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MASK patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5189件
METHOD OF CORRECTING MASK PATTERN AND PHOTOMASK例文帳に追加
マスクパターン補正方法及びフォトマスク - 特許庁
Then, mask patterns after correcting are created for every mask pattern by performing pattern correction to the mask patterns using the amount of the pattern correction for every mask pattern.例文帳に追加
そして、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成する。 - 特許庁
MASK, MANUFACTURING METHOD OF THE MASK, PATTERN FORMING METHOD AND WIRING PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加
マスク、マスクの製造方法、パターン形成方法、配線パターン形成方法 - 特許庁
The first pattern is transferred to a mask layer by etching the mask layer making the first pattern as the mask.例文帳に追加
第1のパターンをマスクとしてマスク層をエッチングしてマスク層に第1のパターンを転写する。 - 特許庁
MASK PATTERN DIVIDING METHOD, MASK PATTERN DIVIDING PROGRAM, AND METHOD OF MANUFACTURING EXPOSURE MASK AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
マスクパターン分割方法、マスクパターン分割プログラム、露光用マスクおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁
PATTERN DRAWING DEVICE, PATTERN DRAWING METHOD AND MASK FOR PATTERN DRAWING例文帳に追加
パターン描画装置、パターン描画方法及びパターン描画用のマスク - 特許庁
The exposure device 10 exposes a wafer 7 to light, by using a mask pattern 30 having a metal wiring mask pattern 31 and an identification mask pattern 32, and a mask pattern 40 having a metal wiring mask pattern 41 and an identification mask pattern 42.例文帳に追加
露光装置10は、金属配線マスクパターン31及び識別マスクパターン32を有するマスクパターン30と、金属配線マスクパターン41及び識別マスクパターン42を有するマスクパターン40とを用いてウエハ7を露光する。 - 特許庁
GRAY TONE MASK AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加
グレートーンマスク及びパターン転写方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING MASK HAVING AUXILIARY PATTERN例文帳に追加
補助パターン付きマスクの製造方法 - 特許庁
MASK PATTERN VERIFICATION METHOD AND PROGRAM例文帳に追加
マスクパターン検証方法およびプログラム - 特許庁
METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN AND PHOTOMASK例文帳に追加
マスクパターン補正方法およびフォトマスク - 特許庁
MASK PATTERN GENERATION METHOD AND PHOTOMASK例文帳に追加
マスクパターン生成方法およびフォトマスク - 特許庁
FINE PATTERN MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR FORMING FINE PATTERN USING FINE PATTERN MASK例文帳に追加
微細パターンマスクおよびその製造方法、ならびにそれを用いた微細パターンの形成方法 - 特許庁
PATTERN TRANSFER MASK, METHOD FOR MANUFACTURING MASK AND EXPOSURE METHOD例文帳に追加
パターン転写用マスク、マスク作製方法及び露光方法 - 特許庁
TRANSFER MASK BLANK, TRANSFER MASK AND PATTERN EXPOSURE METHOD例文帳に追加
転写マスクブランク及び転写マスク並びにパターン露光方法 - 特許庁
PHASE SHIFT MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN例文帳に追加
位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING MASK PATTERN, METHOD AND PROGRAM FOR MANUFACTURING MASK例文帳に追加
マスクパターンの作成方法、マスクの製造方法およびプログラム - 特許庁
MASK SET, METHOD FOR CREATING MASK DATA AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加
マスクのセット、マスクデータ作成方法及びパターン形成方法 - 特許庁
HALFTONE MASK AND METHOD OF MANUFACTURING PATTERN SUBSTRATE USING THE MASK例文帳に追加
ハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法 - 特許庁
EXPOSURE MASK AND METHOD FOR DESIGNING PATTERN OF WIRING LAYER MASK例文帳に追加
露光用マスク及び配線層マスクのパターン設計方法 - 特許庁
MASK PATTERN CREATING METHOD, CREATING APPARATUS, AND MASK FOR EXPOSURE例文帳に追加
マスクパターンの作成方法、作成装置及び露光用マスク - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR MULTIPLYING MASK PATTERN PARTIALLY AND MASK STRUCTURE例文帳に追加
マスクパターン偏倍方法、偏倍装置及びマスク構造体 - 特許庁
The third layer is etched using the mask pattern as an etching mask.例文帳に追加
マスクパターンをエッチングマスクとして第3の層をエッチングする。 - 特許庁
METHOD FOR CREATING MASK PATTERN OF MASK FOR EXPOSURE FOR FORMING DIFFUSION LAYER例文帳に追加
拡散層形成用露光マスクのマスクパターン作製方法 - 特許庁
METHOD OF CREATING MASK PATTERN DATA AND METHOD FOR MANUFACTURING MASK例文帳に追加
マスクパターンデータの生成方法およびマスクの製造方法 - 特許庁
PHASE SHIFT MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加
位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法 - 特許庁
PATTERN INSPECTION METHOD, EXPOSURE MASK, AND PATTERN INSPECTION PROGRAM例文帳に追加
パターン検査方法、露光用マスク、およびパターン検査プログラム - 特許庁
MASK, RESIST PATTERN, AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN例文帳に追加
マスク及びレジストパターン並びにレジストパターンの形成方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING PATTERN, PATTERN PROCESSOR AND EXPOSURE MASK例文帳に追加
パターン形成方法、パターン処理装置および露光マスク - 特許庁
EXPOSURE MASK, PATTERN FORMING DEVICE AND PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加
露光用マスク、パターン形成装置及びパターン形成方法 - 特許庁
METHOD FOR DIVIDING MASK PATTERN AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN例文帳に追加
マスクパターン分割方法およびレジストパターン形成方法 - 特許庁
MASK PATTERN FOR FINE STRUCTURE FORMATION EXPERIMENT例文帳に追加
微細構造形成実験用マスクパターン - 特許庁
PROBING PAD, MASK PATTERN, AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加
プロービングパッド、マスクパターン、及び電子デバイス - 特許庁
METHOD FOR CORRECTING PROXIMITY EFFECT OF MASK PATTERN例文帳に追加
マスクパターンの近接効果補正方法 - 特許庁
PLASMA ETCHING METHOD ACCOMPANIED WITH PATTERN MASK例文帳に追加
パターンマスクを伴うプラズマエッチングの方法 - 特許庁
PHASE SHIFT MASK AND PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加
位相シフトマスク及びパターン形成方法 - 特許庁
PATTERN FORMING METHOD AND PHASE SHIFT MASK例文帳に追加
パターン形成方法及び位相シフトマスク - 特許庁
MASK PATTERN CORRECTION METHOD AND CORRECTION DEVICE例文帳に追加
マスクパターン補正方法及び補正装置 - 特許庁
MASK PATTERN FOR FINE STRUCTURE FORMING EXPERIMENT例文帳に追加
微細構造形成実験用マスクパターン - 特許庁
MASK PATTERN APPEARANCE INSPECTION METHOD, PROGRAM THEREFOR, AND MASK PATTERN APPEARANCE INSPECTION APPARATUS例文帳に追加
マスクパターン外観検査方法及びそのプログラム及びマスクパターン外観検査装置 - 特許庁
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