「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR HAVING INDIUM GALLIUM NITRIDE LAYER例文帳に追加

インジウムガリウムナイトライド層を有する高電子移動度トランジスタ - 特許庁

The gallium nitride based semiconductor lamination 15a includes: a first gallium nitride based semiconductor region 21a, a second gallium nitride based semiconductor region 23a, and an active layer 25a.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体積層１５ａは、第１の窒化ガリウム系半導体領域２１ａ、第２の窒化ガリウム系半導体領域２３ａ、及び活性層２５ａを含む。 - 特許庁

INDIUM GALLIUM NITRIDE SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

窒化ガリウムインジウムの分離封じ込めヘテロ構造発光デバイス - 特許庁

METHOD FOR EPITAXIALLY GROWING GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長法、および窒化ガリウム系化合物半導体を備えた電子デバイス - 特許庁

To provide a low oxygen content gallium nitride sintered body and a low oxygen content gallium nitride sputtering target.例文帳に追加

低酸素含有量窒化ガリウム焼結体ならびに低酸素含有量窒化ガリウムスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

METHODS FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE-CONTAINING FILM, GALLIUM NITRIDE-CONTAINING FILM, ALUMINUM GALLIUM NITRIDE-CONTAINING FILM, AND ALUMINUM GALLIUM INDIUM NITRIDE-CONTAINING FILM例文帳に追加

窒化アルミニウム含有膜の製造方法、窒化ガリウム含有膜の製造方法、窒化アルミニウムガリウム含有膜の製造方法、及び窒化アルミニウムガリウムインジウム含有膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a gallium nitride-based semiconductor device having a gallium nitride-based semiconductor layer of a good crystal quality.例文帳に追加

良好な結晶品質の窒化ガリウム系半導体層を有する窒化ガリウム系半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method for further shortening an electrolyzation time, related to the metal gallium electrolysis collection method by which metal gallium is obtained by electrolyzing a solution containing a gallium ion.例文帳に追加

ガリウムイオンを含む溶液を電解して金属ガリウムを得る金属ガリウムの電解採取方法に関し、電解時間をより一層短縮する方法を提供する。 - 特許庁

When producing trioxan from an aqueous solution of formaldehyde in the presence of gallium silicate as a catalyst, in the method of this invention, a gallium silicate is use as a catalyst in a molar ratio (Si/Ga) of 5-50.例文帳に追加

触媒としてガリウムシリケートを用い、ホルムアルデヒド水溶液からトリオキサンを製造する。 - 特許庁

SUBSTRATE TO GROW GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND ITS USE例文帳に追加

ＧａＮ系結晶成長用基板およびその用途 - 特許庁

ULTRA-FINE PARTICLE OF GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND METHOD OF MANUFACTURING IT例文帳に追加

窒化ガリウム結晶超微粒子とその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING CONDUCTIVITY OF GALLIUM OXIDE SERIES MONOCRYSTAL例文帳に追加

Ｇａ２Ｏ３系単結晶の導電率制御方法 - 特許庁

The clathrate compound comprises: a Ba_8Ga_16Sn_30 thermoelectric conversion material with the gallium partially substituted with copper which is cheaper than the gallium.例文帳に追加

Ｂａ_８Ｇａ_１６Ｓｎ_３０熱電変換材料のＧａの一部をＧａより安価なＣｕで置換する。 - 特許庁

After aggregated particles of gallium oxyhydroxide containing aggregated particles are crushed with a resin-made member, the gallium oxyhydroxide is fired to obtain the objective gallium oxide powder.例文帳に追加

凝集粒を含むオキシ水酸化ガリウムの凝集粒を樹脂製部材を用いて解砕した後、該解砕後のオキシ水酸化ガリウムを焼成して酸化ガリウム粉末を得る。 - 特許庁

To provide a method and a device for producing gallium nitride crystals which can prevent the clogging of the tip of a gallium feed tube for dropping and feeding a gallium melt.例文帳に追加

ガリウム融液を滴下供給するためのガリウム供給管先端の閉塞を防止することができる窒化ガリウム結晶製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

ix. Quantum well focal plane arrays which use gallium arsenide or aluminum gallium arsenide with less than 256 elements 例文帳に追加

９　砒化ガリウム又は砒化アルミニウムガリウムを用いた量子井戸フォーカルプレーンアレーであって、素子の数が二五六未満のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体およびその製造方法 - 特許庁

CRYSTAL EPITAXY STRUCTURE OF GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶エピタキシー構造 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTAL例文帳に追加

窒化ガリウムバルク結晶の製造方法および製造装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR EPI WAFER AND GALLIUM ARSENIC SUBSTRATE例文帳に追加

半導体エピウェハの製造方法及びガリウム砒素基板 - 特許庁

VERTICAL GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REVERSE WITHSTAND VOLTAGE例文帳に追加

逆耐圧を有する縦型窒化ガリウム半導体装置 - 特許庁

To provide a new method for producing metallic gallium with which copper can be efficiently removed in a method for producing metallic gallium from gallium and copper-containing raw material.例文帳に追加

ガリウムと銅を含有する原料から金属ガリウムを製造する方法において、銅を効率的に除去できる新たな金属ガリウムの製造方法を提供する。 - 特許庁

The existence of phosphor couples any interlattice gallium with phosphor (24) and shifts the gallium to other lattice section.例文帳に追加

リンの存在がいかなる格子間ガリウムをもリン（２４）に結合させてそのガリウムを別の格子部位に移動させる。 - 特許庁

METHOD OF GROWING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体結晶の成長方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE PROVIDED WITH POLARIZATION INVERTED LAYER例文帳に追加

分極反転層を具えた窒化ガリウム系発光ダイオード - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING FILM OF GROUP III NITRIDE SUCH AS GALLIUM NITRIDE例文帳に追加

窒化ガリウム等のＩＩＩ族窒化物の成膜方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体結晶の製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND OPTICAL PICKUP DEVICE例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び光ピックアップ装置 - 特許庁

MANUFACTURE OF p-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

This semiconductor layer growth is continued, until the gallium phosophide fixed particles S in the gallium phosophide housing part 11 are completely dissolved.例文帳に追加

この半導体層の成長は、ガリウム燐収容部１１内のガリウム燐の固体粒Ｓが溶けきるまで続く。 - 特許庁

In the growth method of gallium nitride crystal, the dew point of carrier gas during the growth of the gallium nitride is -60 °C or less.例文帳に追加

窒化ガリウム結晶の成長時におけるキャリアガスの露点が−６０℃以下であることを特徴としている。 - 特許庁

GALLIUM INK AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME例文帳に追加

ガリウムインク、並びにその製造方法および使用方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法および窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - 特許庁

To provide equipment which supplies a high purity gallium trichloride in vapor phase to a reactor of a gallium nitride.例文帳に追加

蒸気相の高純度三塩化ガリウムを窒化ガリウムの反応器に供給するための装置を提供する。 - 特許庁

VAPOR PHASE GROWTH DEVICE FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND VAPOR PHASE GROWTH METHOD FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体気相成長装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PROCESSING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体層の加工方法 - 特許庁

Silicon carbide, gallium arsenide, gallium nitride, diamond, or their compound material are used as the semiconductor material.例文帳に追加

半導体材料としては、炭化珪素、ガリウム砒素、窒化ガリウム、ダイヤモンド、またはこれらを複合した材料を用いる。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム基板および窒化物半導体エピタクシャル基板 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体、発光素子、照明装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS PRODUCTION PROCESS例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 - 特許庁

The conductivity type of the gallium nitride semiconductor film 15 is the same as that of gallium nitride of the nanocolumn area 13.例文帳に追加

窒化ガリウム半導体膜１５の導電型は、ナノコラム領域１３の窒化ガリウムの導電型と同じである。 - 特許庁

First, a gallium nitride layer is grown on a sapphire substrate.例文帳に追加

まずサファイア基板上で窒化ガリウム層を成長させる。 - 特許庁

SINGLE CRYSTALLINE GALLIUM NITRIDE THICK FILM AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶厚膜およびその製造方法 - 特許庁