Galliumを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2274件
METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
窒化ガリウム単結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁
GROWTH METHOD OF GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD OF GALLIUM NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加
窒化ガリウム結晶の成長方法および窒化ガリウム結晶の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE例文帳に追加
窒化ガリウムの結晶成長方法および窒化ガリウム基板の製造方法 - 特許庁
ii. Photocathodes using gallium arsenide or indium gallium arsenide as the main material 例文帳に追加
2 主材料に砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを用いた光電陰極 - 日本法令外国語訳データベースシステム
GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体素子 - 特許庁
SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR GALLIUM NITRIDE ELEMENTS例文帳に追加
窒化ガリウム系素子用半導体基板 - 特許庁
A gallium nitride eptiaxial film 65 is provided on a gallium nitride substrate 63.例文帳に追加
窒化ガリウムエピタキシャル膜65は、窒化ガリウム基板63上に設けられている。 - 特許庁
METHOD FOR RECOVERING GALLIUM AND INDIUM例文帳に追加
ガリウムおよびインジウムの回収方法 - 特許庁
Gallium telluride as a gallium raw material is reacted with a nitride source under heating.例文帳に追加
テルル化ガリウムをガリウム原料として窒素源と加熱下で反応させる。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING GALLIUM HYDRIDE GAS AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加
水素化ガリウムガスの製造方法および窒化ガリウム結晶の製造方法 - 特許庁
NITRIDE GALLIUM SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ - 特許庁
GALLIUM PHOSPHIDE-ARSENIDE MIXED CRYSTAL EPITAXIAL WAFER例文帳に追加
りん化ひ化ガリウム混晶エピタキシャルウエハ - 特許庁
APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
リン化ガリウム単結晶製造装置 - 特許庁
PACKAGE FOR GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
窒化ガリウム半導体デバイス用のパッケージ - 特許庁
GALLIUM NITRIDE TRANSISTOR THAT CAN OPERATE AT HIGH TEMPERATURES例文帳に追加
高温動作可能窒化ガリウムトランジスタ - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
砒化ガリウム単結晶の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
窒化ガリウム単結晶の育成方法 - 特許庁
GALLIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体装置 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE例文帳に追加
単結晶窒化ガリウムの製造方法 - 特許庁
GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
窒化ガリウム単結晶の製造方法 - 特許庁
GALLIUM OXIDE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
酸化ガリウム及びその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
リン化ガリウム単結晶製造方法 - 特許庁
OXIDE CONTAINING INDIUM AND/OR GALLIUM例文帳に追加
インジウム及び/又はガリウム含有酸化物 - 特許庁
At least one column thus formed contains a gallium nitride top section and gallium nitride sidewalls.例文帳に追加
少なくとも一つの柱は窒化ガリウム頂部および窒化ガリウム側壁を含む。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
窒化ガリウム基板の製造方法、および窒化ガリウム基板ならびに半導体装置 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a gallium nitride nanowire coated with a gallium oxide layer.例文帳に追加
酸化ガリウム層で被覆された窒化ガリウムナノワイヤーの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for recovering gallium from a process liquid containing copper and gallium.例文帳に追加
銅とガリウムを含む処理液からガリウムを回収する方法を提供する。 - 特許庁
The active gallium is reacted with the nitride source to produce the gallium telluride in high efficiency.例文帳に追加
このガリウムと窒素源とが反応して窒化ガリウムが高効率で製造される。 - 特許庁
The gallium telluride produced by reusing the tellurium is used as a gallium raw material.例文帳に追加
テルルを再利用して製造したテルル化ガリウムは、ガリウム原料とし使用される。 - 特許庁
GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
窒化ガリウム系半導体素子及び窒化ガリウム系半導体素子の製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SYSTEM SEMICONDUCTOR例文帳に追加
窒化ガリウム系半導体の製造方法 - 特許庁
GALLIUM NITRIDE-BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR例文帳に追加
窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ - 特許庁
METHOD FOR GROWING GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
砒化ガリウム単結晶の成長方法 - 特許庁
GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
窒化ガリウム基板及びその製造方法 - 特許庁
Thus, the high purity gallium is obtained by removing the impurities from the gallium.例文帳に追加
これにより、ガリウムから不純物を除去して高純度のガリウムが得られる。 - 特許庁
SINGLE-CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, AND CRYSTAL GROWTH METHOD OF THE SINGLE-CRYSTAL GALLIUM NITRIDE例文帳に追加
単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法 - 特許庁
Gallium phosophide fixed particles S are housed in the gallium phosophide housing part 11.例文帳に追加
ガリウム燐収容部11内には、ガリウム燐の固体粒Sが収容されている。 - 特許庁
METHOD FOR ELECTROLYTIC REFINING GALLIUM AND DEVICE THEREFOR例文帳に追加
ガリウムの電解精製法および装置 - 特許庁
GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR MULTILAYER STRUCTURE例文帳に追加
窒化ガリウム系半導体積層構造体 - 特許庁
| ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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