「Inas」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor substrate 1 is formed of a III-V compound semiconductor such as InAs, and ferromagnetic fine wires 2 of ferromagnetic transition metal such as Fe, preferably each being 0.2 to 3 μm in width, 1 to 4,000 μm in length, and 10 to 100 nm in height, are formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ＩｎＡｓなどのIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板１上に、Ｆｅなどの強磁性遷移金属からなる強磁性細線２を、好ましくは幅０．２〜３μｍ、長さ１〜４０００μｍ、高さ１０〜１００ｎｍに形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device, a conductive layer 12 composed of undoped InAs grown by the MBE method is provided on an insulating semiconductor substrate 11 composed of a GaAs crystal, and ohmic electrodes 13 and 14 which are used for injecting an electric current into the conductive layer 12 are provided on the layer 12.例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶からなる絶縁性半導体基板１１上に、ＭＢＥ法によって成長したノンドープＩｎＡｓからなる導電層１２を設け、この導電層１２に電流を注入するために用いるオーム型の電極１３，１４を設けている。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor laminate having a structure in which an active layer such as an InAs layer is directly formed on a substrate such as GaAs, which has a high reliability and a small deterioration of electron mobility for a bulk single crystal.例文帳に追加

ＩｎＡｓ層等の活性層を直接ＧａＡｓ等の基板上に形成した構造の化合物半導体積層体であって、信頼性が高く、かつ、バルク単結晶に対して電子移動度の低下が小さい化合物半導体積層体を提供すること。 - 特許庁

The spin electronics material which shows an electronic phenomenon depending on the spin is formed by a heterojunction of a III-V group semiconductor which consists of GaAs, AlAs, InAs or their mixed crystals with a sphalerite type CrAs.例文帳に追加

この発明のスピンエレクトロニクス材料は、スピンに依存した電子現象を発揮する材料であって、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓあるいはそれらの混晶からなるＩＩＩ−Ｖ族半導体と、閃亜鉛鉱型ＣｒＡｓとのヘテロ接合からなる、ことを特徴としている。 - 特許庁

In the semiconductor device, an AlSb buffer layer 31 is formed on an Si substrate 30 which makes little absorption in a terahertz region and an InAs layer 32 is epitaxially grown on the buffer layer 31 as a crystalline semiconductor layer used for generating a terahertz wave L2.例文帳に追加

テラヘルツ領域でほとんど吸収がないＳｉ基板３０を用い、このＳｉ基板３０上に、ＡｌＳｂバッファ層３１を形成し、さらにバッファ層３１上に、テラヘルツ波の発生に用いられる半導体結晶層としてＩｎＡｓ層３２をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 of the present invention includes MQW 3 in which (InAs/GaSb) is repeatedly laminated on a GaSb substrate 1 and a plane direction of the GaSb substrate is (100) with an off angle within a range from 0.1° to 10° in a direction A (111).例文帳に追加

本発明の半導体装置１０は、ＧａＳｂ基板１の上に、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層されたＭＱＷ３を有し、ＧａＳｂ基板の面方位が（１００）であり、かつ（１１１）Ａ方向に０．１°以上１０°以下のオフ角がついていることを特徴とする。 - 特許庁

The present invention relates to an MSM type light receiving element including a light absorption layer, that absorbs light and generates an electron-hole pair and at least one Schottky contact type electrode, wherein the light absorption layer includes an InAs layer or an InSb layer.例文帳に追加

光を吸収し電子−正孔対を生成する光吸収層と、少なくとも一つのショットキー接触型電極と、を有する金属−半導体−金属（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ：ＭＳＭ）型受光素子であって、光吸収層がＩｎＡｓ層又はＩｎＳｂ層を含む。 - 特許庁

By forming an In_1-xGa_xAs polycrystalline thin film whose Ga composition x satisfies 0<x<0.5 on a glass substrate or a plastic substrate by a molecular beam deposition method, an n type III-V compound semiconductor polycrystalline thin film having the band gap larger than InAs and the sufficient electric conductivity is obtained.例文帳に追加

Ｇａ組成ｘが０＜ｘ＜０．５を満たすＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ多結晶薄膜を、分子線蒸着法によってガラス基板又はプラスチック基板上に形成することで、バンドギャップがＩｎＡｓより大きく、十分な電気伝導性を持ったｎ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を得る。 - 特許庁

The forming method of quantum dot includes a first formation step of forming a first semiconductor layer (120), containing GaAs on a substrate (110); and a second formation step of casting In and As each on the first semiconductor layer and forming a second semiconductor layer (130) containing InAs, after the substrate temperature of the substrate is set at a temperature between 480°C and 530°C.例文帳に追加

量子ドットの形成方法は、基板（１１０）上にＧａＡｓを含んでなる第１半導体層（１２０）を形成する第１形成工程と、基板の基板温度を摂氏４８０度及び摂氏５３０度の間の温度にした後に、第１半導体層の上に、Ｉｎ及びＡｓを夫々照射して、ＩｎＡｓを含んでなる第２半導体層（１３０）を形成する第２形成工程とを備える。 - 特許庁