「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

An electroluminescence layer is formed by using this apparatus by partially subliming the vapor deposition material by the laser beam, and performing the vapor deposition on the substrate side via a mask with a vapor deposition window arranged in a predetermined pattern.例文帳に追加

この装置を用い、蒸着材料を部分的にレーザで昇華して、所定パターンに蒸着窓を配したマスクを介して基板側に蒸着することにより、発光層を形成する。 - 特許庁

Using a second photo mask provided with a pattern of a nozzle 122, a site for providing the upper wall of the channel forming wall member 120a of the negative photoresist 120 is exposed for hardening by a predetermined thickness.例文帳に追加

次に，ノズル１２２のパターンが設けられた第２フォトマスクを用いて，ネガティブフォトレジスト１２０のうちの流路形成壁体１２０ａの上部壁をなす部位を露光して所定厚さだけ硬化させる。 - 特許庁

Possibility of causing even a small error in the dimension of the gate electrode due to an effect of double exposure an thereby be prevented and high accuracy can be sustained in the mask pattern with regard to the gate electrode.例文帳に追加

２重露光の影響を受けてゲート電極の寸法に僅かであっても誤差を生ずる虞を未然に防止することができ、ゲート電極に関するマスクパターンには高精度を維持させることができる。 - 特許庁

Furthermore, when manufacturing an X-ray mask, at least the Ta of the absorber pattern 11 is formed by a sputtering method, by a plasma of electron cyclotron resonance.例文帳に追加

さらに、Ｘ線マスクを作製する場合に、少なくとも吸収体パタンのＴａを電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを用いたスパッタ法により形成する工程を含むＸ線マスクの製造方法とする。 - 特許庁

The film 7 is formed by using a mask, having desired pattern holes formed in advance so that metal is deposited only on portions corresponding to the holes by sputtering.例文帳に追加

この導電膜を形成するためにはウェーハ１上に所望パターンの穴をあらかじめ形成したマスクを用い、そのマスク穴の部分だけが金属が堆積するようにスパッタリングにより成膜させる。 - 特許庁

In this manufacturing method for the semiconductor integrated circuit device, an insulation film is formed on a semiconductor wafer and a mask pattern including a function element, or wiring is formed on the formed insulation film.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、半導体ウエハ上に絶縁膜を成膜し、成膜した絶縁膜の上に機能素子又は配線を含むマスクパターンを形成する。 - 特許庁

A periodic mask pattern 107 transmitting ultraviolet rays is formed on one surface of an organic birefringent film 101 having different refractive indexes to vibration plane with different incident light (processes (a) to (e)).例文帳に追加

入射光の異なる振動面に対し屈折率が異なる有機複屈折膜１０１の一方の面上に紫外線を透過する周期的なマスクパターン１０７を形成する（工程（ａ）〜（ｅ））。 - 特許庁

The exposure device 1 has a light source 11, a polarizing prism 15 which functions as a polarizer and an analyzer, a mask substrate 20 which has a structural double refraction pattern PT and a condenser lens 19.例文帳に追加

露光装置１は、光源１１と、偏光子かつ検光子として機能する偏光プリズム１５と、構造性複屈折パターンＰＴを有するマスク基板２０と、集光レンズ１９とを備える。 - 特許庁

In a first process, a silicon nitride film is formed as a mask pattern from the pressurized liquid chamber side and anisotropic wet etching is performed at a depth required for the pressurized liquid chamber 4.例文帳に追加

流路板３は面方位が（１００）のシリコン基板で形成され、第１の工程は加圧液室側からシリコン窒化膜をマスクパターンとして形成し、加圧液室４に必要な深さの異方性ウェットエッチングを行う。 - 特許庁

Thereafter, a groove 12 is formed by etching the silicon nitride film 3 and silicon oxide film 4 using a resist pattern 11 as a mask, and an SiOC film 13 is embedded only in the groove 12 with the CMP method.例文帳に追加

その後、レジストパターン１１をマスクとしてシリコン窒化膜３およびシリコン酸化膜４をエッチングして溝１２を形成し、溝１２内のみにＳｉＯＣ膜１３をＣＭＰ法を用いて埋込む。 - 特許庁

The method further includes a step of plasma processing the semiconductor wafer 1 after the mask pattern is formed to remove the boundary region of the semiconductor wafer 1 by plasma etching, and a step of dividing each semiconductor element 1c.例文帳に追加

そしてマスクパターン形成後の半導体ウェハ１をプラズマ処理することにより半導体ウェハ１の境界線領域をプラズマエッチングにより除去して半導体素子１ｃ毎に分割する。 - 特許庁

The resist film 11 is patternwise exposed by selective irradiation with electron beams 12 through a mask 13 and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 15.例文帳に追加

レジスト膜１１に対して、電子線１２をマスク１３を介して選択的に照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１５を形成する。 - 特許庁

The inspection pattern 400 is formed of a light transmission part 420 which is a contact hole and of a phase shifter 410 and exposure is performed by using this mask 100 for semiconductor manufacture to inspect whether there is a dimple.例文帳に追加

検査パターン４００は，コンタクトホールである光透過部４２０と，位相シフタ４１０とで形成し，この半導体製造用マスク１００を用いて露光を行いディンプル発生の有無を検査する。 - 特許庁

The method for printing the printed circuit board comprises the step of disposing a mask 3 having openings 3a for wirings to form a wiring pattern 10 oppositely at a predetermined interval (d) parallel to the base 1 to be printed.例文帳に追加

配線パターン１０を形成するための配線用開口部３ａを有するマスク３を、被印刷基材１に対し平行で且つ所定の間隔ｄで相対向するように配置する。 - 特許庁

Then, with the resist pattern 9 as a mask; the support 7', the Si layer 5, and the SiGe layer 3 are subjected to dry etching successively, and an open surface H for exposing the side of the SiGe layer 3 is formed under the support 7'.例文帳に追加

次に、レジストパターン９をマスクに支持体７´、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３を順次ドライエッチングして、支持体７´下にＳｉＧｅ層３の側面を露出する開口面Ｈを形成する。 - 特許庁

To provide an exposure system in which the connection of a complementary pattern does not increase and which does not increase the chromatic aberration of an electronic optical system and to provide a scattering mask, an exposure method, and a semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

コンプリメンタリパターンの繋ぎが増えることがなく、電子光学系の色収差を増加させることがない露光装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an exposure method capable of exposing a complementary split pattern on a mask with high precision and high efficiency, an alignment method therefor, and a semiconductor device manufacturing method capable of enhancing the yield thereof.例文帳に追加

マスク上の相補分割パターンを高精度かつ高効率で露光できる露光方法と、そのためのアライメント方法と、半導体装置の歩留りを高くできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an ink jet printer which can form a good image without requiring any intricate interpolation processing, e.g. alteration of mask pattern or the number of pass, even when a nonejection nozzle is detected.例文帳に追加

インクジェットプリンタにおいて、不吐出ノズルが検出された場合にも、マスクパターンの変更やパス数の変更といった複雑な補間処理を介さずに良好な画像を形成することができるようにする。 - 特許庁

To provide an X-ray mask enabling transfer of a high speed and fine pattern, and to provide an X-ray aligner, an X-ray exposure method and a semiconductor device manufactured by the X-ray exposure method.例文帳に追加

高速かつ微細なパタ−ンの転写を可能とするＸ線マスク、Ｘ線露光装置、Ｘ線露光方法、およびこのＸ線露光方法で製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

While, in projection stations 105, 108, 111, the pattern of a mask 129 is projected on the field of a first substrate 120, the height of the field of a second substrate 121 is measured in a measuring station 133.例文帳に追加

投影ステーション１０５、１０８、１１１内でマスク１２９のパターンを第１基板１２０の領域に投影する間、第２基板１２１の領域の高さを測定ステーション１３３で測定する。 - 特許庁

To provide an alignment device for exposure equipment which hardly causes a change in a relative position of pattern between the alignment mark of a substrate and the alignment mark of a mask even if the optical axis deviation of an optical path occurs and has high alignment accuracy.例文帳に追加

光路の光軸ずれが生じても、基板のアライメントマークとマスクのアライメントマークとのパターン相対位置の変化が生じにくく、アライメント精度が高い露光装置のアライメント装置を提供する。 - 特許庁

A mask member having a pattern thereon and formed of a material which does not allow the synchrotron radiation to be transmitted through is tightly fitted on a surface of the second film of the laminate substrate, or disposed with a predetermined space.例文帳に追加

シンクロトロン放射光を透過させない材料からなるパターンが形成されたマスク部材を、積層基板の第２の膜の表面上に密着させ、もしくはある間隔をおいて配置する。 - 特許庁

End parts of an aperture part are formed so that inner side sides of the aperture part of a mask pattern gradually approach out side sides and the end parts are formed to be inclined by 45° to the extending direction of the aperture part.例文帳に追加

マスクパターンの開口部の内側の辺が徐々に外側の辺に近づくように開口部の端部が形成されており、各端部が開口部の延在方向に対して４５°傾いて形成されている。 - 特許庁

In such a case, the unit 3 selects the mask pattern prepared for low resolution output, generates the output image data by ANDing the image data therewith, and transfers it to the unit 4.例文帳に追加

この場合、画像処理ユニット３が低解像度出力向けに用意されたマスクパターンを選択し、それと画像データの論理積を取って出力画像データを生成し、それを書き込みユニット４に転送する。 - 特許庁

An exposed section of the inorganic insulated layer 21 is removed by using a resist layer 23 as a mask to expose the plated substrate film 20, and a film for a metallic thin film pattern is formed on the exposed part by a plating method.例文帳に追加

そして、レジスト層２３をマスクに無機絶縁層２１の露出部位を除去して鍍金下地膜２０を露出させ、該露出部分上に、鍍金法によって金属薄膜パターンを成膜する。 - 特許庁

The fine dot pattern 16 is obtained by introducing a mask material (noble metal, especially gold) into fine pillar pores 14 of a porous film 45 formed on the substrate 11 and then removing the film 45 therefrom.例文帳に追加

微細なドットパターン１６は、基板１１上に形成した多孔質膜４５の柱状の細孔１４内にマスク材料（貴金属、とくに金）を導入した後に多孔質膜４５を除去して得られる。 - 特許庁

The etching-stop film is patterned along the hard mask pattern, the exposed first interlayer insulating film and the contact plugs are etched to form trenches on the first interlayer insulating film on the contact plugs.例文帳に追加

ハードマスクパターンに沿ってエッチング停止膜をパターニングし、露出された第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグをエッチングしてコンタクトプラグの上部の第１の層間絶縁膜にトレンチを形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a mask by which the dimensional unevenness of etching rate of a chromium film due to fogging and the area of a resist can be suppressed independently of the pattern layout of LSI.例文帳に追加

Fogging及びレジスト面積に起因したクロム膜のエッチングレートの寸法バラツキを、ＬＳＩのパターンレイアウトに依存せずに抑制することができるマスクの形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

By performing first-stage exposure, the areas F to be irradiated of the photoresist film are irradiated with light by using a phase shift mask formed in a straight line pattern extended in the direction Y in which word lines are extended.例文帳に追加

フォトレジスト膜に第１段階の露光を行い、ワード線の延在方向と同じＹ方向に延在する直線パターンからなる位相シフトマスクを用いて照射領域Ｆに光を照射する。 - 特許庁

To provide a substrate tray which prevents an evaporating material from sneaking into a part which has to be covered by a mask, and precisely forms a film with a predetermined pattern on a glass substrate, and to provide a film-forming apparatus therefor.例文帳に追加

マスクでカバーすべき部分への蒸着材料の回り込みを防止して、ガラス基板上に所定パターンの成膜を正確に行うことのできる基板トレイ及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

When the tension is reduced, the nut 16 is turned appropriately, and a downsized printing pattern part P in the middle of the mask is elongated with the frame to keep the tension properly.例文帳に追加

スクリーンマスク７のテンションが低減したときは、調節用のナット１６を適量回転し、マスク中央部の小さくなった印刷パターン部分Ｐを枠ごと引き伸ばして、テンションを適正値に保持する。 - 特許庁

Then (z)-axial vibration of a stage 112 is controlled to vibrate a phase grating mask 150 relatively to the optical fiber 211 in vibration pattern corresponding to each (z)-axial position.例文帳に追加

ステージ１１２のｚ軸方向の振動が制御されて、ｚ軸方向の各位置に応じた振動パターンで光ファイバ２１１に対して相対的に位相格子マスク１５０が長手方向に振動する。 - 特許庁

The X-ray mask 1 is characterized in that the pattern of an X-ray absorber 6 is formed in a film of an X-ray transmission material 8, which is light-reactive epoxy resin.例文帳に追加

Ｘ線吸収体６のパターンがＸ線透過材８の膜中に形成されたＸ線マスク１であって、前記Ｘ線透過材８が光反応性エポキシ樹脂であることを特徴とする。 - 特許庁

To remarkably reduce the time required for verification by previously estimating and detecting a problematic portion in a pattern shape exposed on a wafer for fine design data before mask formation.例文帳に追加

微細な設計データに対して、ウエハ上に露光されたパターン形状で問題となり得る箇所について、予めマスク作成前に予測・検出し、検証に必要な時間を大幅に短縮化する。 - 特許庁

In a step S24, the arrangement of the blocks selected in the step S23 is so determined that a block is closer and closer to the center of the block mask as the size of the minimum exposure pattern included in the block is smaller and smaller.例文帳に追加

ステップＳ２４は、ステップＳ２３において選択されたブロックを、例えば、そのブロックに含まれている最小の露光パターンのサイズが小さい程、ブロックマスクの中央にくるように配置を決定する。 - 特許庁

To obtain a method for exposure data generation that increases the processing speed of the processing which generates exposure data obtained by removing overlap from hierarchically designed mask pattern data and that reduces a work area.例文帳に追加

階層化設計されたマスクパターンデータからオーバーラップを除去した露光データを作成する処理の高速化と作業領域の低減を図ることができる露光データ作成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an evaporation source and a thin film formation device forming a highly precise pattern on a large-size film forming object or an easily deflecting film forming object without causing a problem of mask strain.例文帳に追加

マスクの歪みの問題を招くことなく大型の成膜対象物又は撓みやすい成膜対象物に対して高精度のパターンを形成しうる蒸発源及び薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical processing method and its device capable of forming a precise processing pattern even if a fixed position of a print mask material is dislocated on a table.例文帳に追加

高精細な加工を可能とするとともに、テーブル上の印刷マスク材の装着位置がずれた場合でも精度よく加工パターンを形成することができる光加工方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the image created by the pattern creation part 7 is composed to an image obtained by an image acquisition part 9 to partially or entirely mask the image acquired by the image acquisition part 9.例文帳に追加

その後、画像取得部９において取得された画像に、パターン作成部７において作成された画像が合成されて、画像取得部９において得られた画像の一部又は全部がマスクされる。 - 特許庁

By utilizing the hard mask structure, the upper electrode layer, the ferroelectric layer and the lower electrode layer, are etched to form a lower electrode, a ferroelectric layer pattern, and an upper electrode on the substrate.例文帳に追加

ハードマスク構造物を利用して、上部電極層、強誘電体層、及び下部電極層をエッチングして、基板上に下部電極、強誘電体層パターン、及び上部電極を形成する。 - 特許庁

To provide a mask layout forming method for an electron beam exposure for reducing generated slivers when a fracture process is implemented so as to transfer a layout including a diagonal line pattern on a photomask.例文帳に追加

斜線パターンを含むレイアウトをフォトマスク上に転写するためにフラクチャー過程を行うとき、スライバーの発生を減少できる電子ビーム露光のためのマスクレイアウト形成方法を提供する。 - 特許庁

The first photomask 29 and the second photomask 65 are disposed leaving a proximity gap from the belt-like work 11, and the respective mask patterns are transferred as a periodical pattern by exposure onto the belt-like work.例文帳に追加

第１フォトマスク２９及び第２フォトマスク６５は、帯状ワーク１１に対してプロキシミティギャップを隔てて配置されており、それぞれのマスクパターンが周期的なパターンとして帯状ワーク１１に露光される。 - 特許庁

A photoresist layer 15 is formed on the surface of a metal reflecting layer 13 conforming with the shape of the diffraction structure, a mask layer 15b is formed, and the metal reflecting layer is formed in a pattern shape 13b by etching.例文帳に追加

回折構造の形状に追従した金属反射層１３面にフォトレジスト層１５を形成し、マスク層１５ｂを形成し、金属反射層をエッチングによりパターン状１３ｂに形成すること。 - 特許庁

Using a resist pattern 4 made on the nitride film 3 as a mask, a first groove 10 surrounded by a thin nitride film 31 and a thick nitride film 32 in its periphery are formed within the nitride film 3.例文帳に追加

窒化膜３上に形成したレジストパターン４をマスクとし、窒化膜３内に、膜厚が薄い窒化膜３１とその周辺の膜厚が厚い窒化膜３２で囲まれる第１の溝１０を形成する。 - 特許庁

The different scattering areas on the mask is capable of forming an SCALPEL pattern on a wafer by improved critical dimensioned(CD) control, reduced aberration feature formation, and improved yield.例文帳に追加

マスク上の異なる散乱領域は、改善されたクリティカル寸法（ＣＤ）制御，低減された収差フィーチャ形成および改善された歩留りで、ＳＣＡＬＰＥＬパターンをウェハ上に形成することを可能にする。 - 特許庁