「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

The problem is solved by using, as a piezoelectric element, any of LGAS, LNGA and LTGA wherein Ga (gallium) is substituted with Al (aluminum) to reduce an amount of the Ga, and a change of a specific resistance value of the crystal is kept within 10^11Ω even at 500 °C or more.例文帳に追加

Ｇａ（ガリウム）をＡｌ（アルミナ）に置換してＧａ（ガリウム）の量を減らし、更に結晶の固有抵抗値の変化が５００℃を越えても１０^１１Ωに留まるＬＧＡＳ、ＬＮＧＡ、ＬＴＧＡのいずれかを圧電素子に使うことで課題を解決する。 - 特許庁

The laminate has the buffer layer formed of at least one kind or more selected from a group composed of a gallium oxide thin film, an oxide thin film formed of gallium, indium and oxygen, and a transparent conductive film layer formed of an oxide thin film including at least one kind or more of elements selected from a titanium oxide as a main component and from niobium, tantalum, molybdenum, arsenic, antimony, and tungsten are formed on its buffer layer.例文帳に追加

基体上に、酸化ガリウム薄膜、ガリウム、インジウムおよび酸素からなる酸化物薄膜、ならびにガリウム、インジウム、アルミニウムおよび酸素からなる酸化物薄膜の中から選択される少なくとも１種以上からなるバッファー層が形成され、そのバッファー層上に酸化チタンを主成分としニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、ならびにタングステンから選択される少なくとも１種以上の元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層が形成されていることを特徴とする積層体。 - 特許庁

To improve the takeout efficiency of light emitted from a luminous layer, and also to improve the external quantum efficiency of a light-emitting element by a gallium-nitride-based compound semiconductor without performing any complex processes, such as the formation of an irregular structure by dry etching and the removal of a substrate.例文帳に追加

ドライエッチングによる凹凸構造形成や基板除去等の複雑な工程を行うことなく、発光層で発光した光の取り出し効率を向上させ、窒化ガリウム系化合物半導体による発光素子の外部量子効率を向上させること。 - 特許庁

Accordingly, an In material gas contained in the material gas supplied from the material gas supply section 104 contacts, for example, the metal Ga heated at 50°C by passing through the gallium arranging section 105, and then, is supplied to the surface of a substrate W.例文帳に追加

従って、原料ガス供給部１０４より供給される原料ガスに含まれているＩｎ原料ガスは、ガリウム配置部１０５を通過することで、例えば５０℃に加熱された金属Ｇａに接触し、この後、基板Ｗの表面に供給されることになる。 - 特許庁

To provide a method of processing a substrate and a method of manufacturing a light emitting element wherein a gallium-oxide substrate and the light emitting element formed on the substrate can be cut out near its processing grooves, without generating any peeling and any crack, etc. and without utilizing any cleavage.例文帳に追加

ガリウム酸化物の基板及びこの基板上に形成した発光素子を、加工溝の近傍で剥がれやクラック等を発生させずに、また、劈開を利用せずに切り出すことができる、基板加工方法及び発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric film 16 is an orientated crystal film, composed of solid solution of aluminum nitride and gallium nitride which is represented by general formula Al_1-xGa_xN (where 0<x<1) or a solid solution of aluminum nitride and indium nitride which is represented by general formula Al_1-yIn_yN (where 0<y<1).例文帳に追加

圧電体膜１６は一般式Ａｌ_1-_x Ｇａ_x Ｎ（但し、０＜ｘ＜１）で表される窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの固溶体または一般式Ａｌ_1-y Ｉｎ_y Ｎ（但し、０＜ｙ＜１）で表される窒化アルミニウムと窒化インジウムとの固溶体よりなる配向性結晶膜である。 - 特許庁

The nitride semiconductor device has a side face part 16s and a top layer part 16t, and an electrode layer 21 is built, through a high-resistance region such as an undoped gallium nitride layer 17, etc., onto the top layer part that is a crystal layer having grown to be a three-dimensional form.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体素子は、側面部１６ｓ及び上層部１６ｔを有して３次元状に成長した結晶層の前記上層部はアンドープ窒化ガリウム層１７などの高抵抗領域を介して電極層２１が形成される。 - 特許庁

To provide a both-surface polishing method for various wafers such as silicon wafer, gallium arsenide wafer, glass wafer while suppressing scratching believed to be caused by plastic chips due to abnormal abrasion, etc., between a polishing member and a wafer.例文帳に追加

研磨用部材とウェーハとの間の異常摩擦等に起因して発生するプラスチック屑に起因すると考えられているスクラッチの発生をできるだけ押さえながらシリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハ、ガラス製ウェーハなどの各種ウェーハの両面研磨方法の提供。 - 特許庁

At this time, through the gas feed tube 8 for shielding, the nitrogen gas 7 for shielding is always fed to the circumference of the feed port 6a of the gallium feed tube 6 so as to cover the feed port 6a with the nitrogen gas 7, thus the feed port 6a is shielded from sodium vapor.例文帳に追加

このとき、シールド用ガス供給管８を通してシールド用窒素ガス７を、ガリウム供給管６の供給口６ａ周囲へ常時供給して供給口６ａを窒素ガス７で覆うことにより、供給口６ａをナトリウム蒸気から遮断する。 - 特許庁

When the SiC single crystal is grown, along with nitrogen (N) that serve as a donor element for achieving an n-type semiconductor, gallium (Ga) is added so that N (amount) and Ga (amount), which are amounts of N and Ga elements expressed in atm, respectively, satisfy the relation: N (amount)>Ga (amount).例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。 - 特許庁

In a TFT (Thin Film Transistor) array board 11, as the component material for gate wiring 13 and a gate electrode 17, the silver alloy material consisting essentially of silver and comprising at least one or more kinds of elements selected from tin, zinc, lead, bismuth, indium and gallium is used.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板１１において、ゲート配線１３およびゲート電極１７を構成材料として、銀を主成分とし、少なくとも、錫、亜鉛、鉛、ビスマス、インジウム、ガリウムから選ばれる１種類以上の元素を含む銀合金材料を用いる。 - 特許庁

In the dry etching method, gallium-nitride compound layers 22-24, sapphire substrates 21 or alumina substrates are etched by plasma 26 generated from a reaction gas containing chlorine gas and gas of a compound (such as chloroform, dichloromethane, etc.), represented by a chemical formula C_xH_yCl_z, in which each of x, y, and z is a positive integer.例文帳に追加

塩素ガスと、x、y及びzが正の整数である化学式C_xH_yCl_zで表される化合物（クロロホルム、ジクロルメタン等）のガスとを含む反応ガスから生成したプラズマ２６により、窒化ガリウム系化合物層２２〜２４、サファイア基板２１もしくはアルミナ基板をエッチングする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III nitride compound semiconductor in which a raw material gas easily reach a top surface of a substrate when a gallium nitride based compound semiconductor is epitaxially grown to be therefore used with high efficiency, and which has high and uniform crystallinity.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャル成長時に原料ガスが基板の上面に到達し易く、従って原料ガスの利用効率が高く、また、結晶性が高くかつ均一な３族窒化物化合物半導体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This is the metal halide lamp in which in a light-emitting tube provided with a pair of electrodes, at least halides of Na (sodium), Sc (scandium), and Ga (gallium) as the main light-emitting material are sealed together with a rare gas, and which substantially contains no mercury.例文帳に追加

一対の電極を具えた発光管の内部に、希ガスと共に主たる発光物質として少なくとも、Na（ナトリウム）のハロゲン化物と、Sc（スカンジウム）のハロゲン化物と、Ga（ガリウム）のハロゲン化物を封入し、実質的に水銀を含まない構成のメタルハライドランプとする。 - 特許庁

To provide high purity gallium oxide which is good in filterability and cleanliness, has a low content of impurities and small particle diameters, and is suitable as raw materials for a fluorescent material and a target, and as a transparent conductive film and a single crystal substrate material having transparency and conductivity.例文帳に追加

濾過、洗浄性が良好で、かつ、蛍光体原料や、ターゲット用原料、透明導電膜や透明導電性を有する単結晶基板材料として好適な不純物含量の低い、粒子径の小さい高純度酸化ガリウムを提供することにある。 - 特許庁

The gallium oxide powder having a (D90-D10)/D50 value of 1.00-1.50 is provided in D10, D50 and D90 by volume standard particle size distribution obtained by measuring by a laser diffraction scattering-type particle-size distribution measuring method.例文帳に追加

レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布によるＤ１０、Ｄ５０及びＤ９０において、（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０の値が１．００〜１．５０であることを特徴とする酸化ガリウム粉末を提案する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element in which fluctuation in the threshold voltage is suppressed even when information write and erase operations are repeatedly performed, compared with the case where at least one of an intermediate insulating layer, charge storage layer, and tunnel insulating layer does not include gallium oxide.例文帳に追加

本発明は、中間絶縁層、電荷蓄積層、及びトンネル絶縁層のうちの少なくとも１つが酸化ガリウムを含まない場合に比べて、情報の書込みと消去を繰り返しても閾値電圧の変動が抑制された不揮発性記憶素子を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing green-emitting phosphor particles includes the steps of: obtaining a powder containing europium and strontium from a solution containing a europium compound and a strontium compound; thereafter mixing the resulting powder and a powdered gallium compound; and performing firing.例文帳に追加

本発明の緑色発光蛍光体粒子の製造方法は、ユウロピウム化合物とストロンチウム化合物とを含む溶液からユウロピウム及びストロンチウムを含む粉体を得た後、該粉体と粉状ガリウム化合物とを混合し、次いで、焼成する各工程から成る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing gallium nitride-based compound semiconductor single crystal capable of preventing the breakdown of an epitaxial layer during cooling operation after growing it and capable of separating it from the substrate with the shape of the epitaxial layer maintained.例文帳に追加

成長終了後の冷却時に基板やエピタキシャル層の破壊を防止することのでき、エピタキシャル層の形状を保ったまま基板から剥離することのできる窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The high resistance material consisting of at least a manganese-doped gallium nitride crystal (Mn-doped GaN) and having a specific resistance by Hall measurement of 100 Ωcm or more is favorable to have a doped quantity of manganese of 1×10^17 atoms/cm^3 or more.例文帳に追加

少なくともマンガンをドープした窒化ガリウム結晶（ＭｎドープＧａＮ）からなり、ホール測定による比抵抗が１００Ω・ｃｍ以上の高抵抗材料であって、マンガンのドープ量が１×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上であることが好ましい。 - 特許庁

To obtain a high-quality single crystal thin film essentially comprising at least one kind or more selected from gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride, to obtain a thin film substrate furnished with the above single crystal thin film, and to obtain a light emitting element having excellent luminous efficiency.例文帳に追加

窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする高品質の単結晶薄膜を得、該単結晶薄膜が形成された薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子を実現する。 - 特許庁

It is preferable for the semiconductor to contain at least one kind of metal chalcogenide chosen from titanium, tin, zinc, iron, copper, tungsten, zirconium, hafnium, strontium, indium, cerium, yttrium, lanthanum, vanadium, niobium, tantalum, cadmium, lead, silver, antimony, bismuth, molybdenum, aluminum, gallium, chromium, cobalt, and nickel.例文帳に追加

半導体はチタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも一種以上含むことが好ましい。 - 特許庁

Through employment of this arrangement, when a GaN crystal is grown on the seed crystal substrate 19 through the Na flux method, germanium is dissolved in the gallium melt before formation of a sodium-germanium alloy.例文帳に追加

これにより、坩堝１１底面に対して種結晶基板１９が傾斜した状態で保持されるようにし、種結晶基板１９と坩堝１１底面との隙間に固体ガリウム１６、固体ゲルマニウム１７を配置し、種結晶基板１９上に固体ナトリウム２０を配置する。 - 特許庁

To suppress the variation of wave detecting characteristic by the variation of the pinch off voltage of an electric field effective transistor by constituting a wave detecting circuit of a gallium arsenide semiconductor to realize a wave detecting circuit of a small size, a low cost and a wide band.例文帳に追加

ガリウム砒素半導体で検波回路を構成することにより、小型、低コスト且つ広帯域な検波回路を実現でき、電界効果トランジスタのピンチオフ電圧のバラツキによる検波特性の変動を抑制できる高周波電力検波回路を実現する。 - 特許庁

This electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer containing at least a charge generating agent, a charge transport agent and binder resin on a support, wherein the charge generating agent is hydroxy gallium phthalocyanine, and the charge transport agent contains triphenylamine-based tristyryl compound.例文帳に追加

支持体上に少なくとも電荷発生剤、電荷輸送剤、及び結着樹脂を含有する感光層を有し、前記電荷発生剤がヒドロキシガリウムフタロシアニンであり、前記電荷輸送剤が、トリフェニルアミン系トリススチリル化合物を含有する電子写真感光体である。 - 特許庁

The sputtering target contains an oxide of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a homologous structured compound expressed as InGaO_3 (ZnO)_m (where m represents an integer of 1-20), and a spinel structured compound expressed as ZnGa_2O_4.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表されるホモロガス構造化合物及びＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The heat dissipating grease composition is provided, which contains a substrate comprising metal that includes gallium (Ga), indium (In) and/or tin (Sn) and has a melting point under normal pressure of 16°C or less, and a fine powdered filler comprising metal uniformly dispersed in the substrate, and which has consistency in the range of 200-400.例文帳に追加

ガリウム（Ga）、インジウム（In）及び／又はスズ（Sn）を含み、常圧下での融点が16℃以下である金属からなる基材と、それに均一に分散した金属からなる微粉末充填剤を含有し、ちょう度が200〜400の範囲内にある放熱グリース組成物を提供する。 - 特許庁

An N-type contact layer 21 is obtained by growing a second N-type GaN layer 212 under the condition of the V/III ratio being high, on a first N-type GaN layer 211 grown under the condition with the V/III ratio of the nitrogen material (molar ratio) to a gallium material being low.例文帳に追加

Ｎ型コンタクト層２１は、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が低い条件で成長した第１Ｎ型ＧａＮ層２１１上に、Ｖ／III比が高い条件で第２Ｎ型ＧａＮ層２１２を成長させて得られたものである。 - 特許庁

The leadless solder alloy for low temperature joining of glass or ceramics is obtained by adding, by weight, 0.001 to 3% gallium to a low melting point leadless solder alloy which essentially consists of tin and/or bismuth, does not include lead, and has a melting point in the range of 120 to 200°C.例文帳に追加

本発明に関わるガラス又はセラミックスの低温接合用無鉛ハンダ合金は、錫及び／又はビスマスを主体とし鉛を含まない融点１２０℃〜２００℃の範囲の低融点無鉛ハンダ合金にガリウムを０．００１〜３重量％添加したものである。 - 特許庁

To provide a new gallium oxide powder capable of most densely filling the powder than a conventional one when the powder is subjected to compression molding by mixing with other powder, for example indium oxide powder, so as to be suitable as a raw material for a sputtering target such as IGZO.例文帳に追加

ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、他の粉体、例えば酸化インジウム粉末などと混合して圧縮成形した際に、従来よりも最密に充填することができる、新たな酸化ガリウム粉末を提供せんとする。 - 特許庁

The europium-activating phosphor comprises at least one rare earth metal selected from a group consisting of gadolinium, yttrium and lanthanum and a combination thereof and at least one group IIIB metal selected from a group consisting of aluminum, gallium and indium and a combination thereof.例文帳に追加

ユーロピウム賦活蛍光体は、ガドリニウム、イットリウム、ランタン、及びその組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの希土類金属と、アルミニウム、ガリウム、インジウム、及びその組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つのＩＩＩＢ族金属とを含む。 - 特許庁

A first nitride semiconductor layer consisting of a gallium nitride layer, an aluminum nitride layer, and a group III-V nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer consisting of a group III-V nitride semiconductor layer having microcrystal structure and containing no aluminum are laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上に、窒化ガリウム層と、窒化アルミニウム層と、III−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と、微結晶構造のIII−Ｖ族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない第２の窒化物半導体層が積層している。 - 特許庁

A highly crystalline single crystal thin film comprising as the main components one or more sorts selected from among gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride is formed by using a sintered compact composed mainly of a ceramic material, especially a translucent sintered compact.例文帳に追加

セラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることにより、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成される。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor growth substrate using a gallium oxide substrate where a buffer layer preferable for growth of the nitride semiconductor is formed in the surface orientation other than the surface orientation (0001), and also to provide a manufacturing method of the same nitride semiconductor growth substrate.例文帳に追加

ガリウム酸化物基板を用い、このガリウム酸化物基板上に窒化物半導体を成長させるのに好ましいバッファ層として、（０００１）の面方位以外の面方位に形成した窒化物半導体成長基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device allowing a gently inclined field plate to be easily formed using a nitride semiconductor layer containing aluminum nitride or aluminum gallium nitride, and capable of increasing withstand voltage by relaxing electric field concentration, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

窒化アルミニウムあるいは窒化アルミニウムガリウムを含む窒化物半導体層を用い、緩やかに傾斜したフィールドプレートの形成が容易に形成ができ、電界集中を緩和して高耐圧化が実現できる窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has a support and a photosensitive layer on the support, wherein the photosensitive layer contains a gallium phthalocyanine crystal having a specified crystal form, a polyvinyl acetal resin having a specified repeating unit, and an azo compound having a specified structure.例文帳に追加

支持体および該支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が、特定の結晶形のガリウムフタロシアニン結晶、特定の繰り返し構造単位を有するポリビニルアセタール樹脂、および、特定の構造のアゾ化合物を含有する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that uses an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode layer or drain electrode layer is reduced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

In this piezoelectric sensor, as a piezoelectric layer 4, a thin film mainly made of one piezoelectric metal compound selected from aluminum nitride, gallium nitride, indium nitride, zinc oxide, and lithium niobate is formed on a sheet-like substrate 3 having flexibility.例文帳に追加

そして、前記圧電センサは、可撓性を有するシート状の基板３上に圧電層４として、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、酸化亜鉛およびニオブ酸リチウムから選択された一つの圧電性金属化合物を主成分とする薄膜を形成したものである。 - 特許庁

The catalyst for synthesizing isobutylene comprises a silicon substituted aluminophosphate having an AEL structure containing at least one kind of an element selected from the group consisting of tin, germanium, indum, gallium, lead and zinc and platinum, a metal substituted aluminophosphate or a metal silicate substituted aluminophosphate.例文帳に追加

スズ、ゲルマニウム、インジウム、ガリウム、鉛および亜鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素と白金とを含有するＡＥＬ構造のケイ素置換アルミノホスフェート、メタル置換アルミノホスフェートまたはメタルケイ素置換アルミノホスフェートからなるイソブチレン合成用触媒。 - 特許庁

The conductive inorganic oxide powder is manufactured by an electrolytic doping method wherein electrolysis is performed in a state that a slurry containing an inorganic oxide powder having an average primary particle diameter of 1-30 nm, is made to contain one or more components selected from aluminum, gallium and indium.例文帳に追加

この導電性無機酸化物粉は、平均１次粒子径が１ｎｍ〜３０ｎｍの無機酸化物粉含有スラリーにアルミニウム、ガリウム及びインジウムから選択される１種又は２種以上の成分を含有させた状態で電解する電解ドーピング法で製造する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride light emitting diode for flip-chip bonding that secures sufficient area for bonding while optimizing the electrode array of a light emitting diode, and improves luminance and reliability, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は発光ダイオードにおける電極配列を最適化しながらボンディングのための充分な面積を確保でき、輝度及び信頼性を向上させることのできるフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

When at least two kinds of elements among lithium, aluminum, nickel, cobalt and manganese are contained in the measuring target elements of the sample solution, as an internal standard element, gallium is used with respect to lithium, aluminum and manganese and copper is preferably used with respect to nickel and cobalt.例文帳に追加

上記試料溶液の測定対象元素にリチウム、アルミニウム、ニッケル、コバルト、マンガンの少なくとも２種を含む場合は、内標準元素として、リチウム、アルミニウム及びマンガンに対してはガリウムを使用し、ニッケル及びコバルトに対しては銅を使用することが好ましい。 - 特許庁

The semiconductor device method for manufacturing includes: a step of preparing a semiconductor layer containing gallium nitride; a surface processing step of processing the surface of the semiconductor layer by hydrogen gas; and an oxidation step of oxidizing the surface after the surface processing process.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、窒化ガリウムを含む半導体層を準備する工程と、半導体層の表面を水素ガスにより処理する表面処理工程と、表面処理工程後の上記表面を酸化する酸化工程とを備える。 - 特許庁

Time variation (interferogram) of light intensity of primary diffracted light is obtained from the intensity of laser beams incident on a surface of a wafer 2 and the intensity of the detected primary diffracted light, thereby calculating an etching rate of an n-type aluminum-gallium (AlGaAs) layer in a chemical solution 4 (S105).例文帳に追加

ウエハ表面に入射するレーザ光の光強度と、検出された１次回折光の光強度とより、１次回折光の光強度の時間変化（干渉波形）が得られ、薬液４におけるｎ型アルミガリウム（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチングレートが算出される（Ｓ１０５）。 - 特許庁

The method of processing a substrate has: a process for irradiating a laser beam of a predetermined wavelength on a gallium-oxide substrate having a predetermined plane orientation and predetermined light emitting, and absorbing characteristics as to form processing grooves on the surface of the substrate; and has a process for cracking off or cutting off the substrate along the formed processing grooves.例文帳に追加

所定の面方位と光透過吸収特性を有するガリウム酸化物の基板に、所定の波長のレーザ光を照射して前記基板の表面に加工溝を形成する工程と、形成された加工溝に沿って割断又は切断する工程とを有する基板加工方法とする。 - 特許庁