「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device manufacturing method which enables transfer with higher precision ultra-fine resist pattern by reducing light reflectivity of lower-layer metal and secures selection ratio of masks and metal to form ultra-fine metallizing by implementing the metal etching via a hard mask of an oxide film.例文帳に追加

下地メタルの光反射率を低減させて微細なレジストパターンを高精度に転写すると共に、メタルエッチングを酸化膜のハードマスクを介して実施することでマスクとメタルのエッチング選択比を確保して微細なメタル配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An area of an AlAs layer 15 to be oxidized is irradiated with laser light according to the pattern of a mask layer 18 and the difference in reactivity between the laser irradiated part and an unirradiated part is used to generate a difference in oxidation speed, thereby making the oxidation stop at a laser light irradiation boundary.例文帳に追加

ＡｌＡｓ層１５の酸化させる領域へマスク層１８のパターンに従ってレーザ光を照射し、レーザ光照射部と非照射部に生じる反応性の違いを利用して酸化速度に差をつけ、レーザ光照射境界において酸化を自己停止させる。 - 特許庁

A positive photosensitive resin is applied on a transparent insulation substrate 1 having a TFT formed thereon and a photosensitive resin layer 9 having a contact hole and a hole for forming a rugged pattern on a drain electrode 8 and at a pixel aperture part, respectively, is formed by photolithography using a photo mask.例文帳に追加

ＴＦＴを形成した透明絶縁基板１上に、ポジ型の感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィにより、ドレイン電極８上にコンタクトホール、画素開口部に凹凸パターン形成用の穴をそれぞれ有する感光性樹脂層９を形成する。 - 特許庁

A second mold mask having projection-like projecting parts is used, parts other than parts corresponding to via holes are hardened by being irradiated with UV light, thereafter the via holes are formed in a developing/baking process S23, and the photosensitive silver paste in an upper layer is connected to the conductor pattern through the via holes in an upper-layer application process S24.例文帳に追加

突起状の凸部を有する第２のモールドマスクを用い、ＵＶ光を照射してビアホールに対応する部分以外を硬化させた後、現像焼成過程Ｓ２３でビアホールを形成し、上層塗布過程Ｓ２４で上層の感光性銀ペーストをビアホールを介して導体パターンに接続する。 - 特許庁

To enable accurate prediction of local flares by evaluating the local flare quantity with extremely high accuracy, even when mask patterns in a size equal to the exposure wavelength or smaller than that are mixed, and to easily and accurately correct the pattern dimension based on the prediction to realize a device with very high reliability.例文帳に追加

露光波長と同等もしくはそれ以下のマスクパターンが混在する場合でも、極めて高い精度でローカルフレア量を見積もり正確なローカルフレア予測を可能とし、これに基づいてパターン寸法を容易且つ正確に補正して、極めて信頼性の高いデバイスを実現する。 - 特許庁

A region 14a in a CGS film 14, subjected to gettering with phosphorus element, is defined by an opening pattern 16a of a photoresist 16 and a region 14b in the CGS film 14 subjected to silicon etching is defined by an opening 15a of a gettering mask film 15.例文帳に追加

ＣＧＳ膜１４中のリン元素がゲッタリングされるゲッタリング領域１４ａは、フォトレジスト１６の開口部１６ａのパターンにより規定され、ＣＧＳ膜１４中のシリコンエッチングを行うエッチング領域１４ｂは、ゲッタリングマスク膜１５の開口部１５ａにより規定される。 - 特許庁

The device is also provided with a calculator 130 which calculates the area density in the prescribed area of a pattern drawn by the stored pattern information whenever the prescribed area is moved based on the stored pattern information, and a preparing section 140 which prepares dummy pattern information to be arranged on the mask based on the calculated area density.例文帳に追加

マスクに配置するためのパターン情報を記憶する記憶部１７０と、上記マスク上に所定の領域を仮想配置する仮想配置部１１０と、仮想配置された所定の領域を前回の領域と重なるように所定の距離だけ移動させる移動部１２０と、記憶されたパターン情報に基づいて、上記所定の領域が移動させられるごとにパターン情報により描かれるパターンの所定の領域における面積密度を計算する計算部１３０と、計算された面積密度に基づいて、上記マスクに配置するためのダミーパターン情報を生成する生成部１４０とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To accurately detect an end point of plasma etching in a process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film, in a method of manufacturing a mask for extreme ultraviolet exposure including the process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film by performing plasma etching using a gas containing carbon (C) to the extreme ultraviolet absorption film using a substrate having the extreme ultraviolet absorption film formed of a material containing Ta and N.例文帳に追加

ＴａとＮを含有する材料からなる極端紫外線吸収膜を有する基板を用い、前記極端紫外線吸収膜に対して炭素（Ｃ）を含むガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、前記極端紫外線吸収膜にパターンを形成する工程を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、前記工程でのプラズマエッチングの終点を高精度に検出する。 - 特許庁

With respect to the array substrate for an in-plane switching mode liquid crystal display device, a structure which is manufactured through four mask steps and exposes semiconductor layers at both sides of a data line has a first feature that a first blocking pattern for blocking light is formed under the semiconductor layer, and a second feature that a second blocking pattern for blocking an influence of the semiconductor layer is formed over and in contact with the data line.例文帳に追加

本発明による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、４マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、第１特徴は、半導体層の下部に光を遮断する第１遮断パターンを構成して、第２特徴は、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第２遮断パターンを構成する。 - 特許庁

Upper electrodes 21a, 21b consisting of the polycrystalline silicon film 17 are formed via the insulating film 8 as a capacitance insulating film on the lower electrodes 11a, 11b to form capacitors 36a, 36b by forming the antireflection film and a photoresist pattern on the cap protection film, and sequentially performing dry etching of the cap protection film and the polycrystalline silicon film 17 using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

キャップ保護膜上に反射防止膜およびフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて反射防止膜、キャップ保護膜および多結晶シリコン膜１７を順次ドライエッチングすることで、下部電極１１ａ，１１ｂ上に容量絶縁膜としての絶縁膜８を介して多結晶シリコン膜１７からなる上部電極２１ａ，２１ｂを形成してキャパシタ３６ａ，３６ｂを形成する。 - 特許庁

The etching method includes a process to form a layer of Al or Al alloy on a surface of a substrate, a process to treat the surface of the layer of Al or Al alloy with TMAH, a process to form a resist pattern on the surface of the Al or Al alloy layer treated with TMAH, and a process to wet-etch the Al or Al alloy layer with the resist pattern as an etching mask.例文帳に追加

下地表面上にＡｌまたはＡｌ合金の層を形成する工程と、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層の表面をＴＭＡＨで処理する工程と、前記ＴＭＡＨで処理したＡｌまたはＡｌ合金の層の表面上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用い、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層をウエットエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the structure having the uneven pattern includes a coating step of coating to a processing object a liquid (a) containing first particles and a matrix material composed of a material different from the first particles; a removal step of removing the first particles; and an etching step of forming the uneven pattern by etching a processing object with the matrix material as an etching mask.例文帳に追加

本発明の凹凸パターンを有する構造体の製造方法は、第一の粒子と、前記第一の粒子と異なる材料からなるマトリクス材とを含む液体（ａ）を被加工体上に塗布する塗布工程と、前記第一の粒子を除去する除去工程と、前記マトリクス材をエッチングマスクとして前記被加工体をエッチングして凹凸パターンを形成するエッチング工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a projection aligner for forming a specified pattern on a printed wiring board by transferring the image of a mask where a specified pattern is formed to the printed wiring board, where the height of a mask's image forming surface or the height of the photosensitive surface of a printed board need not be manually adjusted even in the case of exposing several kinds of printed boards having different thicknesses.例文帳に追加

所定のパターンが形成されたマスクの像をプリント配線基板に転写してプリント配線基板に所定のパターンを形成する投影露光装置であって、異なる厚さを有する複数種類のプリント基板に露光する場合であっても手動でマスクの像の結像面の高さまたはプリント基板の感光面の高さを調整する必要のない投影露光装置を提供することである。 - 特許庁

A method includes the steps of: preparing a substrate; sequentially forming a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer on the substrate; forming a photoresist pattern on the upper semiconductor layer so that its side wall is inclined to an upper surface of the substrate; and sequentially etching the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer by using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

In this enclosed aligner, an exposure light from an exposure light source 1 is projected via an illuminating optical system on a mask 8 serving as the original plate, and the pattern formed on the mask 8 is then projected via a projection lens 11 on a wafer 12 for the exposure of the wafer 12 serving as the photosensitive substrate.例文帳に追加

露光光源１からの露光光により照明光学系を介して原版としてのマスク８を照明し、マスク８に形成されたパターンを投影レンズ１１を介して感光基板としてのウエハ１２上に投影露光する露光装置であって、露光光源１から投影レンズ１１に至る露光光の光路上に配置される光学系素子を内部に配置した複数の筐体３，４，５，６，７と、該複数の筐体３〜７をガス置換するガス置換手段とを有する。 - 特許庁

The method for growing a nitride semiconductor single crystal includes steps of: forming a nitride seed layer on a substrate for growing a nitride single crystal; forming a dielectric mask having a stripe pattern on the nitride seed layer; and growing a nitride semiconductor single crystal containing Al on the nitride seed layer where the dielectric mask is formed while injecting Cl-based gas or Br-based gas.例文帳に追加

本発明は、窒化物単結晶成長用基板上に窒化物シード層を形成する段階と、上記窒化物シード層上にストライプパターンを有する誘電体マスクを形成する段階と、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入しながら、上記誘電体マスクが形成された窒化物シード層上にAlを含んだ窒化物半導体単結晶を成長させる段階を含む窒化物半導体単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

An IP address where the number of valid bids is variable and a flag column for identifying whether each bit is valid or invalid corresponding to each bit of the IP address are stored, and longest matching retrieval is executed by a binary search method by using retrieval key data for retrieving the longest matched IP address from the stored IP addresses and the pattern of a retrieval mask key global mask indicating a valid bit area.例文帳に追加

有効ビット数が可変なＩＰアドレスとともに、そのＩＰアドレスの各ビットに対応して各ビットが有効なビットであるか無効なビットであるかを識別するフラグ列を記憶しておき、検索にあたっては、記憶されているＩＰアドレスの中から最長に一致するＩＰアドレスを検索するための検索キーデータと有効ビット領域を表わす検索マスクキーグローバルマスクのパターンとを用いて二分検索法により検索を行なう。 - 特許庁

An inversion means for inverting both sides of a stencil mask 4 wherein an opening pattern 10 passing through the thickness direction is formed is provided for performing position change for a surface 4a irradiated with charged particles to the side opposite a treatment substrate 5, and for facing the treatment substrate 5 to the side subjected to incidence of charged particles.例文帳に追加

厚さ方向を貫通する開口パターン１０が形成されたステンシルマスク４の表裏を反転させる反転手段を設け、荷電粒子の照射を受けた面４ａを被処理基板５に対向する側に、被処理基板５に対向していた面を荷電粒子の入射を受ける側に位置変換できるようにした。 - 特許庁

The exposing device comprises a projection optical system 3 projecting the pattern of a mask 2 to a substrate 5, and a liquid feeder 6 feeding liquid to between the projection optical system 3 and the substrate 5, and the liquid feeder 6 has an injector 19 for injecting a carbon dioxide to the liquid.例文帳に追加

マスク２のパターンを基板５に投影する投影光学系３と前記投影光学系３と前記基板５との間に液体を供給する液体供給装置６とを備え、前記液体供給装置６は前記液体に二酸化炭素を注入する注入装置１９を有することを特徴とする構成とした。 - 特許庁

To provide an exposure device capable of performing high accuracy exposure while preventing variance in the distance from a substrate end face to a pattern by directly measuring the position of the end face of a substrate mounted on a substrate stage with a laser length measuring device so as to determine a relative position of the substrate with respect to the mask with high accuracy.例文帳に追加

基板ステージに搭載される基板の端面の位置をレーザー測長器で直接計測することにより、マスクに対する基板の相対位置を高精度で位置決めできるようにして、基板端面からパターンまでの距離のバラつきを防止して高精度の露光を行うことができる露光装置を提供する。 - 特許庁

The mask for exposure has physical developing nuclei on the transparent substrate, forms a circuit pattern using a silver film obtd. by dissolving a silver halide and receiving an image by the physical developing nuclei in development as a light shielding film and has a protective coat contg. at least a metal oxide component on the light shielding film.例文帳に追加

透明基板上に物理現像核を有し、ハロゲン化銀が溶解され、現像時に該物理現像核によって受像して得られる銀膜を遮光膜として、回路パターンを形成する露光用マスクにおいて、該遮光膜の上部に少なくとも金属酸化物成分を含む保護膜を有する事を特徴とする露光用マスク。 - 特許庁

A transparent glass substrate 7 formed with a transparent conductive membrane is placed and set on a stage, and a laser beam is irradiated on the transparent conductive membrane formed on the transparent glass substrate 7 corresponding to an electrode pattern for one cell through a mask 5 with a hole formed having a part corresponding to a discharge gap 11 formed at a center.例文帳に追加

透明導電性膜が形成された透明ガラス基板７をステージ上に載置し、１セル分の電極パターンに対応し、放電ギャップ部１１に対応する部分が中央部に設けられた孔が形成されているマスク５を介して、透明ガラス基板７上に形成された透明導電性膜にレーザ光を照射する。 - 特許庁

When successively transferring the pattern of a mask R on those partition regions on the substrate via a projection optical system PL, by making accurate alignment of the partition regions on the substrate with the image surface of the projection optical system, based on the measurement results, defective exposures caused by defocusing can be prevented.例文帳に追加

従って、基板上の複数の区画領域に投影光学系ＰＬを介してマスクＲのパターンを順次転写する際に、前記計測結果に基づいて、基板上の区画領域を投影光学系の像面に精度良く位置合わせすることにより、デフォーカスに起因する露光不良の発生を防止することができる。 - 特許庁

A resist mask 56 having a resist pattern having opening parts 54 of a width the same as a width of a ribbon member 19 of the MEMS device at intervals the same as intervals of the ribbon members 19 is formed on a sacrifice layer 24, when a ribbon member forming layer is formed on the sacrifice layer 24 in manufacturing the MEMS device.例文帳に追加

本方法では、ＭＥＭＳデバイスを製造する際、リボン部材形成層を犠牲層２４上に成膜する前に、先ず、ＭＥＭＳデバイスのリボン部材１９の幅と同じ幅の開口部５４をリボン部材１９の間隔と同じ間隔で有するレジストパターンを備えたレジストマスク５６を犠牲層２４上に形成する。 - 特許庁

In order to take out the embedded information data, a covering ratio of the pattern to the mask area is calculated from image data obtained by photographing a generated image, to detect corresponding information data, and entire embedded information data are decoded in accordance with the layout order of block areas and the like.例文帳に追加

埋め込まれた情報データを取り出すためには、生成された画像を撮影することによって得られる画像データから、マスク領域に対する図柄の被覆割合を計算して相当する情報データを検出し、さらにブロック領域の配置順等から埋め込まれた全情報データを復号する。 - 特許庁

After forming a second insulating film 33 made of carbon containing silicon oxide just on a first insulating film 32 on a silicon substrate 31, the second insulating film 33 is etched with a mask of resist pattern 34 to form a wiring groove 35 in the film 33 and then a resist film 36 is embedded in the groove 35.例文帳に追加

シリコン基板３１の上に第１の絶縁膜３２を介して炭素含有シリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜３３を形成した後、第２の絶縁膜３３に対してレジストパターン３４をマスクにエッチングを行なって、第２の絶縁膜３３に配線溝３５を形成し、その後、配線溝３５にレジスト膜３６を埋め込む。 - 特許庁

A mask blank has a thin film for forming a pattern on a light transmitting substrate, wherein the thin film comprises an upper layer made of a material containing Cr and oxygen and a lower layer made of a material that contains Ta or its compound and can be etched by a dry etching process that uses a fluorine-based gas.例文帳に追加

透光性基板上にパターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクにおいて、薄膜は、Ｃｒと酸素を含む材料で形成されている上層と、Ｔａまたはその化合物を含み、且つ、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されている下層とからなる。 - 特許庁

Moreover, a reaction product formed in a pattern sidewall part in self-alignment in dry etching of a metal film or a sidewall insulation film formed in self-alignment in an isotropic etching of a thick insulation film is used as a doping mask in the formation of an offset region or an LDD region.例文帳に追加

また、オフセット領域或いはＬＤＤ領域を形成する際のドーピングマスクとして、金属膜のドライエッチング時にパターン側壁部に自己整合的に形成される反応生成物、或いは厚い絶縁膜の異方性エッチングを行った時に自己整合的に形成される側壁絶縁膜を用いる。 - 特許庁

A density distribution mask 10 in which patterns 6 of a translucent film are provided on a transparent substrate 1, fine dot figures 4 of pattern of a light-shielding film are provided on the patterns 6 of the translucent film and a opening ratio W of gaps between the fine dots figures 4 is set as the square root of a light transmittance T is produced.例文帳に追加

透明基板１の上に半透光膜のパターン６を有し、前記半透光膜のパターン６の上に、遮光膜のパターンの微小網点図形４を有し、前記微小網点図形４間の間隙の開口率Ｗが光透過率Ｔの平方根に設定された濃度分布マスク１０を製造する。 - 特許庁

The reflection type mask includes a first reflection portion 41 formed on a substrate 40 and reflecting incident light to a first direction, and a second reflection portion 43 formed on the first reflection portion 41, shaped in a prescribed pattern, and reflecting the incident light to a second direction different from the first direction.例文帳に追加

基板４０上に形成され、入射した入射光を第１方向に反射する第１反射部４１と、第１反射部４１上に形成され、かつ所定のパターンの形状を有し、入射した入射光を第１方向とは異なる第２方向に反射する第２反射部４３とを有する。 - 特許庁

In the stencil mask blank, openings corresponding to the transfer pattern are provided on the amorphous silicon layer, the supporting substrate and the intermediate insulating layer.例文帳に追加

単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 - 特許庁

The device comprises a infrared lamp 41 which irradiates a substrate for treatment W with a light beam to heat the substrate W and a mask M placed between the infrared lamp 41 and the substrate W, made of copper which reflects wavelength of irradiated light with apertures Ma of prescribed pattern.例文帳に追加

処理基板Ｗに向けて照射光を照射することで処理基板Ｗを昇温させる赤外線ランプ４１と、赤外線ランプ４１と処理基板Ｗとの間に配置され、照射光の波長に対し反射する銅材で形成されるとともに所定のパターンで開口部Ｍａが形成されたマスクＭとを備えている。 - 特許庁

The mask is equipped with a light absorption layer having light absorption characteristics appropriate for light intensity distribution with inverted peak pattern, a light scattering layer having light scattering characteristics, a light reflection layer having light reflection characteristics, a light refraction layer having light refraction characteristics, or a light diffraction layer having light diffraction characteristics.例文帳に追加

マスクは、逆ピークパターンの光強度分布に応じた光吸収特性を有する光吸収層、光散乱特性を有する光散乱層、光反射特性を有する光反射層、光屈折特性を有する光屈折層、または光回折特性を有する光回折層を備えている。 - 特許庁

A light projection part 15 receives a print finish detection signal when a squeegee 13 detects the finish of print by a detecting part 14, and emits light toward a cream solder 12 of an inspection object filled in an inspection hole 111a, out of pattern holes 11a formed in a printing mask 11.例文帳に追加

検出部１４によりスキージ１３が印刷を終了したことを検出すると、投光部１５は印刷完了検知信号を受け取り、印刷用マスク１１に形成されたパターン孔１１ａのうち検査孔１１１ａに充填された検査対象のクリーム半田１２に対し光を照射する。 - 特許庁

After this, a resist pattern 12 having openings 13 and 14 is formed at a part on an area with the gate electrode 6 of a desired NMOS within a memory cell array area A, and at a part on the film 4 positioned another circuit and the main circuit by using a mask for writing revised data.例文帳に追加

その後、改訂済みのデータ書き込み用マスクを用いて、メモリセルアレイ領域Ａ内の所望のＮＭＯＳのゲート電極６を中心とする領域上の部分及び他の回路と主回路との間に位置するフィールド酸化膜４上の部分に開口１３，１４を有するレジストパターン１２を形成する。 - 特許庁

The vacuum film deposition system where a film is deposited by vapor deposition on a substrate 10 in a vacuum by using a mask having a prescribed pattern formed comprises a moving means of moving a vapor deposition source 22 relative to and in parallel with the substrate 10 in a plurality of different directions.例文帳に追加

本発明の真空成膜装置は、所定のパターンが形成されたマスクを介して真空中で基板１０上に蒸着によって成膜を行う真空成膜装置において、当該蒸着を行うための蒸着源２２を、基板１０に対し、異なる複数の方向へ相対的に平行移動させる移動手段を有する。 - 特許庁

To provide a tiling method, a tiling exposure mask and a method for producing a multi-layer wiring board by using them in which intra-plane pattern densities on the front side and the rear side of a tiling substrate can be made uniform and the number of the exposure masks to be used can be decreased when producing the multi-layer wiring board by tiling.例文帳に追加

多層配線板を多面付けで作製する際多面付け基板の表裏の面内パターン密度を均一化し、且つ露光マスクの使用枚数を減少できる多面付け方法、多面付け露光マスク及びそれらを用いた多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the screen printing machine for applying paste on a substrate through pattern holes by moving a closed squeegee head 13 on a mask plate 12, a storage film member 33 formed by molding a flexible film material into a bag-shaped container is set in a storage part 31, and creamy solder 5 is housed below the member 33.例文帳に追加

マスクプレート１２上で密閉型のスキージヘッド１３を移動させることによりパターン孔を介して基板にペーストを印刷するスクリーン印刷装置において、貯溜部３１に可撓性の膜状材を袋状容器に成形した貯溜膜部材３３を設け、この貯溜膜部材３３の下方にクリーム半田５を収容する。 - 特許庁

A mask blank substrate has a conductive light-shielding body 12 that is opaque to exposure light for forming a pattern by a process including charge beam lithography, formed on one main surface of a substrate 11 transparent to exposure light, and the entire surface of the substrate 11 including four corners on the main surface is coated with a conductive material.例文帳に追加

露光光に対して透明な基板１１上の一主面に荷電ビームリソグラフィーを含むプロセスによりパターンを形成するための露光光に対して不透明な導電性の遮光体１２を形成したマスクブランクス基板であって、基板１１の一主面上の４隅を含む全面がく導電性材料で覆われている。 - 特許庁

To keep an interlayer insulating film as wide as possible while performing a damascene process by the use of an existing metal wiring pattern mask and to make a space between pieces of metal wiring wide enough for preventing them from interfering with each other so as to provide a method of forming the metal wiring of a semiconductor device and capable of preventing it from malfunctioning.例文帳に追加

既存の金属配線パターンマスクを用いてダマシン工程を実施しながら層間絶縁膜の幅を最大限確保し、金属配線間の間隔を広めて相互干渉を防止することにより、半導体素子の誤動作を防止することが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

A certain information, for example, a character string code like a URL is divided, arranged and embedded by intentionally setting types of image classes calculated on the basis of a ratio of colors in a mask area in each deformed pattern generated in a procedure manner or by image processing, combination, conversion, or the like and arranged regularly.例文帳に追加

手続き的に、あるいは画像処理・合成・変換等によって生成され、規則的に配置される各変形図柄に対して、マスク領域における色の割合から計算される画像クラスの種類を意図的に設定することにより、ある特定の情報、例えばＵＲＬなどの文字列コードを分割、配置して埋め込む。 - 特許庁

After a light-shielding layer and a resist layer to produce an exposure mask are formed in this order, a pattern is drawn in the resist layer by scanning with electron beams EB relatively in the Y direction with specified scanning width while relatively moving the scanning region EA in the X direction for every scanning period.例文帳に追加

露光用マスクを製造するための遮光層およびレジスト層をこの順に積層した後、所定の走査幅をもってＹ方向に相対的に走査される電子ビームＥＢの走査領域ＥＡを１走査毎にＸ方向に相対移動させながらレジスト層に描画する際に、前記走査を２サイクル以上繰り返す。 - 特許庁

More specifically, at first, the ball arrangement mask is pasted to the rectangular frame by tension via a flexible sheet, and has a mount region where a through hole for inserting balls is provided according to the mounted part of an object to be mounted formed in a prescribed arrangement pattern and a non-mount region for surrounding the mount region.例文帳に追加

第１に、枠状フレームに可撓性のシートを介して張力をかけて貼り付けられ、所定の配列パターンに形成された被搭載物の搭載箇所に対応してボール挿入用の貫通孔が設けられた搭載領域と、その搭載領域を囲む非搭載領域とを有するボール配列マスクとする。 - 特許庁

As to the oscillation intensity of a laser beam which is emitted from a fluorine laser 1 to irradiate the pattern surface of a mask R in an aligner 100, the ratio of the total intensity of a main oscillation beam having a wavelength of about 157.63 nm to that of an auxiliary oscillation beam having a wavelength of about 157.52 nm is set at 0.3 or below.例文帳に追加

露光装置１００では、フッ素レーザ１からマスクＲのパターン面に照射される、レーザ光の発振線強度のうち、波長が約１５７．６３ｎｍである主発振線の総強度に対する、波長が約１５７．５２ｎｍである副発振線の総強度の比が、０．３％以下に設定されている。 - 特許庁

A cyclic pattern is formed (1-e) on the transparent material by using photoresist, etching processing is carried out (1-f), and an overcoat material is potted (1-g) to eliminate the need to remove the etching mask as compared with use of a metal plate, thereby easily forming a polarizing and diffracting element at low cost while decreasing processes.例文帳に追加

フォトレジストを利用して透明材料に周期的パターンを形成させ（１−ｅ）、エッチング処理を行い（１−ｆ）、オーバーコート材をボッティングする（１−ｇ）ことで、金属板を使用するときと比べて、エッチングマスクを除去する必要性を無くし、工程が少なくなり簡便、低コストで偏光回折素子を作成できる。 - 特許庁