「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(98ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for evaluating a thin film for a transfer mask having a thin film in which a pattern is formed on a transparent substrate by irradiating with ArF excimer laser exposure light includes a step of evaluating light resistance of the thin film by intermittently irradiating the thin film with pulsed laser light.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用され、透光性基板上にパターンが形成された薄膜を備えた転写用マスクのための薄膜の評価方法であって、パルスレーザ光を前記薄膜に間欠的に照射することによって薄膜の耐光性を評価する工程を備える。 - 特許庁

Taking into consideration physical information of a mask pattern within a chip and the actual results of cells or functional blocks, sorting 1303 failures and weighting of failures are carried out, and a failure inspection 1306 with high precision and high efficiency based on an actual failure or a layout is carried out.例文帳に追加

チップ内におけるマスクパターンの物理的な情報、また、セルや機能ブロックの実績を考慮して、故障の起こりやすさの順番づけ１３０３及び故障の重みづけを行ない、実際の故障に基づく高精度かつ高効率の故障検査１３０６やレイアウトを行なう。 - 特許庁

At first, until forming beams 21 reach from a region at a lower left corner of a circuit pattern 16a to an upper left region, a substrate stage 12 and a mask stage 17 are continuously moved to a -Y direction, while the forming beams 21 are irradiated, thereby obtaining a partial irradiation region 22.例文帳に追加

まず、成形ビーム２１を回路パターン１６ａの左下隅の領域から左上の領域に達するまで、基板ステージ１２及びマスクステージ１７を連続的に−Ｙ方向に移動させながら、成形ビーム２１を照射することにより部分照射領域２２を得る。 - 特許庁

In producing a structure 19 of rectangular cross section by dry-etching a region with a wide etching width, first etching treatment is performed using a first mask pattern 1 for forming a fine groove 10 with an outline coinciding with the side face 20 of the structure 19.例文帳に追加

広いエッチング幅を持つ領域をドライエッチングして断面矩形の構造体１９を作製するに際して、最初に前記構造体１９の側面２０に一致する輪郭を備えている細い溝１０を形成するための第１マスクパターン１を用いて第１のエッチング処理を行う。 - 特許庁

The exposure device irradiates a resist film with exposure light through a mask 72 at an exposure section 20 while arranging immersion liquid 71 on the resist film formed on a wafer 70, and an immersion liquid supply section 30 supplies the liquid 71 to the pattern exposure section 20.例文帳に追加

露光装置は、露光部２０において、ウェハ７０上に形成されたレジスト膜の上に液浸用の液体７１を配した状態で、レジスト膜にマスク７２を介した露光光を照射し、液浸用液体供給部３０は液体７１をパターン露光部２０に供給する。 - 特許庁

A laser light 5 whose pattern is shaped through a mask 4 is given to a transparent conductive film 3 formed on a resin layer 2 on a substrate 1, and a part emitted by the laser light 5 in the transparent conductive film 3 is removed from the resin layer 2 for patterning.例文帳に追加

基板１上の樹脂層２上に成膜された透明導電膜３に、マスク４を介してパターン成形されたレーザ光５を照射し、この透明導電膜３のこのレーザ光５照射部分をこの樹脂層２上から除去してパターニングするようにしたものである。 - 特許庁

The method of manufacturing a pattern substrate includes a step of exposing a resist through the halftone mask and developing the resist to form resist patterns 81, 82, 83 in different film thicknesses, and etching films 6, 7 on the substrate through the resist patterns 81, 82, 83.例文帳に追加

また、本発明にかかるパターン基板の製造方法は、ハーフトーンマスクによってレジストを露光する工程と、レジストを現像し、膜厚差を有するレジストパターン８１、８２、８３を形成する工程と、レジストパターン８１、８２、８３を介して基板上の膜６、７をエッチングする工程と、を備える。 - 特許庁

After a gate oxide film 4 and a gate electrode film 5 are formed on a P-type semiconductor substrate 1, a highly concentrated impurity diffusion region 7 is formed by implanting highly concentrated N-type impurity ions using a first masking means 6a having a pattern width wider than that of a gate electrode 5a as a mask.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上に、ゲート酸化膜４及びゲート電極膜５を形成後、ゲート電極５ａよりもパターン幅を拡げて形成された第１マスク手段６ａをマスクとして、高濃度のＮ型不純物イオンを注入して高濃度不純物拡散領域７を形成する。 - 特許庁

The condensing/diverging element (3) converts light fed from the lighting system (2) to light having a light intensity distribution of a concave pattern showing that the light is reduced to a minimum in intensity at the phase-shifting part or its vicinity and increases in intensity toward its periphery, and irradiates the phase shifting mask (1) with the above light.例文帳に追加

集光発散素子は、照明系から供給された光を、位相シフト部またはその近傍において光強度が最も小さく且つその周囲に向かって光強度が増加する凹型パターンの光強度分布を有する光に変換して位相シフトマスクに照射する。 - 特許庁

The mask assembly comprises: a frame 20 provided with a pair of first supporting parts 22 and a pair of second supporting parts 24 surrounding an opening part 201; and a plurality of unit masks 40 in which at least a set of pattern opening parts 401 are formed, and fixed to the first supporting parts 22 in a state where tension force is applied.例文帳に追加

マスク組立体は、開口部２０１を囲む一対の第１支持部２２及び一対の第２支持部２４を備えたフレーム２０と、少なくとも一組のパターン開口部４０１を形成し、引張力が加わった状態で第１支持部２２に固定される複数の単位マスク４０と、を含む。 - 特許庁

In forming an image by carrying out recording scanning of a recording head by N times (N is an integer not smaller than 1) to the same image region of the recording medium, the number of times of the recording scanning and a mask pattern to be used at the time of multi pass are set in accordance with glossiness of the recording medium.例文帳に追加

記録ヘッドを記録媒体の同一画像領域に対しＮ（Ｎは１以上の整数）回の記録走査を行うことによって画像を形成するにあたって、記録媒体の光沢度に応じて記録走査の回数やマルチパスの際の用いられるマスクパターンを設定する。 - 特許庁

The upper layer after the pattern formation is used as a mask for the optical ozone ashing of the lower layer and then a peeling process for the upper layer, a conductive film forming process, an electroforming process, a peeling process for an electroformed film (stamper layer 12), and a specific postprocess for the electroformed film are carried out to obtain a desired original disk.例文帳に追加

パターン形成後の上層をマスクとして下層を光オゾンアッシングし、その後、上層の剥離工程、導電膜形成工程、電鋳工程、電鋳膜（スタンパ層１２）の剥離工程および、この電鋳膜に対する所定の後処理工程を経て所望の原盤を得る。 - 特許庁

The method further comprises the steps of passing a printing substance 7 carried on the mask 3 through the openings 3 while moving the substance 7 by a print head 8 to adhere the substance onto the base 1 to print and form a predetermined wiring pattern 10 with the substance 7 adhered onto the base 1.例文帳に追加

マスク３上に乗せた印刷物質７を、印刷ヘッド８により移動させながら配線用開口部３ａを通過させて被印刷基材１上に付着させることにより、被印刷基材１上に付着した印刷物質７によって所定の配線パターン１０を印刷形成する。 - 特許庁

The color filter for a solid-state image pickup device is produced by applying the colored photosensitive composition onto a support to form a colored photosensitive composition layer, exposing the colored photosensitive composition layer through a mask, and developing the layer to form a pattern on the support.例文帳に追加

前記着色感光性組成物を、支持体上に塗布して着色感光性組成物層を形成し、前記着色感光性組成物層を、マスクを通して露光し、現像して前記支持体上にパターンを形成することにより固体撮像素子用カラーフィルターを製造する。 - 特許庁

This thin tabular mask 100 for vapor deposition having such an opening 10 as to match a pattern to be vapor-deposited on the article formed therein has a protrusion 14 formed on the surface which faces the surface to be vapor-deposited of the article.例文帳に追加

被蒸着対象物への蒸着パターンに対応する開口部１０が形成された薄板状の蒸着用マスク１００であって、被蒸着対象物の蒸着対象面と向かい合う対向面に突起１４を形成することによって上記課題を解決できる。 - 特許庁

An exposure apparatus using an immersion lithography method includes a projection lens 31 for projecting an exposure light which transmits through the mask 22 having a design pattern to a resist film, and a solution supply unit 40 for temporarily storing an immersion solution 21A disposed between the resist film and the lens.例文帳に追加

浸漬リソグラフィ法を用いる露光装置は、設計パターンを有するマスク２２を透過した露光光をレジスト膜に投影する投影レンズ３１と、レジスト膜とレンズとの間に配する浸漬溶液２１Ａを一時的に貯留する溶液供給部４０とを含んでいる。 - 特許庁

Then, when each of the out-in shots is exposed, not only a mask R of the shot is aligned with a pattern image according to the determined alignment of the shots, but also a face position of the wafer is adjusted according to the relative position detected during the measurement of the coordinate position.例文帳に追加

そして、上記の外内ショットを各々露光するときには、上で決定されたショットの配列に基づいて該ショットのマスクＲのパターン像との位置合わせが行われるとともに、座標位置の計測の際に検出された相対位置に基づいてウエハの面位置が調整される。 - 特許庁

To provide an exposure mask for an aligner capable of approaching to a photoresist film with a light shielding pattern formed on a surface of a substrate to be processed when exposed, closely thereto or under a condition near to a close contact, even when protruded contamination exists on the surface of the substrate to be treated, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

被処理基板の表面に突起状の異物が存在しても、露光の際に遮光膜パターンを被処理基板の表面に形成されたフォトレジスト膜に密着、或いは密着に近い状態で接近させることが可能なアライナ用露光マスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To overcome the problem of a prior art such that the reaction product of the atom of a metal film and the gas of dry etching is generated for preventing the patterning of the insulating film in a termination process when the insulating film on the metal film is subjected to dry etching by a mask made of a photosensitive resin that is subjected to pattern formation.例文帳に追加

金属膜上の絶縁膜を、パターン形成された感光性樹脂のマスクでのドライエッチングを行うと、終端工程で、上記金属膜の原子と上記ドライエッチングのガスとの反応生成物が生成され、上記絶縁膜のパターン化の支障になる。 - 特許庁

To provide a photoresist composition having sufficient basic characteristics such as sensitivity and excellent lithographic performances represented by an MEEF (mask error enhancement factor) and LWR (line width roughness) as an indicator, to provide a method for forming a resist pattern using the photoresist composition, and to provide a polymer and a compound to be used for the resist composition.例文帳に追加

感度等の基本特性を満足し、ＭＥＥＦ及びＬＷＲを指標とするリソグラフィー性能に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法、上記フォトレジスト組成物に用いられる重合体、及び化合物の提供。 - 特許庁

In a resist pattern forming method being employed in a fabrication method of semiconductor device, first optical images 13a-13d having width W0 shorter than the wavelength of light are projected onto the resist surface by irradiating the resist surface formed on a substrate with light through a mask.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において用いるレジストパターン形成方法であって、マスクを介して、基板上に形成されたレジスト表面に光を照射することにより、レジスト表面に光の波長以下の幅Ｗ０を有する第１の光学像１３ａ〜１３ｄを投影する。 - 特許庁

To provide a method which can improve the degree of production margin in a phase shift mask manufacturing process and takes the actual width and length of a linear pattern into consideration as a correcting method for photomask data for a drawing device for manufacturing a substrate digging type Levenson phase shift photomask.例文帳に追加

基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトフォトマスクを作製のための、描画装置用フォトマスクデータの補正方法であって、位相シフトマスク製造プロセスの製造余裕度を向上させることができ、且つ、線状パタンの実際の幅と長さを考慮した方法を提供する。 - 特許庁

After removing the ion implantation mask pattern, a transfer gate electrode, an NMOS gate electrode, and a PMOS gate electrode are formed on a semiconductor substrate in a pixel region, on that of the NMOS region, and on that of the PMOS region, respectively, by patterning the polysilicon film.例文帳に追加

イオン注入マスクパターンを除去した後にポリシリコン膜をパターニングして画素領域の半導体基板上に転送ゲート電極、ＮＭＯＳ領域の半導体基板上にＮＭＯＳゲート電極及びＰＭＯＳ領域の半導体基板上にＰＭＯＳゲート電極を形成する。 - 特許庁

This mask for reflection type exposure includes: a first layer formed on a support substrate 100 and having a low-reflection processing pattern absorbing exposure light and a reflective multilayer film 101 reflecting exposure light; and a second layer formed on the reflective multilayer film 101 and having an absorber layer 120 absorbing exposure light.例文帳に追加

支持基板１００上に形成され、露光光を吸収する低反射加工パターンと露光光を反射する反射多層膜１０１とを有する第１の層と、反射多層膜１０１上に形成され、露光光を吸収する吸収体層１２０を有する第２の層とを備える。 - 特許庁

After a mask pattern is formed by making the layout of a cell library subjected to the OPC processing, the correction amount of the OPC is adjusted by taking into consideration the influences of patterns of other cell libraries laid around the cell library on the peripheral region of the cell library.例文帳に追加

あらかじめＯＰＣ処理が施されたセルライブラリをレイアウトしてマスクパターンを形成した後、セルライブラリの周囲に配置された他のセルライブラリのパターンがセルライブラリの周辺領域に及ぼす影響を考慮することによって、上記ＯＰＣ補正の補正量を調整する。 - 特許庁

Then, the semiconductor crystal is dry-etched by using the mask to form a primary fine pattern on the semiconductor crystal.例文帳に追加

次いで、上記マスクを用いて上記半導体結晶をドライエッチングすることで上記半導体結晶上に１次微細パターンを形成し、上記１次微細パターンが形成された半導体結晶をウェットエッチングすることで上記１次微細パターンが水平方向に延びた２次微細パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a processing method having sufficient etching resistance and capable of closely transferring a formed pattern formed by self-organization and obtain a formed body in a fine processing technology using an etching mask formed by self-organization of a block copolymer.例文帳に追加

ブロックコポリマーの自己組織化より形成されるエッチングマスクを用いた微細加工技術において、十分なエッチング耐性を有し、しかも自己組織化により形成されるパターンを忠実に転写することができる加工方法及び成形体を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this ion implantation method, ions emitted from an ion source are made to pass through a mask 2 having an opening figure similar to a desired ion implantation region to form a pattern ion beam 4, and the ion beam is projected to the desired region of a wafer 7 with no resist applied, to introduce the ions.例文帳に追加

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスク２に通過させてパターンイオンビーム４を形成し、このイオンビームをレジストが塗布されてないウェハ７の所望の領域に投射して、イオンを導入するイオン注入方法。 - 特許庁

This invention concretely provides the method for forming the semiconductor structure including a plurality of fin FET devices, and provides a method for using a mask getting across it together with a chemical oxide removing (COR) process when a rectangular pattern is formed to demarcate a relatively fine fin.例文帳に追加

具体的には本発明は、複数のフィンＦＥＴデバイスを含む半導体構造を形成する方法であって、長方形のパターンを形成して相対的に細いフィンを画定する際に、これを横切るマスクを、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスとともに使用する方法を提供する。 - 特許庁

After making contact holes for exposing a substance containing silicon formed on a semiconductor substrate using a photoresist pattern as an etching mask, the semiconductor substrate is loaded in a cluster system where a plasma pretreatment module and a deposition module are coupled under vacuum state.例文帳に追加

フォトレジストパターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板上に形成されたシリコン含有物質を露出させるコンタクトホールを形成した後、前記半導体基板をプラズマ前処理モジュールおよび蒸着モジュールが真空状態で互いに連結される、クラスター装置にローディングさせる。 - 特許庁

The stencil mask for ion implantation has a through hole pattern for ion implantation formed at a thin film part supported on a support wherein an ion absorbing layer is formed at least on the side (surface side) of the thin film part being irradiated with an ion beam.例文帳に追加

支持体に支持された薄膜部にイオン注入用の貫通孔パターンを形成してなるイオン注入用ステンシルマスクであって、前記薄膜部の少なくともイオンビームが照射される側（表面側）に、イオン吸収層を形成したことを特徴とするイオン注入用ステンシルマスク。 - 特許庁

To carry out failure inspection with high precision or high efficiency based on an actual failure or carry out layout in consideration of physical information of a mask pattern and the actual results of cells or functional blocks within a chip of a semiconductor integrated circuit, to contribute to reduction of failures such as initial failures, etc.例文帳に追加

半導体集積回路のチップ内におけるマスクパターンの物理的な情報、セルや機能ブロックの実績を考慮し、実際の故障に基づく高精度かつ高効率の故障検査やレイアウトを行なう事を可能として、初期不良などの故障の低減に寄与できるようにする。 - 特許庁

After resist is applied on a substrate, a region where a logic with patterns arranged at random is formed is subjected to a first exposure process, using the interference of light penetrating through slit grooves 3 and 4 located on each side of the line of a pattern provided on a Levenson phase shift mask.例文帳に追加

基盤上にレジストを塗布した後、レベンソン位相シフトマスクに設けられたパターンにおける線幅方向の両側のスリット溝３とスリット溝４とをそれぞれ透過する光の干渉を用いて、ランダムに配置されたパターン形状を有するロジック部の形成領域に対して１回目の露光を行う。 - 特許庁

Plating process is performed to form plating on a material surface of an un-mask part 1b after supplying ink 12 containing fluororesin to an outer circumference surface 2a1 of material 2a' of a shaft member and forming a masking pattern 1 corresponding to a shape of a dynamic pressure generation part by an aggregate of minute ink.例文帳に追加

軸部材の素材２ａ’の外周面２ａ１に、フッ素樹脂を含有したインク１２を供給して、微量インクの集合体で動圧発生部の形状に対応したマスキングパターン１を形成した後、めっき処理を行い、非マスク部１ｂの素材表面にめっきを形成する。 - 特許庁

To provide a scanning exposure apparatus using microlens arrays capable of aligning an image of a mask pattern with a prescribed position, even if the size of a substrate to be exposed is changed due to changes in the characteristics of the exposure apparatus and manufacturing conditions such as temperature conditions.例文帳に追加

マイクロレンズアレイを使用した露光装置において、露光装置特性及び温度条件等の製造条件の変動に起因して、被露光基板の大きさの変動が生じても、マスクパターンの像を所定位置に合わせることができるマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes: a step of forming a base film on a semiconductor substrate; a step of forming an amorphous carbon film on the base film; a step of forming a pattern of the amorphous carbon film; and a step of etching the base film using the amorphous carbon film as a mask.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地膜を形成する工程と、下地膜上にアモルファスカーボン膜を成膜する工程と、アモルファスカーボン膜のパターンを形成する工程と、アモルファスカーボン膜をマスクにして下地膜をエッチングする工程を有する。 - 特許庁

The silicon processing method includes: forming a mask pattern on a single-crystal silicon substrate 100 of which principal surface is (100) an equivalent face 103 or (110) an equivalent face; and applying crystal anisotropic etching to form a structure comprising (111) an equivalent face and having width W1 and length L1.例文帳に追加

シリコンの加工方法で、主面が（１００）等価面１０３或いは（１１０）等価面である単結晶シリコン基板１００上に、マスクパターンを形成し、結晶異方性エッチングを施して、（１１１）等価面で構成され幅Ｗ１と長さＬ１を有する構造体を形成する。 - 特許庁

At this time, the reading operation is controlled according to the recording mode alternatively utilized among two or more recording modes, and the control is performed so that the AND operation may be performed with commonly applying the same mask pattern read to the recording data corresponding to the plural different nozzle trains read.例文帳に追加

ここで、複数の記録モードから選択的に用いられる記録モードに従って、読込動作を制御し、読込まれた同じマスクパターンを、読込まれた複数の異なるノズル列に対応する記録データに対して共通に適用してＡＮＤ演算を行なうよう制御する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for ink jet recording whereby recording pixels to be recorded are determined by applying a mask pattern for recording images by a higher resolution than a predetermined resolution to a pixel region, with respect to at least one of a horizontal scanning direction and a vertical scanning direction.例文帳に追加

主走査方向及び副走査方向の少なくとも一方に関して、所定解像度よりも高い解像度で画像を記録するためのマスクパターンを画素領域に適用して、記録される記録画素を決定するインクジェット記録装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask for film deposition whose deformation can be easily prevented, to provide a method for producing a spontaneous light emitting panel capable of forming a film deposition pattern at high precision, and to provide a spontaneous light emitting panel in which film deposition panels of high precision are formed.例文帳に追加

簡単に成膜用マスクの変形を防止することができる成膜用マスクを提供すること、高精度に成膜パターンを形成することができる自発光パネルの製造方法を提供すること、高精度な成膜パターンが形成された自発光パネルを提供すること。 - 特許庁

Plasma treatment is carried out for the stress distortion formation film 24 using the third resist pattern 25 as a mask to reform the upper side portion of a first active region 11a in the stress distortion formation film 24 so that a tensile stress containing portion 24A is formed.例文帳に追加

第３のレジストパターン２５をマスクにして、応力歪み生成膜２４に対してプラズマ処理を行うことにより、応力歪み生成膜２４における第１の活性領域１１ａの上側部分を改質して引っ張り応力を生じる引っ張り応力含有部２４Ａを形成する。 - 特許庁

In the method for formation of wiring structure, a first organic matter-bearing silicon oxide film 303, an SOG film 304 having a low specific inductive capacity, and a second organic matter-containing silicon oxide film 305 are sequentially deposited on a semiconductor substrate 300, and then, a mask pattern 308 is formed on the silicon oxide film 305.例文帳に追加

半導体基板３００上に、第１の有機含有シリコン酸化膜３０３、低誘電率ＳＯＧ膜３０４及び第２の有機含有シリコン酸化膜３０５を順次堆積した後、第２の有機含有シリコン酸化膜３０５の上にマスクパターン３０８を形成する。 - 特許庁

A display list converting device 2 fetches a mask pattern and the bitmap of a transmission object from an external storage device 1, prepares a black image drawn in black and a white image drawn in white for images of a frame buffer 5 and respectively adds the black and whit images as objects for a black image and a white image to a display list 3.例文帳に追加

ディスプレイリスト変換装置２では、外部記憶装置１からマスクパターンと透過オブジェクトのビットマップを取り出してフレームバッファ５のイメージに黒で描く黒イメージと白で描く白イメージとを作成し、それぞれ、黒イメージ用、白イメージ用のオブジェクトとしてディスプレイリスト３に追加する。 - 特許庁

To provide a method and a device for inspecting patterns and a mask manufacturing device using thereof correcting effects to pattern inspection caused by polarization of intensity distribution due to beam shape, size, and optical axis deviation of an illumination light source illuminating a body to be inspected for obtaining a constantly stable inspection result.例文帳に追加

被検査体を照明する照明光源のビーム形状、サイズ、光軸ずれによる強度分布の偏りから生ずる、パターン検査への影響を補正して、常に安定した検査結果が得られるパターン検査方法とその装置およびそれを用いたマスク製造装置を提供すること。 - 特許庁

An orifice plate 58 is formed on the uppermost layer of a heating part 52, a common electrode 53, a discrete interconnection electrode 54, an ink supply trench 55, an ink supply hole 56, a barrier wall 57, and the like, formed on a chip substrate 51 and a metal mask film 63 is formed thereon by sputtering thus forming a pattern 63-1.例文帳に追加

チップ基板５１上の発熱部５２、共通電極５３、個別配線電極５４、インク供給溝５５、インク供給孔５６、隔壁５７等の最上層にオリフィス板５８を積層し、この上にメタルマスク膜６３をスパッタ成膜しパターン６３−１を形成する。 - 特許庁