「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目)

表面に単結晶窒化ガリウムを有する基板上に金属膜を堆積し、前記金属膜を堆積した基板に熱処理を施して、基板の窒化ガリウム結晶中に空隙を形成し、前記窒化ガリウム結晶中に空隙を形成した基板上に、さらに窒化ガリウムを堆積させて前記空隙を埋め込み、続いて前記金属膜上に略平坦な単結晶窒化ガリウム膜を成長させる。 - 特許庁

The method of manufacturing gallium nitride system semiconductor comprises the steps of preparing a gallium oxide substrate (S1); modifying the front surface of a gallium oxide substrate into nitride, and forming a surface nitride layer having Ga-N engagement by physical and chemical pretreatment to the front surface of a gallium oxide substrate (S2); and forming a gallium nitride system semiconductor layer on the surface nitride layer (S4).例文帳に追加

本発明に伴う窒化ガリウム系半導体の製造方法は、ガリウム酸化物基板を準備する段階と;上記ガリウム酸化物基板表面に対する物理的化学的前処理により上記ガリウム酸化物基板表面を窒化物に改質させＧａ-Ｎ結合を有する表面窒化物層を形成する段階と;上記表面窒化物層上に窒化ガリウム系半導体層を形成する段階を含む。 - 特許庁

The gallium battery includes a positive-electrode layer, a negative-electrode layer that contains a gallium metal and/or a gallium alloy as a negative-electrode active material, an electrolyte layer arranged between the positive-electrode layer and the negative-electrode layer, and a pressing means for pressing the negative-electrode layer.例文帳に追加

正極層、ガリウム金属及び／又はガリウム合金を負極活物質として含む負極層、前記正極層と前記負極層との間に配設された電解質層、並びに、前記負極層を押圧する押圧手段、を備える、ガリウム電池とする。 - 特許庁

Oxygen is doped into a gallium nitride crystal through a non-C-plane by using a seed crystal having the non-C-plane on its upper surface and performing the vapor-phase growth of the gallium nitride crystal while supplying material gases including gallium, nitrogen and oxygen to be doped.例文帳に追加

非Ｃ面を上面にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながら窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより非Ｃ面を通して酸素をドーピングする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the single crystal gallium nitride substrate, the ingot 1 of a gallium nitride single crystal grown by a vapor-phase growing method is cut along specified planes S1, S2, and S3 to manufacture one or a plurality of single crystal gallium nitride substrates.例文帳に追加

単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法は、（ａ）気相成長法によって成長された窒化ガリウム単結晶のインゴット１を所定の平面Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に沿って切断して一または複数の単結晶窒化ガリウム基板７を作製する。 - 特許庁

To provide a growth method of gallium nitride crystal for restricting crack in a working process for thin film formation and growing a gallium nitride crystal with a large thickness and to provide a gallium nitride crystal substrate, epitaxial wafer and a production process of the epitaxial wafer.例文帳に追加

薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the growth method of gallium nitride crystal, the gallium nitride crystal is grown by the hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method on a base substrate by using carrier gas, row material of gallium nitride and gas including silicon as dopant.例文帳に追加

窒化ガリウム結晶の成長方法は、キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法である。 - 特許庁

An aluminum nitride gallium indium growth superlattice structure of silicon minor cycle heavy dope includes the minor cycle superlattice digital contacting layer which is used as an n-type contacting layer of the low electric resistance value of an indium nitride gallium/gallium nitride multiquantum well structure light emitting diode.例文帳に追加

シリコン短周期ヘビードープの窒化アルミニウムガリウムインジウム成長超格子構造は窒化インジウムガリウム／窒化ガリウム多重量子井戸構造発光ダイオードの低電気抵抗値のｎ型コンタクト層とされる短周期超格子デジタルコンタクト層を具備する。 - 特許庁

The light emitting device is characterized in that gallium nitride crystal is formed on a gallium oxide single-crystal substrate surface by nitriding a gallium oxide single-crystal substrate containing at least one element selected from Si, Ge, Sn and Al.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＡｌから選択された少なくとも一種の元素を含有する酸化ガリウム単結晶基板を窒化処理し、該酸化ガリウム単結晶基板表面に窒化ガリウム結晶を形成してなることを特徴とする発光素子。 - 特許庁

In a semiconductor device, gallium nitride semiconductor layers are stacked on a high-concentration silicon substrate, and an active region to which main current flows is surrounded by a non-doped gallium nitride compound semiconductor layer on the surface at the gallium nitride semiconductor layers side.例文帳に追加

高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、主電流の流れる活性領域の周囲がノンドープ窒化ガリウム化合物半導体層により方位される構成の半導体装置とする。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING CRACK-FREE GALLIUM NITRIDE THICK FILM BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD例文帳に追加

ヒドリド気相エピタクシー成長法による無クラックガリウムナイトライド厚膜の製造方法 - 特許庁

TRIMETHYLGALLIUM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND THIN GALLIUM NITRIDE FILM OBTAINED FROM THE TRIMETHYLGALLIUM例文帳に追加

トリメチルガリウム、その製造方法およびそのトリメチルガリウムから得られた窒化ガリウム薄膜 - 特許庁

Silicate having meso pores and containing gallium (solid acid catalyst) is obtained by using 8-30C alkyltrimethylammonium as a template to introduce gallium into crystalline silicate.例文帳に追加

Ｃ_8-30アルキルトリメチルアンモニウムをテンプレートとして、結晶性シリケートにガリウムを導入することにより、メソ孔を有し、かつガリウムを含有するシリケート（固体酸触媒）を得る。 - 特許庁

To provide a Schottky electrode for a gallium oxide single crystal substrate which has a superior Schottky property for the gallium oxide single crystal substrate and is obtained in an easy method.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶基板とのショットキー性に優れると共に簡便な方法で得ることができる酸化ガリウム単結晶基板用ショットキー電極を提供する。 - 特許庁

To provide a gallium oxide powder excellent in dispersibility as a gallium oxide powder from which a sputtering target like an In-Ga-Zn composite oxide can be manufactured suitably.例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ複合酸化物などのようなスパッタリングターゲットを好適に製造できる酸化ガリウム粉末として、分散性に優れた酸化ガリウム粉末を提案する。 - 特許庁

例文

To provide a method for manufacturing a p-type gallium nitride based semiconductor for providing a gallium nitride based semiconductor containing p-type dopant without performing activation annealing.例文帳に追加

活性化アニールを行うことなく、ｐ型ドーパントを含む窒化ガリウム系半導体を提供可能な、ｐ型窒化ガリウム系半導体を作製する方法を提供する。 - 特許庁

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