「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

The exposure of surroundings of the channels 16a, 17a is prevented by forming the drain electrode 16 and the source electrode 17 in a shape to overhang the surface of the undoped gallium arsenide (GaAs) layer 15a as a cap layer, and the effect can be reduced that the variation of surface level at this position gives to the n-type gallium arsenide (GaAs) layer 13.例文帳に追加

また、ドレイン電極１６及びソース電極１７を、キャップ層としてのアンドープガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１５ａの表面に張り出すような形状に形成して、溝１６ａ及び１７ａの周縁部の露出を防ぎ、この部位における表面準位の変動がチャネル層としてのｎ型ガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１３に及ぼす影響を減らす。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a high-quality gallium nitride semiconductor substrate while suppressing crystal degradation caused by the reaction of Ga and Si and suppressing occurrence of cracking caused by the difference in thermal expansion coefficients of GaN and Si in the process of forming a thick film gallium nitride semiconductor layer on a Si(111) face by using a vapor phase growth method.例文帳に追加

Ｓｉ（１１１）面上に気相成長法を利用して、厚膜の窒化ガリウム系半導体層を形成する際、ＧａとＳｉに因る反応に起因する結晶劣化、ＧａＮとＳｉの熱膨張係数差に起因するクラッキング発生を抑制し、良質な窒化ガリウム系半導体基板の作製を可能とする作製方法の提供。 - 特許庁

By forming the void 35 while being related to the high-defect areas 15e of the gallium nitride substrate 15, the void 35 can block the propagation of at least one portion of the defects of the high-defect areas 15e.例文帳に追加

窒化ガリウム基板１５の高欠陥エリア１５ｅに関連づけてボイド３５を形成することにより、該ボイド３５が高欠陥エリア１５ｅの欠陥の少なくとも一部の伝搬を阻止できる。 - 特許庁

To provide an oxygen-doped n-type gallium nitride single crystal substrate and a method for production thereof, and also to provide a method of producing a light-emitting device and a light-emitting device.例文帳に追加

酸素をｎ型ドーパントとして取り込んだｎ型窒化ガリウム単結晶基板、その製造方法とその上に発光デバイスを製造する方法と発光デバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a gallium nitride light-emitting element in high slope efficiency and high-reliability with its life prolonged by suppressing a braking of the end surface of the light-emitting element during the high-output operation of the light-emitting element.例文帳に追加

高出力動作時における端面破壊を抑制して寿命を向上させ、かつ、スロープ効率の高い、高信頼性の窒化ガリウム系発光素子を提供すること。 - 特許庁

The metal oxide powder is preferably one or more kinds selected from a group of oxides and double oxides of indium, tin, zinc, aluminum, gallium, cerium, germanium and silicon.例文帳に追加

また、前記金属酸化物粉末が、インジウム、錫、亜鉛、アルミニウム、ガリウム、セリウム、ゲルマニウム、珪素の酸化物およびこれらの複合酸化物よりなる群から選ばれる１種以上であることが好ましい。 - 特許庁

The metallic accelerator or the dorpant is selected from the group consisting of indium, gallium, tin, silver, germanium, gold, nickel, cobalt, copper, iron, manganese, molybdenum, chromium, cerium, vanadium, its oxide and combination thereof.例文帳に追加

金属促進剤またはドーパントは、インジウム、ガリウム、錫、銀、ゲルマニウム、金、ニッケル、コバルト、銅、鉄、マンガン、モリブデン、クロム、セリウム、バナジウム、それらの酸化物およびそれらの組み合わせからなる群より選択される。 - 特許庁

A mixed gas of inert gas and gaseous alkyl metal such as trimethyl aluminum or trimethyl gallium kept at normal temperatures is circulated into a reaction chamber (reactor) for carrying out an alkyl metal flow purging treatment.例文帳に追加

不活性ガスと気体状のアルキル金属、例えばトリメチルアルミニウムやトリメチルガリウムとを混合したガスを、反応室（リアクター）内に常温で流通させるアルキル金属流通パージを行う。 - 特許庁

Ohmic electrodes 14a and 14b as source and drain electrodes and a Schottky electrode 15 as a gate electrode are formed on the n-type gallium nitride active layer 13.例文帳に追加

当該ｎ型窒化ガリウム活性層１３上には、ソース電極及びドレイン電極としてのオーミック電極１４ａ、１４ｂと、ゲート電極としてのショットキー電極１５とを形成する。 - 特許庁

Even in the case the amount of the gallium to be added is 0.001%, the addition effect is recognized, and the joining strength reaches 7 kg/mm^2, but, in 0.01%, it reaches the 10 kg/mm^2 level.例文帳に追加

ガリウムの添加量が０．００１重量％でも添加効果が認められ接合強度７ｋｇ／ｍｍ^２となるが、０．０１重量％では１０ｋｇ／ｍｍ^２台となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrode-electrolyte membrane assembly, which can restrain separation of gallium from an electrolyte material at the time of a calcining process, and to provide a fuel cell.例文帳に追加

焼成工程時の電解質材料からのガリウムの脱離を抑制することができる電極−電解質膜接合体および燃料電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

A gallium nitride substrate 10' having the altered layer (the altered region) 19 is divided into a thin-film part 10f and a remaining thick-film part 10r by the altered layer (the altered region) 19 (1.B).例文帳に追加

変質層（変質領域）１９を有する窒化ガリウム基板１０’は、変質層（変質領域）１９により薄膜部１０ｆと残部である厚膜部１０ｒとに分けられた（１．Ｂ）。 - 特許庁

The light emitting diode 6, which is prepared by covering a gallium nitride semiconductor tip 13 placed in a case 11 with a luminous layer 14 containing the fluorescent substance, is placed on the circumference of an emission board 5.例文帳に追加

ケース体11内に配設した窒化ガリウム系の半導体チップ13を蛍光体を含有する発光層14にて被覆した発光ダイオード６を、導光板５の周縁に配設する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride compound semiconductor light emitting element which has superior light extraction efficiency with a high light emission output, and has a rectangular shape where the vertical and horizontal sides are different in length in a plane shape.例文帳に追加

光取出し効率に優れ、発光出力の高い平面形状が縦横の辺の長さが異なる矩形である窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a trialkylgallium, capable of producing the trialkygallium in a high yield from gallium and magnesium which are not formed into an alloy, without using, or scarcely using, an ether as a reaction solvent.例文帳に追加

反応溶媒としてエーテルを使用せず又は殆ど使用せずに、合金にしないガリウム及びマグネシウムからトリアルキルガリウムを高収率で製造できる方法を提供する。 - 特許庁

As a peculiar problem regarding a manufacturing method for a gallium nitride substrate, thickness of the substrate is made at least a specified value, at least 40 μm in this case, thereby reducing propagation of strain to the inside of an element.例文帳に追加

また、窒化ガリウム基板の製法に係る特有の問題として基板厚を一定厚以上、ここでは４０μｍ以上とすることで素子内部への歪の伝播低減を得た。 - 特許庁

Part of the halftone defect 2 in the binary mask to which the FIB-CVD light shielding film 8 is made less attachable by implantation of gallium of focused ion beams 1 is shaved up to a glass substrate by gas assisted etching.例文帳に追加

まず集束イオンビーム1のガリウムの注入によってFIB-CVD遮光膜8がつきにくくなったバイナリマスクのハーフトーン欠陥2の一部分をガス支援エッチングでガラス基板まで削り込む。 - 特許庁

In step S105, a buffer layer 13 including group-III nitrides, such as GaN, AlGaN, and AlN is grown at 600°C on top of a principal surface 11a of a gallium oxide substrate 11.例文帳に追加

工程Ｓ１０５において、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮといったIII族窒化物からなるバッファ層１３を酸化ガリウム基板１１の主面１１ａ上に摂氏６００度で成長する。 - 特許庁

The piezoelectric field in a well layer W3 is directed toward the p layer from the n layer, and the piezoelectric field in the gallium nitride semiconductor layer P is directed toward the n layer from the p layer.例文帳に追加

井戸層Ｗ３におけるピエゾ電界の向きはｎ層からｐ層への方向であり、窒化ガリウム系半導体層Ｐにおけるピエゾ電界の向きはｐ層からｎ層への方向である。 - 特許庁

In this method a layer composed of indium gallium nitride is formed by metal chemical vapor deposition in a range of a deposition rate of ≥0.5 μm/h and of a temperature between 800°C and 1000°C.例文帳に追加

有機金属気相成長法により、成長速度０．５μｍ/ｈ以上、温度８００℃以上１０００℃以下の範囲において窒化インジウムガリウムからなる層を形成する。 - 特許庁

To provide a gallium-nitride-based LED element of perpendicular structure for maximizing the improvement effect of an external quantum efficiency and securing high-output characteristics by improving a current dispersion effect.例文帳に追加

外部量子効率の改善効果を極大化し、電流分散効果を向上させて高出力特性を確保する垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供する。 - 特許庁

An n-type gallium nitride system semiconductor drift layer 15 is provided on the first surface 13a of the substrate 13, and has a carrier concentration N_15 of 1×10^17 cm^-3 or smaller.例文帳に追加

ｎ型窒化ガリウム系半導体ドリフト層１５は、基板１３の第１の面１３ａ上に設けられており、また１×１０^１７ｃｍ^−３以下のキャリア濃度Ｎ_１５を有する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride-based semiconductor light emitting diode having high transparency, and at the same time, capable of improving contact resistance between a p-type GaN layer and electrode, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

本発明は高い透過率を有する同時にp型GaN層との接触抵抗の問題を改善できる窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

A partitioning plate is installed inside the valve box, and the flow of a working gas is opened and closed by using metal gallium or granular substances stable at high temperatures supplied from outside the system as a sealing material.例文帳に追加

弁箱内にしきり板を設け、封止材として、系外から供給される、金属ガリウム、又は、高温で安定な粒体を用いることによって、作動ガスの流通を開閉する。 - 特許庁

To provide a vertical light emitting diode device whose contact resistance of an n-type electrode and an n-type gallium nitride layer is reduced and whose thermal stability is improved, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

ｎ型電極とｎ型窒化ガリウム層のコンタクト抵抗を軽減し、熱的安定性を向上させることができる縦型発光ダイオード素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a large-area, high-purity, low-cost single crystal semi-insulating gallium nitride as a substrate for fabricating a GaN device used for electronic and/or optoelectronic applications.例文帳に追加

エレクトロニクス製品、および/または、オプトエレクトロニクス製品に利用するGaNデバイスを加工する基板として、大きく、高純度で、低コストの単結晶半絶縁性のガリウムナイトライドを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate wherein a gallium nitride film can be formed from a simple single-crystal silicon substrate as a starting substrate, and warp and cracks are suppressed; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

単純な単結晶シリコン基板を出発基板として窒化ガリウム膜を形成することができ、反りやクラックが抑制された半導体基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The conductive oxide is a crystalline conductive oxide, and contains indium, gallium, zinc, oxygen and nitrogen while the concentration of nitrogen is ≥7×10^19(atom/cc).例文帳に追加

導電性酸化物は、結晶質の導電性酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度が７×１０^19（ａｔｏｍ／ｃｃ）以上であることを特徴とする。 - 特許庁

By feeding a polishing pad of a double-sided polisher the obtained dilute solution, a gallium arsenide wafer is polished to obtain a polished surface with little surface roughness (Ra) and less scratches/flaws.例文帳に追加

得られた希釈液を両面研磨機の研磨パッドに供給しながらヒ化ガリウムウェーハを研磨したところ、表面粗さ（Ｒａ）が低くスクラッチ・傷の少ない被研磨面が得られた。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor layer of group III-V compound semiconductor which contains a gallium element, indium element, arsenic element and nitrogen element, and shows a good optical property.例文帳に追加

ガリウム元素、インジウム元素、ヒ素元素および窒素元素を含んでおり良好な光学特性を示すIII−Ｖ化合物半導体の半導体層を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growing method for nitride semiconductor, whereby a uniform crystal layer can be obtained with a high reproducibility by the vapor phase growth technology for gallium nitride compound semiconductors, etc.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体などの気相成長技術において、均一で再現性の高い結晶層を得ることのできる窒化物半導体の気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sapphire substrate capable of carrying out epitaxial growth of a III group nitride semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, etc., represented by GaN and improving yield of the semiconductor.例文帳に追加

ＧaＮに代表されるIII族窒化物半導体や窒化ガリウム系化合物半導体等をエピタキシャル成長させ、かつ、歩留りを向上させることのできるサファイヤ基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a sputter target that can easily optimize doping concentration of dopant elements in crystal of a gallium nitride semiconductor formed into a film using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法を用いて成膜されたガリウム窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化できるスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

A gallium ion (Ga3+) is irradiated from an ion gun 11 of a FIB device 9 to an exposed surface 22 again by exposing a cross section through a cleavage or FIB processing a semiconductor material.例文帳に追加

半導体試料をへき開またはＦＩＢ加工して断面を露出させ、当該露出面２２に再度ＦＩＢ装置９のイオン銃１１からガリウムイオン（Ｇａ３＋）を照射する。 - 特許庁

Such the large crystals are provided as growing substrates for growing gallium nitride based semiconductor layers, and semiconductor membranes free from lattice defects are formed over wide area on the substrate.例文帳に追加

このような大きな単結晶を窒化ガリウム系の半導体層形成用の成長基板に提供し、基板上には、広い面域に渡って格子欠陥のない半導体膜が形成される。 - 特許庁

IGZO whose principal components are indium, gallium, zinc, and oxygen is used for forming semiconductor layers 13 and 17 of a TFT substrate 1 having a TFT 5 and an auxiliary capacitance 6.例文帳に追加

ＴＦＴ５と補助容量６を有するＴＦＴ基板１の半導体層１３、１７を形成するときに、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を主成分とするＩＧＺＯを使用する。 - 特許庁

In the case of the crystal growth of the gallium nitride compound semiconductor on the sapphire substrate, the thickness of the sapphire substrate is increased to the thickness of the crystal layer which performs the crystal growth.例文帳に追加

また、サファイア基板上での窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長に際しては、結晶成長させる結晶層の厚さに対してサファイア基板の厚さを厚くする。 - 特許庁

The colloidal metal solution comprises silver and at least one element selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, iron, tin, titanium, gallium, nickel, zinc, and aluminum.例文帳に追加

銀と、金、白金、パラジウム、鉄、スズ、チタン、ガリウム、ニッケル、亜鉛およびアルミニウムからなる群より選択される元素の少なくとも１種とを含むことを特徴とする金属コロイド溶液を用いる。 - 特許庁

The spacer layer 16 contains gallium oxide as a main component, and has a main spacer layer 16b containing at least one metal element selected from a group consisting of magnesium, zinc, indium and aluminum.例文帳に追加

スペーサ層１６は、酸化ガリウムを主成分とし、マグネシウム、亜鉛、インジウム、及びアルミニウムからなる群から選択された少なくとも１つの金属元素を含む主スペーサ層１６ｂを有している。 - 特許庁

A conductive gallium nitride substrate 13 comprises a first region 13c having first dislocation density, and a second region 13d having second dislocation density smaller than the first dislocation density.例文帳に追加

導電性窒化ガリウム基板１３は、第１の転位密度を有する第１の領域１３ｃと、第１の転位密度より小さい第２の転位密度を有する第２の領域１３ｄとを含む。 - 特許庁

A barrier layer 29a formed of a gallium nitride based semiconductor is grown on the protection layer 27a at a time t8 to t9 while the temperature of the growth furnace 10 is kept at the growth temperature T_B.例文帳に追加

成長炉１０の温度を成長温度Ｔ_Ｂに保ちながら、時刻ｔ８〜ｔ９で、窒化ガリウム系半導体からなる障壁層２９ａを保護層２７ａ上に成長する。 - 特許庁

A GaxIn1-xP composition-graded electron supplying layer in which the gallium compositional ratio is reduced from the function interface with a GaInAs channel layer toward the junction interface with a GaAs contact layer is formed.例文帳に追加

ＧａＩｎＡｓチャネル層の接合界面からＧａＡｓコンタクト層との接合界面に向けて、ガリウム組成比を減少させたＧａ_XＩｎ_1-XＰ組成勾配付電子供給層を形成する。 - 特許庁

To provide a single crystal thin film substrate which is used as a substrate for manufacturing a semiconductor element such as a light emitting element excelling in luminous efficiency, and which comprises as main components gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride.例文帳に追加

発光効率に優れた発光素子などの半導体素子製造用基板として使用され、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜基板を提供する。 - 特許庁

The modified principal surface 51a of the gallium nitride-based semiconductor layer 51 changes by modification treatment from the original semi-polar surface to a surface having a step structure including an m plane.例文帳に追加

改質処理により、窒化ガリウム系半導体層５１の改質された主面５１ａは、元の半極性面から変化して、ｍ面を含むステップ構造を有するものになる。 - 特許庁

To provide a nitride gallium based compound semiconductor light-emitting element, provided with a reflection-type positive electrode having satisfactory extraction of light emission and increasing the efficiency of wavelength conversion of a phosphor.例文帳に追加

発光の取り出しを良好とし、蛍光体の波長変換の効率を増大させた反射型正極を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁