「Gallium」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

TREATMENT EQUIPMENT OF GALLIUM-CONTAINED POLISHING CHIP SUSPENSION WATER例文帳に追加

ガリウム含有研磨屑懸濁水の処理装置 - 特許庁

To provide a gallium refining method for obtaining high purity gallium inexpensively with high yield.例文帳に追加

高純度のガリウムが低コスト且つ高収率で得られるガリウムの精製方法を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法と窒化ガリウム系化合物半導体素子 - 特許庁

The device for treating waste water containing gallium is equipped with a membrane separating means to concentrate gallium in the waste water containing gallium and with a gallium adsorbing means where the concentrated water by the membrane separating means is introduced and the gallium in the concentrated water is adsorbed.例文帳に追加

ガリウム含有廃水中のガリウムを濃縮する膜分離手段と、膜分離手段の濃縮水が導入され濃縮水中のガリウムを吸着するガリウム吸着手段とを有することを特徴とするガリウム含有廃水の処理装置。 - 特許庁

Gallium vapor is chemically reacted with ammonia gas to produce a crystal nucleus of gallium nitride in the zone 10 for producing a crystal nucleus of gallium nitride, and then the crystal nucleus of gallium nitride is transported by a nitrogen carrier gas and the like to the zone 30 for growing the gallium nitride particle.例文帳に追加

窒化ガリウム結晶核生成部１０で、ガリウム蒸気とアンモニアガスとを化学的に反応させて窒化ガリウム結晶核を生成した後、この窒化ガリウム結晶核を窒化ガリウム粒子成長部３０に窒素キャリアガスなどによって輸送する。 - 特許庁

GALLIUM-NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DIODE ELEMENT OF PERPENDICULAR STRUCTURE例文帳に追加

垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE例文帳に追加

窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法 - 特許庁

GaN (GALLIUM NITRIDE) CRYSTAL SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＧａＮ結晶基板およびその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR OF GALLIUM NITRIDE GROUP COMPOUND例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム系の単結晶基板の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法 - 特許庁

HIGH-PURITY TRIALKYL GALLIUM, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME例文帳に追加

高純度トリアルキルガリウム及びその製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE ELEMENT HAVING VERTICAL STRUCTURE例文帳に追加

垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM-NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法 - 特許庁

To provide a vertical gallium nitride semiconductor device structured to be able to realize an n-type gallium nitride film that has a desired low carrier concentration on an n-type gallium nitride substrate, and an epitaxial substrate for the vertical gallium nitride semiconductor device.例文帳に追加

所望の低キャリア濃度を有するｎ^−型窒化ガリウム膜をｎ型窒化ガリウム基板上に実現できる構造を有する縦型窒化ガリウム半導体装置のためのエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM-CONTAINING NITRIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ガリウム含有窒化物単結晶の製造方法 - 特許庁

P-TYPE GALLIUM NITRIDE THIN LAYER AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム薄膜およびその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SYSTEM SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体装置を製造する方法 - 特許庁

A powder containing nitrogen and gallium elements is produced by pulverizing a metal gallium powder or a gallium compound powder in the presence of a nitrogen compound.例文帳に追加

窒素化合物の存在下にて金属ガリウム粉末またはガリウム化合物粉末を粉砕することによって、窒素元素とガリウム元素を含む粉末を製造する。 - 特許庁

The method of manufacturing gallium nitride comprises growing a crystal of gallium nitride by reacting gallium oxide with lithium nitride in a liquid metal bath.例文帳に追加

酸化ガリウムと窒化リチウムとを、液体の金属浴中において反応させることにより、窒化ガリウムを結晶成長させる、窒化ガリウムの製造方法。 - 特許庁

ADDITIVE GAS FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体製造用添加ガス、窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法および窒化ガリウム系化合物半導体製造装置 - 特許庁

METHOD OF GROWING GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR FILM, METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR ELECTRONIC DEVICE, EPITAXIAL SUBSTRATE, AND GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体膜を成長する方法、窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法、エピタキシャル基板、及び窒化ガリウム系半導体電子デバイス - 特許庁

The gallium nitride nanowire coated with the gallium oxide layer is manufactured by heating gallium nitride nanowire having 40-50 nanometer diameter at 700-1,200°C for 12-24 hr in dry air.例文帳に追加

直径40〜50ナノメートルの窒化ガリウムナノワイヤーを乾燥空気中で、700〜1200℃に12〜24時間加熱して、酸化ガリウム層で被覆された窒化ガリウムナノワイヤーを製造する。 - 特許庁

In addition to a gallium sulfide submicrometer tube whose inside is hollow, a gallium sulfide submicrometer tube whose inside is packed with metal gallium can be obtained as well.例文帳に追加

チューブ内が中空である硫化ガリウムサブマイクロメートルチューブのほかに金属ガリウムがチューブ内に充填されている硫化ガリウムサブマイクロメートルチューブも得られる。 - 特許庁

GALLIUM HALIDE COMPLEX, METHOD OF DOPING SILVER HALIDE EMULSION GRAINS WITH GALLIUM COMPLEX COMPOSITION, GALLIUM-DOPED SILVER HALIDE EMULSION, AND PHOTOGRAPHIC EELEMENT CONTAINING THE SAME例文帳に追加

ハロゲン化ガリウム錯体、ガリウム錯体組成物をハロゲン化銀乳剤粒子にドープする方法、ガリウムドープされたハロゲン化銀乳剤およびそれを含む写真要素 - 特許庁

To provide a gallium-nitride-based light-emitting diode element having vertical structure, and to provide a manufacturing method of the gallium-nitride-based light-emitting diode element.例文帳に追加

垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR CHIP, ITS MANUFACTURING METHOD AND GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体チップ及びその製造方法ならびに窒化ガリウム系化合物半導体ウエハー - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, AND NITRIDED SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法、窒化ガリウム基板、および窒化物半導体エピタクシャル基板 - 特許庁

METHOD FOR TREATING GALLIUM PHTHALOCYANINE, GALLIUM PHTHALOCYANINE, ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, PROCESS CARTRIDGE AND ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE例文帳に追加

ガリウムフタロシアニンの処理方法、ガリウムフタロシアニン、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - 特許庁

The gallium hydride gas is made to react with a nitrogen-containing compound to grow a gallium nitride crystal.例文帳に追加

その水素化ガリウムガスを含窒素化合物と反応させることで、窒化ガリウムの結晶を成長させる。 - 特許庁

METHOD OF GROWING CRYSTALLINE GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND例文帳に追加

結晶窒化ガリウムベースの化合物の成長方法及び窒化ガリウムベース化合物を含む半導体デバイス - 特許庁

A laminar region 67 is provided within the gallium nitride substrate 63 and the gallium nitride epitaxial film 65.例文帳に追加

層状領域６７が、窒化ガリウム基板６３および窒化ガリウムエピタキシャル膜６５内に設けられている。 - 特許庁

To provide a gallium nitride system vertical transistor not using a p-type gallium nitride having higher carrier concentration.例文帳に追加

高いキャリア濃度を有するｐ型窒化ガリウムを用いること無い窒化ガリウム系縦型トランジスタを提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE FOR GALLIUM OXIDE SUBSTRATE AND ELECTRODE FOR GALLIUM OXIDE SUBSTRATE MANUFACTURED BY THE METHOD例文帳に追加

酸化ガリウム基板用電極の製造方法及びそれにより製造される酸化ガリウム基板用電極 - 特許庁

In the method for manufacturing a gallium oxide single crystal complex having a nitrided gallium modification layer containing gallium nitride (GaN) on a surface layer part of the gallium oxide (Ga_2O_3) single crystal, nitrogen ions are implanted in the surface of the gallium oxide single crystal to form a gallium nitride modification layer.例文帳に追加

酸化ガリウム（Ga_2O_3）単結晶の表層部に窒化ガリウム（GaN）を含有した窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、酸化ガリウム単結晶の表面に窒素イオンをイオン注入して窒化ガリウム変性層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法である。 - 特許庁

A gallium nitride substrate 10 has a gallium polarity c surface 10_Ga and a nitrogen polarity c surface 10_N (1.A).例文帳に追加

窒化ガリウム基板１０は、ガリウム極性のｃ面１０_Gaと窒素極性のｃ面１０_Nを有する（１．Ａ）。 - 特許庁

To obtain high purity gallium with excellent operability and in high yield by a re-crystallizing method through solidification of molten gallium.例文帳に追加

融体固化による再結晶法で高純度ガリウムを操作性よく且つ高い収率で得る。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LASER AND IMAGE ALIGNER例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体レーザ及び画像露光装置 - 特許庁

METHOD FOR ETCHING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体層のエッチング方法 - 特許庁

METHOD OF REFINING GALLIUM FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH例文帳に追加

液相エピタキシャル成長用ガリウムの精製方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体とその製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE, AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、およびこれらの製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND LIGHT-EMITTING ELEMENT USING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

Ｐ型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びＰ型窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 - 特許庁