「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(93ページ目) - Weblio英語例文検索

In the liquid crystal driver 101 of a liquid crystal display device provided with a mechanism which performs the switching between the image data for the partial displays from a partial storage device and non-display (background pattern), the change of the partial display area is detected from the setting command of the partial display area and a mask switch 112 is controlled so as to select the background pattern.例文帳に追加

パーシャル用記憶装置からのパーシャル表示用の画像データと、非表示（背景パターン）との切り替えを行う仕組みを備える液晶表示装置の液晶ドライバ１０１において、パーシャル表示領域の変化をパーシャル表示領域の設定コマンドより検知し、背景パターンを選択するようにマスクスイッチ１１２を制御する。 - 特許庁

To provide a material of an antireflection film ensuring high etching selectivity to a resist, that is, a high etching speed to a resist, to provide a pattern forming method for forming an antireflection film layer on a substrate using this antireflection film material, and to also provide a pattern forming method using this antireflection film as a hard mask for substrate working.例文帳に追加

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ちレジストに対してエッチングスピードが速い反射防止膜の材料を提供し、且つこの反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法及び、この反射防止膜を基板加工のハードマスクとして用いるパターン形成方法も提供する。 - 特許庁

To provide a column spacer composition enabling simultaneous formation of a saturated pattern and a semi-transmissive pattern as column spacer patterns having different shapes, whose difference in thickness is controllable as desired although the sensitivity is slightly reduced, through a slit or semi-transmissive mask by varying the kind and amount of the radical polymerization inhibitor.例文帳に追加

本発明は、カラムスペーサの中でもスリットや半透過マスクを用いて同時に２つの異形状のカラムスペーサを作製する特殊な場合において、ラジカル重合禁止剤の種類や量を変更することにより、感度は小幅減少しても２つのパターン(飽和パターン、半透過パターン)の差を自由に調節できるカラムスペーサ組成物を提供することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of further improving uniformity of a mask pattern size on the entire wafer surface and lowering variation in opening width of a contact window on the entire wafer surface when forming the contact window to improve the product yield and quality even when a higher step and a large area pattern are formed.例文帳に追加

高段差で大面積のパターンが形成される場合でも、ウェハ全面でのマスクパターン寸法の均一性をさらに向上させることができるとともに、コンタクト窓形成の際にウェハ全面でコンタクト窓の開口幅ばらつきを低減することができ、製品歩留を改善しかつ製品品質をより向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A mask film 17 (a pattern film) having a desired shape is attached onto a substrate 11 being a subject to be processed, a resin film 18 is formed to cover the film 17 and such a recessed part 19 that a pattern of the film 17 is transferred to the film 18 is formed on the film 18 when the film 17 is peeled off together with the film 18.例文帳に追加

加工対象物である基板１１上に所望形状のマスクフィルム１７(パターン膜)を貼付し、このマスクフィルム１７を覆うように樹脂膜１８を形成した後、マスクフィルム１７をマスクフィルム１７上の樹脂膜１８と共に剥離すると、樹脂膜１８にマスクフィルム１７のパターンが転写された凹部１９が形成される。 - 特許庁

When the photo mask is manufactured by forming a light shielding film pattern on one side of a light transmitting substrate and demarcating a light transmitting part by the light shielding film pattern, a fluorine-containing photocatalyst active layer containing a photocatalyst and a fluorine-based compound is formed in a manner that it can be overlapped on the light transmitting part on the plane view.例文帳に追加

光透過性基板の片面に遮光膜パターンが形成され、この遮光膜パターンによって光透過部が画定されているフォトマスクを作製するにあたり、光透過部と平面視上重なるようにして、光触媒とフッ素系化合物とを含有するフッ素含有光触媒活性層を形成することによって、上記課題を解決した。 - 特許庁

The coating apparatus is provided for coating a substrate for a device of which a first electrode layer has a pattern preformed in a predetermined circuit form thereon, and the coating apparatus comprises an ultrasonic spray nozzle in its upper portion, a pattern mask covering a surface of the substrate for a device, and an electrical field-type mechanism mounted on the substrate for a device or a side mounting the substrate for a device.例文帳に追加

第１電極層が予め所定の回路状にパターンが形成された素子用基板に塗布する装置であって、上部には超音波スプレーノズルを備え、前記素子用基板の表面を覆うパターンマスクを備え、かつ、素子用基板、あるいは該素子用基板設置側には電場形機構を設けることにより解決した。 - 特許庁

This aligner is provided with a lump exposure mechanism 4 forming a circuit by collectively exposing the entire surface by a mask M masking the part of the high density and high thin line pattern Wa, and a partial exposure mechanism 7 (17) forming a circuit by partially exposing the part of the high density and high thin line pattern by an optical system more excellent in resolution.例文帳に追加

高密度・高細線パターンＷａの部分をマスキングしたマスクＭにより全面一括露光し、回路を形成する一括露光機構４と、前記高密度・高細線パターンの部分を、より解像力の優れた光学系により部分露光し、回路を形成する部分露光機構７（１７）と、を兼備する露光装置として構成した。 - 特許庁

To provide a mask which is used to manufacture an optical diffusing film wherein a columnar minute area having a refractive index varied in the perpendicular direction of a resin layer is formed to change the scattering property by an angle of incidence of light, and has a pattern consisting of areas for transmitting light and a pattern intercepting light and excludes an influence of occurring black defects.例文帳に追加

樹脂層の厚み方向に屈折率が異なる柱状の微小領域を形成し、光の入射角度によって散乱性が変化する光拡散フィルムを作製するマスクで、光を透過する領域からなるパターンと、光を遮断するパターンを有し、かつ発生した黒欠陥の影響を排除したマスクを提供することである。 - 特許庁

A light reflecting mask 100 includes a reflecting layer 102 which is provided on a substrate 101 and reflects light, an absorbing layer 105 which is provided on the reflecting layer 102 and absorbs light, a device pattern which is formed in a first region of the absorbing layer 105, and the reflectance measuring pattern which is formed in a second region of the absorbing layer 105.例文帳に追加

光反射型マスク１００は、基板１０１上に設けられ、かつ光を反射する反射層１０２と、反射層１０２上に設けられ、かつ光を吸収する吸収層１０５と、吸収層１０５の第１の領域に形成されたデバイスパターンと、吸収層１０５の第２の領域に形成された反射率測定パターンとを含む。 - 特許庁

The mask 100 for screen printing includes a plurality of pattern sections 104 having holes for screen printing, peripheral parts 103 surrounding the outer sides of the pattern sections 104, and lugs 105 formed on the rear surface of the peripheral parts 103, and performs printing by being arranged on a circuit board in such a manner that the lugs 105 come into contact with the top of the circuit board.例文帳に追加

本発明のスクリーン印刷用マスク１００は、スクリーン印刷用ホールを有する複数のパターン部１０４と、パターン部１０４の外側を取り囲む周辺部１０３と、周辺部１０３の裏面に形成された突出部１０５とを含み、回路基板上に突出部１０５が接するように配置して印刷することを特徴とする。 - 特許庁

A manufacturing method of a grayscale mask having a variable density pattern corresponding to change of optical transmissivity has a step of forming a dry plate by applying a photoemulsion onto a transparent substrate and a step of irradiating the dry plate with laser beams which are subjected to a plurality of gradations of intensity modulation corresponding to the variable density pattern.例文帳に追加

本発明に係るグレイスケールマスクの製造方法は、光透過率の変化に対応した濃淡模様を有するグレイスケールマスクの製造方法であって、透明基板上にフォトエマルジョンを塗布して乾板を形成するステップと、濃淡模様に対応して複数階調の強度変調を行ったレーザー光を乾板に照射するステップと、を備える。 - 特許庁

The mask has an opening pattern 8, which is positioned and laid on a work, i.e., a printing wiring board 11 having integrated circuit elements 12, etc., mounted thereon and an ink 7 filled by a squeegee 5 pressed and slid on a main surface is extruded from the opening pattern 8 onto printing regions 14 for printing.例文帳に追加

開口パターン部８を有し、この開口パターン部８を集積回路素子１２等が実装されたプリント配線基板１１からなる被印刷体に対して位置決めして載置されるとともに主面上を加圧摺動するスキージ５によって充填されたインキ７を開口パターン部８から印刷領域１４上に押し出して印刷する。 - 特許庁

Attribute information is imparted to each pattern in a mask production data 4, the attribute information relating to whether the pattern corresponds to an active region where an electrically active region is to be formed, or corresponds to a nonactive region where an electrically nonactive region is to be formed upon fabricating on the semiconductor substrate by photolithography.例文帳に追加

マスク製造用データ４中のそれぞれのパターンには、フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれるときに、電気的にアクティブな領域を形成するアクティブ領域対応パターンであるのか、又は、電気的にノンアクティブな領域を形成するノンアクティブ領域対応パターンであるのかに係る属性情報が付与されている。 - 特許庁

An organic polymer resin layer is provided on the surface of a semiconductor device, after pattern processing and hardening treatment are performed, the resin pattern is etched as a mask, the conduction layer of the opening part is exposed, next, oxygen plasma treatment is performed at a temperature of 100°C or higher, and the semiconductor device is manufactured by cleaning the conduction layer of the opening part.例文帳に追加

半導体素子表面に有機ポリマー樹脂層を設け、パターン加工及び硬化処理を施したのち、この樹脂パターンをマスクとしてエッチング処理し、開口部の導通層を露出させ、次いで１００℃以上の温度で酸素プラズマ処理を行い、上記開口部の導通層をクリーニングすることにより、半導体装置を製造する。 - 特許庁

A first contact 45a which reaches an SOI layer 13 below an isolation insulation film 14 and a first contact 42a which reaches the top face of the active region 21 are formed by separate etching processes which each use a mask of a different pattern.例文帳に追加

分離絶縁膜１４の下のＳＯＩ層１３にまで達する第１のコンタクト４５ａと、活性領域２１の上面まで達する第１のコンタクト４２ａとを、それぞれ異なるパターンのマスクを用いた別々のエッチング工程により形成する。 - 特許庁

Since the mask areas 11 and 12 are exposed to the electron beams EB which are narrowed in the direction with the image resolution of the patterns P1 and P2 required therein namely, in the widthwise directions of the patterns, a fine pattern can be formed even when a large beam current having a noticeable coulomb effect is used.例文帳に追加

このように、パターンの解像度の要求される方向、すなわちパターンの幅方向に絞った電子線ＥＢで露光することにより、クーロン効果が顕著な大ビーム電流によっても微細なパターンを形成することができる。 - 特許庁

The exposing mask 100 is constituted of a supporting frame 4, beams 5 for supporting a membrane 6 integrally with the supporting frame 4, the membrane 6 composed of a pattern forming part 7 or the like in which electron beam penetration holes 9 are formed, conductive projections 11, and so on.例文帳に追加

露光用マスク１００を、支持枠４、支持枠４と一体となってメンブレン６を支える梁５、電子ビーム通過孔９が形成されるパターン形成部７などからなるメンブレン６、そして導電性突起物１１等で構成する。 - 特許庁

To provide a method and technology which form "linear" behavior as to the printing of CD (Critical Dimensions) when the CD and pitches of features which are included in a prescribed mask pattern change and enable simple and systematic approach for maintaining this.例文帳に追加

所定のマスクパターンに含まれるフィーチャのＣＤ（臨界寸法）およびピッチが変わる際、ＣＤのプリンティングに関して「線形」挙動を形成し、これを維持するための簡単で系統的なアプローチを可能にする方法および技術を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist material capable of forming a resist pattern suitable for use as a thick film mask when a substrate is subjected to ion implantation or plating and excellent in heat resistance and cross-sectional shape in a short time with good resolution.例文帳に追加

基板にイオン注入やめっき処理を施す場合に、厚膜のマスクとして好適に用いることができ、耐熱性及び断面形状に優れるレジストパターンを、短時間で解像性よく形成しうるネガ型レジスト基材を提供する。 - 特許庁

To provide a black membrane forming method of a display device that does not require a substantial facility and can be resource saving and energy saving, and can form a black membrane pattern precisely with ease, and its device and an aperture mask used for it.例文帳に追加

大がかりな装置を必要とせず、かつ、省資源化および省エネルギー化を図れ、黒色膜のパターンを正確かつ容易に形成できるディスプレイ装置の黒色膜形成方法、および、その装置とそれに用いるアパチャマスクを提供すること。 - 特許庁

To reduce time necessary for second plasma processing to remove a by-product produced by first plasma processing for forming an uneven structure in substrate plasma processing for forming, on a surface of a sapphire substrate, the uneven structure corresponding to a mask pattern.例文帳に追加

サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、凹凸構造を形成するための第１プラズマ処理により生じる副生成物を除去するための第２プラズマ処理の時間を短縮化する。 - 特許庁

The tracking pattern data in which the information such as the model or serial number of the image forming apparatus is encoded are stored in a register 56, and are sequentially read from the register 56 in a timing synchronized with a line/page start signal and outputted to a data mask circuit 66.例文帳に追加

画像形成装置の機種や製造番号等の情報をコード化した追跡パターンデータはレジスタ５６に記憶されており、ライン／ページ開始信号に同期したタイミングでレジスタ５６から順次読み出されてデータマスク回路６６へ出力される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reflective mask which is superior in resistance to an environment wherein a pattern is formed to a buffer film provided on a multilayer reflective film and which has a protective film on the multilayer reflective film that is superior in chemical resistance during cleaning or the like.例文帳に追加

多層反射膜上に設けられるバッファ膜へのパターン形成時の環境に対する耐性に優れ、しかも洗浄時等における耐薬品性に優れた保護膜を多層反射膜上に備えた反射型マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve processing of high quality and high precision by preventing a light component of 0th order from being generated strongly to form an uneven light intensity distribution when a beam is split by a hologram and put one over the other on an irradiated part or pattern mask to make the light intensity uniform.例文帳に追加

ホログラムでビームを分割し、被照射部、またはパターンマスク上で重畳して光強度を均一化する際に、０次光成分が強く発生し不均一な光強度分布となることを防止し、高品質、高精度な加工を達成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method for a minutely working mold, in which working can be done with a comparatively weak laser strength by employing the laser in visible range and a minute and clear pattern can be formed in an open air without employing a mask.例文帳に追加

可視域のレーザを用いて比較的弱いレーザ強度を加工することができ、かつマスクを使用することなく大気中で微細で鮮明なパターンを形成することができる微細加工型の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since the dislocation of two different directions of the mask can be detected properly by a single TEG, having a pair of contact holes and one reference wiring pattern, the area of TEG can be reduced, and as a result, the semiconductor device can be micronized.例文帳に追加

一対のコンタクトホール及び一つの基準配線パターンを備える単一のＴＥＧによりマスクの異なる２方向の位置ずれが適切に検出されるため、ＴＥＧの面積が縮小され、その結果、半導体装置が微細化される。 - 特許庁

To provide a mask for vapor deposition, which can cope with highly precise patterning by correcting nonuniformity such as a temperature change and a temperature distribution due to an effect of radiant heat, in order to remove the adverse effect of the radiant heat on pattern location accuracy.例文帳に追加

蒸着用マスクにおいて、輻射熱によるパターン位置精度に対する悪影響を極力排除すべく、その輻射熱の影響による温度変化や温度分布等の不均一化を是正して、高精度なパターニングに対応することを可能にする。 - 特許庁

According to the embodiment, the charged particle beam device can be provided in which the high precision and high speed measurements, or inspections can be carried out even in the sample deposited with a large static charge on a face different from the pattern face such as the photo-mask.例文帳に追加

当該態様によれば、ホトマスクのようなパターン面とは異なる面に大きな帯電が付着する試料であっても、高精度且つ高速に測定、或いは検査を行うことができる荷電粒子線装置を提供することが可能となる。 - 特許庁

To provide an X-ray mask which can be manufactured by relatively simple facilities, is not strained against heat generation in exposure to hardly have its X-ray absortpion pattern broken, and optical transparent to facilitate multiple exposure.例文帳に追加

比較的簡単な設備で作製でき、露光時の発熱によっても歪むことがなく、Ｘ線吸収体パターンが破壊され難く、光学的に透明で多重露光を容易に行なうことができるＸ線マスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this color cathode-ray tube, a stress relaxation pattern 59 formed on the skirt portion 51 of a shadow mask is etched together with electron beam passing holes in the main face at one etching treatment so as to have the same aperture opening that electron beam passing holes have.例文帳に追加

シャドウマスクのスカート部５１に形成する応力緩和パターン５９を当該シャドウマスクの主面５０の電子ビーム通過孔と同様の開口として１段エッチング処理で電子ビーム通過孔と同時に応力緩和パターン５９を形成する。 - 特許庁

To provide a practicable method for setting a design margin of mask patterns which determines the cross relations of the design margin, dimensional errors and superposition errors while studying an actual semiconductor process, a method for setting pattern accuracy and a method for setting the design margin of wafer patterns.例文帳に追加

実際の半導体プロセスを検討しながら、設計マージン、寸法誤差、重ね合わせ誤差の相互関係を求める実用的なマスクパターンの設計マージン設定方法、パターン精度設定方法およびウェハパターンの設計マージン設定方法の提供。 - 特許庁

A plurality of pairs of aligning marks 12 to 14 are formed on a plurality of positions on a glass substrate 11, a mat layer 15 consisting of an emulsion layer is formed on a part other than the marks 12 to 14 and a shadow mask pattern is printed on the mat layer 15.例文帳に追加

ガラス基板１１上の複数箇所に複数対の位置合せマーク１２，１３，１４を形成し、この位置合せマーク１２，１３，１４以外の部分に乳剤層からなるマット層１５を形成し、このマット層１５にシャドウマスクパターンを焼き付ける。 - 特許庁

To provide a method for producing a mask blank for obtaining uniformity of desired film thickness in a plane of a resist film (≤100 Å) in a prescribed critical area, even when the critical area (substantial pattern forming area) for uniformity of film thickness in a plane of a resist film is enlarged.例文帳に追加

レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリア（実パターン形成領域）が拡大されても、所定の保証エリアで所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を得るマスクブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The mask blank includes a transparent substrate 1 and a light-shielding film 2 formed on the transparent substrate, and the light-shielding film made of a material composed mainly of a metal that is dry-etchable with a chlorine-based gas, wherein a resist film is used upon forming a transfer pattern in the light-shielding film 2.例文帳に追加

透光性基板１上に、塩素系ガスでドライエッチング可能な金属を主成分とする材料で形成される遮光膜２を備え、該遮光膜２に転写パターンを形成する際にレジスト膜を用いるマスクブランクである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a halftone type phase shift mask in which black defects of a light shield layer are removed and black defects in a phase shift layer are not generated and transmissivity is not deduced due to gallium stain and phase difference due to decrease in thickness of a phase shift layer pattern is not varied.例文帳に追加

遮光層の黒欠陥は除去され、位相シフト層の黒欠陥は発生させず、ガリウムステインによる透過率の低下、位相シフト層パターンの厚みの低下による位相差の変化のないハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。 - 特許庁

The polarization direction of the illumination beam is aligned with a polarizing conversion optical system 20 in a direction parallel to an edge 1a of the mask pattern 1A, so that the slopes caused by the diffraction of the diffraction images formed on the exposure object substrate 2 are made sharper.例文帳に追加

また、偏光変換光学系２０により、照明光の偏光方向を、マスクパターン１Ａのエッジ１ａと平行な方向に揃えて、露光対象基板２上に形成される回折像の回折によるスロープを急峻化する構成としてある。 - 特許庁

To provide a substrate positioning apparatus improved in accuracy and the yield of a reticle by correcting a reticle precursor position by measuring slippage of a pattern center with respect to a reticle center in a mask drawing apparatus, and to provide a substrate positioning method.例文帳に追加

マスク描画装置内でレチクル中心に対するパターン中心のズレを測定し、レチクル原版位置を修正することができ、レチクルの精度と収率の向上を図ることができる基板位置決め装置及び基板位置決め方法を提供する。 - 特許庁

The etching method forms a resist layer on the substrate by using the photolithography method, uses the resist layer as a mask, removes at least part of the substrate in its thickness direction by the dry etching method and processes the substrate to have a prescribed pattern.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、基材上にフォトリソグラフィー法によりレジスト層を形成し、このレジスト層をマスクとして用いて、基材の厚さ方向の少なくとも一部をドライエッチング法により除去して、所定のパターンに加工する方法である。 - 特許庁

To provide a Levenson type phase shift mask which can be manufactured without complicating the manufacturing processes or increasing the factors of defects, which prevents deterioration in the transfer accuracy caused by unnecessary light reflecting from the photomask surface and which improves the resolution of a transfer pattern.例文帳に追加

製造プロセスを複雑にせず、欠陥の要因を増やさず製造でき、また、フォトマスク面で反射する不必要な光に起因する転写精度の劣化を防止し、転写パターンの解像力を向上させるレベンソン型位相シフトマスクを提供すること。 - 特許庁

In this regard, an opening 14a is made in the region of the mask pattern 25 and the wall face of the opening 14a is inclining about 60° of angle β with respect to the substrate surface because of face orientation dependency of GaN growing speed.例文帳に追加

このとき、電流狭窄層１４には、マスクパターン２５の領域に開口部１４ａが形成され、該開口部１４ａの壁面の基板面はＧａＮの成長速度の面方位依存性により、基板面に対する傾斜角βの値はほぼ６０°となる。 - 特許庁

Meanwhile, screen pores 4 are provided in a different pattern from that of the pores 3 at an opposite side part 1b of the mask 1 to the part 1a, and recesses 5 for inhibiting an adherence of the agent coating by the pores 3 are provided on a lower surface.例文帳に追加

また一方、マスク１の前記部分１ａと反対側部分１ｂに、前記スクリーン孔３と異なるパターンでスクリーン孔４を設けると共に、下面に前記スクリーン孔３により塗布した印刷剤が付着しないようにするための窪み５を設ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetic recording medium having high reliability and capable of reliably removing a resin material used for performing rugged pattern machining of a recording layer, to provide a stamper used for the same, to provide a transfer device and to provide a resin mask forming method.例文帳に追加

記録層を凹凸パターン加工するために用いられた樹脂材料を確実に除去できる信頼性が高い磁気記録媒体の製造方法、これに用いられるスタンパ、転写装置及び樹脂マスク形成方法を提供する。 - 特許庁

The X-ray mask with the high aspect ratio can easily be formed at low cost while securing large exposure area by increasing the strength of the thin film since the whole absorber pattern is covered with a transmitting material.例文帳に追加

本発明のＸ線マスクは、吸収体パターン全体が透過材によって包み覆われた構造をもつので、薄膜の強度を上げて大きな露光面積を確保でき、また高アスペクト比のＸ線マスクが容易に低コストで形成することができる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin laminate having excellent adhesion property, reducing deficiencies at rib tops and to be used as a mask material for sand blasting so as to process a fine pattern on a substrate to be processed with high yield, and to provide a surface process method by sand blasting by using the laminate.例文帳に追加

密着性に優れ、リブ頂部欠損を低減し、サンドブラスト用のマスク材として被加工基材に微細なパターンを歩留まりよく加工できる感光性樹脂積層体、及びそれを用いたサンドブラスト表面加工方法を提供する。 - 特許庁