「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(104ページ目) - Weblio英語例文検索

The etching method comprises the steps of: forming a resist 10 on the surface of a masking material 9 layered on an electroconductive foil 11 of a material to be etched; forming a pattern on the resist 10; etching the masking material 9 by using the resist 10 as a mask; removing the resist 10; and etching the electroconductive foil 11 of the material to be etched, through the masking material 9.例文帳に追加

本実施の形態のエッチング方法は、被エッチング材である導電箔１１に積層されたマスク材９の表面にレジスト１０を形成する工程と、レジスト１０をパターニングする工程と、レジスト１０をマスクとして用いてマスク材９をエッチングする工程と、レジスト１０を除去する工程と、マスク材９を介して被エッチング材である導電箔１１をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

After an n-type AlInP clad layer 11, an active layer 12 having a multiple quantum well structure, a p-type AlInP clad layer 13, and a p-type GaAs layer 14 are grown in sequence on an n-type GaAs substrate via an n-type GaAs etching stop layer, those layers are patterned through dry etching using a resist pattern 19 having a rectangular plane shape as a mask.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓエッチングストップ層を介してｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１、多重量子井戸構造を有する活性層１２、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３およびｐ型ＧａＡｓ層１４を順次成長させた後、長方形の平面形状を有するレジストパターン１９をマスクとしてこれらの層をドライエッチングによりパターニングする。 - 特許庁

The method of manufacturing the mask blank comprises the steps of causing a resist agent coming from a liquid tank 20 storing a liquid resist agent 21 to the opening at the end of a nozzle 22 through the nozzle 22 to touch the coated surface of a substrate having a thin film on which a transfer pattern is formed, moving the substrate and the nozzle relatively, and thus forming a resist film on the coated surface.例文帳に追加

転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤２１を収容した液槽２０からノズル２２を通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させ、基板とノズルとを相対的に移動させることによって、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法である。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition capable of faithfully reproducing the design size of a mask pattern with high sensitivity, excellent in adhesion to a substrate, capable of obtaining a satisfactory spacer shape and film thickness under an exposure energy of ≤1,500 J/m^2, excellent also in strength and heat resistance, and excellent in controllability of spacer shape and film thickness in a low exposure energy region.例文帳に追加

高感度でマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつ基板との密着性に優れ、１，５００Ｊ/ｍ^2以下の露光量で十分なスペーサー形状および膜厚を得ることを可能とし、また強度、耐熱性等にも優れ、低露光量領域におけるスペーサーの形状、膜厚の制御性に優れている感放射線性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

In the photomask for near field exposure having a transparent base material and a light shielding body having an aperture constituting the mask pattern on the base material with the aperture width made equal to or smaller than the wavelength of the light source, the light shielding body is constituted to have a thickness to give a desired intensity of light directly under the aperture in consideration of the relationship with the width of the aperture in the light shielding body.例文帳に追加

透明な母材と、該母材上にマスクパターンを構成する開口部の開口幅が光源波長以下に形成された遮光体を有する近接場光露光用のフォトマスクにおいて、前記遮光体は、その厚さが前記遮光体の開口部の開口幅との関係において該開口部直下で所望の光強度を与える厚さに構成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a plasma display panel and the green sheet include a step exposing a first green sheet containing a cover film using a first mask on which a black matrix pattern is formed, a black matrix dry film and a base film, a step removing the cover film and laminating the first green sheet on a substrate, and a step removing the base film and forming a black matrix on the substrate.例文帳に追加

本発明は、ブラックマトリックスパターンが形成された第１マスクを利用してカバーフィルム、ブラックマトリックスドライフィルム及びベースフィルムを含む第１グリーンシートを露光するステップと、前記カバーフィルムを除去して基板上に前記第１グリーンシートをラミネーティングするステップと、前記ベースフィルムを除去して前記基板上にブラックマトリックスを形成するステップと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a polyorganosiloxane-cured relief pattern obtained by a method comprising a step of applying a certain polyorganosiloxane composition to obtain a coating film on a substrate; a step of irradiating the coating film with an active ray through a patterning mask to photo-cure an exposure part; a step of removing an uncured part of the coating film by using a developer; and a step of heating each of the substrates.例文帳に追加

基材上に、特定のポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程、 パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程該基材ごと加熱する工程からなる方法によって得られるポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを含む半導体装置。 - 特許庁

The method of manufacturing the mask blank comprises the steps of causing a resist agent coming from a liquid tank storing a liquid resist agent to the opening at the end of a nozzle 22 through the nozzle 22 to touch the coated surface of a substrate having a thin film on which a transfer pattern is formed, moving the substrate and the nozzle relatively, and thus forming a resist film on the coated surface.例文帳に追加

転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤を収容した液槽からノズル２２を通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させ、基板とノズルとを相対的に移動させることによって、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法である。 - 特許庁

The surface unevenness formation method comprises: the step of forming an energy-sensitive negative type resin composition containing at lest one or more kinds of polymerizable monomer or oligomer; the step of emitting 0.005 to 1.0J/cm^2 of active energy rays at least one or more times via a mask formed in a pattern; and the step of subjecting to post-heating without an etching operation.例文帳に追加

少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上０．００５〜１．０Ｊ／ｃｍ^２照射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter substrate in which a plurality of color filters are formed through patterning processes, such as pattern exposure and development by use of an exposure mask having a transflective region formed at an end of a transmissive region so as to reduce an overlapped step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a, and to provide the color filter substrate.例文帳に追加

ブラックマトリクス２１ａ上に形成される着色フィルタのオーバーラップ（重なり）段差を減少させるために、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成するカラーフィルタ基板の製造方法及びカラーフィルタ基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

This device is provided with a first correction value decision means S150 dividing a mask pattern based on the data for the lithography at every prescribed part (S120, S130) and deciding a correction value based on deterioration due to exposure of its devided part and correction value adjustment means (S160, S170) adjusting the correction value based on the layout environment in the vicinity of its devided part.例文帳に追加

リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し（Ｓ１２０，Ｓ１３０）、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手段（Ｓ１５０）と、補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手段（Ｓ１６０，１７０）とを有することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

A solid state imaging device of single layer electrode structure having a planar surface is fabricated by forming an interelectrode insulating film 6 on the sidewall of a first electrode 3 and then etching back a second electrode 7 using mask patterns 4 and 5 for forming the pattern of the first electrode as an etching stopper.例文帳に追加

単層電極構造の固体撮像素子を形成するに際し、第１の電極３の側壁に電極間絶縁膜６を形成したのち、第１の電極のパターンを形成するためのマスクパターン４，５をエッチングストッパとして第２の電極７をエッチバックするようにし、平坦な表面をもつ単層電極構造の固体撮像素子を形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

The method comprises processes of: forming a clad layer 12 on a substrate 11; forming in the clad layer 12 a mask 13 corresponding to the core pattern of the optical waveguide and forming a groove 14 for imbedding the core therein; forming the core 15 in the groove 14 through selective epitaxial growth; and forming an upper clad 16 on the core 15 through the selective epitaxial growth.例文帳に追加

基板１１上に、クラッド層１２を形成する工程と、クラッド層１２に光導波路のコアのパターンに応じたマスク１３を形成し、コアを埋め込むための溝１４を形成する工程と、選択エピタキシャル成長により溝１４にコア１５を形成する工程と、選択エピタキシャル成長によりコア１５の上に上部クラッド１６を形成する工程とを備えた。 - 特許庁

A mask 18 having an arbitrary pattern shape provided for forming the track guide separation area in the magnetic film 14 is formed on the magnetic film 14, and the track guide separation area 19 is formed by irradiating a surface of the magnetic film with ions 15 and electrons 16 and applying an intermittent voltage to the substrate 11, thereby non-magnetizing the area irradiated.例文帳に追加

磁性膜１４中にトラックガイド分離域を形成するために設けられた任意のパターン形状をしたマスク１８を磁性膜１４上に形成し、イオン１５と電子１６を磁性膜表面に対して照射し、かつ、基板１１に対して間欠的な電圧を印加することによって、照射された領域を非磁性化することでトラックガイド分離域１９を形成する。 - 特許庁

In this method for producing a liquid crystal display device which holds a liquid crystal composition 300 between an array substrate 100 and a counter substrate 200, a colored photoresist is disposed on the array substrate 100 and is exposed with illuminance of ≥200 mW/cm2 via a mask, the exposed colored photoresist is developed and a columnar spacer 180 of a prescribed pattern is formed.例文帳に追加

アレイ基板１００と対向基板２００との間に液晶組成物３００を挟持した液晶表示装置の製造方法において、アレイ基板１００上に着色されたフォトレジストを設け、マスクを介して着色フォトレジストを２００ｍＷ／ｃｍ^２以上の照度で露光し、露光された着色フォトレジストを現像することにより、所定のパターンの柱状スペーサ１８０を形成する。 - 特許庁

Then the calculation accuracy of the OPC object pattern is determined based on the adjusted area data and OPC additional calculation is carried out to generate mask data.例文帳に追加

ＯＰＣ精度が必要な領域と必要ではない領域の境界部分で精度が必要な領域を精度の高い領域に適した領域分拡張し、精度が必要ではない領域は精度の高い領域に適した領域分縮小する領域調整を行って、調整された領域データに基づいてＯＰＣ対象パターンの計算精度を決めてＯＰＣ付加計算を行ってマスクデータを生成する。 - 特許庁

To solve the technical problem in microfabrication of a photomask and semiconductor element, especially providing a chemically amplified positive resist composition which satisfies high sensitivity, high resolution (for instance, high resolution power), excellent exposure latitude (EL) and excellent line edge roughness (LER) simultaneously, and a resist film, a resist-coated mask blank and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

フォトマスク・半導体素子の微細加工における技術課題を解決することであり、特に高い感度、高い解像性（例えば、高い解像力）、良好な露光ラチチュード（ＥＬ）及び良好なラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を同時に満足する化学増幅ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine.例文帳に追加

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

A method of manufacturing the printed wiring board comprises processes of forming a conductor circuit by pattern electroplating, with a metal foil 8 on top of insulation resin as a power supply layer, the thickness of the metal foil being 2.0 μm or below; and forming a hole 10 for interlayer connection by first forming a mask hole on the top of the metal foil and then irradiating a laser beam thereon.例文帳に追加

絶縁樹脂上にある金属箔８を給電層としてパターン電気めっきにより導体回路を作製する工程を有するプリント配線板の製造方法において、金属箔の厚みが２．０μｍ以下であり、金属箔上にマスク穴を形成した後にレーザー照射をすることで層間接続用の穴１０を形成する工程を有するプリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

The method includes: a step of forming a silicon-containing Al alloy film 3 on a silicon substrate 1; a step of providing a resist pattern 4 on the Al alloy film 3; a step of etching the Al alloy film 3 using the resist patter 4 as a mask; a step of washing after etching; and a step of removing a silicon residue 5 using a two-fluid nozzle 6.例文帳に追加

半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。 - 特許庁

This aligner has a light source 1, an illumination optical system 6 for illuminating a pattern drawn on a mask 5 by a light source light, and a projection optical system 11 for projecting the illuminated pattern to a substrate 13.例文帳に追加

光源１と、マスク５に描かれたパターンを光源光で照明する照明光学系６と、照明されたパターンを基板１３に投影する投影光学系１１を有する露光装置であって、光源１から基板１３までの全体または一部を外気から遮蔽する容器７、１４、１７と、容器に接続された不活性ガスの供給ラインおよび排出ラインと、容器上若しくは容器と圧力的に等価な位置および／または供給若しくは排出ライン上若しくは供給若しくは排出ラインと圧力的に等価な位置に圧力調整手段２１〜２３を具備する。 - 特許庁

The cathode 25 arranged opposite on the other surface side of the semiconductor substrate 10 in the anodizing step is so pattern-designed as to constitute a mask arranged between a light source 30 composed of a tungsten lamp designed to form a light intensity distribution corresponding to the desired lens shape on the other surface of the semiconductor substrate 10 and the other surface of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

陽極酸化工程において半導体基板１０の上記他表面側に対向配置される陰極２５が、半導体基板１０の上記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計されてタングステンランプからなる光源３０と半導体基板１０の上記他表面との間に配置されるマスクを構成するようにパターン設計されている。 - 特許庁

The HLAC feature quantity extracting method includes: a step of mapping one dimensional signal in a time-frequency plane; a step of accumulating the HLAC by moving a two dimensional local mask pattern in a block region for each segmented block by dividing its time axis and frequency axis; and a step of extracting and combining each term from the HLAC feature quantity calculated from blocks which are lined up along the frequency axis.例文帳に追加

１次元信号を時間−周波数平面に写像するステップ、その時間軸及び周波数軸を分割して区分けされたブロック毎に、その領域内で２次元局所マスクパターンを移動させてＨＬＡＣを累積するステップ及び周波数軸に沿って並ぶブロックから求めたＨＬＡＣ特徴量から各次数項を抜き出して結合するステップを含むＨＬＡＣ特徴量の抽出方法 - 特許庁

A transparent substrate is coated with negative type black resist, which is exposed through the photomask formed of a small opening part-light blocking part composite pattern equipped with many rectangular light blocking patterns arrayed in matrix longitudinally and laterally on the transparent mask substrate mutually at intervals so that many rectangular small opening parts having short sides along the light blocking patterns are successive across the light blocking parts.例文帳に追加

透明基板上にネガ型ブラックレジストを塗布し、透明マスク基板上に縦横に互いに間隔をおいてマトリックス配列で配列された多数の矩形の遮光パターンを備え、隣接する遮光パターンの間は、多数の、遮光パターンの辺に沿う短辺を有する矩形の小開口部が遮光部を介して連なる小開口部−遮光部複合パターンからなるフォトマスクを介して前記ネガ型レジストに露光する。 - 特許庁

The method of patterning a thin film includes a process for laminating a deposition film 30 on the thin film 20, a process for laminating a photo resist layer 40 on the deposition film, a process for patterning the photoresist layer by photolithography, and etching and patterning the deposition film by using the patterned photoresist layer, and a process for etching and patterning the thin film by using the patterned deposition film as a pattern mask.例文帳に追加

薄膜２０上に、蒸着膜３０を積層する工程と、 前記蒸着膜上に、フォトレジスト層４０を積層する工程と、 フォトリソグラフィにより、前記フォトレジスト層をパターニングし、パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて前記蒸着膜をエッチングしてパターニングする工程と、 パターニングされた前記蒸着膜をパターンマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパターニングを行う工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

"functional design" means any design applied to any article, whether for the pattern or the shape or the configuration thereof, or for any two or more of those purposes, and by whatever means it is applied, having features which are necessitated by the function which the article to which the design is applied, is to perform, and includes an integrated circuit topography, a mask work and a series of masks works;例文帳に追加

「機能的意匠」とは，物品に応用される意匠であって，その模様，形状若しくは輪郭の何れかに係るものであるか又はこれらの目的の2 以上に係るものであるかを問わず，かつ，如何なる方法によって応用されているかを問わず，当該意匠が応用される物品が果たす機能によって必要とされる特徴を有するものであり，集積回路の回路配置，マスクワーク及び連続マスクワークを含む。 - 特許庁

The method includes steps of: forming an organic antireflection film containing a photoacid generating agent on a film to be etched; heat treating the organic antireflection film at a predetermined temperature; forming a chemically amplified photoresist layer on the organic antireflection film; transferring a pattern on a mask by using a light source at a single wavelength onto the chemically amplified photoresist layer; and developing the chemically amplified photoresist layer.例文帳に追加

被エッチング膜上に、光酸発生剤を含む有機反射防止膜を形成する工程と、有機反射防止膜を所定温度で熱処理する工程と、有機反射防止膜上に化学増幅型フォトレジスト層を形成する工程と、化学増幅型フォトレジスト層に単一波長の光源を用いてマスク上のパターンを転写する工程と、化学増幅型フォトレジスト層を現像する工程とを有する。 - 特許庁

When a semiconductor device provided with at least an organic material film on a semiconductor substrate is etched to form a gate electrode, or the organic material film is etched, or when the dimension of a resist mask pattern is adjusted, a process wherein the organic material film is etched by using an etching gas atmosphere containing oxygen-contained gas, chlorine- contained gas and bromine-contained gas, is contained, thereby solving the problem.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも有機材料膜を有する半導体装置をエッチングしてゲート電極を形成し、又は有機材料膜をエッチングするにあたり、若しくはレジストマスクパターンの寸法を調整するにあたり、酸素含有ガスと塩素含有ガスと臭素含有ガスとを含むエッチングガス雰囲気を用いて、この有機材料膜をエッチングする工程を含むことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

This laser irradiation device includes a stage 110 for mounting a first substrate 101, a laser oscillation member 120 irradiating a joining member 103 arranged between the first substrate 101 and a second substrate 102 with laser, a temperature keeping member 150 for keeping the temperature of the first substrate 101 at a predetermined temperature, and a mask 140 having a pattern formed in a part corresponding to the joining member 103.例文帳に追加

本発明のレーザ照射装置は、第１基板１０１を載置するステージ１１０と、第１基板１０１と第２基板１０２との間に配置される接合部材１０３にレーザを照射するレーザ発振部材１２０と、第１基板１０１の温度を所定の温度に維持する温度維持部材１５０と、接合部材１０３に対応する部分にパターンが形成されたマスク１４０とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the wiring structure comprises a process for forming a conductive film made of an oxidation-resistant metal or its nitride, a process for eliminating a natural oxide film on the conductive film, a process for forming a conductive oxide film on the conductive film, and a process for machining the conductive film and the conductive oxide film to the same pattern by the same mask.例文帳に追加

耐酸化性金属又はその窒化物からなる導電膜を形成する工程と、該導電膜上の自然酸化膜を除去する工程と、前記導電膜上に導電性酸化物膜を形成する工程と、前記導電膜及び導電性酸化物膜を同一のマスクにより同一のパターンに加工する工程とを有することを特徴とする配線構造の製造方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

The etching method includes the steps of forming the antireflective film (Si-ARC film) on an etched layer, forming the resist film (ArF resist film) patterned on the antireflective film, and etching the antireflective film with an etching gas containing CF_4 gas, COS gas and O_2 gas using the resist film as the mask to form a desired pattern on the antireflective film.例文帳に追加

被エッチング層上に反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ膜）を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜（ＡｒＦレジスト膜）を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＯ_２ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。 - 特許庁

The exposure device includes a mask holder which fixes a photomask; a chuck which fixes the periphery of the substrate; a work stage having one or more pressure adjustment portions which adjust the pressure to the substrate; an image acquisition portion which obtains the images of the photomask pattern and the substrate; and a control portion which adjusts the pressure of the pressure adjustment portion against the substrate, based on the information from the image acquisition portion.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係る露光装置は、フォトマスクを固定するマスクホルダと、基板の外周部を固定するチャック及び前記基板に対する圧力を調整する１つ以上の圧力調整部を有するワークステージと、前記フォトマスクのパターン及び前記基板の画像を取得する画像取得部と、前記画像取得部からの情報に基づき、前記圧力調整部の前記基板に対する圧力を調整する制御部と、を備える。 - 特許庁

A negative pattern of carbon nanotubes is formed by introducing an oxirane group or anhydride group that can participate in cation polymerization of carbon nanotube surfaces, dispersing the carbon nanotubes in an organic solvent together with a photoacid generator or photobase generator, coating them on a group material, exposing them to an ultraviolet ray via a photo mask, inducing them into cation polymerization at an exposing part, and removing non-exposed parts by a developing solution.例文帳に追加

カーボンナノチューブの表面に陽イオン重合に参加することが可能なオキシラン基又はアンハイドライド基を導入し、前記カーボンナノチューブを光酸発生剤又は光塩基発生剤と共に有機溶媒に分散させ、基材上にコーティングした後、フォトマスクを介してＵＶに露光させ、露光部でカーボンナノチューブの陽イオン重合を誘発した後、非露光部を現像液で除去することにより、カーボンナノチューブのネガティブパターンを形成する。 - 特許庁

A separation wall is formed by coincidentally removing a photosensitive paste film and a transparent film by development after a process of forming the photosensitive paste film composed of organic component and inorganic particles and curing them, a process of forming the transparent film on the photosensitive paste film, and a process of exposing the photosensitive paste film through the transparent film by using a mask having a prescribed aperture pattern.例文帳に追加

基板上に有機成分と無機粒子とからなる感光性ペースト塗膜を形成した後キュアする工程と前記塗膜上に透明塗膜を形成する工程と、所定の開口パターンを有するマスクを用いて前記感光性ペースト塗膜を前記透明塗膜上から露光する工程を経た後に、前記感光性ペースト塗膜と前記透明塗膜を同時に現像によって除去することにより隔壁を形成することを特徴とするプラズマディスプレイの製造方法である。 - 特許庁