「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a photomask 104 having a mask pattern with minute irregularities 115 drawn on at least part of the edges is placed on the resist film 102, and the resist film 102 is exposed through the photomask 104.例文帳に追加

ついで、縁の少なくとも一部に微細な凹凸１１５が描かれたマスクパターンを有するフォトマスク１０４をレジスト膜１０２の上に重ね、フォトマスク１０４を通してレジスト膜１０２に露光する。 - 特許庁

A diffraction device having a specified three-dimensional diffraction grating formed in the object is produced by irradiating the object with energy beams through a stencil mask having a specified form (pattern) to etch.例文帳に追加

所定の形状（パターン）を有するステンシルマスクを介し、エネルギービームを被加工物に照射してエッチングすると、所定の３次元形状の回折格子を被加工物に形成させた回折素子が製造できる。 - 特許庁

The method includes using a single mask to pattern a plurality of cavity areas to be etched on a substrate in different etching steps, and then selectively choosing the cavity areas for etching.例文帳に追加

この方法は、単一マスクを用いて、異なるエッチング工程で基板にエッチングされる２以上のくぼみ領域をパターニングし、エッチングのためのくぼみ領域を選択的に選択する工程を含む。 - 特許庁

An etching time is shortened and a spreading amount α of an opening 6a of an etching mask 6 is suppressed by improving the etching rate of the unnecessary pattern 4b by the ion implantation.例文帳に追加

イオン注入により不要パターン４ｂのエッチングレートを向上させることで、エッチング時間を短くすることができエッチングマスク６の開口部６ａの広がり量αを抑制することができる。 - 特許庁

Then the other resist pattern is inspected whether a defect is present in the same portion as the above defective portion or not, and if the defect is present in the same portion, the mask used for exposure is determined as defective.例文帳に追加

そして他のレジストパターンについて、上記欠陥個所と同一個所に欠陥が存在するかを検査し、同一個所に欠陥が存在する場合、露光に用いたマスクに欠陥があると判定する。 - 特許庁

Then, a third resist pattern is formed by exposure from the back with the first conductive layer and the metal layer of the second conductive layer as a mask, a third insulating layer is etched, and protective insulating layers 123a-123d are formed.例文帳に追加

その後、第１の導電層と第２の導電層の金属層とをマスクとした裏面からの露光により、第３のレジストパターンを形成し、第３の絶縁層をエッチングし、保護絶縁層を形成する。 - 特許庁

At the time of the patterning, a mask pattern is set in such a manner that the edge part of the 1st metallic film 120 retreats by prescribed dimensions from the part held by a cramp 210 on the peripheral part of the substrate 100.例文帳に追加

このパターニングに際して、基板１００の周縁部のクランプ２１０で保持される部分から第１金属膜１２０のエッジ部が所定寸法後退するようにマスクパターンを設定する。 - 特許庁

To prevent a decline in fidelity of an image transferred onto a wafer (pattern shape) by making a correction to a mask for exposure which can respond to extreme ultraviolet light in consideration of the influence by the oblique incidence effect.例文帳に追加

極短紫外光に対応する露光用マスクについて、斜め入射効果による影響を考慮したマスク補正を行えるようにして、ウエハ上転写像の忠実度低下を回避する。 - 特許庁

To provide an aligner capable of correctly exposing a pattern, which is formed on a mask on a substrate, even when the attitude of an optical projection system is changed when the optical projection system is moved.例文帳に追加

投影光学系１を移動する際に投影光学系１の姿勢が変化してもマスク９に形成されたパターンを正しく基板８上に露光することができる露光装置を提供すること。 - 特許庁

The shadow mask 12 is interposed between the slope of the multi-stage prism 11 and the image receiver 23 and interrupts a part of the reflected light from the detection plane (11a) by a predetermined intrinsic pattern.例文帳に追加

シャドウマスク１２は、多段プリズム１１の傾斜面と受像装置２３との間に介装されて上記検出面１１ａからの反射光の一部を予め決めた固有のパターンで遮断する。 - 特許庁

By pressing the central part 6a of the plate like work whose periphery is supported by the supporting part to the photo-mask side, and using a flexure correcting means 13, the flexure of the plate-like work is corrected, and thereby, the uniformity of the pattern is enhanced.例文帳に追加

支持部で周縁部が支えられた薄板状ワークの中央部６ａを撓み矯正手段１３でフォトマスク側に押圧して薄板状ワークの撓みを矯正し、パターンの均一性を高める。 - 特許庁

A repeated pattern by the light-shielding film of a non-resolution pitch to the exposure condition of the exposure device is formed across the area corresponding to the first area in the exposure mask.例文帳に追加

前記露光用マスクにおける前記第１の領域に対応する領域に亘って、前記露光装置の露光条件に対して非解像のピッチの前記遮光膜による繰り返しパターンが形成されている。 - 特許庁

Since the tone of the film 22 generates contrast with the tone of the photosensitive film 23, the mask pattern 23A can be inspected with high accuracy by using an automatic appearance inspection device by optical cognition method.例文帳に追加

また、皮膜２２が感光膜２３の色調とコントラストが得られる色調であるため、光学認識方式の自動外観装置を用いてマスクパターン２３Ａの検査を高精度に行うことが可能となる。 - 特許庁

The pattern measuring device carries out exposure simulation on data of outlining the pattern edges of a first mask image and a second mask image formed based on charged particle beam irradiation on two masks used for double exposure, and superposes two outlines to which exposure simulation is performed, based on coordinate information of design data of the masks.例文帳に追加

上記目的を達成するために、以下に二重露光に用いられる２つのマスクに対する荷電粒子ビーム照射に基づいて、形成される第１のマスク画像と、第２マスク画像のパターンエッジを輪郭線化したデータについて、露光シミュレーションを実行し、当該露光シミュレーションが行われた２つの輪郭線を、前記マスクの設計データの座標情報に基づいて、重ね合わせるパターン測定装置を提案する。 - 特許庁

The mask for monitoring the focus used for monitoring the focus of the mask to be used when patterns are transferred onto a wafer by photolithography has a first pattern region which is enclosed by a light shielding film 13 and has plural monitor patterns formed of rhombic apertures 101 and a second pattern region which is enclosed by a translucent film 12 and has the plural monitor patterns formed of rhombic apertures 102.例文帳に追加

フォトリソグラフィーによりウェハー上にパターンを転写する際に使用されるマスクであって、フォーカスモニタに供されるフォーカスモニタ用マスクにおいて、遮光膜１３で囲まれて菱形の開口部１０１で形成された複数のモニタパターンを有する第１のパターン領域と、半透明膜１２で囲まれて菱形の開口部１０２で形成された複数のモニタパターンを有する第２のパターン領域とを備えている。 - 特許庁

To provide an electrode pattern forming method capable of more stably and easily separating an electrode pattern comparing with the case of using a thin wire-shaped metal mask, due to the electrode patterning depending on the shrinkage of resin, without using the metal mask of high precision or without applying a complicated lithography when forming an element like an organic EL element or a semiconductor element on a circuit board.例文帳に追加

本発明の目的は、有機ＥＬ素子、半導体素子等の基板回路上に形成する素子について、高精度なメタルマスクの使用や複雑なフォトリソグラフィを行なうことなく、樹脂の収縮に基づく電極パターニングにより細線状のメタルマスクを使用する場合よりも安定にしかも簡易に電極パターンの分離を行なうことができる電極パターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

This is a manufacturing method for a blank of a double-sided masks which manufactures a bank of a double-sided mask of a structure having a pattern made of a light shielding metal film on both sides of a transparent base plate, and characterized in forming a light shielding metal film layer on a rear glass plate of a mask having a pattern already formed on its one side.例文帳に追加

透明基板の両面に遮光用金属膜により形成されたパターンをもつ構造の両面マスクのブランクを製造する両面マスク用ブランクの製造方法において、一方の面にパターンがすでに形成されたマスクの裏面のガラス上に遮光用金属膜の層を形成して、両面マスク用ブランクを製造することを特徴とする両面マスク用ブランク及び両面マスクの製造方法。 - 特許庁

To provide a laser beam machining process capable of not generating a byproduct, machining in high precision/fineness, suppressing specter interference in mask projecting, precisely machining a fine mask pattern and projecting/ irradiating a large scale area pattern, a manufacturing method of an ink jet recording head by using the laser beam machining method and the ink jet recording head manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

副生成物の発生がなく、高精細に加工することができ、マスク投影加工を行うに際して、スペックル干渉を抑制し、微細なマスクパターンを正確に加工することができ、大面積のパターンを投影照射して被加工物を加工することができるレーザ加工方法、該レーザ加工方法を用いたインクジェット記録ヘッドの製造方法、該製造方法で製造されたインクジェット記録ヘッドを提供する。 - 特許庁

In an aligner that lights up a mask by lighting luminous flux having coherent anisotropy, and projects and exposes the pattern of a mask surface onto the light-sensitive substrate by a projection optical system, time for lighting up the light-sensitive substrate is adjusted, thus eliminating the illuminance disturbance that is periodically generated on the light-sensitive substrate.例文帳に追加

コヒーレンスの異方性を有する照明光束でマスクを照明し、該マスク面のパターンを投影光学系によって感光基板上に投影露光する露光装置において、前記感光基板に照明する時間を調整することにより、前記感光基板上に周期的に発生する照度外乱をなくすように構成する。 - 特許庁

In the method for the electron beam exposure, exposure is repeated on the periphery of an adjoining pattern drawn by using a partial collective exposure mask by using an electron beam exposure mask having proximity effect correction openings arranged such that the size of the openings varies periodically at a predetermined ratio in the order of arrangement.例文帳に追加

開口部の大きさが配列順に所定の割合で周期的に変化するように配列された近接効果補正用の開口部を有する電子ビーム露光用マスクを用いて、部分一括露光用マスクを用いて描画した隣接するパターンの周辺部に重ねて露光することを特徴とする電子ビーム露光方法による。 - 特許庁

The reflecting type exposure mask comprises the mask pattern (5) formed on a multilayer film (2) having a relatively high reflectivity for a DUV light and having a relatively low reflectivity than that of the DUV light and formed of a tantalum oxide, an oxide of a tantalum alloy or an oxide of a nitrogen tantalum formed only on its surface vicinity part or entirely formed intentionally.例文帳に追加

ＤＵＶ光に対し比較的反射率が高い多層膜（２）上に形成される、ＤＵＶ光に対し比較的反射率が低いマスクパターン（５）が、その表面近傍部分のみ又は全体が意図的に形成された酸化タンタル、タンタル合金の酸化物、窒素タンタルの酸化物で形成されている。 - 特許庁

To provide a reflective mask blank comprising at least a substrate, a multilayer reflecting film for reflecting exposure light, and an absorber for absorbing the exposure light, the absorber having a smaller film thickness for preventing the degradation of resolution and misregistration around a pattern during exposure and for improving a contrast to inspection light, and to provide a reflective mask.例文帳に追加

少なくとも基板と、露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収する吸収体と、を有し、吸収体の膜厚を薄くし、露光時にパターン周辺部の解像度低下や位置ずれを防止するとともに、検査光に対するコントラストを向上させた反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。 - 特許庁

The process for producing a transfer mask comprises a step for forming a stress control layer for canceling variation in the stress of a thin film layer being generated before a resist layer is formed, and an etching step using the resist pattern as an etching mask.例文帳に追加

転写用マスクの製造工程において、前記レジスト層の形成前に、マスクの製造工程において発生する薄膜層の応力変化を相殺する応力制御層を前記薄膜層上に形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとしてエッチングする工程とをさらに含むことを特徴とする転写用マスクの製造方法。 - 特許庁

The surface of a mask substrate 10 of a photomask 1 is provided with a surface acoustic wave device 20A that generates surface acoustic waves propagating on the surface of the mask substrate 10 and a surface acoustic wave device 20B that receives surface acoustic waves so as to detect the presence of the contamination of a semiconductor circuit pattern 41 through the surface acoustic waves.例文帳に追加

フォトマスク１のマスク基板１０の表面に、マスク基板１０の表面上を伝搬する弾性表面波を発生させる弾性表面波素子２０Ａと、弾性表面波を受信する弾性表面波素子２０Ｂとを設け、当該弾性表面波によって半導体回路パターン４１の異物の有無を検出する。 - 特許庁

With a mask pattern 9 formed on a first conductive type semiconductor substrate 1 as a mask, a pair of first low-concentration diffusion regions 4 of second conductive type and a pair of second low-concentration diffusion regions 3 of a second conductive type which is deeper than the first low-concentration diffusion region 4 and of high concentration are formed.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１上に形成したマスクパターン９をマスクとして、第２導電型の一対の第１低濃度拡散領域４と、第１低濃度拡散領域４よりも深くかつ高濃度の第２導電型の一対の第２低濃度拡散領域３と、を形成する。 - 特許庁

The exposure device includes an illumination optical system illuminating a reflection-type mask (M) installed on a first surface, by using a light from a light-condensing point (1a) on which light emitted from a light source (1) is condensed; and a projection optical system (PO) projecting a pattern of the mask to a photoreceptive substrate (W) installed on a second surface.例文帳に追加

本発明の露光装置は、光源（１）より射出された光が集光する集光点（１ａ）からの光を用いて、第１面に設置される反射型のマスク（Ｍ）を照明する照明光学系と、マスクのパターンを第２面に設置される感光性基板（Ｗ）に投影する投影光学系（ＰＯ）とを備えている。 - 特許庁

One of the pair is randomly selected by a switch SW12 every time when encryption is executed to obtain the exclusive-OR 32a of the input to an S box 29 and the selected mask pattern and to obtain the exclusive-OR 33a of the output of the S box 29 and the bit of the reverse transposition P-1 of the mask (a).例文帳に追加

暗号化を行う毎にこのペアの一方をスイッチＳＷ１２によりランダムに選択し、Ｓ箱２９への入力と選択したマスクパターンとの排他的論理和３２ａが取られると共に、Ｓ箱２９の出力と、マスクａの逆転置Ｐ^-1のビットとの排他的論理和３３ａが取られる。 - 特許庁

The method of patterning the conductive polymer includes a step of forming a conductive polymer layer 220 on a substrate 210, a step of arranging a shadow mask 230 on the conductive polymer layer, and a step of irradiating the conductive polymer layer with the particle beam 240 charged with a charge through the shadow mask and forming an insulating layer and the pattern layer of the conductive polymer.例文帳に追加

基板210上に伝導性高分子層220を形成する工程と、伝導性高分子層上にシャドーマスク230を配列する工程と、シャドーマスクを通じて電荷を帯びた粒子ビーム240を伝導性高分子層に照射して、絶縁層及び伝導性高分子のパターン層を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The crystallization apparatus forming the crystalline semiconductor film is equipped with a lighting system (2) which illuminates a phase-shifting mask (1), and irradiates an amorphous semiconductor film (4) with light having a light intensity distribution of an inverted peak pattern showing that light is reduced to a minimum in intensity at a point corresponding to the phase shifting part of the phase-shifting mask.例文帳に追加

位相シフトマスク（１）を照明する照明系（２）を備え、位相シフトマスクの位相シフト部に対応する点において光強度の最も小さい逆ピークパターンの光強度分布を有する光を非晶質半導体膜（４）に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。 - 特許庁

To enhance uniformity of film thickness distribution on a plurality of substrate faces in a vacuum vapor-deposition method in which an organic electroluminescent element is fabricated by using a mask for vapor-depositing the substrate and pixel pattern, and using a mask holder and a vapor deposition source provided with alignment mechanism in order to carry out positioning of the substrates and the masks.例文帳に追加

基板と画素パターンを蒸着するためのマスクと、基板とマスクの位置合わせをするためのアライメント機構を備えたマスクホルダと蒸着源とを用いて、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する真空蒸着方法において、複数個の基板面内上での膜厚分布均一性を高める。 - 特許庁

Further, the method for manufacturing the mask comprises a step of forming the transfer pattern on an upper single-crystal silicon wafer of the substrate for the mask, a step of forming an opening at a lower single- crystal silicon wafer, and a step of removing a silicon oxide film of the opening, at least after both the previous steps.例文帳に追加

更に、上記転写マスク用基板の上部単結晶シリコンウェハに転写パターンを形成する工程と、下部単結晶シリコンウェハに開口部を形成する工程とを有し、少なくともこの両工程の後に、開口部の該シリコン酸化膜を除去する工程を含むこととした転写マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the pattern correcting method, a low-viscosity film 41 is irradiated with laser light in the state wherein the defective portion is not irradiated with the laser light to form a mask 40 having a hole 40a, the mask 40 is stuck to a substrate 14, and correction liquid 20 is applied to the defective portion 13a through the hole 40a.例文帳に追加

このパターン修正方法では、レーザ光が欠陥部１３ａに照射されない状態で低粘着フィルム４１にレーザ光を照射して孔４０ａの開いたマスク４０を形成し、マスク４０を基板１４に密着させ、孔４０ａを介して欠陥部１３ａに修正液２０を塗布する。 - 特許庁

To provide manufacturing methods for a glass substrate for an electronic device and a mask blank with which no fine uneven surface defect occurs on a substrate surface or a failure rate is low, and a manufacturing method for a transfer mask free from a phase defect or a pattern defect caused by the fine uneven surface defect on the substrate surface.例文帳に追加

基板表面に微小な凸状、凹状の表面欠陥が発生しないか又は発生率の低い電子デバイス用ガラス基板及びマスクブランクスの製造方法、並びに基板表面に微小な凸状、凹状の表面欠陥が起因する位相欠陥やパターン欠陥のない転写マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the aligner equipped with a light irradiation mechanism 3 radiating the exposing light, a mask stage mechanism 4 having the frame body 31 holding the mask 200 on which the pattern is formed, and a work stage mechanism 5 holding the work 100, a heat insulating member 39 is installed on the mechanism 4 so as to cover the frame body 31.例文帳に追加

露光光を照射する光照射機構３と、パターンが形成されたマスク２００を保持する枠体３１を有するマスクステージ機構４と、ワーク１００を保持するワークステージ機構５とを備えた露光装置において、断熱部材３９が前記枠体３１を覆うようにマスクステージ機構４に設置された構成にしてある。 - 特許庁

As to a reflection-type exposure mask used in an EUV lithography technique, a multilayered film 2 composed of two or more kinds of material layers which are cyclical laminated is formed on a base substrate 1, and a mask pattern 11 of nitride-containing metal film or of laminated structure of a metal nitride film and a metal film is formed on the multilayered film 2.例文帳に追加

ＥＵＶリソグラフィに用いられる反射型露光マスクにおいて、下地基板１上に２種類以上の材料層を周期的に積層させた多層膜２を形成し、多層膜２上に、窒化を含む金属膜からなるマスクパターン１１、または窒化金属膜と金属膜の積層構造からなるマスクパターンを形成する。 - 特許庁

In the reflective mask blank for exposure having a multilayer reflective film 2 for reflecting exposure light on a substrate 1, and an exposure light absorber layer 4 formed on the multilayer reflective film 2, the mask blank has a convex surface on the side opposite to the surface for forming a transfer pattern.例文帳に追加

基板１上に、露光光を反射する多層反射膜２と、該多層反射膜２上に形成された露光光を吸収する吸収体層４とを有する露光用反射型マスクブランクであって、前記マスクブランクの転写パターン形成面とは反対側の面の形状が、凸面を有する形状である。 - 特許庁

A prescribed test pattern is inputted with reference to previously generated test data for an LSI 105 to the LSI 105, which is provided with both a plurality of shift registers 200 and an indeterminate mask device 220 for masking output of a shift register 200 to be masked, on the basis of randomly generated mask patterns and control signals.例文帳に追加

複数のシフトレジスタ２００と、ランダムに生成したマスクパターンと制御信号とに基づいて、マスク対象となったシフトレジスタ２００の出力をマスクする不定マスク器２２０と、を備えたＬＳＩ１０５に、あらかじめ作成したＬＳＩ１０５用のテストデータを参照して、所定のテストパターンを入力する。 - 特許庁

At the time of selectively forming thin magnetic films adjusted to ≥0.5×1010 dyn/cm2 in internal stress on a substrate by electroplating by using a plating mask 1 having openings 2 and 3 for at least one plating pattern as a mask, the areas of the openings 2 and 3 are adjusted to ≤3,000 μ2.例文帳に追加

基板上に、少なくとも一つのメッキパターン用開口２，３を有するメッキマスク１を設け、このメッキマスク１をマスクとして内部応力が０．５×１０^10ｄｙｎ／ｃｍ^2 以上の磁性薄膜を選択的に電気メッキ法によって成膜する際に、メッキパターン用開口２，３の面積を３０００μｍ^2 以下とする。 - 特許庁

To obtain a convenient patterning method employing a metal mask and a method for forming a pattern connected with a large number of circuit units on the surface and rear of a substrate with high connection reliability, in which different patterning can be realized at the electrode part and the wiring part on the circuit board by physical deposition without changing a metal mask set once.例文帳に追加

金属マスクを用いる簡易なパターニング方法で、基板の表裏両面に多数個の回路ユニットが連結されたパターンを接続信頼性のある方法で、且つ、回路基板上の電極部位と、配線部位とでそれぞれ異なるパターニングを、一度セットした金属マスクを交換することなく、物理蒸着にて実現する。 - 特許庁

In a first implantation mask pattern 9a, a first impurity region 11a whose impurity concentration is higher than that of a second impurity region to be formed later is formed, by using a third implantation mask 101 having a recessed part region 106 whose quantity is equivalent to alignment precision, and the silicide film is formed on a gate electrode.例文帳に追加

第１の注入マスクパターン９ａにおいて、位置合わせ精度に相当する量分の凹部領域１０６を有する第３の注入マスク１０１を用いて、後に形成される第２の不純物領域の濃度よりも高い第１の不純物領域１１ａを形成し、ゲート電極上にシリサイド化膜を形成する。 - 特許庁

This method includes a process of forming a reflection preventing film on the base substrate, a process of forming a photoresist having a prescribed pattern on this reflection preventing film, a first etching process for etching the reflection preventing film with this photoresist as a mask, and a second etching process for etching the base substrate with the reflection preventing film as a mask.例文帳に追加

下地基板上に反射防止膜を形成する工程と、この反射防止膜上に所定パターンを有するフォトレジストを形成する工程と、このフォトレジストをマスクとして反射防止膜をエッチングする第１のエッチング工程と、反射防止膜をマスクとして下地基板をエッチングする第２のエッチング工程とを有する。 - 特許庁

This exposure device has an illumination optical system (IL) for illuminating a mask (M) formed with prescribed patterns and the projection optical system (PL) having the plural projection optical units (PL1 to PL5) arranged along a prescribed direction and subjects the pattern images of the mask to projection aligning on a photosensitive substrate (P) by means of the projection optical system.例文帳に追加

所定のパターンが形成されたマスク（Ｍ）を照明するための照明光学系（ＩＬ）と、所定方向に沿って配列された複数の投影光学ユニット（ＰＬ１〜ＰＬ５）を有する投影光学系（ＰＬ）とを備え、投影光学系を介してマスクのパターン像を感光性基板（Ｐ）へ投影露光する露光装置。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a (first) mask material film 13 on the film 12 to be worked, a step of making a tapered opening pattern 18 on the film 13, and a step of etching the film 12 by using the film 13 as a mask.例文帳に追加

被加工膜１２上に（第１の）マスク材料膜１３を形成する工程と、前記（第１の）マスク材料膜１３にテーパ形状の開口パターン１８を形成する工程と、前記（第１の）マスク材料膜１３をマスクに用いて前記被加工膜１２をエッチング加工する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The mask blank housing case is used for housing a mask blank having at least a thin film for forming a transfer pattern on a substrate, wherein at least a part of the case has a light transmitting property in such a content that the housed material is visible from outside the case, and substantially blocks light at a wavelength of 550 nm or shorter.例文帳に追加

基板上に転写パターンを形成する薄膜を少なくとも有するマスクブランクを収納するためのマスクブランク収納ケースであって、その少なくとも一部が、収納物をケース外部から視認可能である程度の光透過性を有し、尚且つ波長が５５０ｎｍ以下の光を実質的に遮蔽する。 - 特許庁

A vapor deposition mask 12 is positioned between a vapor source 16 and a plastic substrate 10 and a vaporizing material from the vapor source 16 is selectively passed through an opening matching the pattern of a vapor deposition layer of an EL element formed on the mask 12, to form the vapor deposition layer on the plastic substrate 10.例文帳に追加

蒸着マスク１２を蒸発源１６とプラスチック基板１０との間に配置し、蒸着マスク１２に形成されているＥＬ素子の蒸着層のパターンに応じた開口部によって選択的に蒸発源１６からの蒸発物質を選択的に通過させてプラスチック基板１０上に蒸着層を形成する。 - 特許庁