「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of manufacturing the optical waveguide substrate including an optical element and an optical waveguide 5 optically connected to the optical element, a composite substrate having a substrate 4 which can be etched and an etching stop member 2 provided on one face of the substrate is prepared, and a mask having a desired pattern is formed on the substrate which can be etched.例文帳に追加

光学素子と、該光学素子に光学的に接続された光導波路３と、を備える光導波路基板を作製する方法において、エッチング可能な基板４と、該基板の一方の面に設けられたエッチングストップ部材２と、を有する複合基板を準備し、上記エッチング可能な基板上に、所望のパターンを有するマスクを形成する。 - 特許庁

In a semiconductor substrate having a limited active region where a first portion for forming a gate electrode and a second portion for forming a bit line contact and a third portion for forming a storage node contact of a capacitor are included, a mask pattern which covers a top surface of the semiconductor substrate so that only the first and the second portions are exposed is used.例文帳に追加

ゲート電極を形成するための第１部分と、ビットラインコンタクトを形成するための第２部分と、キャパシタのストレージノードコンタクトを形成するための第３部分とを含む活性領域が限定された半導体基板において、前記第１及び第２部分のみを露出させるように前記半導体基板の上面を覆うマスクパターンを用いる。 - 特許庁

A mask blank is characterized in when a chemistry amplification type resist film 4 for electron beam exposure is formed on a shading type film 3 and a resist pattern 4a is formed, a deactivation suppression film (not illustrated) having higher film density than film density near the front surface of the shading film 3 at least and suppressing the deactivation of the resist film 4.例文帳に追加

遮光性膜３上に電子線露光用化学増幅型レジスト膜４を形成し、レジストパターン４ａを形成する際に、少なくとも前記遮光性膜３の表面近傍の膜密度よりも高い膜密度を有し、前記レジスト膜４の失活を抑制する失活抑制膜（図示せず）が形成されていることを特徴とするマスクブランク。 - 特許庁

In the stepwise movement of the substrate stage, the stand-by time from the time when the position change from the target position where the substrate stage should stop is in a predetermined tolerance, until the time when exposure of the mask pattern image onto each exposure region of the photosensitive substrate is started is controlled depending on the time for exposure onto each exposure region on the photosensitive substrate.例文帳に追加

基板ステージのステッピング移動において基板ステージの停止すべき目標位置からの位置変動が所定の許容範囲内に収まった時点から感光性基板上の各露光領域へのマスクのパターンの像の露光を開始する時点までの待機時間を感光性基板上の各露光領域への露光時間に基づいて制御する。 - 特許庁

The color filter substrate 100 has a plurality of color filters through patterning processes, such as pattern exposure, by the use of exposure mask having the transflective region at the end of the transmissive region, development, and post baking so that an overlap step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a can be reduced to a height of 0.5 m or smaller.例文帳に追加

本発明のカラーフィルタ基板１００は、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像、ポストベーク等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成しているので、ブラックマトリクス２１ａ上に形成される着色フィルタのオーバーラップ（重なり）段差を０．５μｍ以下にすることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a shadow mask in which fluctuation in resist pattern dimensions after development treatment is suppressed by making uniform the sensitivity in width direction of a resist film formed on both sides of a metal substrate, in the resist coating process for forming the resist film by coating a photoresist on both sides of the long metal substrate and drying in a drying chamber.例文帳に追加

長尺の金属基材の両面にフォトレジストを塗布し、乾燥チャンバーで乾燥してレジスト膜を形成するレジスト塗布工程において、金属基材の両面に形成されたレジスト膜の幅方向の感度を均一化して現像処理後のレジストパターン寸法のバラツキを抑えたシャドウマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an array substrate for a liquid crystal displaying apparatus that can form a low molecular organic semiconductor material with very weak moisture resistance, without using a shadow mask, by a micro pattern that is adjustable up to several μm, and then utilizes the low molecular organic semiconductor material without damaging a micro patterned low molecular organic semiconductor layer.例文帳に追加

本発明は、水分に非常に弱い特性を有する低分子有機半導体物質をシャドーマスクを利用しないで数μｍまで調節可能な微細パターンで形成することができ、微細パターンされた低分子有機半導体層の損傷なしに低分子有機半導体物質を利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a creating method and apparatus of drawing data for making short the movement distance of a stage that moves in a field unit in pattern drawing due to an electron beam, drawing data, a drawing method, a mask and its manufacturing method, a semiconductor device and its manufacturing method, a program for drawing data creation, and a computer readable record medium where the program is recorded.例文帳に追加

電子線によるパターン描画の際にフィールド単位に移動するステージの移動距離をより短くする描画データの作成方法及び装置、描画データ、描画方法、マスク及びこの作成方法、半導体装置及びこの製造方法、描画データ作成用プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体を提供すること。 - 特許庁

The lead wire layer is formed by precipitating aluminum on the base following the first mask pattern and the bridge layer is formed by connecting each of bridge wires 41 extending to vertical direction of the base to each of the lead wires 50 on the lead wire layer and forming aluminum precipitation to let grow in the direction vertical to the base.例文帳に追加

リード線層は、ベース上に、第１のマスクパターンに従ってアルミを析出させることにより形成され、ブリッジ層は、前記リード線層の個々のリード線（５０）にそれぞれ接続しつつ前記ベースの垂直方向に伸びるブリッジ線（４１）の各々を、アルミの析出を前記ベースの垂直方向に成長させて形成することにより、形成される。 - 特許庁

In the electron beam lithography device and the method for correcting the displacement amount, the backside shape distribution data of a place abutting on the pin of the pinch chuck are extracted from the backside shape distribution data of the EUV mask required for correcting the positional misalignment of a pattern, and the displacement amount is calculated only from the extracted backside shape distribution data.例文帳に追加

パターンの位置ずれ補正するために必要なＥＵＶマスクの裏面形状分布データのうち、前記ピンチャックのピンに接触する箇所の裏面形状分布データを抽出し、この抽出された裏面形状分布データのみから、前記位置ずれ量を算出する電子ビーム描画装置及び位置ずれ量補正方法を提供する。 - 特許庁

An insulating film is formed on a substrate; after forming a photoresist pattern on the insulating film, a trench, having a first dimension, is formed on the insulating film through a first etching process using the photoresist as a mask; and the insulating film, including the trench, is etched through a second etching process and an expanded trench, having a second dimension, is formed.例文帳に追加

基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンをマスクとして利用する第１食刻工程を通じて絶縁膜に第１寸法を有するトレンチを形成し、トレンチを含む絶縁膜を第２食刻工程を通じて食刻し、第２寸法を有する拡張されたトレンチを形成する。 - 特許庁

When realizing a ready-to-win state in varying the patterns for successively stopping a variation of the patterns in a prescribed order by variably displaying the plural patterns, semitransparentizing processing for thinly showing the stopping still pattern in a finish state with one more pieces (in a mahjong) is applied by thinning-out processing using a mask or VDP processing having a function for changing transmissivity.例文帳に追加

複数の図柄を変動表示させ、図柄の変動を所定の順番で順次停止させる図柄変動中で、リーチ状態が成立した場合に、マスクを用いた間引き処理、または透過率を変化させる機能を持ったＶＤＰ処理により、テンパイ中の停止した静止図柄を薄く見せる半透明化処理を施す。 - 特許庁

A transfer layer composed of a release layer 22, a mask metal pattern 24, the alignment layer 26, a buffer layer 28, an electrode 30, a protective layer 32, and a color filter layer 34 is formed on a temporary substrate 20 without limiting manufacturing conditions and thereafter, the transfer layer is transferred/formed via an adhesive layer 36 on the plastic film 10.例文帳に追加

仮基板２０の上に、剥離層２２、マスク金属パターン２４、配向膜２６、バッファ層２８、電極３０、保護層３２及びカラーフィルタ層３４から構成される転写層を製造条件が制限されることなく形成した後に、プラスチックフィルム１０の上に接着層３６を介して転写層を上下反転した状態で転写・形成する。 - 特許庁

The field electron emitting element is manufactured by forming a cathode electrode 5, an insulation layer 6 and a gate electrode 7 on a substrate 4, forming the carbon film 8 on whole surface, forming a resist film 24, exposing and developing the resist film 24 in a prescribed pattern by using a mask, etching the carbon film 8 by using the resist film 24, and by removing the resist film 24.例文帳に追加

基板４上にカソード電極５、絶縁層６およびゲート電極７を形成し、炭素膜８を全面に形成し、レジスト膜２４を形成し、マスク２５を用いてレジスト膜２４を所定のパターンに露光、現像し、現像後のレジスト膜２４をマスクとして炭素膜８をエッチングし、レジスト膜２４を除去して電界電子放出素子を製造している。 - 特許庁

The exposure equipment 1 makes exposure light 11a, 12a emitted from two light sources (a first light source 11 and a second light source 12) transmit through different light transmission areas respectively, in a predetermined pattern of a mask 13, and irradiate regions corresponding to respective bisected regions of each picture element or pixel of the alignment material film formed on an exposure object member 2.例文帳に追加

露光装置１は、２個の光源（第１の光源１１及び第２の光源１２）から出射した露光光１１ａ，１２ａを、マスク１３の所定のパターンにおける夫々異なる光透過領域に透過させ、露光対象部材２上に形成された配向材料膜の各絵素又は画素の各分割領域に対応する領域に照射する。 - 特許庁

This mask for exposure comprises: a substrate; the photocatalyst containing layer formed on the substrate and at least containing the photocatalyst; an inorganic oxide layer formed on the photocatalyst containing layer; and a shielding portion formed in a pattern on the inorganic oxide layer.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材上に形成され、少なくとも光触媒を含有する光触媒含有層と、前記光触媒含有層上に形成された無機酸化物層と、前記無機酸化物層上にパターン状に形成された遮蔽部とを有することを特徴とする露光用マスクを提供する。 - 特許庁

A first hydrogen barrier film 101, a lower electrode film 30, a ferroelectric film 4, an upper electrode film 50 and a second hydrogen barrier film 102 are sequentially deposited on a silicon substrate 1 via an insulating film 2, the film 102 and the film 50 are sequentially etched by using a mask 103, and an upper electrode 5 is pattern formed.例文帳に追加

シリコン基板１上に絶縁膜２を介して、第１の水素バリア膜１０１、下部電極膜３０、強誘電体膜４、上部電極膜５０及び第２の水素バリア膜１０２を順次堆積し、マスク１０３を用いて水素バリア膜１０２及び上部電極膜５０を順次エッチングして上部電極５をパターン形成する。 - 特許庁

The aligner comprises a projection optical system having a plurality of reflectors (M1-M6) performing exposure and transfer of a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate using extreme ultravoilet light wherein at least one of the plurality of reflectors is held in a state insulated from the outside.例文帳に追加

極端紫外光を用いて、マスクに形成されたパターンを感応基板上に露光転写するための複数の反射鏡（Ｍ１−Ｍ６）を有する投影光学系を備えた露光装置であって、前記複数の反射鏡のうち、少なくとも１つの反射鏡を外部と絶縁した状態で保持することを特徴とする露光装置である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a metal mask for screen printing which can meet the requirements of an ultrafine and high definition pattern by significantly improving the followability in case a second dry film resist is formed on a first metallic film through the procedure to positively remove a first dry film resist after the first metallic film is formed by plating using the first dry film resist.例文帳に追加

第１のドライフィルムレジストを利用して第１の金属膜メッキを形成した後、第１のドライフィルムレジストを積極的に除去することにより、第２のドライフィルムレジストを第１金属膜上に形成する場合の追従性を著しく改善して、極微細でかつ高精細なパターンの要求に答えられるスクリーン印刷用メタルマスクの製造方法を得る。 - 特許庁

The intensity computation is performed on a forward scatter term and a backward scatter term of an exposure intensity distribution function, the proximity effect is corrected by varying the size of a mask pattern so that the width of an exposure intensity distribution of specific energy intensity becomes equal to design size, and an area density method is used for the backward scatter intensity computation.例文帳に追加

露光強度分布関数における前方散乱項及び後方散乱項の強度計算を行い、所定のエネルギー強度における露光強度分布の幅が設計寸法と一致するようにマスクパターンの寸法を変更して近接効果補正を行うこと、また、後方散乱強度計算に面積密度法を用いることを特徴とする。 - 特許庁

The mask stage to be mounted on the stepper for transferring a fine pattern on the resist of a substrate by photolithography for holding the gas for preventing the resist of the substrate from oxidation is characterized, by forming with ceramics-metal composite material and by forming a compacted film over the surface of the ceramics-metal composite.例文帳に追加

微細なパターンをフォトリソグラフィーにより基板のレジストに転写する露光装置に搭載されるマスクステージであって、該基板のレジストの酸化防止をするための気体を収容するマスクステージがセラミックス−金属複合材料からなり、かつ、該セラミックス−金属複合材の表面に緻密質の膜が形成されていることを特徴とする露光装置用マスクステージ。 - 特許庁

In the exposure device equipped with a projection optical system having a plurality of reflectors for exposure transferring a pattern formed on a mask to a photosensitive substrate by using extreme UV-light, at least one of the plurality of reflectors is provided with an apparatus 111 for monitoring the reflectivity of exposure light.例文帳に追加

極端紫外光を用いて、マスクに形成されたパターンを感応基板上に露光転写するための複数の反射鏡を有する投影光学系を備えた露光装置であって、前記複数の反射鏡のうち、少なくとも１つに露光光の反射率を監視する機器１１１を備えたことを特徴とする露光装置である。 - 特許庁

The pattern forming method includes: a step of selectively forming an under active layer containing a polymerization initiator on a surface of a layer to be etched on a substrate; a step of forming a polymer layer on the under active layer by living radical polymerization of an organic monomer; and a step of selectively etching the layer to be etched through the polymer layer as a mask.例文帳に追加

基材の被エッチング層表面に重合開始剤を含む下地活性層を選択的に形成する工程と、有機モノマーをリビングラジカル重合させて前記下地活性層に重合体層を形成する工程と、前記重合体層をマスクとして前記被エッチング層を選択的にエッチングする工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A first hydrogen barrier film 101, a lower electrode film 30, a ferroelectric film 4, an upper electrode film 50 and a second hydrogen barrier film 102 are deposited sequentially on a silicon substrate 1 through an insulation film 2 and then the hydrogen barrier film 102 and the upper electrode film 50 are etched sequentially using a mask 103 to form the pattern of an upper electrode 5.例文帳に追加

シリコン基板１上に絶縁膜２を介して、第１の水素バリア膜１０１、下部電極膜３０、強誘電体膜４、上部電極膜５０及び第２の水素バリア膜１０２を順次堆積し、マスク１０３を用いて水素バリア膜１０２及び上部電極膜５０を順次エッチングして上部電極５をパターン形成する。 - 特許庁

The mask for lithography has divided patterns B1 to B5, and B9 formed by dividing an exposure pattern into a plurality of patterns and combines divided patterns for exposure, and divided parts of the divided patterns are characterized in that the divided patterns S1 and S2 mesh each other and opposite sides of the divided patterns are inverse patterns S2 and S3 which can mesh each other.例文帳に追加

露光パターンを複数に分割して形成される分割パターンＢ１〜Ｂ５、Ｂ９を有し、分割パターンを組み合わせて露光を行うためのリソグラフィ用マスクであって、分割パターンの分割部は分割パターンどうしＳ１、Ｓ２がかみ合う形状となっており、分割パターンの対向する辺は互いにかみ合わせ可能な逆パターンＳ２、Ｓ３となっている。 - 特許庁

Given that a direction in which solvent gas flows on the substrate and a direction in which drying gas flows on the substrate match each other, spots in plane of the substrate which are supplied with more solvent than the other are dried sooner by drying gas, and given that supply of solvent gas and supply of drying gas are repeated, penetration of the solvent into the inside of the pattern mask can be restricted.例文帳に追加

溶剤ガスが基板上を流れる方向と、乾燥用のガスが基板上を流れる方向とが互いに揃うことで基板の面内で溶剤が多く供給される箇所が乾燥用のガスにより早く乾燥し、溶剤ガスの供給と乾燥用のガスの供給とを繰り返すことで、パターンマスク内部への溶剤の浸透を抑えることができる。 - 特許庁

A mask RT for measurement is provided with a glass base plate 60 having a pattern surface where patterns 67i,j for measurement are formed, an opening plate 66 in which a plurality of pinholes 70i,j individually corresponding to the respective patterns for measurement are formed, condensing lenses 65i,j disposed individually corresponding to the patterns for measurement on the incident side of the glass base plate and the like.例文帳に追加

計測用マスクＲ_Tは、計測用パターン６７_i,jが形成されたパターン面を有するガラス基板６０、該ガラス基板の射出側に配置され、各計測用パターンに個別に対応する複数のピンホール７０_i,jが形成された開口板６６、ガラス基板の入射側に計測用パターンに個別に対応して配置された集光レンズ６５_i,_j等を備える。 - 特許庁

Between a laser beam oscillator 10 and a printed wiring board 20 being a member to be worked, a polygon mirror 11, a mask 12 having a plurality of holes in a line providing for a working pattern, a galvanomirror 16, and a working lens 17 are arranged successively, and then laser beam from the laser beam oscillator is made to project on the printed wiring board successively through the forementioned elements.例文帳に追加

レーザ発振器１０と被加工部材としてのプリント配線基板２０との間に、ポリゴンミラー１１、加工パターンを規定する一列状の複数の穴を持つマスク１２、ガルバノミラー１６、加工レンズ１７を順に配置して、レーザ発振器からのレーザ光が前記各要素を順に経由してプリント配線基板に照射されるようにする。 - 特許庁

A polycrystalline silicon thin film for a display device is featured in that adjoining primary crystal grain boundaries are not parallel and an area enclosed by primary crystal grain boundaries is larger than 1 μm^2, and also characterized by a step of crystallizing amorphous silicon using a laser beam, through the use of a mask having a mixed structure of a laser-transparent line-shaped pattern and a laser-opaque pattern.例文帳に追加

本発明は多結晶シリコン薄膜、これの製造方法及びこれを利用して製造された薄膜トランジスタに係り、隣接したプライマリ結晶粒境界が平行せずにプライマリ結晶粒境界に囲まれた面積が１μｍ^２より大きいことを特徴とするディスプレーデバイス用多結晶シリコン薄膜及びレーザーが透過するライン形態のパターンとレーザーが透過することができないパターンが混合された構造を有するマスクを用いて非晶質シリコンをレーザーを利用して結晶化する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The resist material containing the nitrogen-containing organic compound provides high resolution and satisfactory mask coverage dependency, is useful in microfabrication using an electron beam or far-ultraviolet radiation, and is suitable for use as a fine pattern forming material for VLSI production.例文帳に追加

（Ｒ^1は両端で結合する窒素原子と共に含窒素へテロ脂肪族環又は含窒素ヘテロ芳香族環を形成する炭素数２〜２０の２価の置換基を表し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はハロゲン原子を含んでもよい。Ｒ^2は炭素数２〜１０のカルボニル基を含んでもよいアルキレン基。Ｒ^3は炭素数２２〜５０の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基又はアシル基。） - 特許庁

The radio receiver in a radio communication system having a transmission diversity measures a reception information level inherent to symbol by antenna of transmission from the radio transmitter, estimates the number of transmission antennas from the reception information level, performs demodulation of the estimated number of transmission antennas preferentially, performs a CRC test by using a CRC mask pattern, and detects the number of transmission antennas.例文帳に追加

送信ダイバーシティを有する無線通信システムにおける無線受信装置は、無線送信装置からの送信の送信アンテナ毎の固有シンボルごとの受信情報レベルを測定し、その受信情報レベルから送信アンテナ数を推定し、推定された送信アンテナ数に対する復調を優先的に行い、ＣＲＣマスクパターンを使ってＣＲＣ検査を行い、送信アンテナ数を検出する。 - 特許庁

The method for manufacturing the metal plating material using a polymer material is characterized in that a polymer electrolytic material is used as the polymer material, ion injection is carried out onto the surface of the polymer electrolytic material via a mask having a predetermined pattern, and thereafter the polymer electrolytic material is subjected to nonelectrolytic plating.例文帳に追加

高分子材料を用いて金属メッキ材料を製造する方法であって、前記高分子材料として高分子電解質材料を用い、所定のパターンを有するマスクを介して当該高分子電解質材料の表面にイオン注入を行なった後、当該高分子電解質材料に無電解メッキを施すことを特徴とする金属メッキ材料の製造方法。 - 特許庁

The phase shift mask is provided with a shielded region having a line pattern formed therein and first and second transparent regions disposed on both sides of the shielded region on a substrate transparent to irradiated light, wherein a phase shifter is formed below the first transparent region and a side wall of the phase shifter has a curved portion convex to the outside.例文帳に追加

照射光に対して透明な基板上に、ラインパターンが形成された遮蔽領域と、前記遮蔽領域の両側にそれぞれ配置された第一の透明領域および第二の透明領域とを有し、前記第一の透明領域の下方には位相シフタが形成されており、前記位相シフタの側壁が、外側に凸の湾曲部を有している位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

The defect which has a pixel in a region surrounded by two gate lines 31 and two drain lines 33 and in which an adjacent pixel electrode 34 is short-circuited is irradiated with a laser via a mask having a transmission pattern corresponding to the patterns of the gate lines 31, the drain lines 33, and the pixel electrode 34 at the short-circuited portion, thereby removing the short-circuited portion 21.例文帳に追加

２本のゲート配線３１と２本のドレイン配線３３で囲まれた領域に画素を有し、隣接する画素電極３４が短絡している欠陥に対し、該短絡部分のゲート配線３１とドレイン配線３３および画素電極３４のパターンに対応した透過パターンを有するマスクを介してレーザを照射することで、短絡部分２１を除去する。 - 特許庁

A defect repairing device for electronic components includes an ultrashort pulse laser light emitting device which suitably adjusts and emits ultrashort pulse laser light, a flexible mask pattern generator that forms the ultrashort pulse laser light emitted by the ultrashort pulse laser light emitting device into a prescribed shape, an optical system which converges the ultrashort pulse laser light, and a first stage where an electronic component to be repaired is mounted and positioned.例文帳に追加

超短パルスレーザーを適宜調整して発生する超短パルスレーザー発生装置と、前記超短パルスレーザー発生装置から照射された超短パルスレーザーを所定の形状に成形するフレキシブル・マスク・パターン・ジェネレーターと、該超短パルスレーザーを集光する光学系と、修復すべき電子部品を載置して位置決めする第１のステージとを含む電子部品の欠陥修復装置。 - 特許庁

A main controller 70 determines focus positions of respective image capturing devices when detecting the position of the alignment mark of the mask and the position of the alignment mark of the underlying pattern on the substrate based upon variation in the image recognition rate, the sharpness value and the contrast value preliminarily detected by the image processing device 50 while moving the focus positions of respective image capturing devices by a focus position moving mechanism.例文帳に追加

主制御装置７０は、予め、焦点位置移動機構により各画像取得装置の焦点位置を移動しながら、画像処理装置５０により検出された画像認識率、シャープネス値、及びコントラスト値の変化に基づいて、マスクのアライメントマークの位置又は基板の下地パターンのアライメントマークの位置を検出する際の各画像取得装置の焦点位置を決定する。 - 特許庁

The thin plate-shaped mask 10 having openings for passing a vapor deposition material corresponding to a pattern of a vapor deposition film to be formed on the substrate has a plurality of openings 12a formed along a prescribed direction, and crosspieces 15 formed along a prescribed direction on a plane opposite to the plane facing the substrate.例文帳に追加

被処理基板上に蒸着成膜するパターンに対応して、蒸着材料を通過させるための開口部を設けた薄板状のマスク１０であって、一定の方向に沿って開口された複数の開口部１２ａと、被処理基板と対向する一方の面の反対側となる他方の面に一定の方向に沿って設けられた桟部１５とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for detecting failure of database patterns of a photomask in which different space widths are applied according to critical dimensions of lines of the patterns of the photo mask to detect patterning failure varied according to illuminating systems, sub-films and thicknesses of resist, and to preliminarily detect failure, such as collapse or bridges, generated from the different lengths of pattern lines having the same critical dimension.例文帳に追加

フォトマスクパターンのライン臨界大きさ別に差等的なスペース幅を適用することで、照明系、サブ膜、レジスト厚さなどによって変わるパターニング不良を検査することができ、同一の臨界大きさを有するが、パターンラインの相異なる長さにより発生する崩れまたはブリッジなどの不良を予め検査できるフォトマスクデータベースパターンの不良検査方法を提供する。 - 特許庁

The method has the process of forming a pattern with a slant part prepared therein to a photoresist 52 in the periphery of a silicon exposed part for forming the nozzle 31 by carrying out exposure and development to the photoresist 52 formed on a silicon substrate 51, and the process of forming the hole to be the nozzle 31 of a taper shape by carrying out anisotropic dry etching using the photoresist 52 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板５１に形成したフォトレジスト５２に対して露光及び現像を行って、ノズル３１を形成するためのシリコン露出部分周辺におけるフォトレジスト５２に対して、傾斜部分を設けたパターンを形成する工程と、フォトレジスト５２をマスクとして異方性ドライエッチングを行って、テーパ形状のノズル３１となる穴を形成する工程とを有する。 - 特許庁

A photoreceptor 11 charged by a charging mechanism 13 is irradiated with light while an irradiation region in a preliminarily determined repetition pattern is formed on the photoreceptor 11 by partially blocking the light exiting from an emitting means 14 by a mask 15 present between the photoreceptor 11 and the emitting means 14, so as to form an electrostatic latent image in the irradiated region.例文帳に追加

帯電機構１３によって帯電された感光体１１に対し、当該感光体１１と出射手段１４との間に介在するマスク１５によって、出射手段１４から出射される光の一部を遮光し、予め定める繰返しパターンの照射領域を感光体１１上に形成して光を照射し、その照射領域に静電潜像を形成する。 - 特許庁

The carrier film having a polyimide resin film 3 having a conductor wiring pattern 2 and a heat UV curing resin film 1 formed on the polyimide resin film is made such that conducting openings such as vias 4, film cut parts 5 and the heat UV curing resin film at film punching parts are optically shielded with a photo mask during UV ray exposure and removed by developing.例文帳に追加

導体配線パターン２を有するポリイミド樹脂フィルム３に熱紫外線硬化型樹脂層１を形成したキャリアフィルムにおいて、ヴィア４のような導通用の開口部と共にフィルム切断部５及びフィルム打ち抜き部分の熱紫外線硬化型樹脂層が、紫外線露光時にフォトマスクにより遮光され、現像により除去されていることを特徴とする半導体キャリアフィルム。 - 特許庁

The method for manufacturing a photomask having a mask pattern formed of step parts of two or more kinds of height, includes, before a stage of forming at least one kind of step part in 2nd order or later, a stage of making the substrate surface smooth by coating the step parts formed in the previous stage with the photosensitive resin and then polishing the photosensitive resin.例文帳に追加

マスクパターンが２種類以上の高さの段差部から形成されるフォトマスクの製造方法において、２番目以降に形成される少なくとも１種類の段差部形成工程の前に、前工程によって形成された段差部に感光性樹脂を塗布し、次いで研磨を行うことにより基板表面を平滑にする工程を含むフォトマスクの製造方法である。 - 特許庁

In the method for dry etching which by using the metallic film of a high melting point formed through an oxide film on the surface of a substrate 14 arranged in a chamber by introducing reactant gas in the chamber 15 and energizing the reactant gas to generate plasma to generate active species and ions with a regist pattern as a mask, an induction coupled plasma(ICP) is used as a plasma source.例文帳に追加

チャンバー１５内に反応性ガスを導入し、その反応性ガスを励起してプラズマを発生させることにより活性種およびイオンを生成し、チャンバー内に配置した基板１４の表面に酸化膜を介して形成された高融点金属薄膜を、レジストパターンをマスクとして用いてドライエッチングする方法において、プラズマ源として、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を用いる。 - 特許庁

The method includes steps of forming a silicon nitride film 103 on a p-type silicon substrate 101, forming an aperture of a predetermined pattern on the silicon nitride film 103, forming a gate trench 104 on a semiconductor substrate 101 with a silicon nitride film 108 used as a mask, and thereafter embedding a polysilicon film 106 inside the gate trench 104 and in the aperture thereby self-alignedly forming a gate electrode.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１０１上にシリコン窒化膜１０３を形成し、シリコン窒化膜１０３に所定のパターンの開口を形成し、シリコン窒化膜１０８をマスクとして用いて半導体基板１０１にゲートトレンチ１０４を形成した後、ゲートトレンチ１０４の内部および開口内にポリシリコン膜１０６を埋め込むことにより、ゲート電極を自己整合的に形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming bump electrodes required at the time of mounting a semiconductor chip on a circuit board by facedown mounting, in which the bump electrodes can be formed accurately on an electrode pattern formed on the circuit board without requiring a highly accurate mask or a process hard to implement even in the case of fine pitch.例文帳に追加

フェースダウン実装工法により、半導体チップを回路基板に実装するような場合に必要な突起電極の形成に際して、狭ピッチにおいても高精度のマスクや実現が困難なプロセスを必要とすることなく、突起電極を回路基板上の電極パターン上に精度よく形成することができる半導体実装用基板における突起電極形成方法を提供すること。 - 特許庁