「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(99ページ目) - Weblio英語例文検索

Successively, by changing the position on the substrate 1a where a solvent for exfoliating the mask layer 15 is supplied toward the edge of the substrate 1a while turning the substrate 1a, a source electrode and a drain electrode each having a prescribed pattern are formed on the substrate from a conductive film 19.例文帳に追加

引き続いて基板１のエッジに向けて、マスク層１５を剥離するための溶剤が提供される基板１ａ上の位置を基板１を回転させながら移動すると、所定のパターンを有するソース電極及びドレイン電極を基板上に導電膜１９から形成する。 - 特許庁

The process for making the orthopedic bearing material includes applying X rays to a raw material hardened through an irradiation mask having a puncture pattern for cross-linking selected regions on the raw material, and optionally forming the raw material into the bearing material.例文帳に追加

例えば、原材料の選択された領域を架橋するための穿孔パターンを有する照射マスクを通して固められた形態の原材料を放射線照射し、任意で、原材料をベアリング材料に成形することによって、整形外科用ベアリング材料を作製するためのプロセスも開示されている。 - 特許庁

To obtain an arch-like or ring-like irradiation beam by providing a scattering device, which checks diffusion of irradiation beam to a projection system with which the pattern image of a mask in a lithography projection system is irradiated on a substrate and forming a fan-like curved line by reflecting a fine collimated incident beam.例文帳に追加

リソグラフ投影装置におけるマスクのパターンイメージを基板に照射する投影システムに照射ビームの拡散を制御する散乱装置を設けて、細いコリメート入射ビームを反射させて扇曲線形とすることにより、アーチ状あるいはリング状の照射ビームを得る。 - 特許庁

In the exposing method where a substrate P is sucked to a substrate stage 23 and the pattern of a mask R is transferred to the exposing region of the substrate P, the region to be sucked is specified for the substrate P depending on the exposing region and the specified region is sucked to the substrate stage 23.例文帳に追加

基板ステージ２３に基板Ｐを吸着し、マスクＲのパターンを基板Ｐの露光領域に転写する露光方法において、基板Ｐに対して吸着対象の領域を露光領域に応じて特定し、特定した対象領域を基板ステージ２３に吸着する。 - 特許庁

The mask 109 for exposure having a micro opening pattern is elastically deformed and contacted to or exfoliated from an object 110A to be exposed with the pressurizing and depressurizing operation by a pressurizing and depressurizing means 51, and a controlling means 200 controls the pressurizing and depressurizing operation by the pressuring and depressuring means 51.例文帳に追加

加減圧手段５１により、微小開口パターンを有する露光用マスク１０９を加減圧により弾性変形させて被露光物１１０Ａに接触、又は剥離させると共に、制御手段２００により加減圧手段５１による加減圧動作を制御する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the integrated optical element having the three or more optical element portions integrated in a manner of connecting them one after another by using the butt joint technique twice or more, a dielectric mask pattern used for the second butt joint process is shaped such that a tip portion is made thinner.例文帳に追加

２回以上のバットジョイント技術を用いて３つ以上の光素子部を次々と継ぎ足していく要領で集積する集積光デバイスの製造方法において、第二のバットジョイントプロセスに用いる誘電体マスクパターンの形状を、先端部が細くなった形状とする。 - 特許庁

The positive photosensitive resin composition is applied on the interlayer insulation film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, the composition is dried and irradiated with light through a mask patterned so as to form a window 6C in a predetermined portion, and a pattern is formed by development with an alkaline aqueous solution.例文帳に追加

本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method and a device for relaxing the difference in heating occurring between an illumination part and a nonillumination part, accordingly, a stress difference, when forming the image of the pattern of a mask on a resist layer by electrons, ions or radiation such as an X ray or an ultraviolet ray, using a lithography projector.例文帳に追加

リソグラフィ投影装置で、マスクのパターンを電子、イオン、Ｘ線または紫外線のような放射線によってレジスト層上に結像する際、照射部と非照射部の間に生ずる加熱差、従って応力差を緩和するための方法および装置を提供すること。 - 特許庁

The mask has a quartz-made transparent substrate Q and an absorber layer AB where a pattern is formed of, for example, chromium or chromium oxide, wherein the thickness (t) of the absorber layer AB is larger than the wavelength λ of a projection beam PB and three to four times as large as the width (b) of the absorber layer.例文帳に追加

石英製の透明な基板Ｑ及び、例えばクロム又は酸化クロムからなるパターン形成された吸収体層ＡＢを備えるマスクにおいて、吸収体層ＡＢの厚さｔを投影ビームＰＢの波長λよりも大きく、吸収体層の幅ｂの３倍又は４倍以下とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of conducting dry etching at an upper interlayer insulating film 7 for the stopper film 6 with a resist pattern 11, as a mask under the conditions of higher selective etching selection ratio of 10 or more than prior art, and etching the film 7 to the film 6, thereby forming the wiring groove 12.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとして、上部層間絶縁膜７が溝用ストッパー膜６に対して、従来よりさらに高選択な、エッチング選択比が１０以上の条件でドライエッチングを行い、上部層間絶縁膜７を溝用ストッパー膜６までエッチングして配線溝１２を形成する。 - 特許庁

The rear of an SOI substrate 1 is covered with a silicon nitride film 4, antimony is injected into the substrate 1 using a resist pattern as a mask through an ion implantation method, and the substrate 1 is thermally treated at 1,200°C in a diffusion oven, by which a collector embedded layer 5C is formed in an silicon layer 1c.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１の裏面を窒化シリコン膜４で保護した後、レジストパターンをマスクとしてイオン注入法によりアンチモンを注入し、次いで拡散炉を用いて１２００℃で熱処理をＳＯＩ基板１に施すことによって、シリコン層１ｃにコレクタ埋め込み層５Ｃを形成する。 - 特許庁

The problems are resolved by a light emitting layer laminating process laminating a light emitting layer 4A like a buffer layer 2A or an organic fluorescent body layer 3A on a substrate 1 through an electrode, and a dry etching process obtaining a light emitting layer 4A' in a pattern shape by dry-etching the light emitting layer 4A through a mask 5A.例文帳に追加

基板１上に電極等を介し、バッファー層２Ａ、有機蛍光体層３Ａ等の発光層４Ａを積層する発光層積層工程、発光層４Ａをマスク５Ａを介しドライエッチングしてパターン状の発光層４Ａ’を得るドライエッチング工程とにより、課題を解決することができた。 - 特許庁

A first metal film 12A made of an indium tin oxide (ITO) and a second metal film 15 made of Al are successively laminated by vapor deposition on an organic EL layer 13, a photoresist 16 is applied on the second metal film 15, then the photoresist 16 is patterned to a mask pattern of an anode electrode by exposing and developing the photoresist 16.例文帳に追加

有機ＥＬ層１３の上に、ＩＴＯでなる第１金属膜１２Ａ、Ａｌでなる第２金属膜１５を順次蒸着により積層させ、第２金属膜１５の上にフォトレジスト１６を塗布し、露光・現像してフォトレジスト１６をアノード電極のマスクパターンにパターニングする。 - 特許庁

To provide an illuminating optical device which can provide illumination conditions which are highly diverse regarding proper illumination conditions such as a secondary light source shape, light intensity and polarization state required for transferring a mask pattern with various characteristics truly when mounted on an aligner.例文帳に追加

露光装置に搭載された場合に、様々な特性を有するマスクパターンを忠実に転写するために必要な適切な照明条件、たとえば二次光源の形状や光強度や偏光状態などに関して多様性に富んだ照明条件を実現することのできる照明光学装置。 - 特許庁

The method of manufacturing the insulated gate-type semiconductor device has steps of: forming a gate insulating film on a semiconductor substrate; carrying out the film formation of the tantalum carbide film on the gate insulating film; and performing hydrogen plasma treatment after forming a mask pattern having an aperture for exposing a part of the tantalum carbide film.例文帳に追加

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に炭化タンタル膜を成膜する工程と、前記炭化タンタル膜の一部を露出する開口を有するマスクパターンを形成したのち、水素プラズマ処理を行う工程とを設ける。 - 特許庁

To provide a blank for a reflective photomask and a manufacturing method thereof, and a reflective photomask and a manufacturing method thereof, in and by which the blank and the photomask are clean against an outgas component present in a resin-made mask case and a clean room environment, cause no contamination of the inside of an exposure device and allow a fine pattern to be formed.例文帳に追加

樹脂製マスクケースやクリーンルーム環境中に存在するアウトガス成分に対して清浄で露光装置内部を汚染することのなく、微細なパターン形成ができる、反射型フォトマスク用ブランク及びその製造方法並びに反射型フォトマスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By this manufacturing method, a silicon nitride film 7 of about 4 nm or smaller in thickness is formed on a silicon oxide film 6 formed on the top surface of a semiconductor substrate 1 and then the silicon nitride film 7 and silicon oxide film 6 in an region B where a thin gate insulating film is formed are removed in the order, by using a resist pattern 8 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１の表面に形成された酸化シリコン膜６の上層に約４ｎｍ以下の窒化シリコン膜７を形成し、次いでレジストパターン８をマスクとして、薄いゲート絶縁膜を形成する領域Ｂの窒化シリコン膜７および酸化シリコン膜６を順次除去する。 - 特許庁

To solve the problem that, when an N-type impurity is implanted by using a mask for forming a gate pattern of a cell transistor to reduce manufacturing steps of a semiconductor memory device, the N-type impurity is also implanted in a region for forming a P-type contact so that a sufficient impurity concentration cannot be obtained to take a contact.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造工程を削減するため、セルトランジスタのゲートパターンを形成するためのマスクを用いてＮ型不純物を注入すると、Ｐ型コンタクトを形成する領域にもＮ型不純物が注入されて、コンタクトをとるのに十分な不純物濃度を得られない。 - 特許庁

In the case of any change in part of a plurality of unit processes (e.g. mass processes) constituting a unit process group, an OPC rule/model is newly set on the basis of proximity effect data before and after the change on the unit process subjected to the change and proximity effect correction of the pattern of a mask for exposure is carried out.例文帳に追加

ユニットプロセス群を構成する複数のユニットプロセス（例えばマスクプロセス）の一部に変更が生じた場合、変更が生じたユニットプロセスについての変更前および変更後の近接効果データに基づいてＯＰＣルール／モデルを新たに設定し、露光マスクのパターンの近接効果補正を行う。 - 特許庁

This plasma display panel is formed by a process for providing a barrier rib forming layer on a substrate 11 and by forming a barrier rib shape by performing blast working after the barrier rib material used as the blast mask in dispersed with colored pigment on the barrier rib forming layer is coated in a pattern shape.例文帳に追加

このようなプラズマディスプレイパネルは、基板１１上にバリアーリブ形成層を設ける工程と、当該バリアーリブ形成層上に着色顔料を分散させたブラストマスク兼バリアーリブ材料をパターン状に塗工した後に、ブラスト加工を行ってバリアーリブ形状を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The method of patterning the converted film comprises a step for laying a pattern mask in the presence of air over the ordinal pressure on a surface of polysilazan applied to a base surface, exposing it to short-wavelength UV rays having wavelengths of 100-280 nm, and dissolving and removing unexposed portions by an developing solution.例文帳に追加

該転化膜をパタ−ン化する方法は、基体面に塗膜されたポリシラザン面に、常圧以上の空気の存在下でパタ−ンマスクを載置し、これに１００〜２８０ｎｍの波長を有する短波長紫外線を露光して後、未露光部分を現像溶剤にて溶解除去すること。 - 特許庁

When a wiring groove is formed by dry etching an insulating film 21 with a photoresist film 23 patterned in a groove pattern as a mask, an etching ending point of the film 21 is detected by using an optical reflection interference waveform monitor or a plasma luminescence ending point monitor, thereby dry-etching only the film 21.例文帳に追加

溝パターンにパターニングされたフォトレジスト膜２３をマスクとして絶縁膜２１をドライエッチングし、配線溝を形成する際、光学式反射干渉波形モニタまたはプラズマ発光終点モニタを用いて絶縁膜２１のエッチング終点検出を行うことにより、絶縁膜２１のみをドライエッチングする。 - 特許庁

The cleaning device 150 cleans optical elements M1-M6 in an exposure apparatus 100 that exposes an object to be treated, using second light of which a wavelength is different from that of first light, by projecting, with the first light, the pattern of a mask 2 through the optical elements to the object 4 to be treated.例文帳に追加

洗浄装置１５０は、第１の光によりマスク２のパターンを光学素子Ｍ１〜Ｍ６を介して被処理体４に投影することにより該被処理体を露光する露光装置１００における該光学素子を、第１の光とは波長が異なる第２の光を用いて洗浄する。 - 特許庁

In a manufacturing process for a semiconductor integrated circuit device using electron beam exposure at least in part of the process, a dummy chip area is exposed to light using a mask having a dummy chip pattern of a size equal to or smaller than a maximum opening area allowable in an electron beam exposure device.例文帳に追加

プロセス工程の少なくとも一部で電子ビーム露光を用いる半導体集積回路装置の製造工程において、ダミーチップ領域を露光する際に、電子ビーム露光装置で許容される最大開口面積以下のサイズのダミーチップ用パターンを有するマスクを用いて露光する。 - 特許庁

At this point, the TFT and a wiring act as a mask, the photosensitive resin 10 lying on the TFT and the wiring is removed in an etching stage and a contact hole and a gently-sloping rugged pattern are formed on the drain electrode 8 and at the pixel aperture part, respectively.例文帳に追加

このとき、ＴＦＴおよび配線がマスクとして作用し、ＴＦＴおよび配線上の感光性樹脂層１０はエッチング工程で除去され、ドレイン電極８上にコンタクトホール、画素開口部に感光性樹脂層１０によるなだらかな凹凸パターンが、それぞれ形成される。 - 特許庁

To provide a polymeric compound as a resist material, especially a chemically amplified positive-type resist material, having high resolution tendency greater than that of conventional positive-type resist materials, good in the in-plane size uniformity on a substrate(e.g. mask blanks) of a resist pattern after developed, and having high etching resistance as well.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度性を有し、現像後のレジストパターンの基板（たとえばマスクブランクス）上面内サイズ均一性が良好であり、さらに高いエッチング耐性を有する高分子化合物、レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, capable of surely connecting the divided patterns together, lessening a width change in a line at a joint between the transferred patterns, when the divided patterns are formed on a mask and then transferred to a resist for the formation of the pattern of a semiconductor device.例文帳に追加

分割されたパターンをマスク上に形成し、レジストに転写して半導体装置のパターンを形成する際に、転写されたパターンの接続部の線幅変化を小さくし、分割されたパターンを確実に接続できるような半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for forming the refractive index pattern, a hybrid material comprising a polysilane compound and an inorganic compound is irradiated with an active energy line via a mask, a polysilane decomposition product of the irradiated part is removed, and then the whole hybrid material is hardened by heating.例文帳に追加

ポリシラン化合物と無機化合物からなるハイブリッド材料にマスクを介して活性エネルギー線を照射し、この照射部分のポリシラン分解物を除去した後に、ハイブリッド材料全体を加熱して硬化させることを特徴とする屈折率パターンの形成方法。 - 特許庁

To provide a mask for exposure which is used for forming a pattern by utilizing an action of a photocatalyst by an energy irradiation, and has a photocatalyst containing layer capable of forming patterns different in characteristic efficiently with high resolution.例文帳に追加

本発明は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用を利用してパターンを形成する際に用いられ、特性の異なるパターンを効率的に、また高解像度で形成することが可能な、光触媒含有層を有する露光用マスクを提供することを主目的としている。 - 特許庁

A third hydrogen barrier film 104 is deposited to cover the exposed film 4, the film 4 and the film 30 are sequentially etched by using a mask formed thereon, and the film 4 and a lower electrode 3 self-aligned with the film 4 are pattern formed.例文帳に追加

露出した強誘電体膜４を覆って第３の水素バリア膜１０４を堆積し、この上に形成したマスクを用いて強誘電体膜４及び下部電極膜３０を順次エッチングして、強誘電体膜４とこれに自己整合された下部電極３をパターン形成する。 - 特許庁

Whether to make a comparison between a threshold and an updated pixel value with an accumulated error added to a pixel value of a pixel to be processed in noted multivalued image data is determined based on data corresponding to the pixel to be processed in the mask pattern data corresponding to the noted multivalued image data.例文帳に追加

着目多値画像データ中の処理対象画素の画素値に累積誤差を加算した更新済み画素値と閾値との大小比較を行うか否かを、着目多値画像データに対応するマスクパターンデータ中の処理対象画素に対応するデータに基づいて判断する。 - 特許庁

After etching the first sacrifice layer, the electrode metal layer and the insulating film using the resist 5 as a mask, the resist 5 is removed to form a pattern of the laminated material of the insulating film 2, the electrode metal layer 3, and the first sacrifice layer 4 on the first diamond semiconductor region 1.例文帳に追加

そして、レジスト５をマスクとして、第１の犠牲層、電極金属層及び絶縁膜をエッチングした後、レジスト５を除去することにより、第１のダイヤモンド半導体領域１の上に、絶縁膜２と電極金属層３と第１の犠牲層４との積層体をパターン形成する。 - 特許庁

A plurality of frames are selectively positioned in an irradiation region 228 of the incident light by feeding an array of the plurality of frames, a sheet-like mask 200 extended in a longitudinal direction in a longitudinal direction for sequentially projecting the plurality of pattern light beams to the object.例文帳に追加

複数のパターン光を順次、物体に投影するために、シート状を成して長さ方向に延びるマスク２００であって複数のフレームが並んだものを長さ方向に送ることにより、複数のフレームを選択的に前記入射光の照射領域２２８に位置決めする。 - 特許庁

A resist film 53 is used as a mask to etch the shifter film 52 by reactive ion etching using CF_4+O_2 gas for MoSiO and MoSION or using Cl_2CO_2 gas for CrO and CrON to form a light transmitting portion 852 corresponding to an auxiliary measurement pattern.例文帳に追加

レジスト膜５２をマスクにして、ＭｏＳｉＯとＭｏＳｉＯＮとに対してはＣＦ_4＋Ｏ_2ガス、ＣｒＯとＣｒＯＮとに対してはＣＬ_2ＣＯ_2ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、シフタ膜５２のエッチングを行ない、補助測定パターンに対応する光透過部８５２を形成する。 - 特許庁

An illuminance correcting filter 3 and a light source 2 for sensitizing a photosensitive resist having a reciprocity characteristic are arranged in order through a shutter device 4 for turning on and off an exposure on the outside of a CRT panel P having inside a color selecting mask 1 being an aperture grille forming a phosphor pattern between black stripes.例文帳に追加

ＣＲＴパネルの内面にブラックストライプを形成する際に用いるレジストパターンを、均一なブラックストライプ間の開口幅の寸法に応じて形成する際、パターンの転写を行う複数回の本露光の前に、感光性レジスト膜に対して、パネル外面から短時間の外面露光を行う。 - 特許庁

To provide a photomask for a semiconductor device which can maintain high pattern precision and lower manufacture costs even when a plurality of mask patterns corresponding to photolithography processes of two or more different layers of the semiconductor device are formed in one photomask in different areas.例文帳に追加

半導体装置の２層以上の異なる層のフォトリソグラフィ工程に対応した複数のマスクパターンを１枚のフォトマスク内に領域を分けて形成する場合であれ、パターン精度を高く維持して且つ、製造コストも削減することのできる半導体装置用フォトマスクを提供する。 - 特許庁

The inner diameter D_v of a via hole in a dielectric layer considered for the CAD data is converted into the outer diameter D_p of a via hole pattern in a photolithographic exposure mask as the CAM data, namely the outer diameter D_p smaller than the inner diameter Dv of the via hole.例文帳に追加

感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程により誘電体層のビアホールを形成するために、ＣＡＤデータに反映された誘電体層のビアホール内径Ｄ_Ｖを、該ビアホール内径Ｄ_Ｖより小さいフォトリソグラフィー用露光マスクのビアホールパターン外径Ｄ_Ｐに、ＣＡＭデータとして変換する。 - 特許庁

The removing step is a step to apply a resist film 150 to the substrate 1, to expose the resist film 150 using a photomask with a desired pattern, subsequently to remove the resist film 150 in the recessed part 21 by developing and remove the coating film 22 using the remaining resist film 150 as an etching mask.例文帳に追加

除去工程は、基板１上にレジスト膜１５０を塗布し、所望のパターンのフォトマスクを用いてレジスト膜１５０を露光した後、現像することにより、凹部２１のレジスト膜１５０を除去し、残ったレジスト膜１５０をエッチングマスクとして被膜２２を除去する工程である。 - 特許庁

To reduce the error of an operation associated with assembly at the time of automatically assembling the mask pattern of a printed wiring board, and to largely shorten the preparing time of an assembly picture, and to instantaneously evaluate the legality of the assembly dimensions, and to provide a clarified confirmation reference with a picture.例文帳に追加

プリント配線板のマスクパターン自動面付において、面付に関する作業の誤りが減少し、面付図面の作成時間を大幅に短縮し、即座にその面付寸法の妥当性を評価することができ、明確化された確認基準を図面で提供する。 - 特許庁

To reliably prevent generation of an organic haze on a photomask, particularly, on the surface where a mask pattern is formed, without inspecting whether an organic haze generates, or without resticking a pellicle film when the haze generates, and to use a photomask without generating an organic haze, even in a conventional exposure environment.例文帳に追加

有機ヘイズの発生有無の検査や発生した際のペリクル膜の再度貼作業を行うことなく、フォトマスクの特にマスクパターン形成面における有機ヘイズの発生を確実に防止し、従来の露光環境でも有機ヘイズを発生させることなく、フォトマスクを使用する。 - 特許庁

To obtain a vertical section in a treated shape, when an antireflection film formed of at least two separate layers of at least two kinds of polysilanes is dry-etched with a resist pattern used as a mask and thereby to enable control of the influence of microloading effects produced by a reaction product in etching.例文帳に追加

少なくとも二種類のポリシランを少なくとも二層に分けて成膜した反射防止膜を、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行う際、加工形状の断面が垂直状に得られるようになり、エッチング時の反応生成物によって生じるマイクロローディング効果の影響を制御できる。 - 特許庁

After a first interlayer insulation film 104, an etching stopper film, a second interlayer insulation film 106 and a second silicon oxide film are deposited sequentially on a lower layer interconnection 102, openings for the contact holes in first resist pattern are transferred to the second silicon oxide film thus forming a hard mask 107A.例文帳に追加

下層配線１０２の上に、第１の層間絶縁膜１０４、エッチングストッパー膜、第２の層間絶縁膜１０６及び第２のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第２のシリコン酸化膜に第１のレジストパターンの接続孔用開口部を転写してハードマスク１０７Ａを形成する。 - 特許庁

A resist mask is formed and subsequently, a metallic thin resistor 11a, a low resistance metallic interconnection 5a positioning at the both side of the metallic thin film resister 11a, a low resistance metallic interconnection 5b of the other circuit and a thin film metallic pattern 11b (D).例文帳に追加

レジストマスク１３を形成し、続いてドライエッチングにより金属薄膜抵抗体１１ａ、金属薄膜抵抗体１１ａの両端側に位置する低抵抗金属配線５ａ、他の回路の低抵抗金属配線５ｂ及び薄膜金属パターン１１ｂを形成する（Ｄ）。 - 特許庁

In the exposure method, a photosensitive resin 2 provided on an upper surface of a substrate 1 is irradiated with light through a mask member disposed above the photosensitive resin 2 to form a specified exposure pattern comprising an exposed part and an unexposed part on the photosensitive resin 2.例文帳に追加

この露光方法は、基板１の上面に設けた感光性樹脂２に、当該感光性樹脂２の上方に配したマスク部材を介して光を照射することで、感光性樹脂２に露光部分と未露光部分とからなる特定の露光パターンを形成するものである。 - 特許庁

To provide a production method of a shadow mask for a color cathode-ray tube that can make such holes, through with narrow electron beams can pass, that cannot be made with photo-etching method, that can carry production without contaminating the environment and further that can easily change pattern of holes for passing the electron beams.例文帳に追加

フォトエッチング法では明けることのできないような小径の電子ビーム通過孔も明けることができ、また環境を汚染することなく低コストで製造することができ、さらには容易に電子ビーム通過孔のパターンを変更できるカラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁