「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for producing 1,1,2-trichloroethane (TCE) comprises using a system containing at least one kind of metal selected from a group consisting of molybdenum, gallium, titanium, zirconium and tungsten or a compound of the metal as a catalyst, in the method for producing TCE by reacting vinyl chloride with chlorine.例文帳に追加

塩化ビニルと塩素とを反応させて、１，１，２−トリクロロエタンを製造する方法において、モリブデン、ガリウム、チタン、ジルコニウムおよびタングステンからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の金属もしくは金属化合物を含む系を触媒として用いることを特徴とする１，１，２−トリクロロエタンの製造方法。 - 特許庁

The photoelectromotive element manufacturing method comprises a step of forming a compound thin film containing aluminum, gallium or indium and sulfur, selenium or tellurium on a substrate in an oblique direction to the substrate, and a step of attaching a pair of electrodes with a space on the surface of the compound thin film.例文帳に追加

基板上に、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物薄膜を前記基板表面に対して斜めの方向に成膜する工程、および上記の化合物薄膜の表面に互いに間隔をあけて一対の電極を付設する工程からなる光起電力素子の製造方法。 - 特許庁

There are disclosed families of trivalent metal complexes including scandium, yttrium, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, aluminum, gallium, indium, manganese, antimony, bismuth; and of divalent metal complexes including magnesium, calcium, strontium, barium, manganese, cobalt, iron, nickel, ruthenium, copper, zinc, cadium.例文帳に追加

開示されるのは、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、マンガン、アンチモン、ビスマスを含む一群の三価金属錯体、及びマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、ルテニウム、銅、亜鉛、カジウムを含む一群の二価金属錯体である。 - 特許庁

The connector terminal includes: a contact part surface of one terminal formed with a metal including silver as a main component; a contact part surface of the other terminal formed with a metal including a copper gallium compound as a main component; and at least one surface of the two terminals in a fitting part formed by application of the lubricant.例文帳に追加

一方の端子の接触部分の表面が、銀を主成分とする金属により形成されており、他方の端子の接触部分の表面が、銅ガリウム化合物を主成分とする金属により形成されており、２つの端子の嵌合部の少なくとも一方の表面に、潤滑油が塗布されているコネクタ端子。 - 特許庁

Copper is used as a wiring layer in this constituent substrate 2 for electronic devices, and the substrate 2 is characterized by having an indium oxide as a transparent conductive layer 11 and a composite oxide which is mainly composed of one or a plurality kinds of materials selected from zinc, tin, gallium, tallium, magnesium and lead.例文帳に追加

本発明の電子機器用構成基板は、配線層として銅を用い、透明導電層としてインジウム酸化物と亜鉛、錫、ガリウム、タリウム、マグネシウムおよび鉛からなる群より選択された一種または複数種の金属の酸化物とを主成分とする複合酸化物を用いたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for growing a high quality gallium nitride semiconductor having composition of InxGayal1-x-yN(0<x≤1, 0≤y≤1) over a long term using a carrier gas having high mixing ratio of nitrogen by reducing contamination of organic metal compound due to nitrogen gas carrier having lower purity than hydrogen.例文帳に追加

高い窒素混合率のキャリアガスによる成長において、水素に比較して純度の悪い窒素キャリアガスによる有機金属化合物の汚染を低減し、高品質のＩｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）よりなる窒化ガリウム系化合物半導体の成長を長期に渡って可能な製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a method of producing a sapphire substrate having an aluminum nitride crystal layer on its surface and being suitably used as a substrate when a nitride crystal such as gallium nitride (GaN) being a base material for a nitride semiconductor is produced, by which method the sapphire substrate having the aluminum nitride crystal layer is efficiently and easily produced without using a specific apparatus such as a plasma generating system.例文帳に追加

窒化物半導体となる窒化ガリウム（ＧａＮ）等の窒化物結晶を製造する際の基板として好適に使用できる、表面に窒化アルミニウム結晶層を有するサファイヤ基板を、プラズマ発生装置等の特殊な装置を使用することなく、効率的且つ簡便に製造する方法を提供する。 - 特許庁

A first n-type layer 13 including at least In and the light emitting layer 15 are provided on the substrate 11 consisting of the semiconductor based on gallium nitride compound, and the first n-type layer 13 is formed between the substrate 11 and the light emitting layer 15, by which the uniformity of the emitted light is improved.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板１１の上に、少なくともＩｎを含む第一のｎ型層１３と、発光層１５とが設けられ、第一のｎ型層１３は基板１１と発光層１５との間に形成されていることによって、放射される光の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

In polishing using the CMP method, the surface of a material hard to be machined such as a single-crystal substrate composed of silicon carbide SiC and gallium nitride GaN is polished by using a polishing pad including abrasive grains under the existence of oxidative polishing liquid, and high polishing efficiency can be thereby properly obtained, keeping low surface roughness.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨加工において、炭化珪素ＳｉＣや窒化ガリウムＧａＮから成る単結晶基板のような難加工材料の表面が酸化性の研磨液の存在下において砥粒内包研磨パッドを用いて研磨されるので、低い表面粗度を得つつ、高い研磨能率が好適に得られる。 - 特許庁

The organic photoreceptor has a charge generating layer containing a gallium phthalocyanine pigment and one or more charge transport layers having a total thickness of 5-15 μm on the charge generating layer, and a creep ratio of the organic photoreceptor (a creep ratio shown when a Vickers indentor is thrust down under a load of 20 mN) is 1 to <3.5%.例文帳に追加

ガリウムフタロシアニン顔料を含有する電荷発生層及び該電荷発生層上に、総膜厚が５〜１５μｍの一層以上の電荷輸送層を有し、クリープ率（ビッカース圧子を荷重２０ｍＮで押し込んだ時のクリープ率）が１％以上３．５％未満であることを特徴とする有機感光体。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer on a support, a specified diorganopolysiloxane is contained in the surface layer of the electrophotographic photoreceptor, and at least one of a specified azo compound and a specified hydroxy-gallium phthalocyanine is contained as an electric charge generating material in the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該電子写真感光体の表面層に、特定のジオルガノポリシロキサンを含有させ、かつ、該電子写真感光体が電荷発生物質として特定のアゾ化合物および特定のヒドロキシガリウムフタロシアニンの少なくとも一方を含有させる。 - 特許庁

To provide a gallium nitride based semiconductor light emitting device in which a lattice unmatching problem with an Al introduction is avoided, cracks are prevented from occurring without thinning a thickness of Al_xGa_1-xN, and an Al composition X of an AlGaN layer is increased with a large light emission output and a long lifetime.例文帳に追加

Ａｌ導入に伴う格子不整問題を回避し、Ａｌ_xＧａ_1-xＮの厚みを薄することなくクラックの発生を防止し、かつ、ＡｌＧａＮ層のＡｌ組成Ｘを高くした、発光出力が大きく、しかも寿命が長い窒化ガリウム系半導体発光装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

In the secondary battery device is equipped with a plurality of secondary batteries 1 connected in series, and with by-pass circuits 10 respectively connected in parallel with each second battery 1 and provided with switching elements 2, the switching element 2 is formed by a wide-gap semiconductor, SiC (silicon carbide), GaN (gallium nitride) or DLC (diamond-like carbon).例文帳に追加

複数個直列に接続された二次電池１と、各二次電池１にそれぞれ並列接続され、スイッチング素子２を有するバイパス回路１０とを備えた二次電池装置において、スイッチング素子２をワイドギャップ半導体、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、または、ＧａＮ（窒化ガリウム）、または、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）にて形成するものである。 - 特許庁

The method for producing the Lewis-acidic solid acid catalyst for producing the petroleum resin is characterized by supporting the salt or alkoxide of at least one element selected from the group consisting of tin, gallium, iron, hafnium, aluminum, zirconium and titanium on a support comprising silicon, bringing it into contact with a basic substance, and then firing the resulting material to produce a complex oxide.例文帳に追加

錫、ガリウム、鉄、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、チタンからなる群より選択される少なくとも１種類の元素の塩又はアルコキサイドをケイ素からなる担体に担持し、塩基性物質と接触した後、焼成することにより複合酸化物とする石油樹脂製造用ルイス酸性固体酸触媒の製造方法。 - 特許庁

A sample 2 is cut from a semiconductor chip to be made thin by mechanical polishing and the thin sample is attached to a single-ported mesh 6 for transmission type electron microscope observation and a Pt film 7 is formed to the part with specific depth of an end surface and irradiated with gallium ion beam 8 parallel to the main surface of the sample to make the part other than a principal part thin by etching.例文帳に追加

半導体チップから試料２を切り出し、機械的研磨により薄くした後、透過型電子顕微鏡観察用の単孔メッシュ６に取付け、端面の特定深さの部分にＰｔ膜７を形成し、試料の主面に平行なガリウムイオンビーム８を照射して要部以外の部分をエッチングして薄膜化する。 - 特許庁

The GaN semiconductor layer 2 is grown without using conditions of a V/III ratio less than 1,000 and without interposing a buffer layer on the surface of the GaN monocrystal board 1 by using conditions of the V/III ratio of 1,000 or more as the ratio (a mole ratio) of a nitrogen raw material to a gallium raw material in this case.例文帳に追加

この際に、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が１０００以上の条件を用い、前記Ｖ／III比が１０００未満の条件を用いることなく、また、ＧａＮ単結晶基板１の表面に、バッファ層を介在させることなく、ＧａＮ半導体層２を成長させる。 - 特許庁

A semiconductor device has a drift layer 14 made of a gallium nitride and having a first surface and a second surface opposing the first surface, a Schottky electrode 16 formed on the first surface of the drift layer 14, and an ohmic electrode 15 electrically connected to the second surface of the drift layer 14 via a contact layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、窒化ガリウムからなり、第１の面及び該第１の面と対向する第２の面を有するドリフト層１４と、ドリフト層１４の第１の面上に形成されたショットキ電極１６と、ドリフト層１４の第２の面とコンタクト層１３を介して電気的に接続されたオーミック電極１５とを有している。 - 特許庁

In addition, contact uniformity in a surface direction of the p-type metal electrode p and the p-type gallium-nitride ohmic-contact layer are reinforced, thereby local light-emitting caused by unevenness of the second contact spreading metal layer in the third contact spreading metal layer is effectively prevented, and driving voltage is reduced, thereby making outer quantum efficiency improved.例文帳に追加

且つ、効果的に、ｐ型金属電極とｐ型窒化ガリウムオーム接触層の面方向の接触均一性を強化して、第二接触分布金属層の第三分布接触金属層中での分布が不均一のために生じる局部発光の現象を防止し、動作電圧を低下させて、外部量子効率を向上させる。 - 特許庁

This apparatus is provided with a solid-liquid separating tank having a port for introducing the waste gallium-polishing water, a solid-liquid separation part arranged in the upper part, a precipitating part arranged in the lower part, a port communicated with the solid-liquid separation part for discharging the treated water and a port communicated with the precipitation part for discharging a precipitate.例文帳に追加

ガリウム研磨廃水の導入口と、上部に設けられた固液分離部と、下部に設けられた沈殿部と、固液分離部に連通する処理水排出口と、沈殿部に連通する沈殿物排出口を有する固液分離槽を備えてなることを特徴とするガリウム研磨廃水の処理装置。 - 特許庁

In this analysis method, one or more metallic compounds selected from gallium, indium, antimony and bismuth compounds are added to an electroless plating solution containing a trace amount of sulfur component to prepare an insoluble salt, and a trace amount of sulfur component is quantitatively analyzed by the transmittance of a suspension, and the electroless plating method uses the above method.例文帳に追加

微量のイオウ成分を含む無電解めっき液に、ガリウム化合物、インジウム化合物、アンチモン化合物、ビスマス化合物から選択された１以上の金属化合物を加え、不溶性の塩を作り、懸濁液の透過度で微量のイオウ成分を定量分析する分析方法と、その方法を用いた無電解めっき方法。 - 特許庁

In the gallium nitride semiconductor crystal 2, the growth surface becomes a nonpolar surface instead of an N (nitrogen) polar surface and a Ga polar surface, thus reducing the magnitude of an electric field due to the spontaneous polarization and the piezo polarization generated on the interface of p-side GaN/AlGaN and hence avoiding carrier depletion.例文帳に追加

これらの窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面やＧａ極性面ではなく、無極性面となるので、ｐ側のＧａＮ／ＡｌＧａＮの界面で発生する自発分極やピエゾ分極による電界の大きさを小さくすることができ、キャリア空乏化を回避することができる。 - 特許庁

(1) The electrochemical sensor element has a field effect transistor structure with at least a gate insulating layer, a semiconductor layer structured so as to contact a solution and comprising an oxide film including indium, gallium and zinc, and source and drain electrodes sequentially stacked on a gate electrode.例文帳に追加

（１）ゲート電極上に、少なくともゲート絶縁層、半導体層、ソース及びドレイン電極を順に積層した電界効果型トランジスタ構造を有し、該半導体層が溶液と接する構造であり、かつ該半導体層が、インジウム、ガリウム、亜鉛を含む酸化物薄膜からなることを特徴とする電気化学センサ素子。 - 特許庁

After the supply of the trimethyl gallium and trimethyl aluminum is stopped at time t7 to stop the film deposition, the supply of the ammonium and hydrogen to the growth furnace is promptly stopped and nitrogen begins to be supplied to change an atmosphere of ammonium and hydrogen into an atmosphere of nitrogen in a chamber of the growth furnace.例文帳に追加

時刻ｔ７でトリメチルガリウム及びトリメチルアルミニウムの供給を停止して成膜を停止した後に、速やかに、成長炉へアンモニア及び水素の供給を停止すると共に窒素の供給を開始して、成長炉のチャンバ中においてアンモニア及び水素の雰囲気を窒素の雰囲気に変更する。 - 特許庁

To provide an etching method of a gallium nitride based semiconductor capable of executing fine etching only at a desired part at a sufficient etching speed without forming a protective film on a surface and without damaging the surface, and capable of applying even to a compound semiconductor of indium nitride or the like to be decomposed at a low temperature.例文帳に追加

表面に保護膜を形成することなく、かつ表面にダメージを与えることなく、所望箇所のみに微細なエッチングを、十分なエッチング速度で行うことができ、かつ、低温で分解する窒化インジウムなどの化合物半導体に対しても適用できる窒化ガリウム系半導体のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering target is obtained by molding and sintering a conductive inorganic oxide powder having an average primary particle diameter of 3-40 nm, which is provided with conductivity by being doped with one or more components selected from aluminum, gallium and indium in an amount of 0.1-20.0 wt.% in terms of oxides.例文帳に追加

この目的を達成するため、アルミニウム、ガリウム及びインジウムから選択される１種又は２種以上の成分を酸化物換算で０．１ｗｔ％〜２０．０ｗｔ％ドーピングして導電性を付与した、平均１次粒子径が３ｎｍ〜４０ｎｍの導電性無機酸化物粉を成形して焼結したスパッタリングターゲットとする。 - 特許庁

After the silicon substituted aluminophosphate, or the like, having the platinum-containing AEL structure is reduced, a liquid like material containing at least one element selected from the group consisting of tin, germanium, indium, gallium, lead and zinc is infiltrated to again perform a reducing process.例文帳に追加

白金を含有するＡＥＬ構造のケイ素置換アルミノホスフェート等を還元した後に、スズ、ゲルマニウム、インジウム、ガリウム、鉛および亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含む液状物を含浸させ、再び還元する工程を含むことを特徴とする前記イソブチレン合成用触媒の製造方法。 - 特許庁

The fluorescent substance contains gallium oxide as a parent component and europium as an activator, and further contains one or more kinds of oxides and oxysulfides of rare earth elements, one or more kinds of oxides and sulfides of alkaline earth metals, and one or more kinds of sulfur and sulfur compounds.例文帳に追加

母体成分に酸化ガリウム、付活剤にユーロピウムを含有する蛍光体であって、希土類元素の酸化物もしくはオキシ硫化物のうちの１種以上、アルカリ土類金属の酸化物もしくは硫化物のうちの１種以上、硫黄もしくは硫黄化合物のうちの１種以上を含有してなる蛍光体とする。 - 特許庁

In the desulfurization method of the hydrocarbon oil, the hydrocarbon oil containing at least one sulfur compound selected from the group consisting of thiophenes, benzothiophenes and dibenzothiophenes is brought into contact with a desulfurization agent containing at least either one of gallium and indium and aluminum oxide to perform desulfurization.例文帳に追加

チオフェン類、ベンゾチオフェン類及びジベンゾチオフェン類からなる群から選択される少なくとも一種の硫黄化合物を含む炭化水素油を、ガリウム及びインジウムの少なくとも一方と酸化アルミニウムとを含む脱硫剤と接触させて脱硫することを特徴とする炭化水素油の脱硫方法である。 - 特許庁

For the first and second buffer layers 4 and 8, a material being a non-oxide-based conductive material, formed in an atmosphere without containing oxygen, easily oxidizable compared to silicon, and keeping high conductivity even when exposed to oxygen to be oxidized, for instance, titanium, hafnium, aluminum or the like added with niobium or gallium, is used.例文帳に追加

第１及び第２バッファ層４，８としては、非酸化物系の導電性材料で、酸素を含まない雰囲気中で形成され、シリコンよりも酸化し易く、且つ、酸素に晒されて酸化しても高い導電性を維持する材料、例えば、ニオブ或いはガリウムを添加した、チタン、ハフニウム、アルミニウム等が挙げられる。 - 特許庁

To provide a III nitride semiconductor light emitting element which shows the condition for enabling a clad layer made of a p-type gallium aluminum nitride to be laminated, on a light emitting layer made of a III nitride semiconductor containing In without deteriorating the crystal quality of the emitting layer, and which has an excellent light emitting efficiency.例文帳に追加

Ｉｎを含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層上に、ｐ型の窒化アルミニウムガリウムからなるクラッド層を、発光層の結晶品質を劣化させることなく積層することが可能となるための条件を示し、発光効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To obtain a substrate for forming a single crystal thin film composed mainly of gallium nitride, indium nitride or aluminum nitride, which consists of a sintered compact composed mainly of a ceramic material, and to obtain a thin-film substrate with the single crystal thin film formed thereon, and an electronic element such as a light emitting element having excellent luminous efficiency.例文帳に追加

窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜を形成するための、セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板及び該単結晶薄膜が形成されている薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子などの電子素子を実現する。 - 特許庁

A first p-type clad layer 96a in a p-type clad layer 96 provided on the active layer 15 comprises a p-type nitride semiconductor containing aluminum and gallium and a second p-type clad layer 96b comprises a similar p-type nitride semiconductor having a band gap larger than that of the first p-type clad layer 96a.例文帳に追加

活性層（１５）上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層（９６ａ）をアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層（９６ｂ）を同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層（９６ｂ）よりもバンドギャップの大きいもので形成する。 - 特許庁

The wafer is an independently circular wafer of a hexagonal system doped with oxygen in a concentration of 10^16 cm^-3-10^20 cm^-3, far more transparent than a gallium nitride with the plane direction {0001}.例文帳に追加

１０^１６ｃｍ^−３〜１０^２０ｃｍ^−３の濃度で酸素ドープされた六方晶系で｛０００１｝面方位の窒化ガリウム単結晶よりなり透明であって独立した円形のウエハであって表面側と裏面側から外周部を５゜〜３０゜の傾斜角でＣ面取りしたり、０．１〜０．５ｍｍの半径のＲ面取りをする。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact containing zinc oxide as a main component, aluminum, and gallium and its manufacturing method, a target capable of forming a film continuously for a long time without causing an abnormal discharge in a sputtering method or the like, a transparent electroconductive film of high quality with a low resistance and a high transparency obtained by using it, and a solar cell having a high conversion efficiency.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とし、さらにアルミニウムとガリウムを含有する酸化物焼結体とその製法、スパッタリング法などで異常放電が全く発生せず、連続で長時間成膜できるターゲット、それを用いた低抵抗で高透過性の高品質な透明導電膜、高変換効率の太陽電池を提供。 - 特許庁

Trimethyl gallium gas as a group III raw gas and ammonia gas as a group V raw gas are simultaneously supplied in a flow rate ratio of 1:1000 or more to a substrate 13 disposed in a chamber 11 adjusted to a predetermined pressure; and the substrate 13 is further irradiated with light at a wavelength of not more than 220 nm.例文帳に追加

所定圧力に調整されたチャンバ１１内に設置された基板１３に対して、室温下でIII族原料ガスとしてのトリメチルガリウムガスとＶ族原料ガスとしてのアンモニアガスを１：１０００以上の流量比率で同時に供給し、更に基板１３に対して波長２２０ｎｍ以下の光を照射する。 - 特許庁

A relatively thick third semiconductor layer 14 of n-type gallium nitride having a thickness of approximately 100 μm and a crystal defect density higher than that of each layer 11, 12, 13 constituting the device structure 20 is bonded on the side of the second semiconductor layer 13 opposite to the emission layer 12.例文帳に追加

第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。 - 特許庁

The gallium nitride-based light emitting element includes a substrate; a main GaN-based LED formed in a first region on the substrate and having a first p side electrode and a first n side electrode; and an ESD protecting GaN-based LED formed in a second region of the substrate and having a second p side electrode and a second n side electrode.例文帳に追加

本発明による窒化ガリウム系発光素子は、基板と；上記基板上の第１領域に形成され第１ｐ側電極と第１ｎ側電極を設けるメインＧａＮ系ＬＥＤと；上記基板上の第２領域に形成され第２ｐ側電極と第２ｎ側電極を設けるＥＳＤ保護用ＧａＮ系ＬＥＤとを含む。 - 特許庁

The magnesium oxide thin film has magnesium crystal phases with an average crystallite diameter of 1 to 18 nm and containing elements selected from among a group comprising aluminum, silicon, zinc, gallium, germanium, arsenic, cadmium, indium, tin, antimony, mercury, thallium, lead and bismuth, in a range of 0.0001 to 0.15 mol, dispersed in a magnesium oxide amorphous phase.例文帳に追加

マグネシウム１モルに対して、アルミニウム、ケイ素、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、カドミウム、インジウム、スズ、アンチモン、水銀、タリウム、鉛及びビスマスからなる群より選ばれる元素を０．０００１〜０．１５モルの範囲にて含む、平均結晶子径が１〜１８ｎｍの範囲にある酸化マグネシウム結晶相が酸化マグネシウム非晶質相に分散されてなる酸化マグネシウム薄膜。 - 特許庁

The present invention also produces a luminescent material by heating and causing reaction of strontium sulfide SrS:Pr3+ and Ir luminescent material in the presence of manganese (Mn) and characterized in purification of produced new EL light emitting particles having gallium arsenide (GaAs) and InP with superior luminous efficiency than those of known luminescent materials, ZnS:Cu and Cl.例文帳に追加

そこにおいて、本発明また硫化ストロンチウムＳｒS：Pr3+、Ir発光体にマンガンMn存在下に加熱反応させたヒ化ガリウムGaAs、ＩｎＰを有する発光体を製造することにより、従来のＺｎS：Cu、Cl、発光体よりも高い発光効率を有する新規なエレクトロルミネセンス発光体粒子を精製できることをもっとも主要な特徴とする。 - 特許庁

A polyester production catalyst is composed of (I) a solid titanium compound to be obtained by dehydrating and drying the hydrolyzate obtained by hydrolyzing a titanium halide and (II) a compound of at least one element selected from the group consisting of beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, boron, aluminum, gallium, manganese, cobalt, zinc, germanium, antimony, and phosphorus.例文帳に追加

ポリエステル製造用触媒は、（Ｉ）チタンハロゲン化物を加水分解してなる加水分解物を脱水乾燥することにより得られる固体状チタン化合物と、（II）ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、マンガン、コバルト、亜鉛、ゲルマニウム、アンチモンおよびリンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の化合物とからなる。 - 特許庁

A surface acoustic wave device S is constituted, in such a way that exciting electrodes 12 and 13 formed of a material which transmits Reyleigh wave made to propagate through a substrate at a slower speed than the substrate 11 does are arranged on the substrate 11 composed of a single oxide crystal having a langasite type single crystal structure and containing at least lanthanum, gallium, and a VA-group element (for example, niobium or tantalum).例文帳に追加

ランガサイト型結晶構造を有し、少なくともランタン，ガリウム，及びＶＡ族元素（例えばニオブやタンタル）を含有する酸化物単結晶から成る基板１１上に、基板１１を伝搬させるレイリー波の速度より遅く伝搬する材料で形成した励振電極１２，１３を配設した弾性表面波装置Ｓとする。 - 特許庁

This EUO-structural-type zeolite includes at least one element X selected from among silicon and germanium, and at least one element T selected from among aluminum, iron, gallium, boron, titanium, vanadium, zirconium, molybdenum, arsenic, antimony, chromium and manganese, and is characterized in that a X/T ratio is 5-50 and a N/X ratio is 0.010-0.065.例文帳に追加

ケイ素およびゲルマニウムから選択される少なくとも１つの元素Ｘと、アルミニウム、鉄、ガリウム、ホウ素、チタン、バナジウム、ジルコニウム、モリブデン、ヒ素、アンチモン、クロムおよびマンガンから選択される少なくとも１つの元素Ｔとを含むＥＵＯ構造型ゼオライトにおいて、５〜５０のＸ／Ｔ比と０．０１０〜０．０６５のＮ／Ｘ比とを有することを特徴とするゼオライトである。 - 特許庁

In a process S104, photoluminescence of a substrate product prepared by growing a quantum well structure and p- and n-type gallium nitride semiconductor layers for the light-emitting layer at at least one or two or more selected tilt angle is measured while applying a bias to the substrate product to obtain bias dependence of the photoluminescence.例文帳に追加

工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。 - 特許庁

The semiconductor laser integrated element 1 includes a gallium nitride-based semiconductor substrate 11 having a main surface 11a and a rear surface 11b, an optical resonator 10 provided on the main surface 11a and having a pair of resonant end surfaces 10a, 10b, and an optical resonator 50 provided on the rear surface 11b and having a pair of resonant end surfaces 50a, 50b.例文帳に追加

半導体レーザ集積素子１は、主面１１ａ及び裏面１１ｂを有する窒化ガリウム系半導体基板１１と、主面１１ａ上に設けられ、一対の共振端面１０ａ，１０ｂを有する光共振器１０と、裏面１１ｂ上に設けられ、一対の共振端面５０ａ，５０ｂを有する光共振器５０とを備える。 - 特許庁

An angle formed by the main surface 11a and the rear surface 11b, and a c-plane of the gallium nitride-based semiconductor crystal is ≥45° and ≤135°, and the optical resonator 10 has an active layer 17 containing indium and epitaxially grown on the main surface 11a, and the optical resonator 50 has an active layer 57 containing indium and epitaxially grown on the rear surface 11b.例文帳に追加

主面１１ａ及び裏面１１ｂと、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面とのなす角は４５°以上１３５°以下であり、光共振器１０は、主面１１ａ上にエピタキシャル成長されたインジウムを含む活性層１７を有しており、光共振器５０は、裏面１１ｂ上にエピタキシャル成長されたインジウムを含む活性層５７を有している。 - 特許庁