「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索

When an etching mask for actual processing is formed on the substrate, the numerical aperture of the second pattern portion is determined, based on the data determined previously, such that the in-plane variations of the etching conversion difference in the film to be etched becomes small (ST6).例文帳に追加

被エッチング膜におけるエッチング変換差の面内ばらつきが小さくなるように、基板に実処理のためのエッチングマスクを形成する際の第２パタン部の開口率を先に求めたデータに基づいて決定する（ＳＴ６）。 - 特許庁

A substrate conductor layer 11 is formed on the main surface of an insulating plate 10, a resist layer 12 is provided on the substrate conductor layer 11, and a resist mask pattern is formed in which the substrate conductor layer 11 of the part for forming the conductor line is exposed.例文帳に追加

絶縁板１０の主面に下地導体層１１を形成し、下地導体層１１にレジスト層１２を設けて、導体線路を形成する部分の下地導体層１１が露出したレジストマスクパターンを形成する。 - 特許庁

A protection film 20 including a shape pattern 20a in response to the shape of the piezoelectric substrates 12 and an opening 20b in response to the shape of the alignment marker 18 relative to the alignment of a photo mask or the like is formed on the surface of the piezoelectric wafer 10.例文帳に追加

圧電ウエハ１０の表面には、圧電基板１２の形に応じた形状パターン２０ａと、フォトマスク等の位置合わせ基準となるアライメントマーカー１８の形に応じた開口部２０ｂとを有する保護膜２０が形成される。 - 特許庁

An SiO2 film 2 and a resist (resist pattern) 3 of an upper layer are formed on a resist 1 of a lower layer, O2 gas singly is used as etching gas and the SiO2 film 2, and the resist 1 of a lower layer are etched by using the resist 3 of an upper layer as a mask.例文帳に追加

下層のレジスト１上にＳｉＯ_2 膜２、上層のレジスト（レジストパターン）３を形成し、エッチングガスとしてＯ_2 ガス単体を使用し、上層のレジスト３をマスクにしてＳｉＯ_2 膜２および下層のレジスト１をエッチングする。 - 特許庁

An end part of a light shielding zone on a photomask is placed in a seam part; and the distance 27R from the end part of the light shielding zone to an end of a mask pattern is equal to or larger than a value determined by adding the sum of absolute positional shifts of the respective photomasks and an absolute value of the diffracted light width.例文帳に追加

フォトマスク上の遮光帯の端部は継ぎ部に位置し、遮光帯の端部からマスクパターンの端までの間隔２７Ｒは、各フォトマスク位置ズレの絶対値の和に、回折光幅の絶対値を加算した値以上。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin laminate having excellent sensitivity, resolution and adhesion property as a mask material for sand blasting with which a fine pattern can be worked with high yield in a base material to be worked, and to provide a method of sand blast surface working by using the laminate.例文帳に追加

感度、解像度、密着性に優れ、サンドブラスト用のマスク材として被加工基材に微細なパターンを歩留まりよく加工できる感光性樹脂積層体、及びそれを用いたサンドブラスト表面加工方法を提供する。 - 特許庁

The three- dimensional dispenser has a dispenser head 5 movable three-dimensionally relative to the installed planar photomask 1 and a thermosetting resin is applied near the mask pattern 2 on the installed planar photomask 1 by the dispenser head 5.例文帳に追加

また、３次元ディスペンサは、設置された板状のフォトマスク１に対して３次元移動が可能なディスペンサヘッド５を有し、ディスペンサヘッド５により設置された板状のフォトマスク１上のマスクパターン２近傍に熱硬化性樹脂が塗布される。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having good resolution performance and being excellent particularly in property of uniformly forming a resist pattern and in mask reproducibility, and to provide a polymer suitably used in the radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

良好な解像性能を有し、特に、レジストパターンの均一形成性及びマスク再現性にすぐれた感放射線性樹脂組成物及びその感放射線性樹脂組成物に好適に用いられる重合体を提供する。 - 特許庁

In the metal film transfer film for the electronic component, a release agent layer and the metal film are formed in this order on the plastic film, and the metal film has a prescribed pattern shape formed by an oil mask method.例文帳に追加

プラスチックフィルム上に離型層および金属膜がこの順に成膜された構造を有しており、その金属膜がオイルマスク法によって形成された所定のパターン形状を有している電子部品用金属膜転写フィルム。 - 特許庁

A resist film 102 consisting of a resist containing 4-pentane lactam which is a heterocyclic ketone is formed on a base material 101, and the pattern exposure is implemented by irradiating an exposure light 103 on the resist film 102 through a mask 104.例文帳に追加

基板１０１の上に、ヘテロ環式ケトンである4−ペンタンラクタムを含むレジストからなるレジスト１０２膜を形成し、続いて、レジスト膜１０２に対して露光光１０３をマスク１０４を通して照射することによりパターン露光を行なう。 - 特許庁

Titanium (chromium) and gold (platinum) are vacuum-deposited on a glass plate in two layers and also a photoresistor is applied on the vacuum-deposited two layers of titanium (chromium) and gold (platinum), and exposure is performed with a desired pattern mask placed on the photoresistor.例文帳に追加

ガラス板上にチタニウム（クロム）とゴールド（白金）とを２層に真空蒸着し、且つ、２層に真空蒸着されたチタニウム（クロム）、ゴールド（白金）の上部にフォトレジスタを塗布し、該フォトレジスタ上に所望のパターンマスクをのせて露光を行う。 - 特許庁

In a printer where pixel string data is converted into dot data for each print line by interlace print system and printing is carried out based on that dot data, a CPU 10 generates a mask pattern corresponding to the pixel string data for each print line.例文帳に追加

インターレス印刷方式において、印刷行ごとに画素列データをドットデータに変換し、そのドットデータに基づいて印刷を行う印刷装置であって、ＣＰＵ１０は、画素列データに応じたマスクパターンを印刷行ごとに生成する。 - 特許庁

An aligner 10, mounted on a body 14, is provided with a strain gage 80 that detects deformation of the body and a control system that controls relative position between a mask and a substrate, in transferring a pattern depending on the output of the strain gage 80.例文帳に追加

露光装置１０は、ボディ１４に取り付けられ、該ボディの変形を検出する歪み計８０と、該歪み計の出力に応じてパターン転写の際のマスクと基板との相対位置を制御する制御系とを備える。 - 特許庁

To provide a shadow mask that can display an image of a specific pattern on a cathode ray tube for a color display even when no electron beam is emitted from an electron gun to a fluorescent screen, and to provide a cathode ray tube for the color display.例文帳に追加

電子銃から蛍光面に電子ビームが照射されない時でも、カラーディスプレー用陰極線管上に特定パターンの画像が表示できるシャドウマスク及びカラーディスプレー用陰極線管を提供することを目的とする。 - 特許庁

To achieve processing that is quick and reliable by introducing a simple procedure even if a pattern as an object of division is very complicated in form in a complementary dividing process of an electron beam projection exposure mask.例文帳に追加

電子線投影露光用マスクの相補分割処理において、その分割対象となるパターン形状が非常に複雑な場合であっても、簡潔な手順を導入することにより、迅速かつ信頼性の高い処理を実現する。 - 特許庁

Consequently the pattern of the mask patterns appearing by the slippage between recording scannings is not accentuated between the odd number columns and the even number columns, so that the uniform image which enables the perception of no texture can be output at high speed.例文帳に追加

これにより記録走査間のずれによって現れるマスクパターンの模様が、奇数カラムと偶数カラムとの間で強調されることがなくなり、テクスチャの確認されない一様な画像を高速に出力することが出来る。 - 特許庁

The polysilicon film 15 is then removed by etching through a mask having an opening of a specified pattern to bring about a state where the polysilicon film 15 exists only in a region having a specified area including the inner surface of the contact hole 4 (Fig.(b)).例文帳に追加

次に、所定のパターンの開口を有するマスクを介したエッチングによりポリシリコン膜１５が除去されて、ポリシリコン膜１５がコンタクトホール４の内面を含む所定面積を有する領域にのみ存在する状態にされる（図２（ｂ））。 - 特許庁

To provide an exposure mask for focus measurement which allow the measurement of periodic patterns approximate to the pattern density used for manufacturing of semiconductor devices in actuality and is effectively for easy measurement of a defocusing quantity with codes with good accuracy.例文帳に追加

実際に半導体装置の製造に用いられるパターン密度に近い周期パターンの測定を可能にし、且つ符号付きのデフォーカス量を簡単に精度良く測定するために有効なフォーカス測定用の露光マスクを提供すること。 - 特許庁

In the cross-sectional structure of the phase shift mask 10, the pattern region 1 and dummy region 3 consist only a transparent substrate 5, while other region consists of the transparent substrate and a translucent film 6 which inverts the phase of light by 180°.例文帳に追加

位相シフトマスク１０は、その断面構造において、パターン領域１とダミー領域３は、透明基板５のみから成り、それ以外の領域は、透明基板５と、光の位相を１８０度反転させる半透明膜６とから成る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductors in which the throughput of semiconductor device manufacturing can be improved by collectively exposing a large part of a signal wiring pattern to resist on a wafer by using only one block mask.例文帳に追加

ウエハ上のレジストに信号配線パターンの大部分を１個のブロックマスクを使用して一括露光できるようにし、半導体装置製造のスループット向上を図ることができるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a first step of etching a semiconductor substrate 3, anisotropic deep reactive ion etching is performed using a resist mask 59 having a large number of openings 88 of the same pattern at positions opposing to etching regions 87 independently partitioned to each other.例文帳に追加

半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。 - 特許庁

To obtain a thin film having uniform crystallization characteristics without X-overlap and Y-overlap by applying a slit having a certain pattern to a mask and proceeding with the laser crystallization, taking such a slit repeatability into account.例文帳に追加

一定のパターンを有するスリットをマスクに適用し、このようなスリットの反復性を考慮してレーザー結晶化を進行させることにより、Ｘ−オーバーラップ及びＹ−オーバーラップのない均一な結晶化特性を有する薄膜を得る。 - 特許庁

An organic silicon resin coating film 2 consisting of polysilane is fromed on a glass substrate 3 and the coating film 2 is irradiated with an ultraviolet-ray through a mask forming a pattern having openings corresponding to those at lens areas of micro lenses to produce.例文帳に追加

ポリシランから成る有機ケイ素樹脂被膜２をガラス基板３上に形成し、その被膜２に対し、製造しようとするマイクロレンズのレンズ領域に開口をもつパターンを形成したマスクを通して紫外光を照射する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing color filter capable of inexpensively forming a light shielding layer and a colored pattern in such a satisfactory dimensional precision as to accommodate to a large screen and obtaining a high-definition color filter having no color irregularity without using a photolithography method with a mask.例文帳に追加

光遮蔽層、及び着色パターンを、マスクを使ったフォトリソグラフィ法を用いることなく、大画面にも対応し得る良好な寸法精度及び低コストで形成して、色むらのない高精細なカラーフィルタを得る。 - 特許庁

To provide a selective growth method of a solid wherein the yield is improved by a simple method, and to provide a method for manufacturing a fine pattern where a selective growth of a solid is performed without removing a growth mask.例文帳に追加

簡単な方法で歩留まりを改善することができる固体の選択成長方法の実現と、成長マスクを除去することなく固体の選択成長を行うことにより、微細パタンを製造する方法の実現と、が目的である。 - 特許庁

When a pattern drawing device 100 scans an exposure unit 30 equipped with a mask 361 to the (+Y) side of the main scanning direction with respect to a substrate 9, the drawing device exposes a resist layer of a substrate 9 through the transmissive patterns SLG1, SLG2 at the same time.例文帳に追加

パターン描画装置１００は、マスク３６１を備えた露後部３０を、基板９に対して主走査方向の（＋Ｙ）側へ走査させる場合、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２とを同時に介して基板９のレジスト層を露光する。 - 特許庁

To provide an in-cabin switch gear capable of changing the arrangement of a pattern which is the operational display of the switch gear only by simply changing a mask layer, and executing the intended operation corresponding to the operational display.例文帳に追加

車室内スイッチ装置において、簡単なマスク層の交換のみでスイッチ装置の操作表示である図柄の配置変更を行うと共に、操作表示に対応した意図する動作を行わせることができるようにすることである。 - 特許庁

Similarly in the shape of a seal pattern formed by using the seal mask, terminal parts are formed in corner parts so that inside sides of sealing materials 20a, 20b, 20c and 20d gradually approach the outside sides and end parts are opposed to each other.例文帳に追加

シールマスクを用いて形成されるシールパターンの形状も同様に、角部においてシール材２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄの内側の辺が徐々に外側の辺に近づくように端部が形成され、端部同士が対向することになる。 - 特許庁

To provide an illumination optical system which achieves a suitable illumination condition by varying polarization states of the illumination light according to pattern characteristics of a mask while suppressing the loss of the amount of light when mounted on an exposure apparatus.例文帳に追加

たとえば露光装置に搭載された場合に、マスクのパターン特性に応じて光量損失を抑えつつ照明光の偏光状態を変化させて適切な照明条件を実現することのできる照明光学装置。 - 特許庁

When performing the exposure of a plurality of shots on the upper face of a wafer, to which a photo-sensitized material is applied, by using a mask having a plurality of reticles of a circuit pattern, a reticle number for identifying the reticle is exposed together in an exposure process.例文帳に追加

露光工程において、感光材が塗布されたウエハの上面に、回路パターンのレチクルが複数設けられたマスクを用いて複数ショットの露光を行なう際に、レチクルを識別するレチクル番号を一緒に露光する。 - 特許庁

An exposure evaluation mask M includes first regions a1, a3, a5, etc. having pattern based on a design value, and second regions a2, a4, etc. adjoining to the first regions and giving deviation of an exposure amount with respect to the design value.例文帳に追加

露光評価用マスクＭａは、設計値に基づくパターンを有する第１の領域ａ１，ａ３，ａ５，・・・と、第１の領域に隣接して、設計値に対して露光量のずれを与えるパターンを有する第２の領域ａ２，ａ４，・・・と、を有する。 - 特許庁

By this method, fine particles can be two-dimensionally arrayed in a closest packed state in fine regions arrayed by self organization of di-block copolymers, and the array body exhibits excellent performance as an etching mask for forming a thin film pattern.例文帳に追加

この方法によれば、ジブロックコポリマーの自己組織化されて配列された微小領域に微粒子を二次元的に最密充填することができ、薄膜パターンを形成するためのエッチング用マスクとして優れた性能を示す。 - 特許庁

Next, the anti-reflection film 12 and the SiOC film 11 are subjected to dry-etching using the resist pattern 13 as the mask and using process gas prepared by adding CO gas to mixed gas of CHF_3 gas, CF_4 gas, O_2 gas and Ar gas.例文帳に追加

次に、反射防止膜１２及びＳｉＯＣ膜１１に対して、レジストパターン１３をマスクにすると共に、ＣＨＦ_3 ガス、ＣＦ_4 ガス、Ｏ_2 ガス及びＡｒガスの混合ガスにＣＯガスが添加されてなるプロセスガスを用いてドライエッチングを行なう。 - 特許庁

The alignment device has the exposure means for exposing a wafer to a mask pattern, and also has a thermoelectric conversion means for converting heat generated from the exposure means or the device body into electricity.例文帳に追加

本発明では、マスクのパターンをウエハに露光する露光手段を備えた構成のアライメント装置において、露光手段または装置本体で発生した熱を電気に変換する熱電変換手段を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The created two-dimensional map is divided in each block so as to include each area corresponding to an intersection position in the two-dimensional map and a mask pattern having the highest similarity to a signal level of each area composing the divided block is selected.例文帳に追加

次に、作成された２次元マップにおける交点位置に対応した各エリアを包含するようブロック単位で分割し、分割したブロックを構成する各エリアの信号レベルに類似度が一番高いマスクパターンを選別する。 - 特許庁

Moreover, among the patterns required to form a liquid crystal display, such as a conductive layer for wiring layer or electrode, a mask for forming a predetermined pattern and the like, at least one or more of them is formed by a method, by which a pattern can be formed selectively, and a liquid crystal display is manufactured.例文帳に追加

また本発明は、配線層若しくは電極を形成する導電層や、所定のパターンを形成するためのマスクなど半導体装置を作製するために必要なパターンのうち、少なくとも一つ若しくはそれ以上を、選択的にパターンを形成可能な方法により形成して、液晶表示装置を作製することを特徴とするものである。 - 特許庁

When a photosensitive resin composition layer disposed on the surface of a substrate is exposed through a pattern mask and either the unexposed regions or the unexposed regions and the surface of the substrate under the unexposed regions are sandblasted to form a rugged pattern, a photosensitive resin composition layer containing a urethane-acrylic resin having no carboxyl group as a base polymer is used.例文帳に追加

基材面に設けた感光性樹脂組成物層にパターンマスクを介して露光を行った後、未露光部分又は未露光部分と該未露光部分の下部の基材面をサンドブラスト加工して凹凸模様を形成させるにあたり、カルボキシル基を含有しないウレタンアクリル系樹脂を、ベースポリマーとして含む感光性樹脂組成物層を使用する。 - 特許庁

A manufacturing method of a gray scale mask having a variable density pattern corresponding to change of optical transmissivity has a step of forming a dry plate 430 by applying a photoemulsion onto a transparent substrate and a step of irradiating the dry plate 430 with laser beams which are subjected to a plurality of gradations of intensity modulation corresponding to the variable density pattern.例文帳に追加

本発明に係るグレイスケールマスクの製造方法は、光透過率の変化に対応した濃淡模様を有するグレイスケールマスクの製造方法であって、透明基板上にフォトエマルジョンを塗布して乾板を形成するステップと、濃淡模様に対応して複数階調の強度変調を行ったレーザー光を乾板に照射するステップと、を備える。 - 特許庁

A metal die 4 having a concavo-convex pattern is made by forming a resin layer 2 on the surface 1A of a metal die blanc 1 using a photosensitive polyimide system heat resistant resin, exposing it through a mask pattern 3 matching the optical disk signals and developing it to form convex pits 2A and 2A and to obtain cured convex pits 2B and 2B by heating.例文帳に追加

感光性ポリイミド系耐熱樹脂を用いて、金型基板１の表面１Ａにこの樹脂の層２を形成し、光ディスク信号に対応するマスクパターン３を介して露光し、現像して、金型基板１上に凸ピット２Ａ，２Ａを形成し、これを焼付けして硬化凸ピット２Ｂ，２Ｂとすることにより、凹凸パターンを備えた成形金型４を構成する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is manufactured by forming at least one or more of patterns, out of those necessary for manufacturing the liquid crystal display device such as a wiring layer or a conductive layer to form electrodes, or a mask layer to form a predetermined pattern, by a method capable of selectively forming a pattern.例文帳に追加

配線層若しくは電極を形成する導電層や、所定のパターンを形成するためのマスク層など液晶表示装置を作製するために必要なパターンのうち、少なくとも一つ若しくはそれ以上を、選択的にパターンを形成可能な方法により形成して、液晶表示装置を製造することを特徴とするものである。 - 特許庁

The method for forming a mask includes steps of forming a film which can be sheared on a deformable or elastic organic substance layer, pressing a die having a pattern on its surface to the film to shear a part of the film along the boundary of the pattern, releasing the die from the film, and removing the sheared portion in the film.例文帳に追加

本発明のマスクの形成方法は、変形可能または弾性を有する有機物層上に、剪断可能な膜を形成する工程と、表面にパターンが形成された型を膜に押圧し、パターンの境界部により膜の一部を剪断加工した後、型を膜から離す工程と、膜における剪断加工された部分を除去する工程とを有する。 - 特許庁

An image enhancing mask 6 for pattern formation includes a transmissive substrate which transmits exposure light and a semi-light-shielding portion 8 which is formed on the transmissive substrate and has transmittance allowing the exposure light to be partially transmitted and corresponds to an isolation line pattern, and a phase shifter 9 which is provided at an opening in the semi-light-shielding portion 8.例文帳に追加

パターン形成用のイメージ強調マスク６は、露光光に対して透過性を有する透過性基板７と、透過性基板７上に形成され、露光光の一部分を透過させる透過率を持ち且つ孤立ラインパターンと対応する半遮光部８と、半遮光部８の内部の開口部に設けられた位相シフター９とを備えている。 - 特許庁

The optical diffusing film wherein the columnar minute area having the refractive index varied in the perpendicular direction of the resin layer is formed to change the scattering property by an angle of incidence of light is manufactured by using the mask which has the pattern consisting of areas for transmitting light and the pattern intercepting light and in which black defects which occur are partially removed.例文帳に追加

樹脂層の厚み方向に屈折率が異なる柱状の微小領域を形成し、光の入射角度によって散乱性が変化する光拡散フィルムを、光を透過する領域からなるパターンと、光を遮断するパターンを有し、かつ発生した黒欠陥を部分的に除去したマスクを用いることにより解決した。 - 特許庁

The blank mask includes a light shielding film pattern formed in a region including a light shielding region on a transparent substrate and a phase inversion film formed on the exposed transparent substrate, and the phase inversion film has a phase difference of 160 to 200° relative to exposure light, and the light shielding film pattern and the phase inversion film are etched with the same etching material.例文帳に追加

透明基板上に遮光領域を含む領域に形成された遮光膜パターンと、露出された該透明基板上に形成された位相反転膜とを持ち、位相反転膜は、露光光に対して１６０゜ないし２００゜の位相差を持ち、遮光膜パターン及び位相反転膜は、同じエッチング物質によりエッチングされることを特徴とするブランクマスク。 - 特許庁

A thin film pattern 10 is formed by preforming a water-soluble polymer film 4 on the surface of a film 2 to be processed, provided on a substrate 1, then performing ablation processing by irradiating the surface of the polymer film 4 with laser beam 8 through a pattern mask 7, and removing resin decomposed matters 6 and remaining water-soluble polymer film 5 by washing.例文帳に追加

基材１上に設けられた被加工膜２の表面に、予め水溶性の高分子膜４を形成し、その高分子膜形成面にパターンマスク７を介してレーザー光８を照射してアブレーション加工を行い、その後水洗を行うことにより、樹脂分解物６と残った水溶性高分子膜５を除去し、薄膜パターン１０を形成する。 - 特許庁