「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor element, which manufactures a quality semiconductor element for use in a high frequent device at a good yield since a high-quality gallium nitride film is formed at a good yield.例文帳に追加

高品質の窒化ガリウム膜を歩留まり良く形成することができるため、高周波デバイスに用いられる品質の良い半導体素子を歩留まり良く製造する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device with high performance that solves problems of peeling by providing a nitride semiconductor layer of high quality on a gallium oxide substrate, to provide a light emitting device package, and to provide a illumination system.例文帳に追加

高品質の窒化物半導体層を酸化ガリウム基板の上に具現して剥離の問題を解決した高性能の窒化物半導体発光素子、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供すること。 - 特許庁

A primary surface 13a of the substrate 13 is inclined at an angle ranging from 50 degrees or more to less than 130 degrees from a plane Sc perpendicular to a reference axis Cx extending along the c-axis of a first gallium nitride-based semiconductor.例文帳に追加

基板１３の主面１３ａは、該第１の窒化ガリウム系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０度未満の範囲の角度で傾斜する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having an active region of a quantum well structure which has a barrier layer made of a group III-V compound semiconductor containing aluminum, gallium, indium, and arsenic so as to be able to reduce a leak current.例文帳に追加

アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびヒ素を含むIII−Ｖ化合物半導体のバリア層を有する量子井戸構造の活性領域を備えリーク電流を低減可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride LED element and its process for fabrication, capable of simplifying an overall fabrication process for elements and improving adhesion performance between a protective film and an electrode, preventing defective adhesion.例文帳に追加

素子の全般的な製造工程を単純化させると共に、保護膜と電極との接着性能を良好にして、接着不良を防止することができる窒化ガリウム系ＬＥＤ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The lead free solder contains 7.0-10.0 mass % zinc (Zn), 0.1-4.0 mass % silver (Ag), 0.01-0.5 mass % aluminum (Al), 0-4.0 mass % gallium (Ga), and the remainder tin (Sn).例文帳に追加

７．０〜１０．０質量％の亜鉛（Ｚｎ）、０．１〜４．０質量％の銀（Ａｇ）、０．０１〜０．５質量％のアルミニウム（Ａｌ）、０〜４．０質量％のガリウム（Ｇａ）、及び残りはすず（Ｓｎ）を含む、鉛を含まないはんだ合金。 - 特許庁

The method of reducing carbon dioxide is characterized in that CO is produced by irradiating light to CO_2, H_2O and a gallium oxide photocatalyst with silver supported thereon, this photocatalyst being used in this method to contribute the reaction of reducing CO_2.例文帳に追加

銀を担持した酸化ガリウム光触媒を用いて、ＣＯ_２とＨ_２Ｏと光触媒とに光を照射してＣＯ_２を還元する反応によりＣＯを生成させることを特徴とする二酸化炭素の還元方法。 - 特許庁

In order to obtain the gallium nitride (GaN) substrate free of cracks by reducing bending which may occur in a Gan layer growing process, a nitride embedding layer having a plurality of voids therein is embedded between the GaN layer and a base substrate.例文帳に追加

窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を得ることができるように窒化ガリウム層とベース基板の間に複数のボイド（ｖｏｉｄ）を有する窒化物挿入層を形成する。 - 特許庁

To provide a light emitting diode in which an LED chip using gallium nitride-based compound semiconductor for a light emitting layer and a new phosphor are combined, and which has sufficient brightness for white lighting, and to provide its production method.例文帳に追加

発光層に窒化ガリウム系化合物半導体を用いたＬＥＤチップと新しい蛍光体とを組み合わせた、白色照明用として十分な明るさを有する発光ダイオードとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The spacer layer 16 has a main spacer layer 16b containing gallium oxide as a main component, and a bottom layer 16a located between the main spacer layer 16b and the first magnetic layer L1, and containing partially oxidized copper as a main component.例文帳に追加

スペーサ層１６は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層１６ｂと、主スペーサ層１６ｂと第１の磁性層Ｌ１との間に位置し、一部が酸化された銅を主成分とするボトム層１６ａと、を有している。 - 特許庁

A gallium nitride-based semiconductor element includes: a conductive heat dissipation substrate (that is, a thermally conductive substrate); a GaN-based multilayer provided on the heat dissipation substrate; and a Schottky electrode provided on the GaN-based multilayer.例文帳に追加

導電性放熱基板（すなわち、熱伝導性基板）、放熱基板上に備わったＧａＮ系多重層及びＧａＮ系多重層上に備わったショットキー電極を含む窒化ガリウム系半導体素子である。 - 特許庁

An active layer 19 has a quantum well structure 23, and the quantum well structure 23 includes a well layer 25a comprising In_XGa_1-XN(0.2<X<1) and a barrier layer 25b comprising a nitride gallium based semiconductor.例文帳に追加

活性層１９は量子井戸構造２３を有しており、量子井戸構造２３は、Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０．２＜Ｘ＜１）からなる井戸層２５ａと窒化ガリウム系半導体からなる障壁層２５ｂとを含む。 - 特許庁

To provide new gallium oxide powder whose aggregated particles tend to be easily broken when they are pulverized in order to improve miscibility with other powders, so as to become suitable as raw materials for sputtering targets such as IGZO (InGaZnOx).例文帳に追加

ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、他の粉体との混合性を高めるために、粉砕した際に凝集粒子が壊れやすい、新たな酸化ガリウム粉末を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the large diameter gallium phosphide single crystal by the liquid encapsulation Czochralski method, the temperature gradient in a liquid encapsulation agent and the temperature gradient above the liquid encapsulation agent in the vertical direction are properly controlled.例文帳に追加

液体封止引き上げ法による大口径のリン化ガリウム単結晶製造方法において、液体封止剤中の温度勾配と液体封止剤の上の縦方向の温度勾配をそれぞれ適正に制御する。 - 特許庁

The oxygen gas detector is equipped with a substrate, the thin film, which has gallium oxide crystals with a mean particle size of 10-50 nm, formed on the surface of the substrate and a pair of electrodes formed on the surface of the thin film.例文帳に追加

基板と、前記基板表面に形成され、平均粒径が１０〜５０ｎｍの酸化ガリウム結晶を有する薄膜と、前記薄膜表面に形成された一対の電極とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III nitride compound semiconductor that can easily optimize doping concentration of a dopant element in crystal of a gallium nitride compound semiconductor and efficiently deposit a film.例文帳に追加

ガリウム窒化物化合物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化でき、効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The high-purity trialkylgallium is produced by forming a gallium-diamine complex from the trialkylgallium and a diamine compound, collecting the complex from the reaction mixture by distillation and dissociating the diamine compound.例文帳に追加

及び、トリアルキルガリウムとジアミンからガリウムージアミン錯体を形成させ、次いで反応混合物から蒸留により錯体を取得した後、ジアミン化合物を解離させることにより高純度トリアルキルガリウムを製造する。 - 特許庁

The positive electrode active material layer 7 comprises cobalt, lithium and an additive containing at least one kind selected from a group of manganese, iron, copper, titanium, molybdenum, tungsten, chromium, vanadium, niobium, tantalum, zinc, aluminum, gallium, indium, tin and lead.例文帳に追加

正極活物質層７は、マンガン、鉄、銅、チタン、モリブデン、タングステン、クロム、バナジウム、ニオブ、タンタル、亜鉛、アルミニウム、ガリウム、インジウム、錫および鉛からなる群より選ばれた少なくとも一種を含む添加物と、コバルトと、リチウムとを含む。 - 特許庁

A catalyst suitable for partial hydrogenation of an aromatic olefin to cyclohexene comprises a metallic active component deposited on bioxide of gallium oxide-zinc oxide, and this metallic active component is selected from group VIII elements.例文帳に追加

芳香族オレフィンをシクロヘキセンに部分水素化するのに適した触媒は、酸化ガリウム−酸化亜鉛のバイオキサイド上に沈着した金属活性成分からなり、この金属活性成分は周期表第VIII族から選択される。 - 特許庁

To provide a gallium oxide single crystal excellent in crystallinity and conductivity, its manufacturing method, a nitride semiconductor substrate suitable for epitaxial growth of a nitride semiconductor, and its manufacturing method.例文帳に追加

結晶性及び導電性が共に優れた酸化ガリウム単結晶及びその製造方法、並びに窒化物半導体をエピタキシャル成長させるのに好適な窒化物半導体用基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This dielectric material contains gallium arsenic or barium titanate as its element and the resistance or capacitance varies depending on an energy spectrum distribution, so that it can be used for dynamic impedance matching in an electric circuit.例文帳に追加

この誘電材料はガリウムヒ素あるいはチタン酸バリウムを要素としており、抵抗値またはコンデンサ容量は、エネルギースペクトルの分布に従って変化し、電気回路の動的なインピーダンスマッチングをとるために利用できる。 - 特許庁

The laser light generating device is so constituted that output light having 1st wavelength obtained by a semiconductor laser 1 containing gallium nitride is introduced into an external resonator 10 using nonlinear optical crystal 15.例文帳に追加

レーザー光発生装置において、窒化ガリウムを含む半導体レーザー１によって得られる第一の波長をもった出力光が、非線形光学結晶１５を用いた外部共振器１０に導入されるように構成する。 - 特許庁

A gallium nitride based semiconductor region 15 includes a first region 15c having a larger dislocation density than a second dislocation density, and a second region 15d having a smaller dislocation density that the second dislocation density.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体領域１５は、第２の転位密度より大きい転位密度を有する第１の領域１５ｃと、第２の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域１５ｄとを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium nitride compound semiconductor light emitting element having excellent reliability and mass productivitty without machining a substrate or without including a complicated step such as manufacturing step of a contact hole.例文帳に追加

基板に何らかの加工を施すことなく、あるいはコンタクトホールの作製などの複雑な工程を含まない、信頼性・量産性の優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The gallium arranging section 105 includes, for example, a passage for allowing the material gas supplied from the material gas supply section 104 to pass, a metal Ga arranged on the path, and a heating section for heating the metal Ga.例文帳に追加

ガリウム配置部１０５は、例えば、原料ガス供給部１０４が供給する原料ガスを通過させる経路と、この経路に配置された金属Ｇａと、この金属Ｇａを加熱する加熱部とを備えるものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride compound semiconductor which can be improved in productivity by reducing manufacturing processes in number and raised in luminous efficiency by decreasing photolithography processes in number.例文帳に追加

製造工程数の低減により生産性の向上を図り、またフォトリソグラフィーの回数を少なくして発光効率を高めることが可能な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

ADDITION COMPOUND OF CARBOXYLIC ACID WITH HALIDE OR HALOGENOCARBOXYLATE OF RARE EARTH ELEMENT OR GALLIUM, ANHYDROUS ADDITION COMPOUND OF HALIDE OF RARE EARTH ELEMENT OR GALIUM WITH NTIROGEN OR OXYGEN DONOR, AND PRODUCTION METHOD AND CATALYTIC USE THEREOF例文帳に追加

カルボン酸とハロゲン化又はハロゲノカルボン酸希土類元素又はガリウムとの付加化合物、ハロゲン化希土類元素又はガリウムと窒素又は酸素供与体との無水付加化合物、それらの製造方法及び触媒としての使用 - 特許庁

After growing the buffer layer 13, the gallium oxide substrate 11 and the buffer layer 13 are exposed to the atmosphere of a growth furnace 10 at 1,050°C, while a gas G2 containing hydrogen and nitrogen is supplied to the growth furnace 10.例文帳に追加

バッファ層１３を成長した後に、水素及び窒素を含むガスＧ２を成長炉１０に供給しながら、摂氏１０５０度で酸化ガリウム基板１１及びバッファ層１３を成長炉１１の雰囲気にさらす。 - 特許庁

This processing method for waste plastics reclaims a catalytic reaction product by vaporizing waste plastics in a pyrolizing tank 2 by a pyrolysis reaction and then contacting the pyrolysis product gas with a silicate catalyst containing gallium in a catalytic reactor 3.例文帳に追加

廃プラスチックを熱分解槽２において熱分解により気化させ、得られた熱分解ガスを触媒反応槽３においてガリウム含有珪酸塩触媒に接触させ、触媒反応生成物を回収する。 - 特許庁

In the second part 23, there mixedly exist boron of covalent radius smaller than that of silicon, and gallium of the covalent radius greater than that of silicon.例文帳に追加

第２部分２３には、シリコンの共有結合半径よりも小さい共有結合半径のボロンと、シリコンの共有結合半径よりも大きい共有結合半径のガリウムが混在していることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a catalyst containing at least one element T selected from a group consisting of silicon, aluminum, iron, gallium and boron and containing at least one NES-structure zeolite, preferably NU-87.例文帳に追加

本発明は、ケイ素と、アルミニウム、鉄、ガリウムおよびホウ素からなる群から選ばれる少なくとも１つの元素Ｔとを含む、少なくとも１つのＮＥＳ構造型ゼオライト、好ましくはＮＵ−８７を含む触媒を提供する。 - 特許庁

The polishing method of GaN includes a step of using polishing liquid obtained by mixing a gallium hydroxide to a sodium hydroxide solution or a potassium hydroxide solution for carrying out mechanochemical polishing.例文帳に追加

ＧａＮの研磨方法において、水酸化ナトリウム溶液又は水酸化カリウム溶液に水酸化ガリウムを混合した研磨液を用いてメカノケミカル研磨する工程を含むことを特徴とするＧａＮの研磨方法である。 - 特許庁

In a method for etching a gallium nitride compound semiconductor by using a plasma etching device, etching gas including CF4 and SiCl4 is introduced to the plasma etching device and the controllability of the etching rate is improved.例文帳に追加

プラズマエッチング装置を用い、窒化ガリウム系化合物半導体をエッチングする方法において、前記プラズマエッチング装置にＣＦ_4とＳｉＣｌ_4を含むエッチングガスとＯ_2ガスを導入して、エッチングレートの制御性を高める。 - 特許庁

To provide a vertical power semiconductor device having a drift region principally comprising a gallium nitride layer in which breakdown voltage can be enhanced by relaxing concentration of electric field.例文帳に追加

ドリフト領域が主に窒化ガリウム層で構成された縦型のパワー半導体装置において、電界集中を緩和して高耐圧とすることができる新たな耐圧構造を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a technique for forming a nitride semiconductor layer superior in planarity and crystallinity on a GaN substrate while improving manufacturing characteristics of a semiconductor element utilizing a gallium nitride substrate (GaN substrate).例文帳に追加

窒化ガリウム基板（ＧａＮ基板）を利用した半導体素子の製造性を向上しつつ、ＧａＮ基板上に平坦性及び結晶性に優れた窒化物系半導体層を形成することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method where a smooth etching surface can be obtained, etching can be made with excellent reproducibility, and additionally etching is carried out with the same result when a plurality of nitride gallium-based compound semiconductors are etched simultaneously.例文帳に追加

平滑なエッチング面が得られ、良好な再現性をもってエッチングでき、加えて複数の窒化ガリウム系化合物半導体を同時にエッチングしたときに同一の結果でエッチングできる方法を提供すること。 - 特許庁

Especially, in the light-emitting diode of α-alumina substrate, Cr that absorbs visible rays being emitted from the nitride gallium-family compound semiconductor light-emitting layer and discharges visible rays with a long wavelength.例文帳に追加

特に、基板は窒化ガリウム系化合物半導体発光層から放出される可視光を吸収して、より長波長の可視光を放出するＣｒが含有されたα−アルミナ基板の発光ダイオードである。 - 特許庁

Third harmonic waves of a YAG laser that has a wavelength 355 nm and is oscillated pulsively is applied from a surface at a side opposite to a semiconductor film 11 containing gallium nitride on a substrate 10 so that the inside of the surface is scanned.例文帳に追加

波長が３５５ｎｍのパルス状に発振するＹＡＧレーザの第３高調波光を基板１０における窒化ガリウムを含む半導体膜１１の反対側の面からその面内をスキャンするように照射する。 - 特許庁

A sol in which a gallium isopropoxide and an indium isopropoxide are dissolved in a mixed solution of 2-methoxyethanol, and monoethanolamine is applied on a substrate, a thin film is obtained by being calcinated at 600-1,200°C in air for 30-90 minutes.例文帳に追加

２‐メトキシエタノールとモノエタノールアミンの混合溶液にガリウムイソプロポキシドとインジウムイソプロポキシドを溶解させたゾルを基板上に塗布し、空気中６００〜１２００℃で３０〜９０分焼成することにより薄膜を得る。 - 特許庁

The laminated structure is provided with a backing plate, an alloy thin film which is formed on the backing plate and comprises an alloy of indium and gallium whose concentration is 1.0-30 atom%, and the indium target formed on the alloy thin film.例文帳に追加

積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成された、ガリウム濃度が１．０〜３０ａｔ％であるインジウムとガリウムとの合金薄膜、及び、合金薄膜上に形成されたインジウムターゲットを備える。 - 特許庁

To provide a method of easily growing a good quality crystal from a group III-V compound semiconductor containing at least indium, gallium, antimony and arsenide in composition.例文帳に追加

少なくともインジウムとガリウムとアンチモンと砒素とを組成として含む良質なIII−Ｖ族化合物半導体を容易に結晶成長することが出来るIII−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

Since the reaction gas can be uniformly supplied to the crystal growing surface of the sapphire substrate 50, high-quality gallium nitride compound semiconductor crystals whose place dependences are small grow on the sapphire substrate 50.例文帳に追加

反応ガスをサファイア基板５０の結晶成長面に均一に供給することができるので、サファイア基板５０上に場所依存性の少ない良質な窒化ガリウム系化合物半導体結晶が成長する。 - 特許庁

This organic electroluminescent element has a pair of electrodes at least one of which is an electrode 2 containing oxygen and a gallium element, and an organic compound layer including an organic luminescent layer 4 disposed between the pair of the electrodes.例文帳に追加

少なくとも一方が酸素及びガリウム元素を含有する電極２である一対の電極と、前記一対の電極間に配置された有機発光層４を含む有機化合物層４と、を有している。 - 特許庁

A surface emitting semiconductor laser device is provided with an n-type reflecting mirror layer 26, a light emitting layer 32, an aluminum containing layer 33, and a p-type reflecting mirror layer 38 stacked on an n-type gallium nitride substrate 24 in this order.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ素子は、ｎ型窒化ガリウム基板２４上に順次積層されたｎ型反射鏡層２６、発光層３２、アルミニウム含有層３３、ｐ型反射鏡層３８を備えている。 - 特許庁

Consequently, the transmitting direction of the dislocations 14 is bent from a vertical direction to a lateral direction in a drawing, the loop 26 of the dislocations 14 is formed, and transmission to the dislocations 14 into the gallium nitride semiconductor layer 22 is prevented.例文帳に追加

これにより、転位１４の伝搬方向が図の下から上への方向から図の横方向に曲げられ、転位１４のループ２６が形成され、窒化ガリウム系半導体層２２中への転位１４への伝搬が防止される。 - 特許庁