「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a gallium nitride compound semiconductor and a method of manufacturing a light-emitting device which can reduce crystal defects, without causing warpages, achieving high perpendicularity on a side (optical resonant surface) relative to a growth plane, and eliminate damages caused by posttreatment, such as etching in the gallium nitride compound semiconductor.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体について、結晶欠陥を低減でき、反りが生じず、成長面に対する側面（光共振面）の垂直性が高く、さらにエッチング等の後加工によるダメージが無い、窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method, the gallium nitride crystal is ammonothermally grown on the surface of a seed while controlling the temperature and the pressure in the interior of an autoclave, in which the seed, a nitrogen element-containing solvent and halogenated gallium pentaammoniate (wherein halogen is chlorine, bromine or iodine) are charged, so that the solvent is in a supercritical state and/or subcritical state.例文帳に追加

シード、窒素元素を含有する溶媒、およびハロゲン化ガリウムペンタアンモニエート（ここでいうハロゲンは塩素、臭素または沃素である）を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、溶媒が超臨界状態及び／又は亜臨界状態となるように制御してシードの表面にアモノサーマル的に窒化ガリウムを結晶成長させる。 - 特許庁

The sputtering target including a mixture of oxides of indium, zinc and gallium contains at least one ternary mixed oxide of indium, zinc, and gallium, in which the ratio of the ternary mixed oxide of indium, zinc and gallium is at least 50 mass% relative to the total mass of the mixture, and the ratio of an amorphous phase is at least 20 mass% relative to the total mass of the mixture.例文帳に追加

この課題は、インジウム、亜鉛およびガリウムの少なくとも１つの三元系混合酸化物を含有する、インジウム、亜鉛およびガリウムの酸化物の混合物を有するスパッタリングターゲットであって、インジウム、亜鉛およびガリウムの三元系混合酸化物の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも５０質量パーセントであり、且つ、アモルファス相の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも２０質量パーセントである、スパッタリングターゲットによって解決される。 - 特許庁

To provide a method for producing a trialkylgallium, capable of producing the trialkygallium in a high yield, by using a new gallium raw material which is not conventionally used as the raw material for producing the trialkylgallium.例文帳に追加

トリアルキルガリウムの製造原料として従来用いられていない新たなガリウム原料を用いて収率良くトリアルキルガリウムを製造できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for a correcting mask defect which can control the generation of so-called gallium stains by making it possible to rapidly correct the defect after mask inspection.例文帳に追加

マスク検査後の欠陥修正を短時間で行うことができるようにして、所謂ガリウムステインの発生を抑制するとができるマスク欠陥の修正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing gallium arsenide single crystal, by which the occurrence of cloudiness due to B_2O_3 in liquid encapsulate Czochralski(LEC) method is eliminated, the seeding is facilitated and which is performed with excellent reproducibility.例文帳に追加

ＬＥＣ法によるＢ_2Ｏ_3の白濁の発生を解消し、種付けが容易、且つ再現性良く実施できる砒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。 - 特許庁

The ceramics are yttria-stabilized zirconia, ceria doped with gadolinium, ceria doped with samarium, zirconia doped with scandium, lanthanum-strontium-gallium-magnesium oxide, etc.例文帳に追加

ここで、セラミックは、イットリア安定化ジルコニア、ガドリニウムがドープされたセリア、サマリウムがドープされたセリア、スカンジウムがドープされたジルコニウム、ランタン−ストロンチウム−ガリウム−マグネシウム酸化物などである。 - 特許庁

The catalyst element is at least one selected from among boron, calcium, silicon, patassium, iron, molybdenum, chromium, vanadium, magnesium, manganese, indium, gallium, tantalum, hafnium and thorium.例文帳に追加

触媒元素はボロン、カルシウム、シリコン、カリウム、鉄、モリブデン、クロム、バナジウム、マグネシウム、マンガン、インジウム、ガリウム、タンタル、ハフニウム、及びトリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種である。 - 特許庁

The first element is at least one kind from among a group comprising iron, cobalt, manganese, copper, zinc, aluminum, tin, boron, gallium, chromium, vanadium, titanium, magnesium, calcium, and strontium.例文帳に追加

第１の元素は、鉄，コバルト，マンガン，銅，亜鉛，アルミニウム，スズ，ホウ素，ガリウム，クロム，バナジウム，チタン，マグネシウム，カルシウムおよびストロンチウムからなる群のうちの少なくとも１種である。 - 特許庁

The catalyst for synthesizing isobutylene consists of MFI structure zeolite containing platinum and at least one kind of element selected from a group consisting of tin, germanium, indium, gallium and lead.例文帳に追加

スズ、ゲルマニウム、インジウム、ガリウムおよび鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素と白金とを含有するＭＦＩ構造ゼオライトからなるイソブチレン合成用触媒。 - 特許庁

The silicon carbide nanowire is synthesized by heating a mixture of silicon monoxide powder, graphite powder and gallium nitride powder in an inert gas stream at a given temperature for a given period of time.例文帳に追加

一酸化ケイ素粉末、グラファイト粉末及び窒化ガリウム粉末の混合物を不活性ガス気流中で、所定温度で所定時間加熱し、炭化珪素ナノワイヤーを合成する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride system heterojunction field effect transistor, in which the structure of a barrier is improved, the gate current is reduced, the mobility is improved, and the transistor performance is improved.例文帳に追加

窒化ガリウム系へテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、バリアーの構造を改善し、ゲート電流を低減して、移動度を高め、トランジスタ性能の向上を図る。 - 特許庁

To provide a method enabling melt-growth of a gallium-containing nitride single crystal by using inexpensive equipment, in which there is little danger, especially a method enabling the melt-growth at normal pressure.例文帳に追加

危険の少ない、安価な設備により達成できる、ガリウム含有窒化物単結晶の融液成長を可能とする方法、特に、常圧で実施できる方法の提供。 - 特許庁

To provide an oxide material more excellent in both of wear resistance and light transmitting property as compared to an oxide material that does not satisfy an atomic composition ratio of gallium, zinc and oxygen described below.例文帳に追加

ガリウムと亜鉛と酸素が下記の原子組成比を満たさない酸化物材料に比べ、耐摩耗性及び光透過性が両立される酸化物材料を提供する。 - 特許庁

To provide a vicinal gallium nitride substrate which is usefully employed for homoepitaxial deposition in the fabrication of III-V nitride-based microelectronic and opto-electronic devices.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系超小型電子および光電子デバイスの作製におけるホモエピタキシャル蒸着に有用に用いられる微傾斜窒化ガリウム基板を提供する。 - 特許庁

To increase the solid solution threshold of a zinc oxide based conductor in which gallium is doped, through this to raise an electron concentration, mobility, and electric conductivity.例文帳に追加

ガリウムがドーピングされた酸化亜鉛系伝導体の固溶限界を増加させ、これを通じて、電子濃度・移動度および電気伝導度を向上させるところにある。 - 特許庁

To provide a method for generating a continuous vapor current contg. a compd. of gallium (I) within a framework of the vacuum coating method to vacuum-coat a substrate.例文帳に追加

基板を真空被覆するのに真空被覆法の枠内で、ガリウムが一価の形で存在する化合物を含む連続性蒸気流を生成する方法を提供する。 - 特許庁

Also, many projecting parts are formed, by which the semiconductor (semiconductor crystal A) of the gallium nitride system is grown in a transverse direction as well with the planar apexes of the projecting parts as start points.例文帳に追加

また、突起部を多数形成することにより、窒化ガリウム系の半導体（半導体結晶Ａ）は、突起部の平頂部を起点として横方向にも成長する。 - 特許庁

The rear surface 13b of the support base 13 is inclined with respect to a plane orthogonal to a reference axis extending in a c-axis direction of a hexagonal gallium nitride semiconductor in the support base 13.例文帳に追加

支持基体１３の裏面１３ｂは、支持基体１３の六方晶系窒化ガリウム半導体のｃ軸方向に延びる基準軸に直交する平面に対して傾斜する。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor light emitting element having structure in which a nonpolar gallium nitride-based semiconductor relating to (a) plane is used and which is capable of providing excellent emission intensity.例文帳に追加

ａ面に関連した非極性窒化ガリウム系半導体を用いると共に良好な発光強度を提供できる構造の窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Since the band gap E of the InAlGaN layer 21 is a band gap E of the gallium nitride or more, the effect of confining carrier and light into the light emitting layer 17 is provided.例文帳に追加

ＩｎＡｌＧａＮ層２１のバンドギャップＥが窒化ガリウムのバンドギャップＥ以上であるので、発光層１７へのキャリアと光の閉じ込め効果が提供される。 - 特許庁

In the tin-plated wire formed with a thin-plated layer 2 on the surface of a core wire 1, this plating composition is regulated to 30 wt. ppm-500 wt.ppm gallium and the balance tin or tin alloy.例文帳に追加

芯線１の表面に錫めっき層２を形成した錫めっき線において、そのめっき組成をガリウム30重量ppm〜500重量ppm、残部を錫または錫合金とする。 - 特許庁

The mark 17 is set at least either one of the front 11a or the back 11b of the gallium nitride wafer 11, and has a visually distinguishable size.例文帳に追加

マーク１７は、当該窒化ガリウムウエハ１１の表面１１ａおよび裏面１１ｂの少なくともいずれか一方に設けられており、視認可能な大きさおよび形状を有する。 - 特許庁

In forming an ohmic electrode on a gallium oxide single crystal, a surface is irradiated with plasma, Ti is vapor deposited, and then Au is vapor deposited to form an electrode of Au/Ti structure.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶にオーミック電極を形成する際、表面にプラズマ照射してからTiを蒸着後、Au蒸着したAu/Ti構造の電極を形成する。 - 特許庁

In the method for growing the gallium-nitride-based compound semiconductor on the substrate, a growth speed is changed, and the compound semiconductor is grown at two stages by a hydride vapor-phase epitaxial growth method.例文帳に追加

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる方法であって、ハイドライド気相エピタキシャル成長法で成長速度を変えて２段階成長させる。 - 特許庁

In addition, the temperature of the surface treatment is set to be equal to or higher than that of the following GaN growth, and the trimethyl gallium feeding rate is lower than that of the growth procedure.例文帳に追加

また、表面処理温度は、後に形成されるＧａＮの成長時の温度以上に設定され、トリメチルガリウム供給量は、その成長時の供給量よりも低い。 - 特許庁

Thus, the low sticking factor of gallium relative to the polycrystalline substrate 22 is compensated for the III nitride layer 28 to be coated satisfactorily on the substrate 22.例文帳に追加

これにより、多結晶である基板２２に対するガリウムの膠着係数が低いことを補償することができ、III族窒化物層２８が基板２２に良好に被着される。 - 特許庁

A substrate 12, a boat 15 for holding at least an aluminum metal member 14 and a boat 17 for holding a gallium metal member 16 are arranged at the inside of a reaction tube 11.例文帳に追加

反応管１１の内部に基板１２と少なくともアルミニウム金属部材１４を保持するボート１５、ガリウム金属部材１６を保持するボート１７とを配置する。 - 特許庁

To provide a high quality gallium nitride based particle in which the particle diameter is small and uniform, and the spread of the particle diameter distribution is small and to provide a method and an apparatus of manufacturing the same.例文帳に追加

粒径が小さく、均一で、粒径分布の広がりも少ない高品質な窒化ガリウム系粒子、その製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target suppressing the occurrence of abnormal discharge, nodule and crack during sputtering in the film deposition of a gallium oxide-based thin film.例文帳に追加

酸化ガリウム系薄膜の成膜において、スパッタリング中における、異常放電の発生、ノジュールの発生、クラックの発生を抑制しうるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The gallium nitride-based semiconductor layer includes strain while the first conductivity type buffer layer 15 performs lattice relaxation on the principal plane 13a of the semiconductor region 13.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上において格子緩和する一方で、窒化ガリウム系半導体層は歪みを内包する。 - 特許庁

To provide a granular gallium oxide which is fine, has a large BET specific surface area, and hard to collapse, when fed to apparatuses for producing single crystal substrates and the like as a raw material.例文帳に追加

微粒でＢＥＴ比表面積が大きく、単結晶基板等の製造装置への原料供給時に、崩れ難い顆粒状の酸化ガリウムを提供することにある。 - 特許庁

To remove a gallium oxide on the surface of an AlGaN/GaN hetero structure layer while preventing exfoliation of a photoresist in forming an electrode of a GaN-HEMT.例文帳に追加

ＧａＮ−ＨＥＭＴの電極を形成するにあたり、フォトレジストの剥離を防ぎつつＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造層の表面のガリウム酸化物を除去する。 - 特許庁

Further, the low growth-temperature of the aluminum indium nitride (Al_xIn_1-xN) clad layer protects an indium gallium nitride (InGaN) active luminous layer to eventually increase the luminous efficiency.例文帳に追加

さらに、窒化アルミニウムインジウム（Ａｌ_x Ｉｎ_1-x Ｎ）クラッド層の成長温度が低いことにより、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）活性発光層を保護し、最終的に発光効率を高める。 - 特許庁

Thin-film transistors employing an oxide semiconductor containing indium, gallium, and zinc are easily disposed on a large-area substrate in a matrix and have small characteristic variations.例文帳に追加

インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタは、大面積基板にマトリクス状に配置することが容易であり、また特性にバラツキが少ない。 - 特許庁

To be capable of growing a high quality and large crystal in an apparatus for crystal growth to obtain a gallium nitride single crystal by the sodium flux method.例文帳に追加

いわゆるナトリウムフラックス法を用いて窒化ガリウムの単結晶を得るようにした結晶育成装置において、高品質で大きな結晶を育成できるようにする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate which substantially improves the crystallinity of a gallium nitride-based compound semiconductor that is epitaxially grown on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

表面にエピタキシャル成長される窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を大幅に改善することができる化合物半導体基板を提供すること。 - 特許庁

Thereby, a gallium-containing nitride is crystallized on at least one seed crystal 17 in the presence of an alkali metal-containing component in a supercritical nitrogen-containing solvent.例文帳に追加

これにより、ガリウム含有窒化物を超臨界窒素含有溶媒中にアルカリ金属含有成分の存在下に少なくとも１つの種結晶１７上に結晶させる。 - 特許庁

Digallium monoxide is brought into reaction with ammonia (NH_3)-containing gas in the presence of the germanium monoxide gas, so as to produce germanium (Ge)-doped gallium nitride (GaN) crystals.例文帳に追加

一酸化ゲルマニウムガスの存在下に、一酸化二ガリウムをアンモニア（ＮＨ_3 ）含有ガスと反応させることで、ゲルマニウム（Ｇｅ）がドープされた窒化ガリウム（ＧａＮ）結晶を生成する。 - 特許庁

To provide an oxide for a sputtering target comprising an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn), comprising a new oxide crystal phase, and having satisfactory appearance.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、新規酸化物結晶相を含む、外観が良好なスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。 - 特許庁

PRODUCTION OF PHTHALOCYANINE COMPOUND, ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR USING GALLIUM PHTHALOCYANINE COMPOUND, PROCESS CARTRIDGE PROVIDED WITH THE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND ELECTROPHOTOGRAPHY例文帳に追加

フタロシアニン化合物の製造方法、ガリウムフタロシアニン化合物を用いた電子写真感光体及び該電子写真感光体を備えたプロセスカ−トリッジ並びに電子写真装置 - 特許庁

In a nonaqueous secondary battery including a positive electrode, a negative electrode and a nonaqueous electrolyte, an indium-gallium alloy is used as conductive assistant of the negative electrode.例文帳に追加

正極、負極および非水系の電解質を有する非水二次電池において、負極の導電助剤としてインジウム−ガリウム合金を用いて非水二次電池を構成する。 - 特許庁

The electron density around the surface required for electron emission can be increased by adding a donor impurity around the surface of the aluminum boron gallium nitride.例文帳に追加

このように、窒化アルミニウムボロンガリウムの表面近くにドナー不純物を添加することにより、電界放出に必要な表面近傍の電子濃度を増加させることができる。 - 特許庁

The boron nitride nanotube is manufactured by heating a mixture of boron with gallium oxide at 1,000-2,100°C to react and successively reacting the reaction product with ammonia.例文帳に追加

ホウ素と酸化ガリウムの混合物を１０００℃〜２１００℃に加熱し反応させ、反応生成物を引き続いてアンモニアと反応させ、窒化ホウ素ナノチューブを製造する。 - 特許庁

The molar percentage of germanium to gallium in the melt is 0.05 mol% to 0.5 mol%, and the molar percentage of carbon to sodium is 0.1 mol% to 3.0 mol%.例文帳に追加

ガリウムに対するゲルマニウムのモル比を０．０５ｍｏｌ％以上、０．５ｍｏｌ％以下であり、炭素のナトリウムに対するモル比を０．１ ｍｏｌ％以上、３．０ｍｏｌ％以下とした。 - 特許庁