「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

A white light source 111 in an illumination unit 110 is provided with a red semiconductor laser 111a, a green semiconductor laser 111b, and a blue semiconductor laser 111c, each semiconductor laser emits vertical multimode light having spectrum distribution of a plurality of wavelengths λwith a little interference, and a GaN(gallium nitride) family semiconductor laser 114 also emits vertical multimode excitation light.例文帳に追加

照明ユニット１１０における白色光源１１１が、赤色半導体レーザ１１１ａ、緑色半導体レーザ１１１ｂおよび青色半導体レーザ１１１ｃを備え、それぞれの半導体レーザは干渉の少ない複数の波長λのスペクトル分布を有するマルチ縦モードの光を射出するものとし、また、ＧａＮ系半導体レーザ１１４も、干渉の少ないマルチ縦モードの励起光を射出するものとする。 - 特許庁

The positively chargeable electrophotographic photo-receptor is provided on a conductive substrate 1 with a single layer type photosensitive layer 2 containing a phthalocyanine compound and a positive hole transfer compound and an electron transfer compound, and this phthalocyanine compound has at least one of titanium, gallium, and silicon as a central metal and it is contained in this photoreceptor in an amount of 2-20 weight % of the binder resin.例文帳に追加

導電性基体上に、フタロシアニン化合物、正孔輸送性化合物、電子輸送性化合物を含む単層型感光層において、該フタロシアニン化合物がチタン、ガリウム、珪素のうち少なくともいずれか一つの元素を中心金属として含有するフタロシアニンであり、かつ該フタロシアニン化合物が、バインダー樹脂１００重量部に対して２重量部以上２０重量部以下含まれる正帯電型電子写真感光体。 - 特許庁

In the electrophotographic photosensitive body used with an exposure light source with a wavelength of 405±20 nm, the electrophotographic photosensitive body is formed by sequentially laminating a charge generating layer and a charge transfer layer on a conductive substrate, wherein the charge transfer layer includes a phenylene diamine compound represented by general formula (I) as a charge transfer material, and the charge generating layer includes gallium phthalocyanine dimer as a charge generating material.例文帳に追加

波長４０５±２０ｎｍの露光光源で使用される電子写真感光体において、電子写真感光体が、導電性基体上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層してなり、電荷輸送層が、電荷輸送物質として、下記一般式（Ｉ）：で表されるフェニレンジアミン化合物を含有し、かつ電荷発生層が、電荷発生物質としてガリウムフタロシアニンダイマーを含有すること。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride compound semiconductor element includes a growth step for epitaxially growing a nitride compound semiconductor layer consisting at least of group III atoms including gallium atoms and nitrogen atoms on a substrate, and a decomposition step for decomposing a complex of group III holes and hydrogen atoms in the nitride compound semiconductor layer by irradiating the nitride compound semiconductor layer with laser light or the ionization radiation before an element structure is formed.例文帳に追加

基板上に少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と窒素原子とからなる窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長する成長工程と、素子構造形成前に、前記窒化物系化合物半導体層にレーザ光または電離放射線を照射し、前記窒化物系化合物半導体層中のＩＩＩ族空孔と水素原子との複合体を分解する分解工程と、を含む。 - 特許庁

The conductive member is provided with a contact portion in contact with other conductor and electrically connected to such other conductor by contact, the conductive member including a base made from a copper-based material and a conductive film disposed at least in the contact portion on a surface of the base, the conductive film including a compound made from copper and gallium.例文帳に追加

他の導体と接触する接触部位を有し、前記他の導体との接触によって、前記他の導体と電気的に接続される導電部材であって、銅系材料からなる基材と、前記基材の表面の少なくとも前記接触部位に配置される導電性皮膜とを備え、前記導電性皮膜が、銅とガリウムとを含む化合物からなることを特徴とする導電部材を用いる。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor epitaxial crystal substrate comprises steps for forming a nitride gallium semiconductor crystal layer composed of a buffer layer 2, a channel layer 3 and an electron supply layer 4 on a base substrate 1 by an epitaxial method, laminating AlN continuously in an epitaxial growth furnace on the electron supply layer 4 as a precursor of a dielectric film, and then performing oxidation treatment to the laminated precursor to form a dielectric film 5.例文帳に追加

下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。 - 特許庁

When a semiconductor chip 10 is composed of a transparent material similar to a light-emitting diode 1 made by forming gallium nitride based compound semiconductor layers 12 and 13 on a transparent sapphire substrate 11, grains 30 composed of a material harder than that of electrodes 15 and 16 are stuck to the abutting portion of a gold bump electrode 21 in the electrodes 15 and 16 formed on the surface of the semiconductor chip 10.例文帳に追加

半導体チップ１０が透明なサファイア基板１１に透明なガリウム窒素系化合物半導体層１２，１３を積層して成る発光ダイオード１などのように、該半導体チップ１０が透明な材料から成る場合、該半導体チップ１０の表面に形成される電極１５，１６における金バンプ電極２１の当接部位に、前記電極１５，１６よりも硬い材料から成る粒体３０を付着しておく。 - 特許庁

By the manufacturing method of the gallium nitride single crystal substrate, the occurrence of cracks due to lattice mismatching and a difference between coefficients of thermal expansion is made minimum, and the good quality GaN-based single crystal substrate even having a size of ≥2 in can be manufactured by forming the grooves and patterning the substrate so that the growth substrate can be divided, before the laser irradiation step for separating the growth substrate.例文帳に追加

本発明の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法によると、成長用基板の分離のためのレーザー照射段階前に前記成長用基板が分割されるよう溝を形成してパターニングすることにより、２インチ以上の大きい窒化ガリウム単結晶基板を製造する場合にも格子不整合と熱膨張係数によるクラックを最少化し良質のＧａＮ系の単結晶基板を製造することができる。 - 特許庁

A group III element such as gallium or aluminum and an alkali metal such as sodium are put into a crucible in a nitrogen gas atmosphere and thermally melted under pressure, thus growing a single crystal.例文帳に追加

窒素ガス雰囲気下、ガリウム、アルミニウム等のIII族元素と、ナトリウム等のアルカリ金属を坩堝に入れ、加熱加圧して溶融し、単結晶を育成する際に、前記坩堝として（Ａ）融点若しくは分解温度が２１００℃以上の窒素非含有材質製の坩堝若しくは（Ｂ）希土類酸化物、アルカリ土類金属酸化物、Ｗ、ＳｉＣ、ダイヤモンドおよびダイヤモンドライクカーボンからなる群から選択される少なくとも一つの材質製の坩堝を使用する。 - 特許庁

To provide a further improved ultraviolet sensing element whose manufacturing process is simple, capable of front surface irradiation without being provided with a buffer layer and capable of reliable ultraviolet sensing and measurement for obtaining the ultraviolet sensing element by using a gallium nitride (GaN) semiconductor element having various merits, and to provide its manufacturing method and an ultraviolet sensing system including the ultraviolet sensing element.例文帳に追加

多様な長所を有するガリウムナイトライド（ＧａＮ）半導体素子を用いて紫外線感知素子を具現するにおいて、緩衝層を含まなくて前面照射が可能であって、さらに信頼性のある紫外線感知及び測定が可能であり、その製作工程が単純で、さらに改善された紫外線感知素子及びこれの製造方法と紫外線感知素子を含む紫外線感知システムを提供する。 - 特許庁

The gallium nitride crystal is obtained by performing vapor-phase deposition so that a growth surface achieves a three-dimensional facet structure having a pit with assembly of facets instead of a flat state and retains the facet structure which is not buried throughout the growth to accumulate dislocations to the bottom of the facets and reduce dislocations in parts other than a linear region continuing from the bottom of the facets.例文帳に追加

気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。 - 特許庁

The glass material capable of exhibiting long afterglow and stimulated phosphorescence when it is excited with radiation contains, as constituents, at least terbium oxide(Tb2O3) or manganese oxide(MnO), gallium oxide(Ga2O3) or aluminum oxide(Al2O3), alkaline metal oxides or alkaline earth metal oxides and boron oxide(B2O3) or silicon dioxide(SiO2) or zinc oxide(ZnO).例文帳に追加

放射線励起により長残光および輝尽発光を呈するガラス材料において、上記ガラス材料の構成成分として、少なくとも、酸化テルビウム（Ｔｂ_2Ｏ_3 ）又は酸化マンガン（ＭｎＯ）、酸化ガリウム（Ｇａ_2 Ｏ_3 ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ_2 Ｏ_3 ）、アルカリ金属酸化物又はアルカリ土類金属酸化物及び酸化ホウ素（Ｂ_2 Ｏ_3 ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ_2 ）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含むことを特徴とする長残光および輝尽発光を呈する酸化物ガラス。 - 特許庁

The phosphor with a matrix being an oxide crystal comprises at least first metal ions and second metal ions, wherein the first metal ions comprise one or more ions of a trivalent metal selected from the group consisting of aluminum, gallium, vanadium, scandium, antimony, and indium, and part of the trivalent metal ions are replaced by at least one type of trivalent rare earth metal ions which serve as luminescent centers.例文帳に追加

少なくとも第１の金属イオンと第２の金属イオンとを含有する酸化物結晶を母体とする蛍光体であって、前記第１の金属イオンは、アルミニウム、ガリウム、バナジウム、スカンジウム、アンチモンおよびインジウムからなる群から選択される１種以上のＩＩＩ価金属イオンを含み、かつ、前記ＩＩＩ価金属イオンの一部は、発光体となる１種以上のＩＩＩ価希土類イオンで置換されていることを特徴とする蛍光体。 - 特許庁

In one embodiment, the compositions are used to deposit Germanium Tellurium (GeTe), Antimony Tellurium (SbTe), Antimony Germanium (SbGe), Germanium Antimony Tellurium (GST), Indium Antimony Tellurium (IST), Silver Indium Antimony Tellurium (AIST), Cadmium Telluride (CdTe), Cadmium Selenide (CdSe), Zinc Telluride (ZnTe), Zinc Selenide (ZnSe), Copper indium gallium selenide (CIGS) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.例文帳に追加

一実施態様において、組成物は、相変化メモリ及び光起電デバイス向けの、ゲルマニウムテルル（ＧｅＴｅ）、アンチモンテルル（ＳｂＴｅ）、アンチモンゲルマニウム（ＳｂＧｅ）、ゲルマニウムアンチモンテルル（ＧＳＴ）、インジウムアンチモンテルル（ＩＳＴ）、銀インジウムアンチモンテルル（ＡＩＳＴ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）又は他のテルル及びセレン系の金属化合物を堆積させるために用いられる。 - 特許庁

The capacitive touch panel has a structure where at least a transparent conductive film and a dielectric layer are laminated onto a transparent substrate, and a member for position detection comprising at least a wiring portion for position detection and electrodes for position detection is arranged at a substrate frame portion, where the transparent conductive film is composed of oxide having indium oxide as a main component and containing gallium and tin.例文帳に追加

透明基板上に、少なくとも透明導電膜と、誘電体層とが積層されており、該基板額縁部に少なくとも位置検出用配線部並びに位置検出用電極からなる位置検出用部材が配置された構造を有する静電容量式タッチパネルであって、前記透明導電膜が酸化インジウムを主成分とし、ガリウムおよびスズを含む酸化物からなることを特徴とする静電容量式タッチパネルなどによって提供。 - 特許庁

The present invention further relates to a light emitting device having a luminous element composed of a gallium nitride-based semiconductor emitting primary light and a wavelength converting part containing the coated phosphor and absorbing the primary light and emitting secondary light having a peak wavelength not shorter than that of the primary light.例文帳に追加

一般式（５）：２（Ｍ^5_1-aＥｕ_a）Ｏ・ＳｉＯ_2（式中、Ｍ^5はＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、０．００５≦ａ≦０．１０である） また、１次光を発する窒化ガリウム系半導体からなる発光素子と該１次光を吸収して該１次光のピーク波長以上のピーク波長を有する２次光を発する波長変換部とを備えた発光装置であって、該波長変換部は該被覆蛍光体を含む発光装置に関する。 - 特許庁

When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer.例文帳に追加

化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 - 特許庁

In the gallium nitride compound semiconductor laminate, a n-type layer, a luminous layer, and a p-type layer are formed on a substrate; the laminate is of a multi-quantum structure where the luminous layers are alternately laminated with well layers and barrier layers; and the well layer configuring the multi-quantum structure comprises well layers of uneven thicknesses and well layers of even thicknesses.例文帳に追加

基板上にｎ型層、発光層およびｐ型層を有し、該発光層が交互に井戸層と障壁層で積層された多重量子構造であり、かつ、該発光層がｎ型層とｐ型層で挟まれて配置された窒化ガリウム系化合物半導体積層物において、該多重量子構造を構成する井戸層は厚さが不均一な井戸層と厚さが均一な井戸層とからなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体積層物。 - 特許庁

In the transmission power amplifier circuit with a temperature compensation function, power amplifier 151, 152 employing gallium arsenide field effect transistors and a preamplifier provided with a thermister temperature compensation circuit are integrated into one integrated circuit, and the power amplifiers 151, 152 and the preamplifier including the thermister temperature compensation circuit are formed on a substrate 150 of the integrated circuit in the state that ground circuits 155, 156 are independent of each other.例文帳に追加

温度補償機能付きの送信電力増幅回路１５ｂにおいて、ガリウム砒素電界効果型トランジスタを使用した電力増幅器１５１，１５２と、サーミスタ温度補償回路１５４を備えた前置増幅器１５３とを１個の集積回路に収容し、かつその際に電力増幅器１５１，１５２と、温度補償回路１５４を含む前置増幅器１５３とを、集積回路の基板１５０上においてその接地回路１５５，１５６が独立した状態で形成するようにしたものである。 - 特許庁