「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for producing the hollow spherical particles comprises heating a powder 4 of gallium chloride at 1,000-1,200°C in a mixed gas stream of ammonia gas and argon gas for 1.0-1.5 h.例文帳に追加

アンモニアガスとアルゴンガスとの混合ガス気流中で、塩化ガリウムの粉末４を１０００〜１２００℃で１．０〜１．５時間加熱する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a crystal substrate for producing gallium-nitride (GaN) based blue light-emitting elements having high efficiency and high reliability.例文帳に追加

高効率で高信頼性の窒化ガリウム（ＧａＮ）系青色発光素子の作製するための結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride-based light-emitting diode (LED) device, which allows maximizing an effect of improving external quantum efficiency.例文帳に追加

外部量子効率の改善効果を極大化させ得る窒化ガリウム系発光ダイオード（ＬＥＤ）素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a non-polar a-plane gallium nitride single crystal that ensures growth at a faster rate under a high pressure.例文帳に追加

高圧力下において高速成長を可能にした非極性ａ面窒化ガリウム単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a gallium nitride based group III-V compound semiconductor light emitting element in which the scattering radiation amount of light is increased, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

光の散乱放射量を増加する窒化ガリウム系III-V族化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a nitride with less impurity, for example, gallium nitride having high crystallinity under industrially applicable conditions.例文帳に追加

工業的に適用可能な条件下で、不純物の少ない窒化物、例えば、高結晶性の窒化ガリウムを得る方法を提供する。 - 特許庁

Alternatively, on the sapphire substrate, a selection region is grown again on the gallium nitride layer that is pattern-formed in advance, thus obtaining the trench.例文帳に追加

或いは、サファイア基板上で、予めパターン形成した窒化ガリウム層上に選択領域を再成長させるとトレンチが得られる。 - 特許庁

In addition, the carrier concentration of the gallium nitride epitaxial layer 15 is 1×10^14 cm^-3 or more and 1×10^17 cm^-3 or less.例文帳に追加

また、窒化ガリウムエピタキシャル層１５のキャリア濃度は、１×１０^１４ｃｍ^−３以上１×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

The gallium nitride-based semiconductor optical device 11a includes a GaN support base 13, a GaN-based semiconductor region 15, and well layers 19.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体光素子１１ａは、ＧａＮ支持体１３、ＧａＮ系半導体領域１５及び井戸層１９を備える。 - 特許庁

Then, part of the silicon oxide film 4 is etched by using gas containing fluorine to form the through hole 6 reaching the surface of the gallium nitride layer 2.例文帳に追加

次に、酸化シリコン膜４の一部を、弗素を含むガスでエッチングし、窒化ガリウム層２の表面に達する貫通孔６を形成する。 - 特許庁

The liquid metal includes a gallium (Ga) alloy and has a heat resistance of about 5 mm^2°C/W or lower.例文帳に追加

液体金属はガリウム（Ｇａ）合金を含み、約５平方ミリメートル摂氏度毎ワット（ｍｍ^２℃／Ｗ）以下の熱抵抗を有することができる。 - 特許庁

The liquid metal 18 is preferably gallium, or its alloy, that conducts heat from a chip 14 to a heat sink or a heat dissipation section 16.例文帳に追加

液体金属１８は、好ましくは、チップ１４からヒート・シンクまたは熱放散部１６へ熱を伝えるガリウムまたはその合金である。 - 特許庁

The aluminum oxide-gallium oxide solid solution has an optical absorption edge wavelength of not less than 230 nm and less than 255 nm.例文帳に追加

２３０ｎｍ以上２５５ｎｍ未満の光吸収端波長を有することを特徴とする酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体。 - 特許庁

When referring to an orthogonal coordinate system Cr, the c-coordinate axis is oriented to the c-axis of the hexagonal n-type gallium nitride of the substrate 13.例文帳に追加

直交座標系Ｃｒを参照すると、ｃ座標軸は、基板１３の六方晶系のｎ型窒化ガリウムのｃ軸に向いている。 - 特許庁

The second region 15b of the gallium nitride semiconductor region 15 is formed between the first region 15a and the third region 15c.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体領域１５の第２の領域１５ｂは、第１の領域１５ａと第３の領域１５ｃとの間に設けられる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gallium nitride based semiconductor light emitting element which has an uniform operation voltage and high light emitting efficiency.例文帳に追加

動作電圧が均一で発光効率の高い窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM OXIDE SINGLE CRYSTAL COMPLEX, AND METHOD FOR MANUFACTURING III-V GROUP NITRIDE SEMI-CONDUCTOR USING THE COMPLEX例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法及びこの複合体を用いたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の製造方法 - 特許庁

Also, the carrier concentration of the gallium-nitride epitaxial layer 15 is not smaller than 1×10^14 cm^-3 and not larger than 1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

また、窒化ガリウムエピタキシャル層１５のキャリア濃度は１×１０^１４ｃｍ^−３以上１×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

To provide a method capable of simply, safely and efficiently obtaining a high quality group 13 element nitride compound, especially a bulky single crystal of gallium nitride.例文帳に追加

高品質の１３族窒化物、特に窒化ガリウムの塊状単結晶を、簡易、且つ、安全に効率よく得る方法を提供する。 - 特許庁

The gallium nitride system compound with excellent properties as a semiconductor material is formed on a comparatively inexpensive Si substrate.例文帳に追加

半導体材料として優れた特性を持つ窒化ガリウム系化合物を比較的安価なＳｉ基板上に形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a gallium-nitride compound semiconductor light-emitting element that obtains high light extraction efficiency and reduces the drive voltage Vf.例文帳に追加

高い光取り出し効率を得るとともに、駆動電圧（Ｖｆ）を低くした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor structure 19 is fabricated by growing a gallium nitride-based semiconductor on a nitrified surface of a sapphire substrate by an MBE method.例文帳に追加

半導体構造物１９はサファイア基板の窒化した表面上に窒化ガリウム系半導体をＭＢＥ法で成長して作製される。 - 特許庁

To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium which treats waste water containing gallium discharged from manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rare and valuable metal can be efficiently and completely collected as hydroxides in a highly concentrated state and at the same time, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron.例文帳に追加

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを水酸化物として高濃縮された状態で余すことなく効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム含有廃水の処理装置を提供する。 - 特許庁

The equipment for the treatment of waste water containing gallium is equipped with a hydroxide producing means to convert gallium in the waste water containing gallium into hydroxides, a solid liquid separating means where the water containing hydroxides is sent from the hydroxide producing means and separated into hydroxides and the treated water, and a membrane separating means where the treated water from the solid liquid separating means is introduced and separated into concentrated water and permeated water.例文帳に追加

ガリウム含有廃水中のガリウムを水酸化物とする水酸化物生成手段と、水酸化物生成手段からの水酸化物含有水が導入されて水酸化物と処理水に分離する固液分離手段と、固液分離手段の処理水が導入されて濃縮水と透過水に分離する膜分離手段とを有することを特徴とするガリウム含有廃水の処理装置。 - 特許庁

The light-emitting material is produced by mixing gallium arsenide, gallium phosphide or gallium antimonide with manganese and performing a first baking to prepare a first baked product, mixing a base material with an element constituting a luminescent center material or a compound containing the element and performing a second baking to prepare a second baked product, subsequently mixing the first baked product with the second baked product and performing a third baking.例文帳に追加

ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、又はアンチモン化ガリウムと、マンガンとを混合して第１の焼成を行い、第１の焼成物を作製し、母体材料と、発光中心材料を構成する元素又はその元素を含む化合物とを混合して第２の焼成を行い、第２の焼成物を作製し、第２の焼成物に、第１の焼成物を混合して、第３の焼成を行うことにより発光材料を作製する。 - 特許庁

In the process for purifying the gallium solution, the liquid which was used for electrolysis is cooled and stirred to achieve a high flow rate of the liquid inside a tank to inhibit crystal growth and deposit a crystal containing the impurities for obtaining the desired metal (e.g. gallium) in the residual liquid.例文帳に追加

電解に使用済みの液を冷却しながら撹拌することで、槽内で液の流速を高速化し、結晶成長を抑制し、析出した結晶に不純物を含有させ、残った液側に所望の金属（例えば、ガリウム）を得るガリウム溶液の浄液方法を見出した。 - 特許庁

The thin film transistor uses an oxide thin film in which gallium is dissolved in indium oxide as a solid solution; the atomic ratio Ga/(Ga+In) is 0.001 to 0.12; the content of indium and gallium to the whole metal atom is ≥80 atom%; and the oxide thin film has a bixbyite structure of In_2O_3.例文帳に追加

ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth device for a gallium nitride compound semiconductor, wherein a flow rate of GaCl gas can be increased by prolonging a reaction time with a Ga melt even when a flow rate of HCl gas is increased, and to provide a vapor phase growth method for a gallium nitride compound semiconductor.例文帳に追加

ＨＣｌガスの流量を増やしても、Ｇａ融液との反応時間を長くしてＧａＣｌガスの流量を増加させることができる窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法を提供すること。 - 特許庁

A container 50 housing a seed crystal substrate 54 immersed in a mixture melt containing metal gallium and metal sodium is rotated in a pressured nitrogen gas atmosphere at 700 to 1,000°C while controlling the crystal growth rate of gallium nitride on the seed crystal substrate 54 to 10 to 20 μm/h.例文帳に追加

種結晶基板５４を金属ガリウム及び金属ナトリウムを含む混合融液に浸漬した容器５０を、７００〜１０００℃で加圧窒素ガスの雰囲気下、種結晶基板５４上での窒化ガリウムの結晶成長速度が１０〜２０μｍ／ｈとなるように回転させる。 - 特許庁

A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and group III atoms that include at least gallium atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises a diffusion-promoting material for diffusing interstitial atoms of the group III atoms as an additive.例文帳に追加

アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される、少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、前記ＩＩＩ族原子の格子間原子を拡散させる拡散促進物質を添加物としてドープしたものである。 - 特許庁

The light-emitting device 1 comprises the silicon substrate 5, an aluminum nitride layer 6 including gallium and indium formed on the silicon substrate 5, a reaction source supplying layer 7 including gallium and indium formed on the aluminum nitride layer 6, and a light-emitting function layer 8 formed on the reaction source-supplying layer 7.例文帳に追加

発光素子１は、シリコン基板５と、シリコン基板５上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む窒化アルミニウム層６と、窒化アルミニウム層６上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む反応源供給層７と、反応源供給層７上に形成された発光機能層８とを備えている。 - 特許庁

In a heat treating method of P-type impurity doped gallium nitride compound semiconductor crystal, a heat cycle heat treatment for repeating sudden heating treatment and sudden cooling treatment is performed on the P-type impurity doped gallium nitride compound semiconductor crystal formed by growing it by an metal organic vapor phase deposition method.例文帳に追加

有機金属気相成長法により成長して成るｐ型不純物ドープ窒化ガリウム系化合物半導体結晶を急熱処理、急冷処理を繰り返すヒートサイクル熱処理することを特徴とするＰ型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法にある。 - 特許庁

To provide a method for producing a gallium oxide single crystal, by which a gallium oxide single oxide having a larger size is mass-produced efficiently by a batch production system comprising bringing a seed crystal into contact with a melt and growing a crystal by using an existing growth furnace without remodeling the furnace.例文帳に追加

既存の育成炉を改造することなく用いて、融液に種結晶を接触させて結晶成長させるバッチ生産方式により、より大きいサイズの酸化ガリウム単結晶を効率良く量産できる酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Carbon molecules are always taken in GaAS (melt) 8 from carbon (solid) 9, and the carbon concentration in the semi-insulative gallium arsenide single crystal increases by growing the the semi-insulative gallium arsenide single crystal by adding carbon(solid) 9 to GaAS (solid) 8 being a raw material.例文帳に追加

原料としてのＧａＡｓ（固体）８に炭素（固体）９を添加して半絶縁性ガリウム砒素単結晶を成長させることにより、炭素９から常に炭素分子がＧａＡｓ（融液）８中に取り込まれて半絶縁性ガリウム砒素単結晶の炭素濃度が増加する。 - 特許庁

A gallium isopropoxide having 0.022 wt.% Cl content can be prepared with 89% yield by carrying out heat reflux of the gallium isopropoxide having 0.98 wt.% Cl content and potassium isopropoxide correspond to 1.4 times equivalent of Cl in toluene solvent for 5 h, then removing the solvent and singly distilling under vacuum.例文帳に追加

Ｃｌ含量０．９８ｗｔ％のガリウムイソプロポキシドとＣｌの１．４倍当量のカリウムイソプロポキシドをトルエン溶媒中で、５時間加熱還流させた後、溶媒留去し、真空下で単蒸留することにより、Ｃｌ含量０．０２２％のガリウムイソプロポキシドが収率８９％で得られる。 - 特許庁

To provide a light emitting element formed on a gallium oxide substrate which is not affected by etching even with hydrogen gas used in a compound semiconductor growing process of the gallium oxide substrate, and which is superior in substrate planarity and transparency of the substrate; and to provide a manufacturing method of the element.例文帳に追加

ガリウム酸化物基板の化合物半導体成長工程において使用する水素ガスによってもエッチング等の影響を受けず、基板平面性がよく、基板の透明性に優れたガリウム酸化物基板上に形成された発光素子、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁

The catalyst contains a Ce-Ga-Mn-Fe composite oxide comprising a solid solution keeping a fluorite type structure which contains cerium, gallium, manganese and iron, and in which at least a part of at least one selected from a group comprising the gallium, the manganese and the iron is replaced with a part of the cerium.例文帳に追加

触媒は、セリウムとガリウムとマンガンと鉄とを含有し、該ガリウム、該マンガン及び該鉄から成る群より選ばれた少なくとも１種の少なくとも一部が該セリウムの一部と置換し、蛍石型構造を保っている固溶体からなるＣｅ−Ｇａ−Ｍｎ−Ｆｅ複合酸化物を含有する。 - 特許庁

Further, the crystallinity of the surface of the gallium nitride-based compound semiconductor substrate can be improved while maintaining excellent surface flatness after polishing by removing a surface damage layer by etching the surface of the gallium nitride-based compound semiconductor substrate subjected to polishing with a low etching rate using RIE.例文帳に追加

また、研磨後の窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面をＲＩＥを用いて、低いエッチングレートでエッチングして表面ダメージ層を除去することにより、研磨後のすぐれた表面平坦性を維持した状態で、窒化ガリウム系化合物半導体基板表面の結晶性を改善する。 - 特許庁

To prevent emitting-light luminance degradation due to an additional-electrode layer by eliminating the additional-electrode layer such as a translucent electrode layer since the resistance of a p-type gallium-nitride-based semiconductor layer itself can be reduced based on a method of manufacturing a gallium-nitride-based semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

本発明は窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法に関し、透明電極層のような追加的な電極層無しでも、p型窒化ガリウム系半導体層自体の抵抗を減少させるので、その追加的な電極層による発光輝度の低下を防止することができる。 - 特許庁

A buffer layer 102, for example, composed of nitrogen and gallium like gallium nitride (GaN), is formed on a substrate 101 made of sapphire (aluminum oxide), of which a main surface is turned into a C-face, and a superconductor layer 103 made of magnesium borate is formed on the buffer layer 102 in contact therewith.例文帳に追加

サファイア（酸化アルミニウム）からなり主表面がＣ面とされた基板１０１の上に例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）などのガリウムと窒素とから構成された緩衝層１０２が形成され、緩衝層１０２の上に接してホウ化マグネシウムからなる超伝導体層１０３が形成されている。 - 特許庁

The zinc oxide transparent conductive film in some embodiment is substantially composed of zinc, gallium, tin and oxygen, and in which the gallium is comprised in the proportion of >1 to <8% in the atomic ratio of Ga/(Zn+Ga+Sn) and also the tin is comprised in the proportion of >0.1 to <1% in the atomic ratio of Sn/(Zn+Ga+Sn).例文帳に追加

本発明のある態様の酸化亜鉛系透明導電膜は、実質的に亜鉛、ガリウム、スズおよび酸素からなり、ガリウムをＧａ／（Ｚｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）の原子比で１％を超え８％未満の割合で含有し、且つスズをＳｎ／（Ｚｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）の原子比で０．１％を超え１％未満の割合で含有する。 - 特許庁

In the structure of a field effect transistor using a nitride semiconductor, the part of a barrier brought into contact with a channel formed near the hetero-junction of a gallium nitride layer and the barrier is formed as the multi-layer structure of an aluminum nitride layer whose thickness is 2 nm or less and a gallium nitride layer whose thickness is 2 nm or less.例文帳に追加

窒化物半導体を用いた電界効果型トランジスタの構造は、窒化ガリウム層とバリアーのヘテロ接合近くに形成されるチャンネルに接するバリアーの部分を、厚さ２ｎｍ以下の窒化アルミニウム層と厚さ２ｎｍ以下の窒化ガリウム層の多層構造とする。 - 特許庁

There are provided the photocatalyst material having the visible light activity wherein a divalent copper salt and/or a trivalent iron salt are carried on the surface of a tungsten/gallium-codoped titanium oxide formed by codoping tungsten-doped titanium oxide formed by doping tungsten or by codoping tungsten and gallium, and the method for manufacturing the same.例文帳に追加

タングステンがドープされてなるタングステンドープ酸化チタン又はタングステンとガリウムとが共ドープされてなるタングステン・ガリウム共ドープ酸化チタンの表面に二価の銅塩及び／又は三価の鉄塩が担持されてなり、可視光活性を有する光触媒材料及びその製造方法である。 - 特許庁

To provide a damage evaluation method of a compound semiconductor element member which precisely evaluates the grade of surface damage, a production method of a compound semiconductor element member with the small grade of the damage, a gallium nitride based compound semiconductor member, and a gallium nitride based compound semiconductor film.例文帳に追加

表面のダメージの程度を詳細に評価することができる化合物半導体部材のダメージ評価方法、並びに、ダメージの程度が小さい化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜を提供する。 - 特許庁

A buffer layer 12, a gallium nitride channel layer 13 on which a two-dimensional electron gas layer is formed, and an n-type aluminum nitride gallium channel layer 14 for supplying carriers to the channel layer 13 are formed sequentially on a silicon carbide substrate 11.例文帳に追加

炭化ケイ素からなる基板１１上には、バッファ層１２と、窒化ガリウムからなりその上部に２次元電子ガス層が形成されるチャネル層１３と、ｎ型の窒化アルミニウムガリウムからなりチャネル層１３にキャリアを供給するキャリア供給層１４とが順次形成されている。 - 特許庁