「LEr」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma-etching method which prevents the surface and the sidewall of ArF photoresist from being roughened when high anisotropy plasma-etching is performed by applying a high bias voltage, and forms a pattern of a desired shape by controlling occurrence of striation, LER and LWR, and to provide a computer storage medium.例文帳に追加

高いバイアス電圧を印加した異方性の高いプラズマエッチングを行う際においても、ＡｒＦフォトレジストの表面及び側壁の荒れを抑制することができ、ストライエーション、ＬＥＲ、ＬＷＲの発生を抑制して所望形状のパターンを精度良く形成することのできるプラズマエッチング方法及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition containing, as a base material, a molecular material capable of reducing LER and LWR in EUV lithography capable of forming an ultrafine pattern, and giving a resist film which ensures low outgassing in EUV exposure and has high etching resistance, and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

極微細パターンを形成可能なＥＵＶリソグラフィーにおいて、ＬＥＲ及びＬＷＲの低減が可能な分子性材料を基盤材料として含有するレジスト組成物であって、ＥＵＶ露光時でのアウトガスが低く、またエッチング耐性の高いレジスト膜を与えるレジスト組成物、およびこれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new detergent for lithography that can keep a low surface tension even when the concentration of a surfactant is decreased, can effectively suppress pattern collapse and defects, can improve uneven pattern width (line width roughness: LWR) and minute recesses and projections (line edge roughness: LER) on a pattern side wall, and prevents a dimensional fluctuation of a resist pattern.例文帳に追加

界面活性剤の濃度を低くしても低表面張力を維持することができ、効果的にパターン倒れやディフェクトを抑制することができ、パターン幅の不均一（ＬＷＲ）・パターン側壁の微小な凹凸（ＬＥＲ）を改善することができ、さらにレジストパターンの寸法変動を生じることのない新規なリソグラフィー用洗浄剤を提供する。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent for a freezing process that meets the requirement that (1) the line width of a first resist pattern does not fluctuate and (2) the line edge roughness (LER) of the first resist pattern does not deteriorate, by a freezing process in a freezing process that is applied to the first resist pattern in a double patterning method, and a pattern forming method using it.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理によって、（１）第一のレジストパターンの線幅が変動しない、（２）第一のレジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が悪化しない、という要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the technical problem in microfabrication of a photomask and semiconductor element, especially providing a chemically amplified positive resist composition which satisfies high sensitivity, high resolution (for instance, high resolution power), excellent exposure latitude (EL) and excellent line edge roughness (LER) simultaneously, and a resist film, a resist-coated mask blank and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

フォトマスク・半導体素子の微細加工における技術課題を解決することであり、特に高い感度、高い解像性（例えば、高い解像力）、良好な露光ラチチュード（ＥＬ）及び良好なラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を同時に満足する化学増幅ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoacid generator for preparing a resist composition forming an excellent pattern shape because of excellent resolution, a wide margin of depth of focus (DOF), a small line edge roughness (LER) and further high sensitivity, and to provide a polymerizable monomer for preparing the photoacid generator in the resist composition composed of a resin having an acid unstable group and functioning as a positive resist, the acid generator and a solvent, etc.例文帳に追加

酸不安定性基を有しポジ型レジストとして機能する樹脂、酸発生剤および溶剤などからなるレジスト組成物において、解像度に優れ、焦点深度余裕（ＤＯＦ）が広く、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が小さく、さらには感度が高いことから優れたパターン形状を形成できるたレジスト組成物を調製するための光酸発生剤およびそれを調製するための重合性単量体を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a pattern of a good shape by having an excellent resolution, sensitivity and LER, and an excellent scum suppressing property by containing a specific guanidine compound while suppressing a PEB temperature dependence, and provide a resist film formed using the composition and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

特定のグアニジン化合物を含有することにより、スカム低減性に優れ、解像性が優れることにより良好な形状のパターンを形成することができ、感度、ＬＥＲにも優れ、更にＰＥＢ温度依存性の抑制された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、この組成物を用いて形成されたレジスト膜、並びに、この組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁