「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nitride-based semiconductor light-emitting element having a structure that can provide a flat gallium-nitride-based semiconductor layer preferable as a substrate for a light-emitting layer.例文帳に追加

発光層の下地として良好な平坦性を有する窒化ガリウム系半導体層を提供可能な構造を有する窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The concentration ratio (Noxg/Npd) of the p-type dopant concentration (Npd) and the oxygen concentration (Noxg) of the first p-type gallium nitride-based semiconductor layer 21 is 1/10 or less.例文帳に追加

第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１のｐ型ドーパント濃度Ｎｐｄと酸素濃度Ｎｏｘｇとの濃度比（Ｎｏｘｇ／Ｎｐｄ）が１／１０以下である。 - 特許庁

To solve the problem that ripples appear in far field images and interrupt the concentration of laser spot light, in a gallium nitride-based compound semiconductor laser, having a ridge optical waveguide-type stripe structure.例文帳に追加

リッジ導波型ストライプ構造を有する窒化ガリウム系半導体化合物レーザおいて、遠視野像にリップルが現れるためにレーザスポットの集光に支障きたす。 - 特許庁

To provide a light-emitting device that has operating voltage lowered by diminishing contact resistance between a p-type gallium nitride compound semiconductor layer and a transparent conductive layer.例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と透明導電層との接触抵抗を小さくすることによって動作電圧が低い発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a gallium nitride based hybrid element for increasing the recording capacity of recording materials such as a DVD, and further for miniaturizing a pick-up.例文帳に追加

ＤＶＤ等の記録材料の記録容量の増加を可能とし、さらにピックアップの小型化を可能とするような窒化ガリウム系ハイブリッド素子を提供することである。 - 特許庁

To provide a method where ammonia of high purity can be recovered from exhaust gas from a treatment stage related to a semiconductor including gallium nitride or the like, and to provide a device therefor.例文帳に追加

窒化ガリウムをはじめとする半導体関連の処理工程からの排出ガスから高純度のアンモニアを回収できる方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

After formation of an amorphous buffer layer, it is inverted to crystal gradually and a light- emitting element is constituted by keeping lattice matching to a gallium nitride phosphide light emission part.例文帳に追加

非晶質緩衝層を形成した後、これを徐々に結晶質に転化して、窒化リン化ガリウム系の発光部と格子整合を保って発光素子を構成する。 - 特許庁

To provide new gallium oxide powders whose aggregated particles are easily broken so as to become suitable as raw materials for sputtering targets such as an IGZO and the like.例文帳に追加

ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、凝集粒子が壊れやすいという特徴を有する新たな酸化ガリウム粉末を提供する。 - 特許庁

In detailed words, the layer is irradiated with laser light once and, when an interface to a sapphire substrate of the GaN layer becomes gallium (Ga), it is irradiated with laser light again through the sapphire substrate.例文帳に追加

詳しくは、レーザ光を１回照射してＧａＮ層のサファイア基板との界面がガリウム（Ｇａ）となったところに、再度サファイア基板越しにレーザ光を照射する。 - 特許庁

To obtain a compact light emitting or receiving device comprising a light emitting or receiving element of gallium nitride based compound semiconductor formed on a transmissive substrate.例文帳に追加

透光基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子又は受光素子をもって、コンパクトな発光又は受光装置を構成する。 - 特許庁

The gallium nitride semiconductor layer 22 is formed on InGaN/GaN MQW 18 where the V groove defects 20 occur at the temperature of not less than 800°C.例文帳に追加

このようにＶ溝欠陥２０が発生したＩｎＧａＮ／ＧａＮ ＭＱＷ１８の上にさらに８００℃以上の温度で窒化ガリウム系半導体層２２を形成する。 - 特許庁

Then, a buffer layer 3 made of a gallium nitride and a piezoelectric film 4 made of an aluminum nitride are deposited by an epitaxial growing method on a substrate 2 for formation made of a silicon carbide.例文帳に追加

次に、炭化シリコンからなる形成用基板２の上に窒化ガリウムからなるバッファ層３、窒化アルミニウムからなる圧電膜４をエピタキシャル成長法により堆積する。 - 特許庁

In addition, a low-temperature buffer layer 4 is laminated on a bulk substrate 3, and the gallium nitride semiconductor crystal 2 including the light emission area is formed on the low-temperature buffer layer 4.例文帳に追加

また、バルク基板３上に、低温バッファ層４が積層され、低温バッファ層４の上に発光領域を含む窒化ガリウム半導体結晶２が形成されている。 - 特許庁

Hydrogen chloride is introduced into a Ga reservoir 8, in which gallium is arranged, and is jetted from a jetting port 10 arranged in the vicinity of the top part of the group V gas diffusing part 7.例文帳に追加

一方、塩化水素はガリウムを配置したＧａ溜め８に導かれ、Ｖ族ガス拡散部７の頂点部付近に配置された噴射口１０より噴射される。 - 特許庁

To ensure stabilized device characteristics in a gallium nitride based compound semiconductor laser having a current constriction layer provided with a stripe opening.例文帳に追加

ストライプ状の開口部を備えた電流狭窄層を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザにおいて、安定した素子特性を得ることができる素子構造を提供すること。 - 特許庁

Adjacent to a light-emitting layer SP- having a negative piezoelectric field, a gallium nitride semiconductor layer P having a bigger band gap than a band gap of a barrier layer is formed.例文帳に追加

負のピエゾ電界を有する発光層ＳＰ−に隣接して、障壁層のバンドギャップより大きなバンドギャップを有する窒化ガリウム系半導体層Ｐが示されている。 - 特許庁

To provide a gallium nitride group semiconductor laser element with a high slope efficiency, a high yield, and less variations that emits light in a bluish purple color with a high output.例文帳に追加

スロープ効率が大きく、製造歩留まりが高く、バラツキが少なく、しかも高出力の青紫色の光を発する窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a ultraviolet luminous body which is capable of providing a luminous band in a wavelength region having an energy bigger than the energy corresponding to a band of gallium nitride crystal in a bulk state.例文帳に追加

窒化ガリウム結晶のバルク状態でのバンドギャップに相当するエネルギーよりも大きなエネルギーの波長領域に発光帯を与える紫外発光体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium nitride system compound semiconductor in which annealing at high temperatures is not required and the formation of a cap layer is not required.例文帳に追加

本発明は、高温によるアニーリングが不要であり、かつキャップ層の形成が不要な窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a vapor growth method by which a gallium nitride-based compound semiconductor crystal having high quality and small location dependence can be grown on a sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板上に場所依存性の少ない良質な窒化ガリウム系化合物半導体結晶を気相成長させることが可能な気相成長方法を提供する。 - 特許庁

As a replacement for mercury, a liquid metal switch (300) utilizing a droplet (310) of conductive liquid composed of a material containing gallium is provided.例文帳に追加

本発明は、水銀に代わるものとして、ガリウムを含有する材料からなる導電性液体の小滴（３１０）を利用する液体金属スイッチ（３００）を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride based semiconductor optical element having a sufficient light emitting characteristic on a semi-polar main face of a gallium nitride based semiconductor region.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体領域の半極性主面上に、良好な発光特性を有する窒化物系半導体光素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The following phenomenon is utilized; an FIB-CVD light shielding film 8 with little halo does not grow on a gallium implanted chromium film but can grow on a glass part 6 exposed by etching.例文帳に追加

ガリウムが注入されたクロム膜にはハローの少ないFIB-CVD遮光膜8は成長しないが、エッチングして露出したガラス部6には成長できることを利用する。 - 特許庁

At least one p-type semiconductor layer 3 is a delta-doped layer which consists of a gallium doped p-type semiconductor layer 31, and a boron-doped p-type semiconductor layer 32.例文帳に追加

少なくとも一つのｐ型半導体層３がガリウムドープｐ型半導体層３１、ボロンドープｐ型半導体層３２からなるデルタドープ層であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light emitting diode made of an n side rise type laminate having a light emitting layer made of a gallium nitride-indium and having a high output and excellent monochromaticity.例文帳に追加

窒化ガリウム・インジウムを発光層とするｎサイドアップ型の積層体からなる高出力で単色性に優れるIII 族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The method also has a process for exposing the entire surface of the first surface 13 of the gallium-nitride substrate 11 to fluorine-based gas plasma, and performing fluorine termination to the first surface 13.例文帳に追加

また、この方法は、窒化ガリウム基板１１の第１の面１３の全面をフッ素系ガスのプラズマに晒して、第１の面１３にフッ素終端を施す工程を有する。 - 特許庁

However the oxygen concentration decreases in the gallium nitride-based semiconductor layer grown so as to form the junction JC.例文帳に追加

しかしながら、この窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度が、接合ＪＣを形成するように成長された窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は低減される。 - 特許庁

A light-emitting element is constituted, utilizing a heterojunction structure of gallium arsenide phosphide (GaAs_1-XPX: 0≤X≤1) and a III-V compound semiconductor layer containing boron.例文帳に追加

砒化リン化ガリウム（ＧａＡｓ_1-XＰ_X：０≦Ｘ≦１）発光層に含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を接合させたヘテロ接合構造を利用して発光素子を構成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a high quality nitride almost free from impurities, in particular, a gallium nitride crystal under an industrially applicable condition of a relatively low pressure.例文帳に追加

工業的に適用可能な比較的低圧の条件下で、不純物の少ない高品質の窒化物、特に、窒化ガリウムの結晶を得ることができる製造装置を提供する。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 11 includes a conductive nitride support substrate 13, an n^- type gallium nitride family semiconductor portion 15, an insulator 17, a first electrode 19.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１は、導電性の窒化物支持基体１３と、ｎ^−型窒化ガリウム系半導体部１５と、絶縁体１７と、第１の電極１９とを備える。 - 特許庁

After the gallium nitride based semiconductor region 15 and 17 are formed, an atmosphere 19, which contains at least any of monomethylamine and monoethylamine, is formed in the growth furnace 10.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体領域１５、１７の形成の後に、モノメチルアミン及びモノエチルアミンの少なくともいずれかを含む雰囲気１９を成長炉１０に形成する。 - 特許庁

In the vertical transistor 101 consisting of a gallium nitride based semiconductor, a first conductive semiconductor regions 105 are provided on the second conductive well regions 103, respectively.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体から成る縦型トランジスタ１０１では、第１導電型半導体領域１０５は、第２導電型ウエル領域１０３上にそれぞれ設けられる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor light emitting element in which a nitride based semiconductor can be grown on a gallium nitride substrate and the contact resistance of an electrode having ridge shape can be reduced.例文帳に追加

窒化ガリウムからなる基板上に窒化物系半導体を成長できるようにし、また、リッジ形状を有する電極のコンタクト抵抗を低減できるようにする。 - 特許庁

A semiconductor region including one or more gallium nitride based semiconductor layers is grown on the first surface 11a of the substrate 11 to produce an epitaxial substrate E.例文帳に追加

一または複数の窒化ガリウム系半導体層を含む半導体領域を基板１１の第１の面１１ａ上に成長して、エピタキシャル基板Ｅを作製する。 - 特許庁

The aluminum nitride layer 7 is formed with such a thickness as can retard the timing for starting diffusion of gallium and indium from the reaction source supply layer 8 to the silicon substrate 5.例文帳に追加

そして、窒化アルミニウム層７は、反応源供給層８からシリコン基板５に拡散されるガリウム及びインジウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成されている。 - 特許庁

In this group III nitride semiconductor laser 11, a semiconductor lamination 15 is formed on a principal surface 13a of a substrate 13 formed of a hexagonal n-type gallium nitride.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ１１では、半導体積層１５は、六方晶系のｎ型窒化ガリウムからなる基板１３の主面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises a first semiconductor region 28 of gallium nitride (GaN) doped with magnesium which is a p-type impurity, a second semiconductor region 34 of gallium nitride, and an impurity diffusion suppression film 32 which is interposed between the first semiconductor region 28 and the second semiconductor region 34 and made of silicon oxide (SiO_2).例文帳に追加

本発明の半導体装置１０は、ｐ型の不純物であるマグネシウムを含む窒化ガリウム（GaN）の第１半導体領域２８と、窒化ガリウムの第２半導体領域３４と、第１半導体領域２８と第２半導体領域３４の間に介在している酸化シリコン（SiO_2）の不純物拡散抑制膜３２を備えていることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method of producing a light-emitting diode using zinc oxide, by which a gallium nitride nuclei forming layer is formed on a lithium aluminate substrate using a zinc oxide buffer layer like a single-crystal film, defective concentration of the gallium nitride is reduced, excellent lattice matching and crystal interface quality can be obtained and light emission efficiency and finished element function are improved.例文帳に追加

単結晶フィルム状である酸化亜鉛バッファ層でアルミン酸リチウム基板上に窒化ガリウム核形成層を生長させることができ、窒化ガリウムの欠陥密度が低減され、また、優れた格子マッチングと結晶界面品質が得られ、発光効率と完成済みの素子機能が向上される酸化亜鉛による発光ダイオードの作製方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method has processes of: forming a silicon substrate 1, the buffer layer 2 formed on the silicon substrate, and a gallium nitride semiconductor layer on top of it; forming a trench of a depth reaching the gallium semiconductor layer by penetrating the silicon substrate and the buffer layer 2 from the back surface of the silicon substrate 1; and embedding a conductive material in the trench.例文帳に追加

シリコン基板１と前記シリコン基板上に形成されたバッファ層２とその上に窒化ガリウム半導体層を形成し、前記シリコン基板１の裏面から前記シリコン基板ならびに前記バッファ層２を貫通して前記窒化ガリウム半導体層に達する深さのトレンチを形成し、このトレンチの中に導電体を埋め込む工程を有する製造方法する。 - 特許庁

To be concrete, the solar battery cell is manufactured by forming a gallium-doped region 49 in the single crystal silicon substrate 41 formed by working a boron-doped single crystal silicon crystal pulled up by the CZ method by diffusing gallium in the substrate 41 from the first main surface side of the substrate 41 and forming a p-n junction section 48 in the region 49.例文帳に追加

具体的には、ＣＺ法によりボロンを添加したシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単結晶を加工したシリコン単結晶基板４１に第一主表面側からガリウムを拡散してガリウム添加領域４９を形成し、そのガリウム添加領域４９にｐ−ｎ接合部４８を形成して太陽電池セルとなす。 - 特許庁

The method for producing a nitride semiconductor comprises a step for preparing a silicon substrate 1 containing a group III element in the vicinity of the surface 1f, and a step for growing a first clad layer 2 as an oxide semiconductor containing gallium on the surface 1f of the silicon substrate 1 by supplying gallium and nitride to the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体の製造方法は、表面１ｆ近傍に周期律表第ＩＩＩＢ族元素を含むシリコン基板１を準備する工程と、シリコン基板１の表面にガリウムと窒素とを供給してガリウムを含有する酸化物半導体としての第１のクラッド層２をシリコン基板１の表面１ｆ上に成長させる工程とを備える。 - 特許庁

On a sapphire substrate 2, a buffer layer 3 is formed for film-forming an n-type gallium nitride compound semiconductor layer 4, the luminous layer 5, and a p-type gallium nitride compound semiconductor layer 6 at a film-forming temperature of 1,000°C.例文帳に追加

サファイア基板２上に、バッファ層３を形成し、１０００℃の成膜温度でｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４、発光層５およびｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６を成膜した後、８００℃に温度を下げて、四角錐状の凸部７を結晶核成長させ、その凸部７をマスクとして、ｐ層６をエッチングして凹凸８を形成する。 - 特許庁

When a light emitting element structure made of a gallium nitride compound semiconductor is formed on a substrate 4 by an MOCVD method by introducing a material gas for gallium nitride compound semiconductor manufacture into a reactor 2, an additive gas consisted of a compound containing oxygen atoms is supplied from an additive gas container 15 to the reactor 2 to be coexistent in a reaction system.例文帳に追加

反応炉２内に窒化ガリウム系化合物半導体製造用材料ガスを導入してＭＯＣＶＤ法により窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子構造を基板４上に形成する際に、添加ガス容器１５から酸素原子を含む化合物からなる添加ガスを反応炉２に供給して、反応系に共存させる。 - 特許庁

To constrain the nitriding of the front surface of a substrate which is composed of a diboride single crystal with high lattice matching with a gallium nitride-based compound semiconductor, provide 2-dimensional stratified growth from an early phase of growth, and control polarization from the early phase of growth, thereby reducing failure and growing up a gallium nitride-based compound semiconductor with excellent planarity, high quality, and low dislocation.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体と格子整合性の高い二硼化物単結晶から成る基板の表面の窒化を抑制し、成長初期から２次元の層状成長を実現し、また成長初期から極性を制御して、欠陥が低減され、平坦性に優れた高品質、低転位の窒化ガリウム系化合物半導体を成長させること。 - 特許庁

The gallium nitride crystal layer having a good crystal orientation is formed based on the informations related to the amorphous properties of the amorphous intermediate layer 12 without being influenced by the informations related to the crystallinity of the polycrystalline metal substrate because the propagation of the informations related to the crystallinity of the polycrystalline metal substrate 11 to the gallium nitride crystal layer 10 is suppressed.例文帳に追加

多結晶金属基板１１の結晶性に関する情報が窒化ガリウム系結晶層１０に伝えられないので、多結晶金属基板の結晶性に関する情報の影響を受けることなく、非晶質中間層１２の非晶質性に関する情報に基づいて、良好な結晶配向性を有して形成される。 - 特許庁