「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, LAYERED STRUCTURE OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND LAMP例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体素子の積層構造及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプ - 特許庁

GROWTH APPARATUS AND GROWTH METHOD FOR GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶成長装置および成長方法 - 特許庁

FORMATION OF GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL LAYER AND LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

窒化ガリウムエピタキシャル層の形成方法及び発光素子 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR ETCHING GALLIUM NITRIDE例文帳に追加

窒化ガリウムのエッチング方法および窒化ガリウムのエッチング装置 - 特許庁

In the method for forming a p-type gallium nitride semiconductor region, a gallium nitride semiconductor film 13 is ion-implanted with a p-type dopant 17 by using a mask 15 to form a gallium nitride semiconductor film 13b.例文帳に追加

マスク１５を用いて窒化ガリウム系半導体膜１３にｐ型ドーパント１７のイオン注入を行って、窒化ガリウム系半導体膜１３ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a high-carrier-concentration, low-cracking-incidence gallium nitride substrate; and a method of forming the gallium nitride film.例文帳に追加

キャリア濃度が高く、クラックの発生率が低い窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム層の形成方法を提供する。 - 特許庁

ELECTRODE FOR LIGHT-EMITTING DEVICE OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND LIGHT-EMITTING DEVICE OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用電極および窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - 特許庁

METHOD FOR LOWERING LIQUID-HOLDING TEMPERATURE OF LIQUID GALLIUM, AND GALLIUM COMPOSITION HAVING LOWERED LIQUID-STATE-KEEPING TEMPERATURE例文帳に追加

液体ガリウムの液体状態保持温度の低下方法および液体状態保持温度を低下したガリウム組成物 - 特許庁

The objective gallium nitride powder is produced by subsequently chemically reacting gallium chloride produced in a preparatory reaction tube 21 with ammonia gas transported from the zone 10 for producing the gallium nitride crystal nucleus and growing the resultant product on the crystal nucleus of gallium nitride in the zone 30 for growing the gallium nitride particle.例文帳に追加

その後、窒化ガリウム粒子成長部３０において、予備反応管２１内で生成した塩化ガリウムと、窒化ガリウム結晶核生成部１０から輸送されたアンモニアガスとを、前記窒化ガリウム結晶核上で化学的に反応させ、成長させることによって目的とする窒化ガリウム粉末を得る。 - 特許庁

To provide a gallium nitride-based light emitting diode having a low electric resistance value and a thick n-type gallium nitride-based contact layer.例文帳に追加

低電気抵抗値と厚いｎ型窒化ガリウム系コンタクト層を具えた窒化ガリウム系発光ダイオードの提供。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体および製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT, AND ITS PROCESS FOR FABRICATION例文帳に追加

窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法 - 特許庁

Fourthly, a third nitride gallium layer 8 is formed in the recess.例文帳に追加

次に凹部に第３の窒化ガリウム層８を形成する。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL CRYSTAL AND METHOD OF PRODUCING THEREFOR例文帳に追加

ガリウムナイトライド系エピタキシャル結晶及びその製造方法 - 特許庁

In this forming method of a gallium nitride epitaxial layer, a gallium nitride epitaxial layer 2 is obtained by performing crystal growth for gallium nitride by a catalytic CVD method on a surface of a base layer 1.例文帳に追加

基層１表面上に、触媒ＣＶＤ法により窒化ガリウムを結晶成長させて窒化ガリウムエピタキシャル層２を得る窒化ガリウムエピタキシャル層の形成方法。 - 特許庁

MANUFACTURE OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導発光素子の製造方法 - 特許庁

A substrate 100 includes non-gallium nitride posts 100a that define trenches 100b therebetween, wherein the non-gallium nitride posts 100a include non-gallium nitride sidewalls 100c and non-gallium nitride tops 100d and the trenches 100b include non-gallium floors 100e.例文帳に追加

非窒化ガリウム柱１００ａを含み、それらの間に溝１００ｂを規定する基板１００であって、その非窒化ガリウム柱１００ａは非窒化ガリウム側壁１００ｃおよび非窒化ガリウム頂部１００ｄを含み、溝１００ｂは非窒化ガリウム底１００ｅを含むものを用いる。 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD FOR GALLIUM-NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND THE LIKE例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体等のドライエッチング方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE BY CVD AND HVPE例文帳に追加

ＣＶＤとＨＶＰＥによる窒化ガリウムの生長方法 - 特許庁

The semiconductor device comprises a gallium arsenide substrate 101.例文帳に追加

ガリウム砒素基板１０１を有する半導体装置である。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

リン化ガリウム単結晶の製造方法およびその装置 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶基板ならびにその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM PHTHALOCYANINE, CHLOROGALLIUM PHTHALOCYANINE CRYSTAL AND HYDROXYGALLIUM PHTHALOCYANINE CRYSTAL, GALLIUM PHTHALOCYANINE, CHLORO GALLIUM PHTHALOCYANINE CRYSTAL, HYDROXY GALLIUM PHTHALOCYANINE CRYSTAL, ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, PROCESS CARTRIDGE AND ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE例文帳に追加

ガリウムフタロシアニンの製造方法、クロロガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、ガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン結晶、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - 特許庁

The method of manufacturing the thin gallium nitride film includes a process of forming a thin gallium triisopropoxide film by applying a solution containing gallium triisopropoxide to a substrate and a process of bringing the thin gallium triisopropoxide film into a nitriding reaction under a gaseous ammonia atmosphere.例文帳に追加

ガリウムトリイソプロポキシドを含有する溶液を基板に塗布してガリウムトリイソプロポキシド薄膜を形成する工程と、前記ガリウムトリイソプロポキシド薄膜をアンモニアガス雰囲気下で窒化反応させる工程とを含む、窒化ガリウム薄膜の製造方法。 - 特許庁

GALLIUM-ARSENIC CRYSTAL SUBSTRATE FIXTURE AND SUBSTRATE FIXING METHOD例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶基板固定治具及び基板固定方法 - 特許庁

To provide a method for selectively recovering gallium from an acid aqueous solution containing various metals and gallium.例文帳に追加

本発明は、各種金属とガリウムを含有する酸性水溶液からガリウムを選択的に回収する方法を提供する。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR DISCRIMINATING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム結晶基板、半導体デバイス、半導体デバイスの製造方法および窒化ガリウム結晶基板の識別方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING POWDER CONTAINING NITROGEN AND GALLIUM ELEMENTS AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL USING THE POWDER例文帳に追加

窒素元素とガリウム元素を含む粉末の製造方法、およびそれを利用した窒化ガリウム単結晶の製造方法 - 特許庁

An aluminum gallium nitride/gallium nitride layer 12 (a III-V nitride semiconductor layer) is formed on a surface of a silicon carbide substrate 11.例文帳に追加

炭化ケイ素基板１１の表面にアルミ窒化ガリウム／窒化ガリウム層１２（III−Ｖ族窒化物半導体層）を形成する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE TRANSISTOR, METHOD OF PROCESSING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR REGION, AND METHOD OF ELIMINATING RESIST例文帳に追加

窒化ガリウム系トランジスタを作製する方法、窒化ガリウム系半導体領域を加工する方法、およびレジストを除去する方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁

STRUCTURE OF GALLIUM-NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DIODE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

窒化ガリウム系発光ダイオードの構造とその製造方法 - 特許庁

Since the roughening of the surface is developed in the case of containing the gallium too much, the content of the gallium is regulated to ≤500 wt.ppm.例文帳に追加

ガリウムの含有量が多すぎると表面の肌荒れが生じるので、ガリウムの含有量は500重量ppm以下とする。 - 特許庁

IMPURITY-CONTAINING GALLIUM NITRIDE POWDER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

不純物含有窒化ガリウム粉体およびその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

A semiconductor laminate 17 includes a gallium nitride semiconductor layer 25.例文帳に追加

半導体積層１７は、窒化ガリウム半導体層２５を含む。 - 特許庁

The object to be polished is preferably of sapphire, gallium nitride, silicon carbide, gallium arsenide, indium arsenide, or indium phosphide.例文帳に追加

また、研磨対象物は、サファイア、窒化ガリウム、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム又はリン化インジウムからなることが好ましい。 - 特許庁

To provide a technique which can recover gallium with high purity from the scrap, polishing waste or the like of a gallium compound.例文帳に追加

ガリウム化合物の切削屑や研磨屑等から、高い純度のガリウムを回収することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁

The channel layer 14 is made from a second gallium nitride-based semiconductor.例文帳に追加

チャネル層１４は、第２の窒化ガリウム系半導体からなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a surface-treated gallium-nitride substrate for protecting the surface of a gallium-nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化ガリウム半導体表面を保護するために表面処理された窒化ガリウム基板を作製する方法を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁

The gallium oxide powders including gallium oxide powder particles having a structure in which scaly bodies are laminated are provided.例文帳に追加

鱗片体が積層してなる構造を有する酸化ガリウム粉末粒子を含有する酸化ガリウム粉末を提案する。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD FOR ELEMENT例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 - 特許庁