Ti (titanium) are formed in a compound semiconductor wafer 1 that contains Ga (gallium) or In (indium) or a compound semiconductor layer 15 containing Ga or In.例文帳に追加

化合物半導体素子の製造方法において、Ｇａ（ガリウム）またはＩｎ（インジウム）を含む化合物半導体ウエハ１またはＧａまたはＩｎを含む化合物半導体層１５にＰｔ（白金）またはＴｉ（チタン）を含む電極１７，１９を形成した後、熱処理温度を３５０℃〜４３０℃の範囲内とする熱処理を施す工程を含む手順とする。 - 特許庁

To provide a gallium nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method by which the influence on a transition active layer caused from distortion can be reduce, diffusion of magnesium as a P-type impurity Mg into the active layer by means of transition to be reduced, and the light emission efficiency and reliability be improved.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、歪にて生じた転位の活性層への影響の低減及び転位を介したＰ型不純物のＭｇ（マグネシウム）の活性層への拡散の低減し、発光効率及び信頼性を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

This negative electrode catalyst for the fuel cell contains the negative electrode catalyst for the fuel cell containing gold fine particles; at least one component selected from the group comprising titanium, vanadium, gallium, zirconium, niobium, cerium, tantalum, indium, and the oxides of them, and/or at least one component selected from the group comprising platinum, ruthenium, and ruthenium oxides.例文帳に追加

金微粒子を含む燃料電池用負極触媒、更に、チタン、バナジウム、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、セリウム、タンタル、インジウム及びこれらの金属の酸化物からなる群から選ばれた少なくとも１種の成分、及び／又は白金、ルテニウム及びルテニウムの酸化物からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分を含む燃料電池用負極触媒。 - 特許庁

To provide a new structure which can improve the characteristic for distributing luminous intensity of a light emitting element using the rear surface of a substrate composed of a gallium nitride compound semiconductor on which a laminated structure containing a light emitting layer is not formed as its main light emitting surface immediately above the element, and, at the same time, can maintain the luminous intensity of the element at a high level.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method for producing the trialkylgallium includes a first process for heating a mixture of the magnesium and the gallium in a molten state under a vacuum and a second process for reacting the mixture heated under the vacuum with at least one kind of alkyl halide selected from a group consisting of an alkyl iodide and an alkyl bromide in at least one kind of hydrocarbon compound so as to synthesize the trialkylgallium.例文帳に追加

マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種の炭化水素化合物中で、真空加熱された上記混合物と、ヨウ化アルキル及び臭化アルキルからなる群より選ばれる少なくとも１種のハロゲン化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 - 特許庁

A capacitor element is formed by laminating a first electrode with at least the upper surface comprising a first metal nitride, a capacitance insulating film comprising a zirconium oxide film, a first barrier film comprising a zinc oxide film doped with one of boron, aluminum and gallium as an impurity, and a second electrode with at least the lower surface comprising a second metal nitride in this order.例文帳に追加

本発明のキャパシタ素子は、少なくとも上面が第一の窒化金属からなる第一電極と、酸化ジルコニウム膜からなる容量絶縁膜と、ボロン、アルミニウム、ガリウムのいずれかが不純物としてドープされた酸化亜鉛膜からなる第一のバリア膜と、少なくとも下面が第二の窒化金属からなる第二電極と、がこの順で積層されてなることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor laser element 1A has a refractive index distribution layer 17 provided on a GaN substrate 11 and composed of a gallium nitride based semiconductor with a periodic refractive index distribution extended in one dimension or two dimensions, an active layer 27 provided on the refractive index distribution layer 17, and a distortion relaxation layer 25 composed of InGaN and provided between the refractive index distribution layer 17 and the active layer 27.例文帳に追加

半導体レーザ素子１Ａは、ＧａＮ基板１１上に設けられ、窒化ガリウム系半導体からなり、一次元又は二次元で広がる周期的な屈折率分布を有する屈折率分布層１７と、屈折率分布層１７上に設けられた活性層２７と、屈折率分布層１７と活性層２７との間に設けられたＩｎＧａＮからなる歪緩和層２５とを備える。 - 特許庁

The coating material contains the electron emissive material containing an inorganic compound containing one, two, or more kinds of elements selected from a group of caesium, zinc, indium, gallium, and tin, and a material for forming a protective film containing an inorganic compound containing one, two, or more kinds of elements selected from a group of yttrium, aluminum, zirconium, hafnium, niobium, silicon, vanadium.例文帳に追加

本発明の塗料は、セシウム、亜鉛、インジウム、ガリウム、スズの群から選択される１種または２種以上の元素を含む無機化合物を成分とする電子放射性物質と、イットリウム、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、ケイ素、バナジウムの群から選択される１種または２種以上の元素を含む無機化合物を成分とする保護膜形成用物質とを含有してなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having the semiconductor epitaxial growth layer of silicon carbide or nitride gallium as a semiconductor layer on a semiconductor substrate composed of the silicon carbide, capable of maintaining the strength of the semiconductor substrate even when the thickness of the semiconductor substrate is reduced in order to realize small on-state resistance and reducing wafer breaking in a wafer process, and its manufacturing method.例文帳に追加

炭化珪素からなる半導体基板上に炭化珪素または窒化ガリウムの半導体エピタキシャル成長層を半導体層として備える半導体装置であって、小さなオン抵抗を実現するため前記半導体基板の厚さを薄くしても、半導体基板の強度を維持し、ウエハプロセスにおけるウエハ割れを少なくできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the cathode with the low hydrogen overvoltage is characterized by electroplating the base material for the electrode with the use of a nickel plating bath or a plating bath containing nickel as a main metal component, in which oxide of gallium, indium, manganese, tin, or titanium, and carbonaceous fine particles are dispersed, to form a plating layer mainly consisting of nickel on the above base material for the electrode.例文帳に追加

ガリウム、インジウム、マンガン、スズまたはチタンの酸化物、並びに炭素質からなる微粒子を分散させたニッケルまたは主たる金属成分がニッケルであるめっき浴を用い、電極基材に電気めっきを施すことにより、前記電極基材にニッケル主体のめっき層を形成させることを特徴とする低水素過電圧陰極の製造方法の提供。 - 特許庁

The light emitting element 1 comprises a silicon substrate 5, a metal compound region 6 formed on a region including the surface of the silicon substrate 5, an aluminum nitride layer 7 formed on the metal compound region 6, a reaction source supply layer 8 formed on the aluminum nitride layer 7 and containing gallium and indium, and a light emitting function layer formed on the reaction source supply layer 8.例文帳に追加

発光素子１は、シリコン基板５と、シリコン基板５の表面を含む領域に形成された金属化合物領域６と、金属化合物領域６上に形成された窒化アルミニウム層７と、窒化アルミニウム層７上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む反応源供給層８と、反応源供給層８上に形成された発光機能層９とを備えている。 - 特許庁

The phosphor (4), in which a guest substance that converts the energy of an electron of an excited host substance into luminescence is added to the host substance excited when an electromagnetic wave (2a) passes, includes the host substance that contains at least sulfur, barium, and gallium, and the guest substance that contains at least samarium and converts the energy of the electron into red luminescence.例文帳に追加

電磁波（２ａ）が通過する場合に励起されるホスト物質に、励起されたホスト物質の電子のエネルギーを発光に変換するゲスト物質が添加された蛍光体（４）であって、硫黄、バリウムおよびガリウムを少なくとも含む前記ホスト物質と、サマリウムを少なくとも含み、前記電子のエネルギーを赤色発光に変換する前記ゲスト物質と、を備えた蛍光体（４）。 - 特許庁

This oxide superconducting wire comprises a first metal layer 12 selected from a silver alloy containing at least one of copper, antimony, tin, germanium, gallium, indium, zinc, platinum, and palladium, a second metal layer 11 that is fixed to the first metal layer and has tensile strength larger than silver, an oxide superconductor layer 13 formed on the first metal layer 12.例文帳に追加

銅、アンチモン、錫、ゲルマニウム、ガリウム、インジウム、亜鉛、白金、パラジウムのうち少なくとも１種を含む銀合金から選択される第１の金属層１２と、第１の金属層に固着され、銀より引っ張り強度の大きい第２の金属層１１と、第１の金属層１２上に形成された酸化物超電導体層１３とからなる事を特徴とする酸化物超電導線材。 - 特許庁

A seed crystal 10 is formed of a mixed crystal containing Ga and N, and is used for crystal growth of a gallium nitride-based semiconductor, wherein the seed crystal 10 contains a +c polar region 20 and a -c polar region 30 in the visual field of observation of the surface of the seed crystal 10 from one direction of two directions parallel with the c axis of the seed crystal 10.例文帳に追加

Ｇａ及びＮを含む混晶からなり、窒化ガリウム系半導体の結晶成長に用いられる種結晶１０であって、種結晶１０の表面を、種結晶１０のｃ軸と平行な２つの方向の中の一方から観察したときの視野に、＋ｃ極性領域２０と、−ｃ極性領域３０とが含まれる種結晶１０を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: an aluminum nitride single crystal substrate 11 containing a transition metal of 10 ppb or more and 0.1 mol% or less; and at least one type of groups III-V nitride single crystal films 12, 14, 15 chosen from gallium nitride, aluminum nitride, boron nitride, indium nitride, and a mixed crystal composed of these nitrides, and formed directly on the substrate 11.例文帳に追加

１０ｐｐｂ以上０.１モル％以下の遷移金属を含有する窒化アルミニウム単結晶基板１１と、その単結晶基板１１上に直接形成された窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のIII−Ｖ族窒化物の単結晶膜１２、１４、１５とを備える半導体素子である。 - 特許庁

In an epitaxial crystal substrate for a gallium nitride field effect transistor, the epitaxial crystal formed on the substrate 101 comprises a highly pure first buffer layer 107, including a channel layer which is in contact with a side interface of the substrate between a gate layer 108, a second buffer layer 106, an insulating layer 104 having an opening 104A, and a p-type semiconductor crystal layer 103.例文帳に追加

ＧａＮ系ＦＥＴ用エピタキシャル結晶基板において、下地基板１０１の上に設けられるエピタキシャル結晶が、ゲート層１０８の下地基板側界面に接するチャネル層を含む高純度な第１の緩衝層１０７と、第２の緩衝層１０６と、開口部１０４Ａを有する絶縁層１０４と、ｐ伝導型半導体結晶層１０３とを有している。 - 特許庁

This gallium-nitride based semiconductor having one luminescence surface 110 is provided with a chip 100 which has electrodes 170A, 170B only on an upper surface and a reflective film provided on a rear surface, and a thin film 160 formed in the luminescence surface 110, wherein the thin film 160 includes a fluorescence material for emitting visible light due to excitation by a light beam from the luminescence surface 110 of the chip 100.例文帳に追加

１つの発光面１１０を有する窒化ガリウム系半導体であって上面のみに電極１７０Ａ、１７０Ｂを有し且つ裏面に反射膜を設けたチップ１００と、発光面１１０に形成される薄膜１６０とを備えており、薄膜１６０は、チップ１００の発光面１１０からの光による励起で可視光を発する蛍光材料を含んでいる。 - 特許庁

To provide a gallium nitride based semiconductor layer which solves the problem that can not make a GaN based semiconductor layer having a uniform orientation sufficiently stable even if forming a group III GaN nitride semiconductor layer on a sapphire substrate through a low temperature buffer layer, its manufacturing method, a compound semiconductor element using it, and a luminous element thereof.例文帳に追加

サファイア基板上に低温緩衝層を介してＧａＮ系III族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するＧａＮ系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子、発光素子を提案する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor stacked structure which can improve the performance and reliability of a light emitting element or electron traveling element having n-type gallium nitride compound semiconductor layers without degrading the surface flatness and crystallinity of the compound semiconductor layers even when the concentrations of an n-type impurity in the semiconductor layers are increased, a semiconductor device provided with the structure, and a method for growing crystal.例文帳に追加

ｎ型不純物濃度を増加させた場合においてもｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面平坦性や結晶性を損なうことが無く、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を有する発光素子や電子走行素子を高性能化、高信頼化することができる半導体積層構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法を提供する。 - 特許庁