「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(94ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor crystal (an epitaxial substrate) capable of improving the alignment precision for a mask pattern with reference to an orientation flat in a device manufacturing process without reducing the device forming region of a substrate.例文帳に追加

基板のデバイス形成領域を狭めることなく、デバイス製造プロセスにおいてオリエンテーションフラットを基準とするマスクパターンの位置合わせの精度を向上させることができる化合物半導体結晶（エピタキシャル基板）の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tool for sputtering which can surely hold a glass substrate even when the magnets of a base plate exist in the corresponding positions of the apertures of a pattern mask and which can prevent the appearance of the traces of the magnets on an ITO film deposited on the glass substrate.例文帳に追加

ベースプレートの磁石がパターンマスクの開口部の対応位置にあるときでもガラス基板を確実に挟持でき且つガラス基板に成膜されたＩＴＯ膜に磁石跡が現れるのを防止することができるスパッタ用治具を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device including processing of a silicon wafer, wherein the processing conditions for the silicon wafer are set based on the data corresponding to a pattern of a mask to be used in a before process of the processing of the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウエーハの加工工程を含む半導体装置の製造方法において、前記加工工程の前工程において用いられるマスクのパターンに対応するデータに基づき、前記加工工程の加工条件を設定することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an etching method capable of making highly accurate working to a fine pattern and working of a high selection rate to a mask and a base layer be compatible without causing charge-up and etching shape abnormalities in a workpiece, and an etching device.例文帳に追加

被処理物にチャージアップやエッチング形状異常を与えることなく、微細パターンに対して高精度の加工とマスクや下地層に対する高選択比の加工とを両立することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁

A blank 10 with a light shielding film 21 and a regist layer 31 formed on a transparent substrate 11 is prepared, and a mask 20 having a light shielding pattern 21a and transmission regions 22 formed on the transparent substrate 11 is produced by carrying out a series of patterning procedures.例文帳に追加

透明基板１１上に遮光膜２１及びレジスト層３１が形成されたブランク１０を準備し、一連のパターニング処理を行って、透明基板１１上に遮光パターン２１ａ及び透過領域２２が形成されたマスク２０を作製する。 - 特許庁

To provide a method for forming an etching mask capable of facilitating control of a pattern shape for forming an oblique hole in processing by oblique etching, to provide a method for manufacturing a three-dimensional structure, and to provide a method for manufacturing a three-dimensional photonic crystalline laser device.例文帳に追加

斜めエッチングによる加工に際し、斜め開孔のパターン形状の制御を容易に行うことが可能となるエッチングマスクの形成方法、３次元構造体の製造方法及び３次元フォトニック結晶レーザー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

After eliminating the third resist layer 19, a fourth resist layer 20 (negative resist layer) is formed on the wiring layer 18 so that the wiring layer is left corresponding to a predetermined pattern, and the wiring layer 18 is etched by using the layer 20 as a mask.例文帳に追加

次に、第３のレジスト層１９を除去した後、配線層１８上に、所定のパターンに対応して当該配線層を残存させるように第４のレジスト層２０（ネガレジスト層）を形成して、これをマスクとして配線層１８をエッチングする。 - 特許庁

To provide a technique that improves productivity on a semiconductor integrated-circuit device by preventing size degradation of transferred patterns to perform highly precise pattern transfer, even if a low-cost mask with an organic photosensitive resin for the light-shielding film is used.例文帳に追加

有機感光性樹脂を遮光膜とする低コストマスクを用いた場合にも、転写パターンの寸法劣化を防止し、高精度なパターン転写を行ない、半導体集積回路装置の生産性を向上させる技術を提供することである。 - 特許庁

The image is completed in multi-pass with performing a sequential recording in the same recording area of the record medium with each of nozzle trains installed in the recording head 17 according to the data which has been thinned out by a mask pattern M.例文帳に追加

本発明は、記録ヘッド１７に設けられているノズル列のそれぞれによって記録媒体の同一の記録領域に、マスクパターンＭによって間引かれた間引き画像データに従って順次記録を行い、マルチパスで画像を完成させる。 - 特許庁

A base material 101, having a catalyst layer 102 for plating formed on a surface and a master 200 for plating, having a mask 201 with an uneven shape corresponding to a plating pattern and a reinforcing plate 202 are brought into tight contact and fixed for electroless plating.例文帳に追加

表面にメッキ用の触媒層１０２を形成した基材１０１と、メッキのパターンに対応した凹凸形状を有するマスク部２０１と補強板２０２を有するメッキ用の原盤２００を密着させて固定し、無電解メッキを行う。 - 特許庁

The mask includes, a frame, support parts fixed inside the frame, and a screen part supported by the support parts, on which openings for pattern printing are formed so that at least one side of the screen part is separated from the frame.例文帳に追加

本発明に係るマスクは、フレームと、上記フレームの内側に固定される支持部と、少なくとも一側が上記フレームから離隔するように、上記支持部に支持され、パターン印刷のための開口部が形成されたスクリーン部と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method comprises a process for storing a predetermined stencil pattern in a stencil buffer, a process for determining a stencil reference value based on the number of a viewing point and one of RGB components, and a process for determining a color mask so that the one component is drawn in a frame buffer.例文帳に追加

ステンシルバッファに所定のステンシルパターンを格納する過程と、視点番号とＲＧＢ成分のうちの１成分とから、ステンシル参照値を決定する過程と、１成分をフレームバッファに描画するようにカラーマスクを決定する過程とからなる。 - 特許庁

To provide a mask assembly capable of improving vapor deposition accuracy by preventing its pattern from deforming due to the weight of a substrate during a deposition process, and to provide a vapor deposition apparatus for a flat panel display device using the assembly.例文帳に追加

蒸着工程時基板の重量によりマスク組立体のパターンが変形されることを防止して、蒸着精密度を向上させることができるマスク組立体及びこれを利用した平板表示装置用蒸着装置を提供する。 - 特許庁

In a sensor unit 3 of a reticle carrying device as a mask carrying device, drawing error of a pattern is estimated in advance by matching a reticle R mechanically with a predetermined reference in terms of an outer shape reference using a reference member 32, and measuring a mark RM of the reticle R.例文帳に追加

レチクル搬送装置のセンサユニット３において基準部材３２を用いてレチクルＲを外形基準で機械的に所定の基準に整合させて、レチクルＲのマークＲＭを計測することによりパターンの描画誤差を求めておく。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask blank for obtaining uniformity of desired film thickness in a plane of a resist film (≤100Å) in a predetermined critical area, even when the critical area (substantial pattern forming area) for uniformity of film thickness in a plane of a resist film is enlarged.例文帳に追加

レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリア（実パターン形成領域）が拡大されても、所定の保証エリアで所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を得るマスクブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam exposure device that can always maintain a high-quality exposure pattern by inspecting the irradiating angle distribution of a particle source in advance, and to provide a charged particle beam forming mask and a method of inspecting a charged particle beam used for the exposure device.例文帳に追加

粒子源の放射角分布を事前に検査し常に高品質な露光パターンを維持することが可能な荷電粒子線露光装置と、これに用いる荷電粒子線成形マスク、および荷電粒子線検査方法を提供する。 - 特許庁

A laser beam 11 emitted from an excimer laser oscillator 10 is shaped to a pattern of a projection mask 20 through a total reflection mirror 12 and an optical system 13, and then is reductively projected by a lens 14 to be cast on a substrate 17 in a processing chamber 16.例文帳に追加

エキシマレーザ発振器１０から発せられたレーザ光１１は、全反射ミラー１２や光学系１３を通り、投影マスク２０のパターンに従って成形され、レンズ１４により縮小投影されプロセスチャンバ１６内の基板１７に照射される。 - 特許庁

To provide a curable composition for an etching resist giving a cured film excellent in etching resistance even in secondary etching at a high temperature and excellent also in suitability to subsequent alkali dissolution and removal and in pattern forming property and suitable for use as a backing material particularly in the manufacture of a shadow mask.例文帳に追加

高温下の２次エッチングにおいてもその硬化膜が耐エッチング性に優れ、その後のアルカリ溶解・剥離性及びパターン形成性のいずれにも優れる、特にシャドウマスク製造時の裏止め材に適したエッチングレジスト用硬化型組成物の提供。 - 特許庁

When an image to be a pattern material is subjected to geometrical conversion and is laid out, a covering ratio in a mask area is intentionally operated to lay out and embed arbitrary information data, for example, a character string code of a URL after divided.例文帳に追加

図柄の素材となる画像に幾何的な変換を施して配置する際に、マスク領域における被覆割合を意図的に操作することにより、任意の情報データ、例えばＵＲＬの文字列コード、を分割してから配置して埋め込む。 - 特許庁

The calculator 100 calculates a concentration of a light absorbing substance in the space LS on the basis of a calculated result of the measuring device 10, and the controller 9 judges whether or not to transfer an image of a pattern of a mask M onto a substrate W according to the concentration.例文帳に追加

算出部１００は計測器１０の計測結果に基づいて光路空間ＬＳの吸光物質の濃度を算出し、制御部９はこの濃度に応じて基板ＷへのマスクＭのパターンの像の転写を行うか否かを判断する。 - 特許庁

A primary etching step forms contact holes (symbol 200 in Figure 4) on the interlayer insulating film 105 as well as removes the spacer film 109, followed by a secondary etching step for removing the hard mask film pattern 106a.例文帳に追加

第１のエッチング工程で層間絶縁膜１０５にコンタクトホール（図４中の符号２００）を形成し、スペーサ膜１０９も第１のエッチング工程にて除去し、ハードマスク膜パターン１０６ａを除去するための第２のエッチング工程を実施する。 - 特許庁

A concavo-convex pattern is formed on a sapphire substrate 10 and only the faces 10c-1 having the same normal vector direction in the c-plane or side faces making an angle of not more than 20 degrees with the c-plane are exposed while other faces are covered with an epitaxially grown mask 20 comprising SiO_2 (3.A).例文帳に追加

サファイア基板１０に凹凸を設けて、ｃ面又はｃ面と成す角が２０度以下の側面のうちの法線ベクトルの向きが同じ面１０ｃ−１のみを露出させ、他の面はＳｉＯ_2から成るエピ成長マスク２０で覆う（３．Ａ）。 - 特許庁

Etchant comprises alkaline solution used when the silicon substrate is wet-etched through the mask pattern in the prescribed shape and formed of the oxide film, and it comprises at least one type of metal in Pb, Al, Ca, Mg, Zn or Sn.例文帳に追加

酸化膜からなる所定形状のマスクパターンを介してシリコン基板をウェットエッチングする際に用いられるアルカリ性溶液を含有すると共に、Ｐｂ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎ又はＳｎの少なくとも１種の金属を含有したエッチング液とする。 - 特許庁

An interconnect which needs to be adjusted in propagation delay time has the propagation delay time adjusted by increasing the capacity of the interconnect by changing only a mask pattern of a metal layer where the interconnect is arranged and connecting the dummy metals C1 to C5 to the interconnect.例文帳に追加

伝播遅延時間の調整が必要な配線には、当該配線が配置されるメタル層のマスクパターンのみを変更して、ダミーメタルＣ１〜Ｃ５を当該配線に接続して配線の容量を増加させることにより伝搬遅延時間を調整する。 - 特許庁

The <111> direction is defined as the orientation flat direction 15, and the etching mask 14 used has a periodical recess pattern having edges 12 having an angle larger than 1° and smaller than 44° to the direction of the (111) plane predicted from the orientation flat direction.例文帳に追加

＜111＞方向をオリエンテーションフラット方向１５とし、オリエンテーションフラット方向から予想される(111)面の方向に対して１度より大きく４４度より小さい角度からなるエッジ１２を有する周期的な凹形状を備えたエッチングマスク１４を用いる。 - 特許庁

Second etching treatment is then performed using a second mask pattern 12 for the etching removal of a wide face with an outline 13 in a position away from the structure side face 20 farther from the width of the groove 10.例文帳に追加

次いで前記第１のエッチング処理により形成される溝１０の幅より構造体側面２０から離れた位置に輪郭１３を備えた広い面をエッチング除去するための第２マスクパターン１２を用いて第２のエッチング処理を行う。 - 特許庁

Then, bits as the bit value of 0 from the bits in the S-1 number are inverted to 1 to the bit pattern at the maximum value, and the mask generation in which the all upper bits from the inverted bit positions are set in 1 and the lower bits in 0 is conducted.例文帳に追加

一方、最小値のｂｉｔパターンに対しては、Ｓ−１番目のｂｉｔからｂｉｔ値０となるｂｉｔを１に反転し、反転したｂｉｔ位置より上位のｂｉｔを全て１、下位のｂｉｔを０としたマスクを生成を行う。 - 特許庁

To provide a lithography simulation device for deciding the quality of a circuit layout or a mask pattern created therefor from various aspects, and to provide a lithography simulation program and a method for designing and manufacturing a semiconductor device using the device.例文帳に追加

回路レイアウトや、これを得るために作成されたマスクパターンに対して、その良否を多面的に判断することが可能なリソグラフィシミュレーション装置、ならびにリソグラフィシミュレーションプログラムおよびそれを使用した半導体装置設計製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a focusing ion beam device that is capable of working precisely perpendicularly without difficulty, the pattern face capable of taking all directions in the remody process case of the defects of patterns having a penetration structure in the electron beam exposure mask.例文帳に追加

本発明の課題は、電子ビーム露光用マスクにおける貫通構造のパターン欠陥を修正加工する際に、あらゆる方向を取り得るパターン面を無理無く正確に垂直に加工することができる集束イオンビーム装置を提供することにある。 - 特許庁

A manufacturing method of semiconductor device comprises a process of forming the transfer pattern including a line in which width or angle varies by performing multiplex exposure using a plurality of masks including patterns 1A, 1B on a different mask substrate.例文帳に追加

半導体装置の製造方法を、異なるマスク基板上に異なるパターン１Ａ，１Ｂを有する複数のマスクを用いて多重露光を行なって、幅又は角度が変化するラインを含む転写パターンを形成する工程を含むものとする。 - 特許庁

The aluminum foil is adhered on the surface of the resin film substrate 11 using a polyurethane adhesive layer 12, and the circuit pattern layer 13 is formed by etching the aluminum foil using a resist ink layer as a mask.例文帳に追加

樹脂フィルム基材１１の表面の上に、エポキシ樹脂を含有するポリウレタン系接着剤層１２を用いてアルミニウム箔を固着し、レジストインク層をマスクとして用いてアルミニウム箔をエッチングすることによって回路パターン層１３を形成する。 - 特許庁

Then a resist film 25, which has an opening of a wiring groove pattern 33, is formed on the embedded film 22 and used as a mask to etch the embedded film 24 and interlayer insulating film 22, thereby forming a wiring groove 34 in the interlayer insulating film 22.例文帳に追加

その後、埋込膜２２上に配線溝パターン３３の開口を有するレジスト膜２５を形成し、このレジスト膜２５をマスクとして埋込膜２４及び層間絶縁膜２２をエッチングして層間絶縁膜２２に配線溝３４を形成する。 - 特許庁

This mask pattern verifying device is provided with a processor 1, a keyboard 2, a mouse 3, a storage device 4, and a display device 5, and configured to advance the retrieval of a current path with a constant potential only for prescribed current path length in one step.例文帳に追加

処理装置１と、キーボード２と、マウス３と、記憶装置４と、表示装置５とを備え、同一電圧の電流経路を検索するマスクパターン検証装置は、１ステップで所定の電流経路長だけ検索を進めるようになっている。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition having high resolving power when a bracelet illumination lamp is used, having a broad defocus latitude, less liable to produce a side lobe in pattern formation using a halftone phase shift mask and less liable to generate particles in storage with age.例文帳に追加

輪帯照明を用いた際に高解像力であり、デフォーカスラチチュードが広く、ハーフトーン位相シフトマスクを用いてパターン形成した際にサイドローブが発生し難く、且つ経時保存時にパーティクルが発生し難いポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

After mounting a substrate on the exposure device, a position and inclination of the substrate is calculated by measuring points on an outer periphery of the substrate, and an exposure pattern, and a position and inclination of the mask are corrected to exposure an arbitrary position on the substrate.例文帳に追加

本発明による方法は、露光装置に基板を取り付け後、基板の外周上の点を測定することで基板の位置と傾きを計算し露光パターン及びマスクの位置と傾きを修正し、基板上の任意の位置に露光する。 - 特許庁

A signal-processing section 36 gives an instruction to an alarm sound-generating apparatus 30 to transmit an alarm by receiving signals from the ultrasonic sensor 29, and at the same time gives an instruction to an image-superposing section 38 to blink a joint eye mask pattern.例文帳に追加

信号処理部３６は超音波センサ２９からの信号を受けて警告音発生装置３０に警告音を発信するように指示を出すと共に、画像重畳部３８に対してつなぎ目マスクパターンを点滅させるように指示を出す。 - 特許庁

To provide a scanning exposure device and a scanning exposure method capable of blocking light for exposure by selectively using a light shield member to shield a region of minimum non-exposure width and efficiently shielding the entire pattern region of a mask.例文帳に追加

遮光部材を選択的に用いて露光用光を遮光して、最小非露光幅の領域を遮光できるとともに、マスクのパターン領域全域を効率的に遮光することができるスキャン露光装置及びスキャン露光方法を提供する。 - 特許庁

These laminated films 2, 3 and 4 are continuously etched by a mixing gas consisting of fluorine gas, chlorine gas and Ar gas in the same etching chamber, under the same etching condition, using the resist pattern 5 as the mask and an ICP etching device which can provide a high density plasma.例文帳に追加

この積層膜２，３，４をレジストパターン５をマスクとして、高密度プラズマが得られるＩＣＰエッチング装置を使用して、「フッ素系ガスと塩素系ガスとＡｒガスの混合ガス」にて同一エッチング室内、同一エッチング条件で連続的にエッチングする。 - 特許庁

Plasma treatment using carbon-containing compound gas of plasma generating raw material gas is applied to the screen printing mask formed with a predetermined pattern with a photosensitive emulsion on the plain gauze to modify the surface of the photosensitive emulsion and gauze, and a protective film is formed.例文帳に追加

紗の上に、感光性乳剤にて所定のパターンが形成されたスクリーン印刷用マスクに、プラズマ発生用原料ガスの含炭素化合物ガスを用いたプラズマ処理を施し、感光性乳剤および紗の表面を改質し保護膜を形成する。 - 特許庁

The electron beam lithography device includes: a mode selection means for selecting a mask drawing mode for superposition exposure as a drawing mode; and a shape selection means for selecting substrates having the same shape from a plurality of substrates used by the mask drawing for superposition exposure in the registration of a drawing pattern when the superposition exposure mode is selected.例文帳に追加

描画モードとして、前記重ね合わせ露光用マスク描画モードを選択するモード選択手段と、この重ね合わせ露光モードが選択されると、描画パターンの登録時に、この重ね合わせ露光用マスク描画で使用される複数の基板のうち、同種の形状を有するものを選定する形状選定手段とを備えた電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

A hydrophobic mask layer 13 having water wettability lower than that of a conductive surface 12a is formed in at least a part on the conductive surface 12a of a substrate 12, a metal oxide is electrolytically deposited on the conductive surface 12a by an electrolytic deposition method, the metal oxide deposited on the hydrophobic mask layer 13 is removed to form a pattern of a metal oxide layer 14.例文帳に追加

基体１２の導電性表面１２ａ上の少なくとも一部に、水の濡れ性が導電性表面１２ａよりも低い疎水性マスク層１３を形成し、電解析出法により、導電性表面１２ａ上に金属酸化物を電解析出させるとともに、疎水性マスク層１３上に析出した金属酸化物を除去して、金属酸化物層１４をパターン形成する。 - 特許庁

The method includes steps of forming an in-situ mask for the photosensitive element; exposing the element to actinic radiation through the in-situ mask in an environment having an inert gas and a concentration of oxygen between 190,000 and 100 ppm; and treating the exposed element to form the relief printing form having a pattern of printing areas.例文帳に追加

この方法は、感光性要素用のその場マスクを形成するステップと、この要素をその場マスクを介して不活性ガスと１９０，０００ｐｐｍと１００ｐｐｍとの間の酸素濃度を有する環境内で化学放射線に露出させるステップと、印刷領域のパターンを有する凸版印刷組版を形成するように、露出された要素を処理するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a forming method for a partition member by which the time needed to form a partition member such as a seal material and a black mask on a substrate is shortened and the partition member such as the seal material and the black mask having a fine pattern is easily formed at low cost and to provide a substrate, a liquid crystal display device and its manufacturing method, and electronic equipment.例文帳に追加

基板上に、シール材、ブラックマスク等の区画部材を形成する場合において、形成に要する時間を短縮化することが可能で、高精細なパターンのシール材、ブラックマスク等の区画部材を簡便かつ低コストで形成することが可能な、区画部材の形成方法、基板、液晶表示装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供する。 - 特許庁

The method includes steps of forming an in-situ mask on a photosensitive element, exposing the element to chemical rays via the in-situ mask in an environment, having an inert gas and an oxygen concentration ranging from 190,000 to 100 ppm, and processing the exposed element to prepare a relief printing form, having a pattern of an embossed surface segment.例文帳に追加

この方法は、感光性エレメントの上にｉｎ−ｓｉｔｕマスクを形成するステップと、不活性ガスおよび１９０，０００から１００ｐｐｍの間の酸素濃度を有する環境内においてｉｎ−ｓｉｔｕマスクを介して化学線に対してエレメントを露光させるステップと、浮出し面区域のパターンを有する凸版印刷フォームを形成するために露光されたエレメントを処理するステップとを含む。 - 特許庁

At this time, the relation between exposure conditions and the surface shape of the unevenness forming layer 119 or light reflecting layer is previously simulated according to a simulation result of the relation between exposure conditions including the mask pattern of the exposure mask 102 and a proximity gap G and a distribution of the quantity of exposure to the photosensitive resin 101, and exposure conditions are determined according to the simulation result.例文帳に追加

その際、露光マスク１０２のマスクパターン、およびプロキシミティギャップＧを含めた露光条件と、感光性樹脂１０１に対する露光量分布との関係のシミュレーション結果に基づいて、露光条件と凹凸形成層１１９あるいは光反射層１１２の表面形状との関係を予めシミュレーションしておき、そのシミュレーション結果に基づいて、露光条件を決定する。 - 特許庁