「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a crystal material polishing method capable of obtaining sufficient polishing efficiency and polishing performance in polishing with a CMP method even in the case of polishing a material hard to be machined such as a single-crystal substrate composed of silicon carbide SiC and gallium nitride GaN.例文帳に追加

炭化珪素ＳｉＣや窒化ガリウムＧａＮから成る単結晶基板のような難加工材料でも、ＣＭＰ法による研磨において十分な研磨効率や研磨性能が得られる研磨加工方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of the application of ICP-RIE involving the use of chlorine-based gas to the dry-etching of a gallium nitride-based semiconductor that inductive coupled plasma forms irregularities in an etched surface and damages the semiconductor because of a high temperature thereof, and leaves chlorine.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体のドライエッチングに、塩素系ガスを用いたＩＣＰ−ＲＩＥを用いると、誘電結合型プラズマは、温度が高いので、エッチングされた面に凹凸ができ、半導体にダメージを与え、塩素が残留する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon carbide smoothed substrate to be used in manufacturing an epitaxial wafer participating in the crystal growth of silicon carbide, and to provide the silicon carbide smoothed substrate, a silicon carbide epitaxial wafer, a gallium nitride wafer and a semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

炭化珪素の結晶成長に関与し、エピタキシャルウエハ作製時に用いる炭化珪素平滑化基板の作製方法、炭化珪素平滑化基板、炭化珪素エピタキシャルウエハ、窒化ガリウムウエハ、及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

The layout of a P-type electrode and an N-type electrode and the shape of a light emitting surface are newly designed, by which the problem of a center recess in the far field beam pattern of a gallium nitride light emitting diode can be solved.例文帳に追加

本発明は、Ｐ型電極とＮ型電極の配置方式及び発光面の形状を新たに設計することにより、窒化ガリウム系発光ダイオードの遠場光束図案（farfield beam pattern）の中央凹みの問題を改善する。 - 特許庁

To provide a method whereby metal gallium is purified by certainly crystallizing it in the presence of a seed crystal without spending time and labor, such as, for frequent monitoring and addition of the seed crystal.例文帳に追加

種子結晶の存在下に結晶化させて金属ガリウムを精製する方法において、頻繁に監視して、種子結晶を追加してやる等の手間をかけることなく、確実に結晶化させて金属ガリウムを精製する方法を提供する。 - 特許庁

Then, while the substrate temperature of 1,050°C is held at 1,050°C and the internal pressure in the furnace is held at 30 kPa as they are, a trimethyl gallium, an ammonia and a silane are introduced, and an n-type GaN buffer layer 3, having a thickness of 1 μm, is grown on the substrate 1.例文帳に追加

その後、摂氏１０５０度の基板温度を摂氏１０５０度、炉内圧力を３０キロパスカルに保持したまま、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルの型ＧａＮバッフア層３を基板１に成長する。 - 特許庁

The gas shielding film 100 includes: a resin film substrate 102; and an amorphous gallium oxide film 104 that is formed on the resin film substrate and containing hydrogen of 0.1-30 atom%.例文帳に追加

樹脂フィルム基材１０２と、樹脂フィルム基材１０２の表面に形成され、含有量０．１原子％以上３０原子％以下の水素を含み、かつ非晶質の酸化ガリウム膜１０４と、を有するガス遮蔽フィルム１００である。 - 特許庁

To provide a method for recovering copper, indium, gallium and selenium, wherein they are separated one by one without needing the changing of solution in the operational process and the process time and the producing cost is effectively reduced.例文帳に追加

作業過程において溶液の転化を必要とせずとも銅・インジウム・ガリウム・セレンを逐一分離することができ、工程時間および製造コストを効果的に削減することができる銅・インジウム・ガリウム・セレンの回収方法を提供する。 - 特許庁

The control of the evaporation amount of the dopant to the raw material becomes easy by setting the difference between the melting point of the raw material containing gallium oxide and the melting point of the dopant oxide being added to the raw material to be within ±300°C.例文帳に追加

酸化ガリウムを含む原料の融点と、前記原料に添加されるドーパント酸化物の融点との差を±３００℃内に設定することにより、前記原料に対する前記ドーパントの蒸発量制御が容易となる。 - 特許庁

The ultraviolet excitation phosphor, the electron beam excitation phosphor and the collision excitation type phosphor are each characterized in that the matrix material obtained by adding gallium (Ga) as a constituent element to lanthanum trioxide (La_2O_3) includes at least bismuth (Bi) as an activator.例文帳に追加

構成元素として酸化ランタン（Ｌａ_２Ｏ_３）にガリウム（Ｇａ）を添加した母体材料に、付活剤として少なくともビスマス（Ｂｉ）を含有することを特徴とする紫外線励起、電子線励起及び衝突励起型蛍光体にある。 - 特許庁

An angle formed by the main surface 11a and a c-plane of the gallium nitride-based semiconductor crystal is ≥45° and ≤135°, and the optical resonators 10, 50 have active layers 17, 57 each including indium and epitaxially grown on the main surface 11a.例文帳に追加

主面１１ａと、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面とのなす角は４５°以上１３５°以下であり、光共振器１０，５０は、主面１１ａ上にエピタキシャル成長されたインジウムを含む活性層１７，５７を有している。 - 特許庁

To obtain a light-emitting device with improved external emission efficiency in a gallium nitride system compound semiconductor light-emitting device with an n-type electrode that is formed around a p-type electrode or on the reverse and side sides of a substrate.例文帳に追加

ｐ型電極の周囲または基板裏面及び側面に形成されたｎ型電極を有する窒化ガリムウ系化合物半導体発光素子において、外部発光効率を向上させた発光素子を得ることを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor laser device is provided, where the device has a lamination structure that includes an active layer 15 and layers 13, 14, 17, 18, and 20 having a higher band gap energy than the active layer and is mainly made of gallium-nitride-based semiconductor for laser oscillation.例文帳に追加

活性層１５と活性層よりもバンドギャップエネルギーが高い層１３、１４、１７、１８、２０とを含む、窒化ガリウム系半導体から主としてなる積層構造をレーザ発振のため有する半導体レーザ素子が提供される。 - 特許庁

In the equipment for the treatment of waste water containing gallium fine particles, a ceramic membrane having a single-layer honeycomb structure made of a columnar β-type crystal is used for the solid-liquid separation of the waste water.例文帳に追加

ガリウム微粒子を含有する廃水の処理装置において、廃水の固液分離に柱形のβ型結晶からなる単層ハニカム構造のセラミック膜を用いることを特徴とするガリウム微粒子含有廃水の処理装置。 - 特許庁

To provide an optical communication module that suppresses initial stage defect due to contamination of an optical element, that has a high photosensitivity when using a silicon based photo diode or a gallium arsenide based photo diode, and that enables near infrared light to be used for communication.例文帳に追加

光素子の汚染による初期不良を抑え、さらにシリコン系のフォトダイオードやガリウム砒素系のフォトダイオードを用いた場合に受光感度が高い、近赤外の光を通信用に使用可能とする光通信モジュールを提供する。 - 特許庁

When the substrate is made of aluminum nitride, sapphire, gallium oxide, or SiC; heat can be efficiently radiated due to a large emissivity, and illumination can be achieved with a high luminance even when the light emitting element is used in its large current range.例文帳に追加

基板を、窒化アルミニウム、サファイア、酸化ガリウム、又は、ＳｉＣ基板とすると、放射率が大きいため、発光素子を大電流領域で使用しても効率的に熱を放射することができ、高輝度の照明が可能となる。 - 特許庁

To provide a growing method of a nitride semiconductor which can effectively form a nitride semiconductor, having a high ratio x of In in the inside of indium nitride gallium (InGaN) on the surface of a substrate, even at a low temperature of about 600°C or lower.例文帳に追加

約６００℃以下の低い温度でも、基板表面に窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）中のＩｎの比率ｘが高い窒化物半導体を効率よく成長させることができる窒化物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide an manufacturing apparatus, an exhaust gas cleaning equipment, or a manufacturing facility which are capable of preventing an electrostatic charge caused from a powder of ammonium chloride and of high safety in a process of a semiconductor of gallium nitride film by a HVPE method.例文帳に追加

ＨＶＰＥ法による窒化ガリウム膜半導体のプロセスにおいて、塩化アンモニウム粉末による静電気の帯電を防止することが可能な安全性が高い製造装置、排ガス浄化装置、あるいは製造設備を提供する。 - 特許庁

In succession, the hollow grooves 11a of the rugged regions 20 are embedded on the rugged regions 20 of the base material substrate 11 and a semiconductor layer 13 consisting of the gallium nitride is formed therein in such a manner that the top surface is made flat.例文帳に追加

続いて、母材基板１１の凹凸状領域２０の上に該凹凸状領域２０の凹状溝１１ａを埋めると共にその上面が平坦となるように、窒化ガリウムからなる半導体層１３を成長する。 - 特許庁

On the surface and back of a gallium oxide monocrystal substrate 10, a sensor chip 1 formed with a first electrode 11 and a second electrode 12, respectively, is contained inside a package 2 and is sealed from an external atmosphere.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶基板１０の表面上及び裏面上にそれぞれ第１の電極１１及び第２の電極１２が形成されたセンサチップ１がパッケージ２の内部に収容されて外部雰囲気から封止される。 - 特許庁

To provide a sintered body tablet low in resistance, large in transmittance, hardly causing breakage when manufacturing a gallium-added zinc oxide transparent conductive film by vapor deposition method or IP method, and capable of maintaining stable discharge.例文帳に追加

低抵抗で、透過率が大きく、ガリウム添加酸化亜鉛酸化物透明導電膜を、真空蒸着法またはＩＰ法を用いて製造するに際し、破損が生じにくく、安定した放電を持続できる焼結体タブレットを提供する。 - 特許庁

A gate electrode 113 is provided on a gate insulating layer 111 provided on the second conductive well regions 107, the first conductive gallium nitride based drift region 109, and the first conductive semiconductor regions 105.例文帳に追加

ゲート電極１１３は、第２導電型ウエル領域１０７、第１導電型窒化ガリウム系ドリフト領域１０９および第１導電型半導体領域１０５上に設けられたゲート絶縁層１１１上に設けられている。 - 特許庁

To provide a gallium nitride semiconductor device in which incident light and emitting light are not obstructed by the wirings between electrodes, the semiconductor device having many GaN light emitting elements or GaN light receiving elements formed 2 dimensionally.例文帳に追加

ＧａＮ系発光素子又はＧａＮ系受光素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、入射光や出射光が電極間の配線に遮られないようにしたＧａＮ系半導体を提供する。 - 特許庁

Waste plastic is melted in a melting vessel 1 and then subjected to thermolysis in a reaction furnace 2 having a catalytic bed 8 filled with a silicate catalyst containing gallium, and hydrogen (H2) in the resultant thermolytic product is collected at the outlet of a pipe 9.例文帳に追加

溶融槽１で溶融した廃プラスチックを、ガリウム含有珪酸塩触媒を充填した触媒層８を備えた反応炉２内で熱分解させ、得られた分解生成物中の水素（Ｈ_2）を管路９出口から回収する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the gallium phosphide single crystal having a diameter of ≥63.5 mm (2.5 in) by the LEC method using B_2O_3, the ratio (d/Db) of the crystal diameter d to the inner diameter Db of a crucible is set to be ≥0.7.例文帳に追加

酸化ホウ素（Ｂ_2Ｏ_3）を用いた液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）で、直径が６３．５ｍｍ（２．５インチ）以上のリン化ガリウム単結晶を育成する製造方法において、結晶直径ｄ／ルツボ内径Ｄｂを０．７以下とする。 - 特許庁

To provide a gallium nitride-based semiconductor light emitting device in which the degradation in characteristics of the device due to heat is prevented and further emission efficiency of the device is increased by improving heat dissipation performance of a sapphire substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

サファイア基板の熱放出能力を向上させることで、熱による素子の特性低下を阻止でき、かつ素子の発光効率を増大させ得る窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

PARAMETER CREATION METHOD OF LARGE SIGNAL EQUIVALENT CIRCUIT MODEL OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING GALLIUM ARSENIDE, SIMULATION METHOD USING THE PARAMETER CREATION METHOD, PROGRAM FOR EXECUTING THE METHODS BY COMPUTER, AND PROGRAM-RECORDED RECORDING MEDIUM例文帳に追加

砒化ガリウムを用いた電界効果トランジスタの大信号等価回路モデルのパラメータ作成方法およびこれを用いたシミュレーション方法並びにこれらの方法をコンピュータに実行させるためのプログラムおよびプログラムを記録した記録媒体 - 特許庁

The field-effect transistor has a substrate, and a gate electrode, a gate insulating layer, a channel layer, a source electrode and a drain electrode on the substrate, the gate insulating layer includes gallium oxide, and the channel layer is an organic semiconductor layer.例文帳に追加

基板と、前記基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記ゲート絶縁層は酸化ガリウムを含み、前記チャネル層は有機半導体層である、電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

This field-effect transistor having an active layer formed of the composition not only improves electrical characteristics, but also allows a low-temperature process, and is economical because expensive material substances such as indium and gallium are not used.例文帳に追加

前記組成物で形成された活性層を備えた電界効果トランジスタは、電気的特性の改善だけでなく、低温工程も可能であり、インジウムやガリウムのような高価の原料物質を使用しないので、経済的である。 - 特許庁

To provide a method for producing nitride crystals with which it is possible to inhibit precipitation of nitride crystals in parts other than on seed crystals and improve the efficiency of producing gallium nitride single crystals grown on seed crystals.例文帳に追加

種結晶上以外の部分に窒化物結晶が析出するのを抑制し、種結晶上へ成長する窒化ガリウム単結晶の生産効率を向上させることのできる窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The intermediate layer 22 comprises gallium nitride (GaN) crystal having electron affinity larger than that of the photosensitive layer 23 and is formed between the conductive support 21 and the photosensitive layer 23 in contact with the conductive support 21 and the photosensitive layer 23.例文帳に追加

中間層２２は、感光層２３よりも大きい電子親和力を有する窒化ガリウム（ＧａＮ）結晶からなり、導電性支持体２１と感光層２３との間に導電性支持体２１および感光層２３に接して形成される。 - 特許庁

A polyimide resin film 3 of a heat resistant resin layer is applied to the surface of a gallium arsenide(GaAs) substrate 1, and a stripe-shaped opening 4 is formed at a position corresponding to the formation region of the ridge of the polyimide resin film 3.例文帳に追加

砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板１の表面上に、耐熱性樹脂層であるポリイミド樹脂膜３を塗布し、このポリイミド樹脂膜３のリッジ部の形成領域に対応する位置にストライプ状の開口部４を形成する。 - 特許庁

To provide highly pure gallium oxide excellent in filtration performance and washability, favorable for a fluorescent material, a target material, a transparent electrically conductive film and a single crystal substrate material having transparent electric conductivity, and low in impurity content.例文帳に追加

濾過、洗浄性が良好で、かつ蛍光体原料や、ターゲット用原料、透明導電膜や透明導電性を有する単結晶基板材料として好適な、不純物含量の低い、高純度酸化ガリウムを提供する。 - 特許庁

To contrive the simplification of an element cooling mechanism and the miniaturization as well as the reduction of weight and cost of a module type element, in the module type element for mounting a semiconductor chip consisting of a wide gap semiconductor such as silicon carbide, gallium nitride or the like.例文帳に追加

炭化シリコンや窒化ガリウム等のワイドギャップ半導体から成る半導体チップを搭載するモジュール型素子において、素子冷却機構の簡素化を図ると共に、モジュール型素子自体の小型化、軽量化及び低コスト化をも図る。 - 特許庁

To provide a single-crystal gallium nitride substrate having high thermal conductivity which may reduce heat accumulated inside a device to increase durability of the device as a substrate for a high power impressing device such as a high-luminescent light emitting device.例文帳に追加

高輝度発光素子等の高電力印加素子用基板として、素子内部に蓄積される熱を減らし素子の寿命を増加させることができる高熱伝導の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride based semiconductor light emitting device in which deterioration in characteristics of the device due to heat is prevented and further emission efficiency of the device is increased by improving heat dissipation performance of a sapphire substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

サファイア基板の熱放出能力を向上させることで、熱による素子の特性低下を阻止でき、かつ素子の発光効率を増大させ得る窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

It is desirable that the element 3 capable of forming an alloy with lithium is at least one kind of element selected from a group of zinc, cadmium, aluminum, gallium, indium, thallium, silicon, germanium, tin, lead, antimony, and bismuth.例文帳に追加

リチウムと合金を形成することが可能な元素３としては亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、錫、鉛、アンチモン、及びビスマスからなる群から選択される少なくとも一種類の元素であることが好ましい。 - 特許庁

After the fine semiconductor particles are treated with a metal halide solution where a metal is selected among a group consisting of scandium, yttrium, lanthanoid, zirconium, hafnium, tantalum, gallium, indium, germanium, and tin; the dye is adsorbed onto the fine semiconductor particles.例文帳に追加

半導体微粒子をスカンジウム、イットリウム、ランタノイド、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム及びスズからなる群から選ばれる金属のハロゲン化物の水溶液で処理した後、半導体微粒子に色素を吸着させる。 - 特許庁

In wire sawing, relating to a method for cooling a cylindrical workpiece consisting of a semiconductor material such as, for example, silicon, germanium, or gallium arsenide, a coolant is applied on the semiconductor material workpiece by a nozzle in cutting.例文帳に追加

本発明は、ワイヤーソーイング時に、たとえばシリコン、ゲルマニウムまたはガリウムヒ素などの半導体材料からなる円筒形被加工物を冷却する方法に関し、切断時にノズルによって冷却液が半導体材料被加工物に塗布される。 - 特許庁

In the phosphor comprising oxides of gallium, aluminum, indium, etc., as a matrix, the phosphor contains an oxide of a rare earth element such as Eu^2+ as a luminescent agent and at least a part of the oxide is partially sulfurized.例文帳に追加

ガリウム、アルミニウム、インジウムなどの酸化物を母体とする蛍光体において、発光剤としてＥｕ^2+などの希土類元素の酸化物を含み、かつ、酸化物の少なくとも一部が部分硫化されていることを特徴とする蛍光体。 - 特許庁

To provide a method through which a compound single crystal with a lower plane defect density can be obtained, which is a method to manufacture compound semiconductor single crystals such as silicon carbide, gallium nitride, etc. by using the epitaxial growth method.例文帳に追加

炭化珪素や窒化ガリウムなどの化合物半導体単結晶を、エピタキシャル成長法を利用して製造する方法であって、面欠陥密度がより低い化合物単結晶を得ることができる方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an epitaxial growth method for gallium nitride based compound semiconductor and the structure of a semiconductor device, which can be used in industrial scale while exhibiting excellent productivity, required for using a conductive substrate.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法、および半導体デバイスの構造に関し、工業的規模で使用可能な生産性に優れた導電性基板を用いるための結晶成長方法および素子構造を提供する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride base LED element with vertical structure capable of stably ensuring contact resistance of an n-type electrode by preventing an n-type GaN layer contacted by the n-type electrode from being damaged, and its manufacture method.例文帳に追加

ｎ型電極とコンタクトされるｎ型ＧａＮ層が損傷されるのを防止して、ｎ型電極のコンタクト抵抗を安定に確保できる垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent electrode for a gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device in which ohmic contact and current diffusion are good and the bonding strength of a bonding pad is large.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、オーミック接触および電流の拡散が良好であって、かつボンディングパッドの接合強度が大きい透光性の電極を提供することである。 - 特許庁

In a nitride semiconductor light-emitting element 11, a light-emitting layer 15 is provided on the principal plane 13a of a group III nitride semiconductor substrate 13 and the layer is composed of a nitride gallium semiconductor containing at least indium as a group III element.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子１１では、発光層１５は、III族窒化物半導体基板１３の主面１３ａ上に設けられおり、またIII族元素として少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系半導体からなる。 - 特許庁