「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the gallium nitride layer 51 formed on the substrate 50 is subjected to a heat treatment comprising heating the gallium nitride layer 51 at a temperature of ≥800°C for at least 5 min and cooling the layer 51 at a temperature lowering rate of ≤50°C/min.例文帳に追加

次に、基板５０上に形成された窒化ガリウム層５１を８００℃以上で５分以上加熱し、降温速度を５０℃／分以下とする熱処理を行なう。 - 特許庁

The method for collecting the metal includes collecting indium, gallium or tin by treating the material containing metals including indium, gallium or tin, with iron-reducing bacteria.例文帳に追加

本発明の金属の回収方法は、インジウム、ガリウムまたはスズを含む金属含有物を、鉄還元細菌で処理することにより、インジウム、ガリウムまたはスズを回収する。 - 特許庁

The method for producing the trialkyl gallium is characterized by having a contact process for contacting a composition having gallium and magnesium with a gasified alkyl halide at a temperature of ≥60°C.例文帳に追加

ガリウムとマグネシウムとを有する組成物と、気相状態のハロゲン化アルキルとを、６０℃以上の温度下で、接触させる接触工程を有するトリアルキルガリウムの製造方法。 - 特許庁

To provide a gallium nitride based semiconductor diode capable of improving a withstand voltage of a diode structure formed on a gallium nitride substrate whose resistivity in the surface is uneven.例文帳に追加

面内の抵抗率が不均一である窒化ガリウム基板上に形成したダイオード構造の耐圧を向上させることができる窒化ガリウム系半導体ダイオードを提供する。 - 特許庁

iii. Photocathodes which use a III-V compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less.) 例文帳に追加

３　主材料にＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体（砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。）を用いたもの（最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide a method and apparatus for manufacturing a gallium nitride bulk crystal by which the bulk crystal of gallium nitride is simply obtained at a low temperature under a low pressure.例文帳に追加

低温、低圧で簡単に窒化ガリウムのバルク結晶を得ることができる窒化ガリウムバルク結晶の製造方法および製造装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

A material of the semiconductor base material may be selected from silicon carbide, gallium nitride, and diamond, and a material of the hetero semiconductor region may also be selected from silicon, silicon germanium, germanium, and gallium arsenic.例文帳に追加

半導体基体の材料は、炭化珪素、窒化ガリウム、ダイヤモンドのいずれでも良いし、ヘテロ半導体領域の材料は、シリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、ガリウムヒ素のいずれでも良い。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium nitride compound semiconductor element of high yield, and a method for manufacturing a gallium nitride compound semiconductor light emitting element of high yield.例文帳に追加

歩留まりが高い窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法、及び、歩留まりが高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The conductivity of the first region 15c of the gallium nitride based semiconductor region 15 is larger than that of the second region 15d of the gallium nitride based semiconductor region 15.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体領域１５の第１の領域１５ｃの導電率は、窒化ガリウム系半導体領域１５の第２の領域１５ｄの導電率より大きい。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device 31 comprises a gallium nitride support substrate 33 having a main face 33a and a gallium nitride-based semiconductor layer 35 such as an n-type GaN layer.例文帳に追加

半導体発光デバイス３１は、主面３３ａを有する窒化ガリウム支持基体３３と、ｎ型のＧａＮ層といった窒化ガリウム系半導体層３５とを備える。 - 特許庁

The surface of the gallium nitride semiconductor film 13e is exposed to the atmosphere 21.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体膜１３ｅの表面は雰囲気２１に露出されている。 - 特許庁

A resist mask 29 with a pattern is provided on a substrate 19a, including first and second gallium nitride semiconductor layers 13a, 15a for the gallium nitride transistors.例文帳に追加

パターンを有するレジストマスク２９が、窒化ガリウム系トランジスタのための第１および第２の窒化ガリウム系半導体層１３ａ、１５ａを含む基板１９ａ上に設けられている。 - 特許庁

The aluminum alloy preferably has aluminum and gallium as principal constituent elements.例文帳に追加

また、好ましくは、該アルミニウム合金の主要構成元素はアルミニウムとガリウムであること。 - 特許庁

To provide an ohmic electrode for a gallium oxide single crystal substrate which has a superior ohmic property for a gallium oxide single crystal substrate and is obtained in an easy method.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶基板とのオーミック性に優れると共に簡便な方法で得ることができる酸化ガリウム単結晶基板用オーミック電極を提供する。 - 特許庁

SURFACE TREATMENT METHOD FOR SUBSTRATE, SUBSTRATE AND METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

基板の表面処理方法、基板、窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法 - 特許庁

GALLIUM-INDIUM-NITRIDE-ARSENIDE BASED EPITAXIAL WAFER AND HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加

窒化砒化ガリウムインジウム系エピタキシャルウェハ及びそれを用いた高電子移動度トランジスタ - 特許庁

An active layer 23 of the semiconductor lamination 15 has a gallium nitride-based semiconductor layer containing indium, and an indium composition of the gallium nitride-based semiconductor layer is ≥0.2.例文帳に追加

半導体積層１５の活性層２３は、インジウムを含む窒化ガリウム系半導体層を有しており、この窒化ガリウム系半導体層のインジウム組成は０．２以上である。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化ガリウム基ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光ダイオードとその製造方法 - 特許庁

To improve decrease in transmittance of a photomask due to gallium injection by removing the gallium injected into a glass substrate for correcting a photomask defect by a focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームによるフォトマスク欠陥修正でガラス基板に注入されたガリウムを除去してガリウム注入によるフォトマスクの透過率低下を改善する。 - 特許庁

DAMAGE EVALUATION METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT MEMBER, PRODUCTION METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT MEMBER, GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR MEMBER, AND GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

化合物半導体部材のダメージ評価方法、化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜 - 特許庁

PRODUCTION METHOD OF GALLIUM PHTHALOCYANINE CRYSTAL, PHOTORECEPTOR, PROCESS CARTRIDGE, AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加

ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、感光体、プロセスカートリッジ、及び、画像形成装置 - 特許庁

The p-type nitride semiconductor layer is preferably composed of p-type gallium nitride (GaN).例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層がｐ型ガリウムナイトライド（ＧａＮ）であることが望ましい。 - 特許庁

To provide a method for producing a trialkylgallium, capable of producing the trialkylgallium in a high yield, by reacting gallium, magnesium, and an alkyl halide, without using a gallium-magnesium alloy.例文帳に追加

ガリウム−マグネシウム合金を用いることなく、ガリウムとマグネシウムとハロゲン化アルキルとの反応により高収率でトリアルキルガリウムを製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF GROWING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR OF AMORPHOUS AND POLYCRYSTALLINE STRUCTURE例文帳に追加

非晶質と多結晶の構造の窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride-based light emitting diode element of a vertical structure.例文帳に追加

垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

PRODUCTION METHOD OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND PRODUCTION METHOD OF LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法 - 特許庁

TRANSLUCENT RARE EARTH-GALLIUM-GARNET SINTERED COMPACT, ITS PRODUCTION METHOD, AND OPTICAL DEVICE例文帳に追加

透光性希土類ガリウムガーネット焼結体及びその製造方法と光学デバイス - 特許庁

The gallium nitride field plate layer 17 has an opening 19 in a second area 13c.例文帳に追加

窒化ガリウムフィールドプレート層１７は、第２のエリア１３ｃに開口１９を有する。 - 特許庁

To provide a method of growing a gallium nitride single crystal for improving characteristics of various devices, by which a high quality gallium nitride single crystal almost free of crystal defects can be manufactured.例文帳に追加

各種デバイスの特性向上のため、結晶欠陥の少ない高品質の窒化ガリウム単結晶を作製可能な窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。 - 特許庁

REFLECTIVE POSITIVE ELECTRODE AND GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

反射性正極およびそれを用いた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - 特許庁

METHOD OF GROWING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE SURFACE例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法及び基板の表面処理方法 - 特許庁

After heating gallium trioxide to 1,200-1,300 °C in the stream of gaseous nitrogen, the gaseous nitrogen is switched to gaseous ammonia, and the gallium trioxide is heated to 1,350-1,450 °C in the stream of the gaseous ammonia.例文帳に追加

三酸化ガリウムを窒素ガス気流中で１２００〜１３００℃に加熱した後、窒素ガスをアンモニアガスに切り替え、アンモニアガス気流中で１３５０〜１４５０℃に加熱する。 - 特許庁

An alignment mark 4 is formed at a part of the surface of an n-type nitride gallium substrate 2.例文帳に追加

ｎ型の窒化ガリウム基板２の表面の一部にアライメントマーク４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-quality gallium nitride single crystal thick film exhibiting no warpage and used for a semiconductor, especially a c-face ({0001} face) gallium nitride single crystal thick film.例文帳に追加

本発明は、反りがない高品質の半導体用窒化ガリウム単結晶厚膜、特に、ｃ面（｛０００１｝面）窒化ガリウム単結晶厚膜を製造する方法に関する。 - 特許庁

The off angle formed by the axis crossing orthogonally with the main surface of the gallium nitride substrate 7 and the C axis of the gallium nitride substrate 7 is larger than zero over the second region of the main surface.例文帳に追加

窒化ガリウム基板７の主面に直交する軸と窒化ガリウム基板７のＣ軸との成すオフ角度は、主面の第２の領域にわたってゼロより大きい。 - 特許庁

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT HAVING GALLIUM- CONTAINING ZINC OXIDE FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

Ｇａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子及びその製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD FOR GROWING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法 - 特許庁

A light emitting diode LED includes a laminate structure 33 comprising a gallium oxide support base 32 having a principal surface 32a made of monoclinic gallium oxide and a group III nitride.例文帳に追加

発光ダイオードＬＥＤは、単斜晶系酸化ガリウムからなる主面３２ａを有する酸化ガリウム支持基体３２と、III族窒化物からなる積層構造３３とを備える。 - 特許庁

To provide a gallium nitride semiconductor device which operates at a low voltage with high reliability.例文帳に追加

動作電圧が低く、信頼性の高い窒化ガリウム系半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for production of a gallium arsenide crystal in which cleavage fracture in the crystal can be prevented from occurring in the gallium arsenide crystal even when boron oxide is filled in a crucible.例文帳に追加

るつぼ内に酸化ホウ素を充填した場合にも、ヒ化ガリウム結晶にへき開破壊が生じることを防止できるヒ化ガリウム結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device for treating waste water containing gallium which treats the waste water containing gallium discharged from a manufacture factory of compound semiconductor wafers, a manufacture factory of devices or the like and can efficiently collect gallium as a rare and valuable metal with high concentration from the waste water having low concentration of gallium although the amount of the waste water is large.例文帳に追加

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム含有廃水を処理して、特に廃水量は大きいがガリウム濃度が希薄な廃水中から希少かつ有価金属であるガリウムを高濃度で効率的に回収することができるガリウム含有廃水の処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a gallium nitride crystal having a desired carrier concentration and fewer impurities without corroding a device for growing a crystal by accelerating a reaction of producing gallium hydride gas to contribute to improving a growth rate of the gallium nitride crystal and doping the gallium nitride crystal with oxygen as a n-dopant.例文帳に追加

水素化ガリウムガスの発生反応を促進し、窒化ガリウム結晶の成長速度を向上するのに寄与し、窒化ガリウム結晶に酸素をｎ型ドーパントとしてドープすることで、所望のキャリア濃度を有する不純物の少ない窒化ガリウム結晶を、結晶成長用装置の腐食を生ずることなく製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride gallium substrate includes a step of forming a porous nitride gallium substrate 11a having a thickness of 10 nm to 1000 nm by etching a nitride gallium substrate 11 in an atmosphere of HCl and NH_3 gas in a reaction chamber of an HVPE apparatus, and further includes a step of forming a nitride gallium growth layer 20 in a single reaction chamber by in situ process.例文帳に追加

ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 - 特許庁

To provide an apparatus for treating waste gallium-polishing water by which polished scraps of gallium being a particularly rare and valuable metal can be recovered efficiently as a high-concentration solution of several wt.% to several tens wt.% gallium by treating the waste gallium-polishing water discharged from a factory for manufacturing a wafer of a compound semiconductor, a device manufacturing factory or the like.例文帳に追加

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム研磨廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウム研磨屑を、数重量％ないし数１０重量％の高濃度で効率的に回収することを可能にするガリウム研磨廃水の処理装置を提供する。 - 特許庁

In the wet etching method of a gallium oxide single crystal for etching a gallium oxide single crystal with an HF (hydrogen fluoride) solution, a gallium oxide single crystal is immersed in an HF solution of ≥47% concentration and etched at a room temperature, thereby etching the gallium oxide single crystal in a depth direction at an etching speed of ≥60 nm/h.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶をＨＦ溶液でエッチングすることを特徴とする酸化ガリウム単結晶のウェットエッチング方法であり、例えば濃度４７％以上のＨＦ水溶液中に酸化ガリウム単結晶を浸漬して室温でエッチングすることで、酸化ガリウム単結晶を深さ方向に６０ｎｍ／ｈ以上のエッチング速度でエッチングすることができる。 - 特許庁