「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

To correctly cut gallium nitride system compound semiconductor chips by very high yield when the chips are manufactured, and to increase the number of the chips which can be taken out from a sheet of wafer so that a productivity can be improved.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する際に、極めて高い歩留まりで正確に切断することができ、また一枚のウェハーから取り出せるチップ数を増加させ、生産性を改善させることができるようにする。 - 特許庁

To provide a gallium nitride semiconductor light emitting element which can prevent the depletion of carrier due to spontaneous polarization or piezo polarization occurring on a boundary between an AlGaN semiconductor layer and a GaN semiconductor layer, and can stabilize driving voltage.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ半導体層とＧａＮ系半導体層との界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を阻止して、駆動電圧を安定させることができる窒化ガリウム半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which of uniformly forms a parting plane with a flat surface and produces fewer poor conduction electrodes and resin liftings when dividing a substrate of the semiconductor device including gallium.例文帳に追加

ガリウムを含む半導体装置の基板を分割する際に、分割面が平面で均一に形成でき、電極の導通不良や樹脂剥離の発生が少ない半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte composition contains electrolyte salt, nonaqueous solvent, oxalate complex salt having, as a central ion or a central atom, one kind selected from a group consisting of boron, aluminum, gallium, phosphorus, arsenic and antimony, and a sulfone derivative.例文帳に追加

非水電解質組成物は、電解質塩と、非水溶媒と、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、リン、ヒ素及びアンチモンから成る群より選ばれたいずれか１種を中心イオン又は中心原子とするオキサラト錯体塩と、スルホン誘導体を含有する。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor layer consisting of a III-V compound semiconductor layer containing at least the indium element, gallium elements, aluminum elements, and nitride elements is deposited at a temperature lower than a depositing temperature of an AlGaN semiconductor.例文帳に追加

インジウム元素、ガリウム元素、アルミニウム元素および窒素元素を少なくとも含むのIII−Ｖ化合物半導体層から成るIII−Ｖ化合物半導体層は、ＡｌＧａＮ半導体の成膜温度より低い温度で成膜される。 - 特許庁

A preferable peptide substrate of the protein kinase and its amino acid sequence are elucidated by incubating the protein kinase with a peptide library in the presence of a kinase reacting component, separating a library member from the kinase reacting component by size exclusion chromatography to obtain a pool of phosphopeptide and nonphosphorylated peptide, contacting the pool with a gallium ion to form a chelated phosphopeptide, eluting the chelated phosphopeptide from gallium ion and determining the sequence of the eluted phosphopeptide.例文帳に追加

プロテインキナーゼをキナーゼ反応成分の存在下、ペプチドライブラリーと共にインキュベートし、サイズ排除クロマトグラフィーによりキナーゼ反応成分からライブラリーメンバーを分離してホスホペプチド及び非リン酸化ペプチドのプールを得、そのプールをガリウムイオンと接触させてキレート化されたホスホペプチドを形成し、キレート化ホスホペプチドをガリウムイオンから溶出して、溶出されたホスホペプチドの配列を決定し、それによりプロテインキナーゼの好ましいペプチド基質及びそのアミノ酸配列を解明する。 - 特許庁

The gallium oxide substrate 2 with a semiconductor layer formed thereon is divided into strips along a first cleavage surface (m) of the substrate (first dividing step) for forming a bar 20, and then the bar 20 is separated in a direction that is perpendicular to the first cleavage surface (m) (second dividing step).例文帳に追加

半導体層を積層した酸化ガリウム基板２をその第１の劈開面ｍにそって短冊状に分割してバー２０を形成し（第１の分割ステップ）、このバー２０を第１の劈開面側ｍから分割する（第２の分割ステップ）。 - 特許庁

Using plasma 26 generated from reaction gas including chlorine gas and gas of compounds (chloroform, dichloromethane, etc.) expressed with the chemical formula C_xH_yCl_z , where x, y and z are positive integers, gallium nitride based compound layers 22-24, the sapphire substrate 21 or the alumina substrate are etched.例文帳に追加

塩素ガスと、x、y及びzが正の整数である化学式C_xH_yCl_zで表される化合物（クロロホルム、ジクロルメタン等）のガスとを含む反応ガスから生成したプラズマ２６により、窒化ガリウム系化合物層２２〜２４、サファイア基板２１もしくはアルミナ基板をエッチングする。 - 特許庁

A catalyst material containing at least one of rhenium, zinc, gallium, cobalt, iron, chromium, tungsten, molybdenum, rare earth metals or their compounds is supported on a porous metallosilicate having pores with pore diameters of 4.5 to 6.5 Å. Catalytic activity is markedly improved and the aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene or naphthalene and hydrogen are efficiently produced from lower hydrocarbons.例文帳に追加

レニウム、亜鉛、Ｇａ、Ｃｏ、鉄、クロム、タングステン、モリブデン、希土類金属またはそれらの化合物の１種以上を触媒材料として含み、該触媒材料を４．５〜６．５Å径の細孔を有する多孔質メタロシリケートに担持する。 - 特許庁

The concentration Na_17c of a non-activated p-type dopant 17c in the first region 17a of the first gallium nitride-based semiconductor layer 17 is lower than the concentration Na_17b of a non-activated p-type dopant 25b in the second region 17b.例文帳に追加

第１の窒化ガリウム系半導体層１７の第１の領域１７ａの活性化されていないｐ型ドーパント１７ｃの濃度Ｎａ_１７ｃは第２の領域１７ｂの活性化されていないｐ型ドーパント２５ｂの濃度Ｎａ_１７ｂより小さい。 - 特許庁

The gallium nitride light emitting element comprises an n-type GaN buffer layer 12, an n-type GaN layer 14, an InGaN light emitting layer 16, a p-type GaN layer 18, an n-type electrode 20, and a p-type electrode 22 sequentially formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

窒化ガリウム系発光素子は、サファイア基板１０上にｎ型ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮ層１４、ＩｎＧａＮ発光層１６、ｐ型ＧａＮ層１８、ｎ型電極２０、ｐ型電極２２を順次形成することで構成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a halftone type phase shift mask in which black defects of a light shield layer are removed and black defects in a phase shift layer are not generated and transmissivity is not deduced due to gallium stain and phase difference due to decrease in thickness of a phase shift layer pattern is not varied.例文帳に追加

遮光層の黒欠陥は除去され、位相シフト層の黒欠陥は発生させず、ガリウムステインによる透過率の低下、位相シフト層パターンの厚みの低下による位相差の変化のないハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。 - 特許庁

By having the plurality of gallium nitride substrates 27a-27c disposed on the susceptor 25 of the organic metal vapor phase growing furnace 21 on the basis of the orientation, the influence due to the flow of the material gas is utilized and the influence of the distribution of off angles is reduced.例文帳に追加

この向きづけで複数の窒化ガリウム基板２７ａ〜２７ｃを有機金属気相成長炉２１のサセプタ２５上に配置することによって、上記の原料ガスの流れに起因する影響を利用してオフ角分布の影響を縮小できる。 - 特許庁

The X-ray detector (401, 501, 601) comprises a sensing element having a semiconductor heterostructure in which an undoped germanium layer (402, 502) is sealed between two gallium arsenide layers (403, 404, 503, 505) doped on the opposite side.例文帳に追加

Ｘ線検出器（４０１、５０１、６０１）は、ドープされていないゲルマニウム層（４０２、５０２）が、反対にドープされた２つのガリウム砒素層（４０３、４０４、５０３、５０５）の間に密閉された半導体ヘテロ構造を備えた検出素子を有している。 - 特許庁

To provide a heat processing apparatus of an object to be processed capable of accurately detecting the temperature of an object to be processed with accuracy and carrying out temperature control with high accuracy using an elastic wave element, such as a langasite substrate element, a lanthanum-tantalum acid gallium aluminum substrate element.例文帳に追加

ランガサイト基板素子やランタンタンタル酸ガリウムアルミニウム基板素子等の弾性波素子を用いて被処理体の温度を精度良く正確に検出し、精度の高い温度制御を行うことが可能な被処理体の熱処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride system compound semiconductor light emitting device that forward operating voltage (VF) does not increase and the device is excellent in heat resistance in a slight thermal processing (for example, about 300°C applied when a light emitting device is mounted) after the light emitting device is formed.例文帳に追加

発光素子形成後の軽微な熱処理（例えば発光素子実装時に印加される３００℃程度）に於いて順方向動作電圧（ＶＦ）が上昇しない、耐熱性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

The stress luminescent substance is obtained by calcinating zinc sulfide which includes at least 0.5 mol% and at most 2.0 mol% of manganese and at least 0.01 mol% and at most 0.3 mol% of gallium in the concentration ranges, at the temperature of at least 1,000°C and at most 1,250°C in the reducing atmosphere.例文帳に追加

本発明の応力発光物質は、マンガンを0.5 mol％以上2.0 mol％以下、ガリウムを0.01 mol％以上0.3 mol％以下の濃度範囲で含有する硫化亜鉛を、還元性雰囲気下、1000℃以上1250℃以下の温度で焼成することによって得られる。 - 特許庁

To process and flatten the substrate surface of a Ga (gallium)-element containing compound semiconductor with high surface accuracy in a practical processing time, the compound semiconductor containing, e.g., GaN, GaAs, and GaP which have been increasingly demanded as materials of light emitting devices and electronic devices.例文帳に追加

発光デバイスや電子デバイスの材料として重要性が高まっているＧａＮ，ＧａＡｓ，ＧａＰ等のＧａ（ガリウム）元素を含有する化合物半導体の基板表面を、実用的な加工時間で、かつ表面精度高く平坦に加工できるようにする。 - 特許庁

By the lattice relaxation of the first conductivity type buffer layer 15, stress due to the difference of lattice constant between a material of the gallium nitride-based semiconductor layer 21a and a material of the principal plane 13a of the semiconductor region 13 is not applied on the active layer 17.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５の格子緩和により、窒化ガリウム系半導体層２１ａの材料と半導体領域１３の主面１３ａの材料との格子定数差に起因する応力が、活性層１７に加わることがない。 - 特許庁

To provide gallium oxide which is good in filtration performance and washability, and is fine particles and has a large BET specific surface area suitable as a phosphor raw material, a target raw material, a transparent electrically conductive film and a single crystal substrate material having transparent electrical conductivity.例文帳に追加

濾過、洗浄性が良好で、かつ、蛍光体原料や、ターゲット用原料、透明導電膜や透明導電性を有する単結晶基板材料として好適な微粒でＢＥＴ比表面積が大きい酸化ガリウムを提供する。 - 特許庁

In method embodiments disclosed, a resistive gallium nitride border is formed by forming an implant mask on the p-type epitaxial region and implanting ions into portions of the p-type epitaxial region to render portions of the p-type epitaxial region semi-insulating.例文帳に追加

方法の実施形態では、ｐ型エピタキシャル領域上に打ち込みマスクを形成し、ｐ型エピタキシャル領域の部分にイオンを打ち込んでｐ型エピタキシャル領域の部分を半絶縁性にすることによって、抵抗性窒化ガリウム境界を形成する。 - 特許庁

The oxide sintered body which is made of indium oxide whose crystal structure is substantially a bixbyite structure, has a gallium atom solid-dissolved in the indium oxide and has an atomic ratio Ga/(Ga+In) of 0.10 to 0.15, is used as a target material for sputtering.例文帳に追加

結晶構造が、実質的にビックスバイト構造を示す酸化インジウムからなり、前記酸化インジウムにガリウム原子が固溶しており、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．１０〜０．１５である酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲット材とする。 - 特許庁

The discharging electrode 20 includes: a substrate for discharging electrode 1; and a surface layer 12 which is arranged on the surface of the substrate for discharging electrode 1 and contains oxygen and gallium and in which the content of oxygen is ≥15 atom% and ≤55 atom%.例文帳に追加

放電電極用基体１と、前記放電電極用基体１の表面に設けられた、酸素とガリウムとを含み酸素の含有量が１５原子％以上５５原子％以下である表面層１２と、を有する放電電極２０である。 - 特許庁

Before conducting the step of lateral growing of the sidewalls, the sapphire bottom is masked for preventing the growth of the gallium nitride from the bottom of the groove from interfering with the lateral growth of the sidewalls of at least one column thus formed into at least one groove thus formed.例文帳に追加

横方向成長工程を行う前に、溝底からの窒化ガリウムの成長が少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁の少なくとも一つの溝内への横方向成長と干渉するのを防止するために、サファイア底をマスクする。 - 特許庁

The mutual matching purpose of the lattice constant and the gallium nitride (GaN) material is achieved with an aluminum indium nitride (Al_xIn_1-xN) as a clad layer material, and a defective performance of an epitaxial crystal caused by an overstress at the time of the epitaxial growth is prevented.例文帳に追加

窒化アルミニウムインジウム（Ａｌ_x Ｉｎ_1-x Ｎ）をクラッド層材料としてその格子定数と窒化ガリウム（ＧａＮ）材料の相互マッチング目的を達成し、エピタキシャル成長時の応力過大によるエピタキシャル結晶の不良な特性の形成を防止する。 - 特許庁

A nitride semiconductor quantum structure is formed which has an (n) or (i) type positive hole injection layer on a (p) type semiconductor substrate and includes at least indium and gallium at a long distance enough from the (p) type semiconductor substrate to inject positive holes.例文帳に追加

ｐ型半導体基板上にｎ型あるいはｉ型の正孔注入層を備え、前記ｐ型半導体基板から正孔が注入されうる距離に、少なくともインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体量子構造を形成する。 - 特許庁

The surface of the SiC substrate is protected by settling a temporary protective layer having a thickness equal to that of at least two single layers and consisting of gallium nitride on the surface of the substrate to be protected.例文帳に追加

この目的は、保護される基板の表面上に少なくとも二つの単一層に等しい厚みを有する、窒化ガリウムから成る一時的な保護層の沈着を含むことを特徴とする、ＳｉＣ基板の表面の保護方法によって達成される。 - 特許庁

A III-V group compound semiconductor layer which contains at least gallium, indium, arsenic and antimony is formed on the GaAs substrate wherein a surface which is sloped from a (100) face or a face equivalent to the (100) face in crystallography at a given angle is made a surface.例文帳に追加

（１００）面またはその面と結晶学的に等価な面から所定の角度にて傾斜した面を表面とするＧａＡｓ基板上に、少なくともガリウムとインジウムと砒素とアンチモンとを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を形成する。 - 特許庁

Since this gallium oxide powder has a bulk density whose difference from that of indium oxide powder is small, it can be mixed uniformly when it is mixed with indium oxide powder or the like, and a homogeneous mixed sintered compact, for example, a sputtering target, can be produced.例文帳に追加

かかる酸化ガリウム粉末は、酸化インジウム粉末との嵩密度の差が小さいため、酸化インジウム粉末などと混合した際に均一に混合させることができ、均質な混合焼結体、例えばスパッタリングターゲットを作製することができる。 - 特許庁

This method for producing the trialkylgallium comprises reacting the gallium, the magnesium, and at least one of the alkyl halide in at least one kind of ether compound and diluting the reaction system with at least one of the ether compound in the course of the reaction.例文帳に追加

トリメチルガリウムを製造する方法であって、少なくとも１種のエーテル化合物中で、ガリウムとマグネシウムと少なくとも１種のハロゲン化アルキルとを反応させ、反応途中で反応系を少なくとも１種のエーテル化合物で希釈する方法。 - 特許庁

Also, the n-type III-V-based compound semiconductor crystal layer includes a region having composition inclination, and a region for r educing gallium composition ratio X toward an opposite direction from a hetero junction interface by GaXIn1-XP (0≤X≤1).例文帳に追加

また、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、Ｇａ_XＩｎ_1-XＰ（０≦Ｘ≦１）でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Ｘを減少させる領域を含む構造とする。 - 特許庁

A third portion 21c of a second region 15b of the n^- type gallium nitride family semiconductor portion 15 is surrounded by the insulator 17 positioned on a first portion 21a, and a Schottky junction 23 is formed at a first conductive portion 19a of the first electrode 19.例文帳に追加

ｎ^−型窒化ガリウム系半導体部１５の第２の領域１５ｂの第３の部分２１ｃは、第１の部分２１ａ上の絶縁体１７に囲まれていると共に、第１の電極１９の第１の導電部１９ａにショットキ接合２３を成す。 - 特許庁

The catalyst is prepared by using a basing a metal oxide such as cerium dioxide or zirconium dioxide as a carrier, carrying a noble metal such as platinum, palladium, rhodium iridium or ruthenium and further carrying an element the group IIB or IIIB such as zinc, gallium or indium.例文帳に追加

二酸化セリウムや二酸化ジルコニウムなどの塩基性の金属酸化物を担体として、白金やパラジウム，ロジウム，イリジウム，ルテニウムなどの貴金属を担持させると共に、亜鉛，ガリウム，インジウムなどの２Ｂ族または３Ｂ族の元素を担持させて触媒とする。 - 特許庁

A mixed powder prepared by mixing a Cu-Ga alloy powder containing at least gallium and copper and an alkali metal-containing organic matter is sintered to produce a Cu-Ga alloy sputtering target containing 0.01-5 mass% of the alkali metal.例文帳に追加

少なくともガリウム及び銅を含有するＣｕ−Ｇａ合金粉末と、アルカリ金属含有有機物とを混合した混合粉末を焼結し、アルカリ金属を０．０１〜５質量％含有したＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

An etching method of an amorphous oxide semiconductor film containing at least either of gallium and zinc, and indium selectively etches the amorphous oxide semiconductor film by an alkaline etching solution.例文帳に追加

ガリウム又は亜鉛の少なくともいずれか一方とインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜のエッチング方法であって、アルカリ性のエッチング液によって前記アモルファス酸化物半導体膜の選択エッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the catalyst for synthesizing isobutylene includes a process of chemical gas phase vapor deposition of at least one kind of element selected from the group consisting of tin, germanium, indium, gallium and lead on MFI structure zeolite containing platinum.例文帳に追加

白金を含有するＭＦＩ構造ゼオライトに対して、スズ、ゲルマニウム、インジウム、ガリウムおよび鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を化学気相蒸着させる工程を含む前記イソブチレン合成用触媒の製造方法。 - 特許庁

To solve a problem that it is difficult to form a low-resistance evaporation preventing layer with aluminum gallium nitride on a light emitting layer made of a group III nitride semiconductor containing indium in a group III nitride semiconductor light emitting device.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、Ｉｎを含有するＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層上に設ける蒸発防止層を、窒化アルミニウム・ガリウムから構成すると、低抵抗の蒸発防止層を形成するのが困難である。 - 特許庁

To increase the light emission intensity of a light emitting element by a technique different from a way of thinking wherein impurities are removed from a conventional material gas as much as possible when the light emitting element made of a gallium nitride compound semiconductor is manufactured.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子の製造に際して、従来の材料ガス中から不純物を極力排除する考え方とは異なる手法によって、発光素子の発光強度を高めることができるようにする。 - 特許庁

Since the gallium which hardly forms a deep energy level as compared with boron is doped into the substrate 41 together with boron, the resistivity of the crystal can be lowered while the decline in the lifetime of a minority carrier is suppressed.例文帳に追加

シリコン単結晶基板４１中に、ボロンとともに、該ボロンに比べ酸素と深いエネルギー準位を形成しづらいガリウムが添加される形となり、少数キャリアのライフタイムの低下を抑制しながら、結晶の抵抗率を低くすることができる。 - 特許庁

The dislocation layer 12 is formed under the condition that dislocation is generated in the surface region of the single crystal silicon substrate 11 where the gallium nitride layer 14 is formed and no dislocation is generated on the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

転位層１２は、窒化ガリウム層１４が形成された単結晶シリコン基板１４の表層領域に転位が発生し且つ単結晶シリコン基板１１の最表面には転位が発生しない条件下でイオン注入することにより形成される。 - 特許庁

The substantially relaxed nitride interlayers include aluminum and gallium and are conductively doped with an n-type dopant, and the layer of nitride semiconductor material including the plurality of nitride interlayers has a total thickness of at least about 2.0 μm.例文帳に追加

前記実質的に緩和された窒化物中間層は、アルミニウム及びガリウムを含み、ｎ型ドーパントで導電的にドープされ、また前記複数の窒化物中間層を含む前記窒化物半導体材料の層は、少なくとも約２．０μｍの全厚を有する。 - 特許庁

To provide a method of forming p-type electrodes which lowers the contact resistance, improves its reproducibility and uniformity to produce a gallium nitride compound semiconductor element having superior characteristics such as lowered operating voltage, elevated output power, etc., at a high yield.例文帳に追加

接触抵抗を小さくし、その再現性と均一性を向上させて、動作電圧の低電圧化、高出力化等優れた特性の窒化ガリウム系化合物半導体素子を歩留まりを高く生産可能なｐ型電極形成方法の提供。 - 特許庁

The compound is obtained by reacting HX (X is a halogen) with a carboxylate of a rare earth element or gallium in a solvent selected from among an alkane, a cycloalkane, an aromatic solvent and their mixture.例文帳に追加

この化合物は、アルカン、シクロアルカン及び芳香族溶媒並びにそれらの混合物の中から選択される溶媒中でＨＸ（ここで、Ｘはハロゲンを表す）とカルボン酸希土類元素又はガリウムとを反応させることからなる方法によって得られる。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor using an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode or drain electrode is reduced, and to provide a method of manufacturing the thin-film transistor.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

At least one kind of metal chalcogenide selected from titanium, tin, zinc, iron, tungsten, zirconium, hafnium, strontium, indium, cerium, yttrium, lanthanum, vanadium, niobium, tantalum, cadmium, lead, silver, antimony, bismuth, molybdenum, aluminum, gallium, chromium, cobalt and nickel is preferably included as the semiconductor.例文帳に追加

半導体としてはチタン、スズ、亜鉛、鉄、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブテン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも１種含むことが好ましい。 - 特許庁