「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(89ページ目) - Weblio英語例文検索

And, for an error at a position regarded as non-problematic (because of line width equal to or greater than required width) on a mask or a substrate due to roundness of corner part among errors caused by the correction pattern, the design device determines that the error is a pseudo error.例文帳に追加

そして、設計装置は、補正パターンによるエラーのうち、コーナー部の丸まりによりマスク上又は基板上において問題とならない（線幅が規定以上となる）箇所のエラーは、疑似エラーと判定する。 - 特許庁

Four images 405 to 408, obtained by shifting a text image 404 by one dot to the right and to the left, and up and down, are ORed with the original text image 404, and then inverted in black-and-white state to obtain a mask pattern 410.例文帳に追加

テキストイメージ４０４を左右上下方向にそれぞれ１ドットずつずらして得た４つのイメージ４０５〜４０８を、オリジナルのテキストイメージ４０４とＯＲ合成し、白黒反転してマスクパターン４１０とする。 - 特許庁

In this case, the horizontal alignment layers 42 are formed by performing a rubbing process on an alignment layer 42a on a substrate 10A and by modifying a surface thereof using a resist pattern R as a mask, a material of the vertical alignment layers 41 is formed.例文帳に追加

このとき、基板１０Ａ上の配向膜４２ａにラビング処理し、レジストパターンＲをマスクにして表面改質して、水平配向膜４２を形成し、垂直配向膜４１の材料を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which can easily solve a problem that an exposed pattern is shifted by the warp caused when light shielding film is formed on the surface of a substrate of a mask for exposure for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置製造用露光用マスクの基板面に遮光膜を形成する場合に生ずる反りによる露光のパターンずれの問題を容易に解決した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the position fluctuation and the like of the pattern on the mask are predicted based on characteristics obtained in this manner and are corrected for forming, thus accurately forming the circuit pattern.例文帳に追加

マスク上パターンの異なるｎ個の点の投影像の光強度を測定し、m個（ｍ＜ｎ）の既知の波面収差関数に対するｍ個の重み係数を未知数とするｎ個の連立方程式を解くことにより、投影レンズの収差を正確に求める、これに基づき収差特性を調整したり、又はマスク上パターンの寸法又は位置を補正する。 - 特許庁

The step of forming the groove 1a comprises steps of forming a silicon nitride film 3, for example, on the semiconductor substrate 1, forming a resist pattern 50 on the silicon nitride film 3, and forming the groove 1a by using the resist pattern 50 as a mask and by carrying out the anisotropic etching of the silicon nitride film 3 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

溝１ａを形成する工程は、例えば半導体基板１上に窒化シリコン膜３を形成する工程と、窒化シリコン膜３上にレジストパターン５０を形成する工程と、レジストパターン５０をマスクとして窒化シリコン膜３及び半導体基板１を異方性エッチングすることにより、溝１ａを形成する工程とを具備する。 - 特許庁

The dielectric mask comprises a pair of dielectric films 2a, 2b specifying the first and the second regions where a pattern width at the first region is narrower than a pattern width at the second region, and dielectric films 4a, 4b provided at both sides of the dielectric films 2a, 2b at the first region.例文帳に追加

誘電体マスクは、上記第１の領域におけるパターン幅が上記第２の領域におけるパターン幅より狭い、該第１および第２の領域を規定する一対の誘電体膜２ａ、２ｂと、上記第１の領域において、誘電体膜２ａ、２ｂの両側に設けられた誘電体膜４ａ、４ｂとからなる。 - 特許庁

An exposure condition calculation host 100 reads each data from the databases 111, 121 and 105, and a shape of the circuit pattern formed to be exposed through a mask by the aligners 141 and 142 is calculated by an exposure pattern calculation means 102 on the exposure layer of the semiconductor device on the basis of conditions by these data.例文帳に追加

露光条件算出ホスト１００は、データベース１１１，１２１，１０５から夫々のデータを読み出し、これらデータによる条件の基に、半導体デバイスの露光層に露光装置１４１，１４２でマスクを介して露光して形成される回路パターンの形状を露光パターン計算手段１０２で算出する。 - 特許庁

After forming a photosensitive material film 44 on the surface of a transparent substrate 41, the first hologram pattern 42 of the first area and the second hologram pattern 43 of the second area with different grating intervals are respectively developed as mask patterns 44a and 44b by a suitable exposure amount corresponding to the grating interval of each area.例文帳に追加

透明基板４１の表面に感光材料膜４４を形成した後、格子間隔の異なる第１領域の第１ホログラムパターン４２および第２領域の第２ホログラムパターン４３をマスクパターン４４ａ，４４ｂとして各領域の格子間隔に応じた好適な露光量でそれぞれ現像する。 - 特許庁

To provide a smoothing device of an image signal by pattern adaptive filtering and its smoothing method capable of storing the edge information of an input image without measuring noise by adding a non-linear filter through a filter mask given in response to the pattern of the input image.例文帳に追加

本発明の目的は、入力映像のパターンに応じて与えられたフィルターマスクを通じて非線形フィルターを加えることにより、ノイズを測定することなく入力映像のエッジ情報を保存することができるパターン適応型フィルターリングによる映像信号の平滑化装置及びその平滑化方法を提供することにある。 - 特許庁

This film for packaging is prepared by forming a number of pinhole-like vent holes 11 and 11 on a long film sheet 10 with no air permeability, and sticking a mask sheet 20 with air permeability covering these vent holes 11 and 11 on the film sheet 10 by performing spot sealing (shown by marks 1) in a spot-like pattern with a definite pattern.例文帳に追加

本発明の包装用フィルムは、通気性のない長尺なフィルムシート１０にピンホール状の通気孔１１，１１…を多数形成し、この通気孔１１，１１…を覆う通気性のあるマスクシート２０を前記フィルムシート１０に一定のパターンの斑点状にスポットシール（符号１で示す）することによって貼着したものとする。 - 特許庁

To provide an optical recording medium wherein a plurality of data are optically multiplexed in one hologram pattern by suitably combining a mask pattern with recording data and multiplexed data can be promptly and smoothly read by simultaneously reading scattered light introduced to an external part from upper and lower surfaces and to provide a reproducing device therefor.例文帳に追加

記録データにマスクパターンを適宜組み合わせることにより、一つのホログラムパターンに複数のデータを光学的に多重化し、上下面から外部に導かれる散乱光を同時に読み取ることで多重化データを迅速且つ円滑に読み取り得る、光記録媒体およびその再生装置を提供する。 - 特許庁

The mask plate for printing plasm display fluorescence material includes a filling pattern aperture 14 positioned by photosensitive emulsion 13 applied on the metal plate body 11 and solidified in a metal pattern aperture 12 formed in a metal plate body 11, and made not to be larger than the area of the aperture of the filling and housing groove portion 3.例文帳に追加

メタル板本体１１に開口形成したメタルパターン開口１２に、メタル板本体１１に塗布形成して凝固化した感光乳剤１３によってメタルパターン開口１２内に位置させて、前記充填収納溝部３の開口面積に比し大きくはなく開口形成した充填パターン開口１４を備えて成る。 - 特許庁

This method of generating at least one pattern on the upper surface of a support body 1 made of a substance showing first thermal conductivity includes a process of arranging a mask 7 made of a substance which shows second thermal conductivity and including at least one hole part 8 having a shape corresponding to the shape of the pattern.例文帳に追加

第１熱伝導率を示す物質から作られる支持体１の上面上に少なくとも１つのパターンを作成する方法は、第２熱伝導率を示し、且つ、パターンの形状に対応する形状を有する少なくとも１つの孔部８を含む物質から作られるマスク７を配置する工程を含む。 - 特許庁

The irradiation unit 14 of the proximity scanning exposure apparatus 1 branches an exposure beam EL emitted from a light source 41 into two directions on a reflection unit 46, 47, so that a first pattern P1 and a second pattern P2 formed in a single mask M are irradiated with the light, respectively, in different directions from each other to expose a substrate W.例文帳に追加

近接走査露光装置１の照射部１４は、光源４１から照射された露光用光ＥＬを反射部４６、４７で２方向に分岐させ、それぞれ異なる２方向から、１枚のマスクＭに形成された第１のパターンＰ１、及び第２のパターンＰ２に照射して基板Ｗを露光する。 - 特許庁

A photosensitive resin film 5 is applied on a color filter substrate in a desired film thickness and, thereafter, a flattened resin film part 5a with a desired thickness and a pillar spacer part 5b with a desired height thereon are formed en bloc by one time exposure development by using a photo mask 20 which has a total transmission pattern 20a and a half tone pattern 20b.例文帳に追加

カラーフィルタ基板上に感光性樹脂膜５を所要膜厚に塗布した後、全透過パターン２０ａとハーフトーンパターン２０ｂとを有するフォトマスク２０を用いて一回の露光現像により、所要厚みの平坦化樹脂膜部５ａとその上に所要高さの柱状スペーサ部５ｂを一括形成する。 - 特許庁

The mask 2 has an outline-defining part 2a that defines an outline of the opening pattern, a masking part 2c which is positioned inside the outline-defining part 2a via an opening 2b to define an inner border of the opening pattern and a bridge part 2d extending between and connecting the outline-defining part 2a and the masking part 2c.例文帳に追加

マスク２は、前記開口パターンの外郭を画定する外郭画定部２ａと、その外郭画定部２ａの内側に開口２ｂを介して配され前記開口パターンの内郭を画定する遮蔽部２ｂと、外郭画定部２ａと遮蔽部２ｃとの間に延在しこれらを連結する桁部２ｄとを有する。 - 特許庁

A recess 11a is formed in a side of laminated pattern B in which a gate structure A including at least a gate (polysilicon 8a) for controlling, a metal electrode 9a, and a hard mask 10a on a silicon substrate 1; and a side wall 13 is formed in the side of laminated pattern B so that it may be embedded.例文帳に追加

シリコン基板１の上で少なくとも制御用ゲート（ポリシリコン８ａ）を含むゲート構造Ａ、金属電極９ａ、ハードマスク１０ａを積層した積層パターンＢの側面に窪み１１ａを形成して、これを埋め込むように積層パターンＢの側面にサイドウォール１３を形成した構造とする。 - 特許庁

The illuminating device IL is provided with: an illuminating optical unit 10 having a plurality of illuminating optical systems 11, wherein a plurality of illuminating areas are formed on the pattern face Ma of the mask M; and an illuminating area position detecting unit 20 to detect the positions of the illuminating areas formed on the pattern face Ma.例文帳に追加

照明装置ＩＬは、複数の照明光学系１１を有し、マスクＭのパターン面Ｍａ上に複数の照明領域を形成する照明光学ユニット１０と、パターン面Ｍａに形成される複数の照明領域の位置を検出する照明領域位置検出ユニット２０とを備える。 - 特許庁

While an anti-reflection film 9 and a resist pattern 10 are formed on the second interlayer dielectric 8, a capacitor hole 11 is formed between the surface of the second interlayer dielectric 8 and a position-controlled bottom face 11a in the first interlayer dielectric 5 through the stopper film 7 by dry etching process using the resist pattern 10 as a mask.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜８上に反射防止膜９とレジストパターン１０を形成し、このレジストパターン１０をマスクとしたドライエッチングにより第２の層間絶縁膜８の表面からストップ膜７を貫通して第１の層間絶縁膜５内に、底面１１ａの位置が制御されたキャパシタホール１１を形成する。 - 特許庁

To provide a material with high etching selection rate and etching speed against resist, a pattern formation method providing an antireflection film layer on a base plate using the material and a pattern formation method using the antireflection film as a hard mask on the base plate processing.例文帳に追加

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ちレジストに対してエッチングスピードが速い反射防止膜の材料を提供し、且つこの反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法及び、この反射防止膜を基盤加工のハードマスクとして用いるパターン形成方法も提供する。 - 特許庁

After applying UV-curing adhesive 3 all over the surface of a base film 1, surface of the adhesive 3 is irradiated with UV-rays through an exposure mask 4 formed in accordance with the profile of a circuit pattern, thus curing the adhesive 3 in the region other than the circuit pattern region.例文帳に追加

基材フィルム１表面上に紫外線硬化性の接着剤３をべた塗りした後、回路パターンの形状に合わせて形成された開口部を有する露光用マスク４を介して接着剤３表面に紫外線を照射することにより、回路パターン領域以外の領域の接着剤３を硬化させる。 - 特許庁

If a phase shift mask formed with the semipermeable film 12 on a transparent glass substrate 10 is regulated in the thickness of the semipermeable film 12 so as to be made optimum for the pitch of the patterns in fine pattern regions 14, the sub-peaks by adjacent apertures overlap each other in some cases in isolated pattern regions 16.例文帳に追加

透明なガラス基板１０上に半透過膜１２が形成された位相シフトマスクで、微細パターン領域１４におけるパターンのピッチに対して最適となるように半透過膜１２の厚さを調整すると、孤立パターン領域１６において、隣接する開口部によるサブピークが重なり合うことがある。 - 特許庁

While keeping the peak position of alignment sensitivity as an entire second lens array 21e, a light-shielding pattern having, such alignment sensitivity such that a light reduction rate to the peak position becomes large is specified by simulation, and a predetermined cell lens which is shielded from light by a mask 15 is selected, in accordance with the specified light shielding pattern.例文帳に追加

第２レンズアレイ２１ｅ全体としてのアライメント敏感度のピーク位置を保ったまま、そのピーク位置に対する減光率が大きくなるようなアライメント敏感度を持つ遮光パターンをシミュレーションにより特定し、特定した遮光パターンに従ってマスク１５により遮光する所定のセルレンズを選択する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display and a method for manufacturing the display produced by which a complicated pattern in a storage part is simplified to decrease the number of masks by applying a diffraction pattern used in the channel part of a thin film transistor for an on-common type storage part in a liquid crystal display manufactured in four-mask processes.例文帳に追加

本発明は４マスク工程を通じて形成される液晶表示装置において、薄膜トランジスタのチャネル部に適用される回折パターンをオン・コモン方式のストレージ部に適用することによって、ストレージ部の複雑なパターンを単純化してマスク数を減少する液晶表示装置及びその製造方法を提案する。 - 特許庁

A method of manufacturing a substrate for liquid crystal display device, on which a protrusion for liquid crystal divided alignment is formed, is characterized by containing a stage for forming the protrusion by exposing and developing a photosensitive resin via a mask having a pattern corresponding to the protrusion and gradation of light transmittance in the pattern.例文帳に追加

液晶分割配向のための突起が形成された液晶表示装置用基板の製造方法であって、突起に対応したパターンを有し、かつ該パターン内で光透過率に階調をもたせたマスクを介して感光性樹脂を露光、現像することによって突起を形成する工程を含むことを特徴とするものである。 - 特許庁

The mask 1 has a plurality of apertures 4 for forming a plurality of projecting parts or recessed parts on the surface of the light reflection film and is constituted so that the plane pattern of the aperture 4 is decided by connecting a plurality of unit areas A0 where a plurality of apertures 4 are arranged in a fixed random pattern.例文帳に追加

光反射膜の表面に複数の凸部又は複数の凹部を形成するための複数の開口４を有し、これらの開口４の平面パターンは、複数の開口４が一定のランダムパターンで並べられた単位領域Ａ０を複数個つなぎ合わせることによって決められて成るマスク１でる。 - 特許庁

A stencil mask manufacturing process in the preceding back etching process includes forming gradations of a film thickness of a resist left in a pattern field, after developing by adjusting the amount of exposed light, and selectively thinning a masking substrate film in a minute pattern formation field, with an aspect ratio higher than that of the surrounding region, prior to patterning.例文帳に追加

先行バックエッチングプロセスのステンシルマスク製造工程において、現像後のパターン領域のレジスト残膜厚に露光量を調整することにより階調をつけ、周辺領域よりアスペクト比が高い微細パターン形成領域のマスク基板膜厚を選択的にパターニング以前に薄膜化することにより、ステンシルマスクを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing an exposure mask includes: a step S1 of patterning a light shielding film 2 formed on a quartz substrate 1 to form a light shielding pattern 2c; and a step S4 of directly measuring the level difference H from the surface of the quartz substrate 1 to the upper face of the light shielding pattern 2c and obtaining the measured value of the level difference H.例文帳に追加

石英基板１上に形成された遮光膜２をパターニングして遮光パターン２ｃを形成するステップＳ１と、石英基板１の表面から遮光パターン２ｃの上面までの段差Hを直接測定して、該段差Hの実測値を得るステップＳ４と、を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法による。 - 特許庁

A light exposure parameter deciding device comprises a simulation execution part 112 for executing a lithography simulation using light strength information and a predetermined light exposure parameter corresponding to a plurality of regions on a light exposure mask and calculating a prediction pattern shape; and an evaluation value calculation part 113 for calculating an evaluation value of the prediction pattern shape.例文帳に追加

露光パラメータ決定装置は、露光マスク上の複数の領域に対応する光強度分布情報及び所定の露光パラメータを用いてリソグラフィシミュレーションを実行し、予測パターン形状を算出するシミュレーション実行部１１２と、前記予測パターン形状の評価値を算出する評価値算出部１１３と、を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with high reliability, wherein a size difference which varies with a variety of factors and is generated owing to a sparse/dense difference of a mask pattern is securely controlled to be reduced as much as possible, and a pattern of the semiconductor device to be formed is formed with high precision without depending upon the sparse/dense difference.例文帳に追加

様々な要因により変化する、マスクパターンの疎密差に起因して生じる寸法差を確実に制御して当該寸法差を可及的に低減させ、形成される半導体装置のパターンを疎密差に依存することなく高精度に形成することを可能とし、信頼性の高い半導体装置を実現する。 - 特許庁

A polysilicon layer 105 is formed on a wafer, with which a P well 102 and an N well 103 are formed, and after a gate electrode 105A is formed on the P well 102 with a photoresist pattern 106 as a mask, the LDD region of N-channel MOS is formed by conducting ion implantation, in a state of the photoresist pattern 106 being left.例文帳に追加

Ｐウェル１０２、Ｎウェル１０３の形成された基板上にポリシリコン層１０５を形成し、フォトレジストパターン１０６をマスクとして、Ｐウェル１０２上にゲート電極１０５Ａを形成した後、フォトレジストパターン１０６が残存した状態でイオン注入を行ってＮチャネルＭＯＳのＬＤＤ領域を形成する。 - 特許庁

Further, the groove part DH is formed on the dry film 14 on a pattern inclusion layer PL by the photolithography method by which the back face 11r of the glass substrate 11 is exposed to light by using the pattern inclusion layer PL composed of the residual part of the gold 15 and the dry film 14 as a mask, and further the gold 15 is imbedded to the groove part DH.例文帳に追加

さらに、この金１５とドライフィルム１４の残部から成るパターン含有層ＰＬをマスクとし、ガラス基板１１の裏面１１ｒから露光するフォトリソグラフィー法で、このパターン含有層ＰＬ上のドライフィルム１４に溝部ＤＨを形成し、さらに金１５でその溝部ＤＨを埋める。 - 特許庁

The substrate 5 is carried in an exposure apparatus, the position of the alignment mark 6 is detected by an alignment scope 24 to position the substrate 5 at a position where a pattern 8 with a second inspection mark 9 on a mask 1 aligns with the first inspection mark 7 on the substrate 5, and the pattern 8 with the second inspection mark 9 is exposed and transferred onto the substrate 5.例文帳に追加

続いて、露光装置に基板５を搬入して、アライメントスコープ２４でアライメントマーク６の位置を検出して、マスク１上の第２の検査マーク９のパターン８が基板５上の第１の検査マーク７と一致する位置に基板５を位置決めした後、第２の検査マーク９のパターン８を基板５上に露光転写する。 - 特許庁

To provide a process for forming an etching resistant resin layer which perfectly fills an ostium opening pattern formed in a metal sheet and does not leave bubbles in the ostium opening pattern, that is, which does not proceed an anomalous etching, and to provide a method for manufacturing a shadow mask using the forming method.例文帳に追加

金属薄板上に形成された小孔開口パターンへのエッチング耐触樹脂の充填が完全であり、且つ小孔開口パターンに気泡を残留させない、すなわち、異常エッチングを進行させないエッチング耐蝕樹脂層の形成方法、及びこの形成方法を用いたシャドウマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

An aperture rate calculating means 4 is provided for calculating flare quantity of a mask pattern, corresponding to a transfer pattern in each one shot region, the means which calculates the flare quantity based on the exposure layout of a plurality of shot regions, more specifically, by considering flare from a plurality of shot regions present in the positions surrounding the objective shot region.例文帳に追加

１つのショット領域毎に、転写パターンに対応するマスクパターンのフレア量を算出するに際して、複数のショット領域の露光レイアウトに基づいて、具体的には当該ショット領域の周辺に位置する複数のショット領域からのフレアを加味して、フレア量を算出する開口率算出手段４を設ける。 - 特許庁

In the polarization inversion forming method for polarization-inverting a desired area 20 of a ferroelectric substrate 1, an electrode pattern or a mask pattern is formed on the desired area on the surface of the ferroelectric substrate 1 as an aggregate of fine patterns and a prescribed voltage is applied to the desired area.例文帳に追加

強誘電体基板１の所望領域２０を分極反転させる分極反転形成方法において、該強誘電体基板の表面の該所望領域に対し、電極パターン又はマスクパターンを微細なパターンの集合体として形成し、該所望領域に所定の電圧を印加することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electromagnetic wave shield film, in which a continuous metal pattern is formed on a belt-like base by using a photosensitive material having a photosensitive layer on the belt-like base, by performing exposure through a mask having a predetermined pattern while lowering power consumption, and by performing development processing; and to provide an electromagnetic wave shield film.例文帳に追加

帯状支持体の上に感光性層を有する感光材料を使用し、消費電力を低くし、所定のパターンを有するマスクを介して露光し、現像処理を経て、帯状支持体の上に連続した金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムの提供。 - 特許庁

When transferring a mask pattern to a photoresist film applied on a wafer principal surface, after transferring on an off-condition of under dose or defocus or both, a defective inspection is carried out through a process which inspects a transferred pattern to the photoresist film with a scanning electron microscope (SEM) for a voltage potential controlling type visual inspection.例文帳に追加

ウエハ主面上に塗布されたフォトレジスト膜にマスクパターンを転写する際、アンダードーズあるいはデフォーカスまたはその両方の、オフコンディション条件で転写をした後、フォトレジスト膜に転写されたパターンを電位制御型外観検査用走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）で検査する工程を経て欠陥検査する。 - 特許庁

Each stress relaxation region 60 is preferably set so as to form a projecting shape projecting from the side of the pattern region 30 toward the side of the fixing part 51 oppositely to the arm by the side of the peripheral part 50 in the pattern region 30 based on the result obtained by analyzing the stress of the mask body 20 stretched to the frame body 10.例文帳に追加

応力緩和領域６０は、枠体１０に張設されたマスク本体２０の応力を解析した結果に基づいて、パターン領域３０の周縁部５０側の辺に対向してパターン領域３０側から固定部５１側へ向けて突出する突形状をなすように設定されていることが好ましい。 - 特許庁

To provide a halftone mask having a structure of a light shielding film and a translucent film layered on a transparent substrate, in which admissibility for an alignment error is increased by patterning a first layer (light shielding film) by using indispensable pattern data if great importance is placed on the first layer and by patterning a second layer by using redundant pattern data including errors of superposition.例文帳に追加

透明基板上に遮光膜と半透過膜とが積層した構造を備えるハーフトーンマスクにおいて、アライメント装置によって第１層目と第２層目とのアライメントを行った際に発生する、第１層目と第２層目との間にアライメント誤差により必要なパターンが得られなくなるという問題を解決する。 - 特許庁

The method for exposure includes a process of first exposure by using a chromium mask 1 having a shading region 11 as a two-dimensional random pattern and a process of second exposure by using a chromium-free phase shift mask 2 having a part 15 of the phase shifter edge 16 of the phase shifter 20 in the position corresponding to the shading region 11.例文帳に追加

二次元ランダムパターン形状である遮光領域１１を有するクロムマスク１を用いて第１の露光を行う工程と、遮光領域１１に対応する位置に位相シフタ２０の位相シフタエッジ１６の一部１５を有するクロムレス位相シフトマスク２を用いて第２の露光を行う工程とを備えることによって上記課題を解決する。 - 特許庁

The coating agent for forming a thin film on the surface of a metal mask formed of a metallic material and having openings with a predetermined pattern comprises a fluorine-containing phosphonic acid compound containing fluorine in a molecule and is composed so that the phosphonic acid of the fluorine-containing phosphonic acid compound forms a salt with the metal atom of the metal mask.例文帳に追加

金属材料から形成されかつ所定のパターンで開口部を有するメタルマスクの表面に薄膜を形成するために用いられるコーティング剤において、分子中にフッ素を含有する含フッ素ホスホン酸化合物からなり、かつ該含フッ素ホスホン酸化合物のホスホン酸が前記メタルマスクの金属原子と塩を形成するように、コーティング剤を構成する。 - 特許庁

The mask blank comprises a thin film formed on a substrate for forming a mask pattern, and a resist film formed above the thin film, and is characterized in that the patterned resist film is prevented from collapsing upon developing the resist film for patterning by inserting a deposition layer joined with the thin film and the resist film.例文帳に追加

基板上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の上方に成膜されたレジスト膜を備えるマスクブランクであって、 前記薄膜と前記レジスト膜とに接合した付着層を介挿することにより、前記レジスト膜をパターン形成する際の現像に際し、パターン形成されたレジスト膜の倒れを防止することを特徴とする。 - 特許庁

In the method of producing a semiconductor base material, when an etching mask for forming protrusions and recesses on the surface of a semiconductor base material by photolithography processing of a resist film, a transfer mask 100 where the dimensions of a dot-shaped light-shielding portion 104, i.e. a pattern of protrusions and recesses near the region where the exposure shots overlap, are corrected previously.例文帳に追加

半導体基材を製造する方法において、半導体基材の表面に凹凸部を形成するためのエッチングマスクをレジスト膜のフォトリソグラフィ処理により形成する際、転写用マスク１００として、あらかじめ露光ショットの重なる領域付近にある凹凸パターンであるドット状遮光部１０４の寸法を補正した転写用マスクを使用する。 - 特許庁