「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for easily refining gallium from gold-containing gallium in a high yield, and at the same time collecting gold from it.例文帳に追加

金を含有するガリウムより、簡便、且つ高い歩留まりでガリウムを精製すると同時に、金も採取できる新規な方法を提供する。 - 特許庁

GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND PACKAGING BODY THEREOF例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその実装体 - 特許庁

To provide a gallium-nitride-based semiconductor element and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride light emitting device by which a tolerance to a backward ESD voltage is improved, and a method of manufacturing the gallium nitride light emitting device.例文帳に追加

逆方向ＥＳＤ電圧に対する耐性が改善された窒化ガリウム系発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electric power source using a gallium nitride for a portable-type device.例文帳に追加

携帯型デバイス用の窒化ガリウムを用いた電源を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a bulk and a wafer of gallium nitride single crystal and those of a gallium nitride-aluminum nitride solid solution single crystal with a low defect density.例文帳に追加

欠陥密度が低い窒化ガリウムや窒化ガリウム−窒化アルミニウム固溶体単結晶のバルクやウェハーを製造する方法を提供する。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体積層物およびその製造方法 - 特許庁

To obtain high purity single-phase gallium nitride.例文帳に追加

本発明は、高純度の単相窒化ガリウムを得ることを課題とする。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE FOR GROWTH OF GALLIUM-NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体成長用基板の洗浄方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム系単結晶基板の製造方法範囲内製造装置 - 特許庁

GALLIUM OXIDE NANOCABLE COATED WITH CARBON FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

炭素膜で被覆された酸化ガリウムナノケーブル及びその製造方法 - 特許庁

To provide a gallium nitride semiconductor and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

窒化ガリウム半導体及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The laminates each include a first barrier layer 801 or 805 composed of gallium nitride and a second barrier layer 802 or 804 composed of gallium nitride.例文帳に追加

積層体は、窒化ガリウムからなる第１の障壁層８０１、８０５と、窒化ガリウムからなる第２の障壁層８０２、８０４とからなる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT OF VERTICAL STRUCTURE例文帳に追加

垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法 - 特許庁

A current diffusion layer D, a P-type gallium nitride layer P, and an N-type gallium nitride layer N are etched at the same time until a substrate B is exposed.例文帳に追加

基板Ｂが露出するまで電流拡散層Ｄ、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ、及びｎ型窒化ガリウム層Ｎを一度にエッチングする。 - 特許庁

To provide a gallium compound concentration method with an improved gallium compound recovery ratio and capable of suppressing generation of industrial wastes.例文帳に追加

ガリウム化合物の回収率を向上させ、産業廃棄物の発生を抑制したガリウム化合物の濃縮方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for treating the surface of liquid gallium or gallium alloy so as to enable long-term use as a liquid mirror.例文帳に追加

本発明は、液体鏡として長期間使用するために液体ガリウム又はガリウム合金の表面を処理する方法に関する。 - 特許庁

Then, an n-type first nitride gallium layer 6 is so crystal-grown as to cover the surface of the nitride gallium substrate 2 and the alignment mark 4.例文帳に追加

次に、窒化ガリウム基板２の表面とアライメントマーク４を覆うようにｎ型の第１の窒化ガリウム層６を結晶成長させる。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND GROWN SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法及び成長基板 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE AND THE SAME例文帳に追加

窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板 - 特許庁

To provide a gallium nitride semiconductor light emitting element.例文帳に追加

本発明は窒化ガリウム系半導体発光素子に関するものである。 - 特許庁

A gallium oxide thin film is formed by a sol-gel method on a substrate using a gallium oxide single crystal, and at least a pair of surface electrodes are provided on the gallium oxide thin film, or a first electrode and a second electrode are formed on the gallium oxide single crystal substrate and the gallium oxide thin film formed on the substrate, respectively.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶を基板して当該基板上にゾル‐ゲル法で酸化ガリウム薄膜を形成し、この酸化ガリウム薄膜上に少なくとも１対の表面電極を備えるか、或いは酸化ガリウム単結晶基板とこの基板上に形成された酸化ガリウム薄膜とにそれぞれ第１の電極と第２の電極とを形成する。 - 特許庁

To provide a method for lowering a liquid--holding temperature of liquid gallium so that the liquid gallium can hold the liquid state at room temperature or lower for a long period of time, without adding a large amount of another metal than gallium, and to provide a gallium composition which holds the liquid state at room temperature or lower for a long period of time.例文帳に追加

ガリウム以外の金属を多量に添加することなく、室温以下の温度で液体状態を長時間保持するように液体ガリウムの液体状態保持温度を低下させる方法および室温以下の温度で液体状態を長時間保持するガリウム組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a gallium nitride crystal capable of suppressing a crystal defect or dislocation induced on a gallium nitride layer due to the lattice unconformity thereof with a substrate in the lamination of the gallium nitride layer having a practical substrate thickness on a different substrate, and also provide the gallium nitride crystal produced by the method.例文帳に追加

実用的な基板厚さの窒化ガリウム層を、異種基板に積層させる際、基板との格子不整合に起因して窒化ガリウム層に誘起される結晶欠陥もしくは転位を抑制することが可能な窒化ガリウム結晶の製造方法および、窒化ガリウム結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a method for easily collecting high-purity metallic gallium from scrap of gallium-containing oxides, especially of oxides with a garnet structure.例文帳に追加

ガリウムを含む酸化物、特にガーネット構造の酸化物の廃材を用いて容易に純度の高い金属ガリウムを回収する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a process for producing a gallium oxide single crystal by which the reproducibility of the gallium oxide single crystal is secured.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶の再現性を確保することができる酸化ガリウム単結晶の製造装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium nitride semiconductor substrate, whereby the gallium nitride semiconductor substrate without any penetrated pit can be obtained at a low cost.例文帳に追加

貫通ピットの無い窒化ガリウム系半導体基板を安価に得ることができる窒化ガリウム系半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Because of the inclination, a gallium nitride semiconductor epitaxially grown on the principal surface 32a of the gallium oxide support base has a flat surface.例文帳に追加

この傾斜により、酸化ガリウム支持基体主面３２ａ上にエピタキシャル成長された窒化ガリウム系半導体は平坦な表面を有する。 - 特許庁

The gallium nitride support substrate 33 has the main face 33a and the gallium nitride-based semiconductor layer 35 is provided on this main face 33a.例文帳に追加

窒化ガリウム支持基体３３は主面３３ａを有しており、窒化ガリウム系半導体層３５は、この主面３３ａ上に設けられている。 - 特許庁

To provide a gallium nitride substrate which can reduce the rate of crack incidence during the operation of precision polishing after practising the rough polishing of a gallium polarity surface.例文帳に追加

ガリウム極性面の粗研磨実施後の精密研磨実施中のクラック発生率を低下させることができる窒化ガリウム基板を提供する。 - 特許庁

When gallium has a cavity, gallium is expanded following a temperature rise, and temperature measurement can be also performed by utilizing disappearance of the cavity.例文帳に追加

ガリウムの空隙がある場合には、温度上昇と共にガリウムが膨張し、空隙が消滅することを利用しても温度測定を行い得る。 - 特許庁

When the off angle of the gallium nitride substrate main surface 11a is at least 0.3°, the gallium nitride epitaxial film 13 has a low density of electron traps.例文帳に追加

窒化ガリウム基板主面１１ａのオフ角が０．３度以上であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３は低い電子トラップの密度を有する。 - 特許庁

Gallium phosphorus is further deposited on the surface of the semiconductor wafer W by this gradual cooling and the semiconductor layer of gallium phosphorus is epitaxially grown.例文帳に追加

この徐冷によって、半導体ウエハＷの表面にガリウム燐がさらに析出し、ガリウム燐半導体層がエピタキシャル成長していく。 - 特許庁

The photosensitive layer of the electrophotographic photoreceptor contains gallium phthalocyanine, wherein the maximum primary particle size of the gallium phthalocyanine is specified to ≤0.3 μm.例文帳に追加

また、電子写真感光体の感光層にガリウムフタロシアニンを含有せしめ、該ガリウムフタロシアニンの一次粒子径の最大値を０．３μｍ以下とする。 - 特許庁

To provide a high-quality gallium nitride crystal plate by growing a gallium nitride crystal on a seed crystal substrate by a flux method.例文帳に追加

フラックス法により種結晶基板上に窒化ガリウムの結晶を生成させた窒化ガリウム結晶板であって、高品質なものを提供する。 - 特許庁

To provide a p-type gallium nitride compound semiconductor formed of a gallium nitride compound semiconductor layer doped with a p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を低抵抗なｐ型とする窒化ガリウム系化合物半導体を提供する。 - 特許庁

To provide a marking method of a nitride gallium substrate, and a nitride gallium substrate which allows marking by laser radiation without generating craks.例文帳に追加

クラックなどを発生させることなく、レーザ照射によるマーキングが可能な窒化ガリウム基板のマーキング方法及び窒化ガリウム基板を提供する。 - 特許庁

SURFACE TREATMENT METHOD FOR SUBSTRATE, SUBSTRATE, METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, LIGHT-EMITTING ELEMENT AND ELECTRONIC ELEMENT例文帳に追加

基板の表面処理方法、基板、窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、窒化ガリウム系化合物半導体、発光素子及び電子素子 - 特許庁

A flattening layer 21 is formed between the n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15 and the light-emitting layer 17, and includes a gallium-nitride-based semiconductor region.例文帳に追加

平坦化層２１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１５と発光層との間に設けられ、また窒化ガリウム系半導体領域からなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium nitride single crystal, by which the decomposition of gallium nitride can be suppressed in a sublimation method, and the production efficiency is improved.例文帳に追加

昇華法における窒化ガリウムの分解が抑制されて製造効率が向上した窒化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thirdly, a part of the second nitride gallium layer 6 is etched up to such a depth as to expose a projection 4a of the first nitride gallium layer 4 to form a recess.例文帳に追加

次に第２の窒化ガリウム層６の一部を第１の窒化ガリウム層４の凸部４ａが露出する深さまでエッチングして凹部を形成する。 - 特許庁

GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL, ITS PRODUCTION AND APPARATUS FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶及びその製造方法並びにその製造装置 - 特許庁

The gallium isopropoxide and the indium isopropoxide are mixed at an arbitrary ratio.例文帳に追加

ガリウムイソプロポキシドとインジウムイソプロポキシドとは任意の比率で混合される。 - 特許庁

This alloy includes gallium, indium, tin, or arbitrary combinations of them.例文帳に追加

この合金は、ガリウム、インジウム、錫、またはそれらの任意の組み合わせを含む。 - 特許庁