「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

The end face of the resonator of the nitride series semiconductor laser element and the end face of the resonator of the gallium phosphide semiconductor laser element are jointed with the end faces shifted in an extending direction of the resonator.例文帳に追加

窒化物系半導体レーザ素子の共振器端面とガリウム燐系半導体レーザ素子の共振器端面とは、共振器の延在方向にズレた状態で接合されている。 - 特許庁

To solve the problem that light reflected from a substrate is interrupted by a peripheral edge electrode and does not go outside an element in a conventional gallium nitride based compound semiconductor light emitting element having the peripheral edge electrode.例文帳に追加

従来の周縁電極を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、基板から反射されてきた光は周縁電極に遮られて、素子外部に出て行かない。 - 特許庁

To provide a gallium nitride-type semiconductor epitaxial crystal substrate with a dielectric film having a low gate leak current and an extremely low and negligible gate lag, a drain lag and current collapse characteristics.例文帳に追加

低いゲートリーク電流と無視しうるほど小さなゲートラグ、ドレインラグ、電流コラプス特性を有する、誘電体膜付きの窒化ガリウム系半導体エピタキシャル結晶基板を提供することにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which a single-crystal thin film of large-diameter diamonds, silicon carbide, and gallium nitride containing less defects can be grown.例文帳に追加

大口径のダイヤモンド、シリコンカーバイド、窒化ガリウムの単結晶薄膜を成長させることができ、また、欠陥の少ない単結晶薄膜を成長させることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

When forming the semiconductor layers 13, 17 of a TFT substrate 1 provided with a TFT 4 and the auxiliary capacitor 5, IGZO whose main components are indium, gallium, zinc and oxygen is used.例文帳に追加

ＴＦＴ４と補助容量５を有するＴＦＴ基板１の半導体層１３、１７を形成するときに、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を主成分とするＩＧＺＯを使用する。 - 特許庁

By a liquid phase deposition method (LPD), a dielectric film is not deposited on a resist pattern but selectively deposited on a gallium nitride compound semiconductor layer on which no resist pattern is formed.例文帳に追加

液相堆積法（ＬＰＤ）により、誘電体膜を、レジストパターン上には堆積させず、レジストパターンが形成されていない窒化ガリウム系化合物半導体層上に選択的に堆積させる。 - 特許庁

To provide a gallium oxide single crystal substrate having a principal plane flattened in atomic level, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板、及び原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a crystal growth method of a group III-V compound semiconductor, in which crystallinity is high and light emitting efficiency is improved, containing at least gallium (Ga), indium (In), nitrogen (N), and arsenic (As).例文帳に追加

結晶性に優れ、発光効率が向上した、少なくともガリウム(Ｇａ)、インジウム(Ｉｎ)、窒素(Ｎ)、砒素(Ａｓ)を含むIII−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processing tool and a method for processing a piezoelectric device thinner than manufacturing limit, an electronic material such as silicon or gallium arsenide, and other materials.例文帳に追加

製造限界の厚みよりも薄い、圧電素子、及びシリコン、又はガリウムヒ素などの電子材料、及びその他の物質を、加工するための、加工工具及びその加工方法を提供する。 - 特許庁

The gallium nitride based semiconductor is irradiated with a laser for etching at a substrate temperature equal to or above about 500°C and below about 700°C in the atmosphere containing hydrogen and hydrocarbon, and an irradiated part is etched.例文帳に追加

約５００℃以上、約７００℃未満の基板温度で、水素および炭化水素を含む雰囲気中で窒化ガリウム系半導体にエッチング用レーザを照射し照射部分をエッチングする。 - 特許庁

If the dopant profile measurement is implemented by using a scanning capacitance microscope, a surface of the thin piece 2 is oxidized by an oxygen gas cluster ion beam after the removal of the residual gallium layer 3.例文帳に追加

走査キャパシタンス顕微鏡を用いてドーパントプロファイル測定を行う場合は、残留ガリウム層除去後の薄片2の表面を酸素ガスクラスターイオンビームで表面酸化を行う。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, capable of reducing source parasitic resistance and improving the device characteristics in a gallium nitride-based compound semiconductor device.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体装置において、ソース寄生抵抗を低減させデバイス特性を向上することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a substrate silicone polycrystal of a solar cell with less concentration fluctuation by positions of an alloy component and a doping material, especially germanium and gallium, and to provide a manufacturing method of the polycrystal.例文帳に追加

合金成分およびドーピング材、とくにゲルマニウムおよびガリウムの位置による濃度変動の少ない太陽電池の基板用シリコン多結晶およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, the substrate is configured of not only GaAs but also at least one type of aluminum arsenide (AlAs), indium phosphide (InP), gallium antimonide (GaP) and antimonide (GaSb).例文帳に追加

なお、基板は、ＧａＡｓの他に、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、燐化インジウム（ＩｎＰ）、燐化ガリウム（ＧａＰ）およびアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）のうちの少なくとも１種を含む混晶により構成する。 - 特許庁

To provide a technology for growing a diboride single crystal represented by a large-sized ZrB_2 usable as a substrate or the like for epitaxially growing a gallium nitride-based compound semiconductor.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長させるための基板等として使用可能な、大型のＺｒＢ_２で代表される二ホウ化物単結晶の成長技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting element that can reduce a deterioration in a well layer in forming a p-type gallium nitride semiconductor region and a barrier layer.例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系半導体領域及び障壁層を形成する際に井戸層の劣化を低減可能な、窒化物系半導体発光素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM PHTHALOCYANINE COMPOUND, ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR CONTAINING COMPOUND OBTAINED BY THE METHOD, AND PROCESS CARTRIDGE AND ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS HAVING THE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR例文帳に追加

ガリウムフタロシアニン化合物の製造方法、該方法によって得られた化合物を含有する電子写真感光体、及び該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置 - 特許庁

To provide a high performance gallium nitride based compound semiconductor light emitting element in which light take-out efficiency can be enhanced easily while sustaining crystallinity of a compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体層の結晶性を維持したまま、容易に光取り出し効率を向上させることが可能である、高性能な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The sintered body is provided by obtaining a mold body by molding a mixture obtained by mixing powder containing titanium with powder containing gallium, and sintering the mold body.例文帳に追加

チタンを含有する粉末と、ガリウムを含有する粉末とを混合して得られる混合物を成形して成形体を得、該成形体を焼結することにより得られる前記の焼結体。 - 特許庁

After the epitaxial wafer 1 is formed by growing the crystal of the gallium nitride based compound semiconductor on a substrate 2, the wafer 1 is heat-treated.例文帳に追加

気相成長法により、基板２上に窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させてエピタキシャルウェハ１を形成した後、該エピタキシャルウェハ１に熱処理を施すものである。 - 特許庁

A coating part 23 containing at least one or more kinds of elements selected from sulfur, phosphorus, arsenic, selenium, zinc, gallium and indium, is formed on an inner face of a vacuum envelope 11 and an antimony cup 21.例文帳に追加

真空外囲器11の内面およびアンチモンカップ21に、硫黄、リン、ヒ素、セレン、亜鉛、ガリウムおよびインジウムから選んだ少なくとも１種以上の元素を含有するコーティング部23を形成する。 - 特許庁

The lead-free alloy for soldering has a composition containing, by weight, 0.2 to 2.5% silver (Ag), 0.1to 2.0% copper (Cu), 0.001 to 0.5% phosphorous (P) and 0.001 to 0.5% gallium (Ga), and the balance tin (Sn).例文帳に追加

銀（Ag）0.2〜2.5重量％と銅（Cu）0.1〜2.0重量％と燐（P）0.001〜0.5重量％とガリウム（Ga）0.001〜0.5重量％及び残りは錫（Sn）から組成された半田付け用無鉛合金として構成した。 - 特許庁

In a light emitting element in which a gallium nitride compound semiconductor is laminated on a substrate, the lateral side of the gallium nitride compound semiconductor device is rugged, the size of the ruggedness is 70nm or more, and the ruggedness is formed in an epitaxial portion and/or on a substrate portion to improve the production efficiency.例文帳に追加

上記目的を達成するため、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されてなる発光素子において、前記窒化ガリウム系化合物半導体素子の側面が凹凸を有することを特徴とし、前記凹凸のサイズが７０ｎｍ以上であり、前記凹凸がエピ部分、及び／又は、基板部分に形成されていることにより取り出し効率が向上した。 - 特許庁

It is therefore possible to uniformly and arbitrarily control the carbon concentration in the semi-insulative gallium arsenide single crystal by growing the semi-insulative gallium arsenide single crystal by adding carbon 9 to the GaAS (solid) 8 under the inert gas atmosphere containing carbon monoxide or carbon dioxide because the decrease and the increase of the carbon concentration simultaneously occur and mutually compensate.例文帳に追加

従って、一酸化炭素若しく二酸化炭素を含んだ不活性ガス雰囲気中でＧａＡｓ（融液）８に炭素９を添加して半絶縁性ガリウム砒素単結晶を成長させることにより、炭素濃度の減少と増加とが同時に起こって互いに相殺し合うので、半絶縁性ガリウム砒素単結晶の炭素濃度を均一かつ任意に制御できる。 - 特許庁

In the gallium nitride based compound semiconductor light-emitting element, a gallium nitride compound semiconductor is laminated on a substrate, a light extraction surface is formed by a translucent film, the surface of the translucent film has bumps and dips formed by planes inclined with respect to the substrate surface, and the shapes of the bumps and dips on the surface of the translucent film is a dot or a lattice.例文帳に追加

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層された発光素子において、光取出し面が透光性膜からなり、該透光性膜の表面が該基板面に対して傾斜した平面で構成される凹凸を有し、透光性膜表面の凹凸の形状がドット状または格子状であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor includes, in this order: a substrate 1; a photosensitive layer 2; and a protective layer 3 including oxygen and gallium, the protective layer 3 including a first region 31 and a second region 32 that is present closer to the substrate 1 than the first region 31 and has an atom number ratio [oxygen/gallium] larger than that in the first region 31.例文帳に追加

基体１と、感光層２と、酸素及びガリウムを含有する保護層３あって、外周面側に存在する第１の領域３１、及び、前記第１の領域３１よりも前記基体１に近い側に存在し、前記第１の領域３１に比べて原子数比〔酸素／ガリウム〕が大きい第２の領域３２を有する保護層３と、をこの順に有する電子写真感光体である。 - 特許庁

On a sapphire substrate 2, a buffer layer 3 is formed for film of an n-type gallium nitride compound semiconductor layer 4, the luminous layer 5, and a p-type gallium nitride compound semiconductor layer 6 at a film-forming temperature of 1,000°C.例文帳に追加

サファイア基板２上に、バッファ層３を形成し、１０００℃の成膜温度でｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４、発光層５およびｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６を成膜した後、開口を有するマスクを形成して、温度を８００℃に低下して再びｐ型窒化ガリウム化合物半導体層を成長させることで、先端が四角錐状で四角柱状の凸部７を形成することができる。 - 特許庁

The surface treatment method for a gallium nitride single crystal substrate 110 includes: a process of flattening the upper and bottom faces of a gallium nitride original plate positioned on a support; a process of irradiating the flattened original plate with light having a wavelength of 370-800 nm; a process of measuring the transmittance of the original plate; and a process of determining whether the transmittance is 65 to 90% or not.例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶基板１１０の表面加工方法は、支持台上に位置する窒化ガリウム原板の上面及び底面を平坦化する工程、平坦化された窒化ガリウム原板に波長３７０〜８００ｎｍの光を照射する工程、窒化ガリウム原板の透過率を測定する工程、及び透過率が６５〜９０％であるか否かを確認する工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor laser elements that ensure large slope efficiency and lower drive voltage even when gallium nitride substrates with large off angles are used, maintain high yields, reduce variations, and emit high-power violaceous lights and compound semiconductor laser elements produced using this method.例文帳に追加

オフ角度の大きな窒化ガリウム基板を使用しても、スロープ効率が大きく、素子抵抗が減少し、駆動電圧を低減でき、しかも、製造歩留まりが高く、バラツキが少なく、高出力の青紫色の光を発することができる窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法及びこの製造方法で作製された化合物半導体レーザ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a a silicon carbide substrate; an optoelectronic diode having a nitride active layer of group III; a buffer structure selected from a group consisting of gallium nitride and indium gallium nitride between the silicon carbide substrate and the optoelectronic diode, and an optoelectronic device in which stress induced destruction generated in the buffer structure is not generated in other part of the buffer structure but is generated in a specified region.例文帳に追加

炭化ケイ素基質；第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオード；炭化ケイ素基質とオプトエレクトロニックダイオードとの間の窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる緩衝構造；および緩衝構造内で生じる応力誘発破壊が緩衝構造内の他の部分ではなくて所定の領域に生じるようなオプトエレクトロニックデバイスを提供する。 - 特許庁

An end face of a resonator having a nitride series semiconductor laser structure is formed by an etching before a joining step for joining an LD1 wafer, comprising the nitride series semiconductor laser structure formed on a GaN substrate 101; an LD1 wafer comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on a GaAs substrate 201, and an LD2 wafer, comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on the GaAs substrate 201.例文帳に追加

GaN基板１０１に形成された窒化物系半導体レーザ構造からなるLD１ウェハとGaAs基板２０１に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD１ウェハとGaAs基板２０１に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD２ウェハとを接合する接合工程に先立ち、窒化物系半導体レーザ構造の共振器端面をエッチング加工で形成する。 - 特許庁

The nano thermometer comprising a carbon nanotube filled with a continuous columnar gallium can measure environmental temperature by length change of the columnar gallium, and is produced by the method comprising mixing of Ge_2O_3 powder and carbon powder uniformly, and performs heat treatment for this mixed powder at a temperature range of 1200 to 1400°C under an inactive gas flow.例文帳に追加

連続した柱状のガリウムで満たされたカーボンナノチューブを含み、前記柱状のガリウムの長さの変化によって環境の温度を計測可能なナノ温度計を、Ｇｅ_2Ｏ_3粉末および炭素粉末を均一に混合する工程と、この混合粉末に対し、不活性ガスフロー下、１２００〜１４００℃の温度範囲で加熱処理を行う工程を含む方法によって製造する。 - 特許庁

The device for etching a gallium nitride comprises a chamber 2 for etching a gallium nitride 1, an ozone gas generator 8, an etchant supply chamber 5 for restoring the oxidizing power of etchant by blowing an ozone gas, a pump 4 for delivering etchant 9 from the etching chamber 2 to the etchant supply chamber, and oxidation-reduction potentiometers 6 and 7 for monitoring the oxidizing power of the etchant.例文帳に追加

窒化ガリウムのエッチング装置は、窒化ガリウム１をエッチングするためのエッチング槽２と、オゾンガスを発生させるためのオゾン発生器８と、オゾンガスの吹き込みによってエッチャントの酸化力を回復させるためのエッチャント供給槽５と、エッチング槽２からエッチャント供給槽へエッチャント９を流出させるためのポンプ４と、エッチャントの酸化力をモニタするための酸化還元電位計６，７を備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the gallium nitride compound semiconductor element comprises a step for forming an aluminum nitride layer having conductivity on the surface of a silicon carbide substrate, whose surface is inclined at a first angle from the (0001) plane toward the [11-20] direction, and a step for forming a gallium nitride compound semiconductor laminated structure on the aluminum nitride layer.例文帳に追加

本発明による窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法は、表面が（０００１）面から［１１−２０］方向に第１の角度で傾斜している炭化珪素基板の該表面に、導電性を有する窒化アルミニウム層を形成する工程と、該窒化アルミニウム層の上部に、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体を形成する工程と、を包含する。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask having no black defect in a light shielding layer or in a phase shift layer and no decrease in the transmittance due to gallium stain, and no change in the phase difference due to a decrease in the thickness of the phase shift layer.例文帳に追加

遮光層及び位相シフト層の黒欠陥のない、ガリウムステインによる透過率の低下、位相シフト層の厚み低下による位相差の変化のないハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。 - 特許庁

The gallium nitride substrate 10 has a primary surface 12 which is tilted at an angle θ in the range of 20 to 160° with respect to the C-plane of the GaN single crystal and has a fracture toughness of equal to or more than 1.36 MN/m^3/2.例文帳に追加

窒化ガリウム基板１０は、ＧａＮ単結晶のＣ面に対する主面１２の傾斜角θが２０°以上１６０°以下であり、破壊靭性が１．３６［ＭＮ／ｍ^３／２］以上である。 - 特許庁

To provide a refining method and apparatus by which the perfect separation of a liquid phase on which impurities are concentrated from a solidified phase can be facilitated on a simple apparatus constitution at the time when gallium is refined by a recrystallization method on fused body solidification.例文帳に追加

融体固化による再結晶化法でガリウムを精製するさいに，簡易な装置構成のもとで，不純物が濃縮した液相を凝固相から完全に分離し易くする。 - 特許庁

To provide hollow spherical particles formed from gallium nitride which are useful as a light emitting material in a region from blue to ultraviolet and a material for a high temperature-high power electronic device; and a method for producing the same.例文帳に追加

青色〜紫外領域の発光材料、高温高電力電子デバイス用材料として有用な、窒化ガリウムからなる中空の球状粒子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A sputtering target contains oxides of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a compound expressed as ZnGa_2O_4 and a compound expressed as InGaZnO_4.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＺｎＧａ_２Ｏ_４で表される化合物及びＩｎＧａＺｎＯ_４で表される化合物含むスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The hexagonal group III nitride contains gallium as a group III constituent element, so the principal plane 13a made of the hexagonal group III nitride is more easily oxidized than the (c) plane of the hexagonal group III nitride.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物はIII族構成元素としてガリウムを含むので、六方晶系III族窒化物からなる主面１３ａは、六方晶系III族窒化物のｃ面に比べて酸化されやすい。 - 特許庁

To provide a novel gallium phthalocyanine compound which achieves high image quality and high stability, an electrophotographic photoconductor using the same, and a coating liquid for an electrophotographic photoconductor excellent in dispersibility and storage stability.例文帳に追加

高画質化および高安定化を実現する新規ガリウムフタロシアニン化合物とそれを用いた電子写真感光体、また分散性、保存安定性に優れた電子写真感光体用塗工液を提供する。 - 特許庁

To suppress influence to an active layer caused by distortion introduced on the occasion of regrowth, in a gallium nitride system semiconductor laser element having a structure in which the active layer is arranged on a refractive index distribution layer.例文帳に追加

屈折率分布層上に活性層が配置された構成を備える窒化ガリウム系の半導体レーザ素子において、再成長の際に導入された歪みによる活性層への影響を抑える。 - 特許庁

In the molded lubricant 6b containing the lubricant 31 to be applied on the surface of the image carrier carrying a latent image in a fine powder state as a principal component, gallium 31 is incorporated.例文帳に追加

潜像を担持する像担持体の表面に微粉末状で塗布される潤滑剤３１を主成分として含有する潤滑剤成形物６ｂにおいて、ガリウム３１が含有されているものとする。 - 特許庁

To provide a gallium oxide single crystal having a crystallinity superior to those of conventional ones and being favorable for applications to various devices such as an optical material, electrode, conductor, gas sensor, optical recording material, or the like.例文帳に追加

既存のものよりはるかに結晶性に優れ、光学材料、電極、導電体、ガスセンサ、光記録材料等の種々のデバイスへの応用に有利な酸化ガリウム単結晶を提供する。 - 特許庁

The gallium phosophide housing part 11 and the wafer-housing part 12 are communicated via a through-hole 21 formed in the separating block 2 with each other, so that dissolved semiconductor materials M can come back and forth.例文帳に追加

ガリウム燐収容部１１とウエハ収容部１２とは、分離ブロック２に形成された連通孔２１を介して連通されており、溶融半導体材料Ｍが行き来できるようになっている。 - 特許庁