「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(83ページ目) - Weblio英語例文検索

In such a case, an image processing unit 3 selects the mask pattern prepared for high resolution output, generates output image data by ANDing the image data therewith, and transfers it to a write-in unit 4.例文帳に追加

この場合、画像処理ユニット３が高解像度出力向けに用意されたマスクパターンを選択し、それと画像データの論理積を取って出力画像データを生成し、それを書き込みユニット４に転送する。 - 特許庁

To enable to highly accurately control the shape of a resist mask to be used for forming a lead element into a predetermined pattern, and to improve the forming accuracy of the lead element and manufacturing yield of a magnetic head.例文帳に追加

リード素子を所定パターンに形成するレジストマスクの形状を高精度に制御することを可能とし、リード素子の形成精度を高めるとともに磁気ヘッドの製造歩留まりを向上させる。 - 特許庁

To form bit lines wherein the composition and formation conditions of a bit line hard mask pattern and a bit line nitride film spacer are varied and bit lines are formed, to improve a process margin of an SAC process and decrease an SAC process failure.例文帳に追加

ＳＡＣ工程のマージンを高め、ＳＡＣ工程失敗を低減させるため、ビットラインハードマスクパターン及びビットライン窒化膜スペーサの成分及び形成条件を変化させてビットラインを形成する。 - 特許庁

When the two alignment marks are detected, the work stage 3 is shifted so that they should become a predetermined positional relationship, and thus, exposing light is irradiated from the light emitter 1 so as to expose the mask pattern to the work piece W.例文帳に追加

２つのアライメントマークが検出されると、それらが所定の位置関係になるようにワークステージ３を移動し、光照射部１から露光光を照射し、ワークＷにマスクパターンを露光する。 - 特許庁

A base crystalline layer 12 is formed on the surface of a substrate 11 by growing crystals of a nitride-based III-V compound and a first mask pattern 13 is formed on the surface of the layer 12.例文帳に追加

基体１１の表面に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物の結晶を成長させて下地結晶層１２を形成し、下地結晶層１２の表面に第１のマスクパターン１３を形成する。 - 特許庁

The resist 2 is then photo-sensed through the mask 5 with an alignment mark pattern 5a formed (g), and the resist 2 is developed, then, the resist 2 on a part 2a corresponding to the alignment mark is removed (h).例文帳に追加

そして、アライメントマークのパターン５ａが形成されたマスク５を通してレジスト２を感光させ（ｇ）、レジスト２を現像することにより、アライメントマークに対応する部分２ａのレジスト２を除去する（ｈ）。 - 特許庁

In the second step, a process in which a mask 13A having a pattern shape corresponding to the second magnetic part is provided on the magnetic film 5 via the step is performed for each part between servo region formation planned parts.例文帳に追加

第２工程では、当該過程を経て、第２磁性部に対応したパターン形状を有するマスク１３Ａを磁性膜５上に設けることをサーボ領域形成予定箇所間毎に行う。 - 特許庁

A backlight 6 is installed in the vicinity of a detecting electrode 2 to detect approach of a human body, and a mask plate 3 for display in which a light transmission pattern 3a is formed is installed on the backlight 6.例文帳に追加

人体の接近を検出する検知電極２の近傍にバックライト６が設けられ、バックライト６の上に光透過パターン３ａが形成された表示用マスク板３が設けられている。 - 特許庁

By use of the hard mask manufactured by such a process of a two-time exposure and two-time processing, it becomes possible to process a more micro and identical contact hole than patterning by a reticle of a hole-shaped pattern.例文帳に追加

このような二回露光二回加工プロセスにより作製されるハードマスクを用いることで、穴状のパターンのレチクルでパターニングを行うよりも微細でより忠実なコンタクトホールの加工が可能となる。 - 特許庁

A dielectric 12 (for example, a SiO_2 film) is formed on a glass substrate 11, tungsten silicide is film-formed thereon as a metal mask layer 13 for pattern matching (Fig.1(b)) and then a photoresist layer 14 is formed.例文帳に追加

ガラス基板１１上に誘電体１２（例えばSiO_2膜）を形成し、その上にパターンマッチング用のメタルマスク層１３としてタングステンシリサイドを成膜し（図１（ｂ））、その後フォトレジスト層１４を形成する。 - 特許庁

To provide an inspection method for a semiconductor device, a wafer for inspection, and a pattern mask for inspection capable of mutually evaluating different inspection modes and easily deriving a more optimized inspection condition.例文帳に追加

異なる検査モードに対し互いに評価でき、より最適化される検査条件を容易に導き出せる半導体装置の検査方法及び検査用ウェハ及び検査用パターンマスクを提供する。 - 特許庁

In introducing the impurities when forming the output section 4, a mask layer 52 is formed in the image sensing section 2, and then a resist film 53 with a pattern for introducing the impurities to the output section 4 is formed.例文帳に追加

出力部４を形成する際の不純物を導入する際に、撮像部２にマスク層５２を形成し、出力部４に不純物の導入のためのパターンをもつレジスト膜５３を形成する。 - 特許庁

The buried wiring is formed by a method wherein the surface of the insulating substrate 1 is removed selectively employing a mask 17 formed on the surface of the insulating substrate 1 to form a groove 18 having a planar configuration corresponding to a wiring pattern.例文帳に追加

絶縁性基板１の表面に形成したマスク１７を用いて絶縁性基板１の表面を選択的に除去し、配線パターンに対応する平面形状を持つ溝１８を形成する。 - 特許庁

It obtains a reference image 2' corresponding to the optical proximity effect correction mask and a reference image 3' corresponding to the OPC pattern after converting a format of the EB data 2 (after OPC) and the EB data 3 (after SUB).例文帳に追加

ＥＢデータ（ＯＰＣ後）２とＥＢデータ（ＳＵＢ後）３のフォーマット変換を行った後、光学近接効果補正マスクに対応する参照画像２’と、ＯＰＣパターンに対応する参照画像３’を得る。 - 特許庁

The exposure mask 30 is provided with a mechanical stopper 35 for preventing contact of a thin film part 32 and a wafer 40 on the surface of the thin film part 32 opposing the wafer and having an opening 33 corresponding to an exposure pattern.例文帳に追加

露光マスク３０を、露光パターンに対応する開口３３を有する薄膜部３２のウエハ対向面に、薄膜部３２とウエハ４０との接触を防ぐメカニカルストッパ３５を備えて構成する。 - 特許庁

A dielectric film of SiO2 is then deposited on the entire surface of the an n-type contact layer 13 followed by formation of a stripe mask pattern 25 extending in the (1-100) direction on the upper surface of n-type contact layer 13.例文帳に追加

次に、ｎ型コンタクト層１３の上に全面にＳｉＯ_2 からなる誘電体膜を堆積し、ｎ型コンタクト層１３の上面の（１−１００）方向に延びるストライプ状のマスクパターン２５を形成する。 - 特許庁

To provide a squeegee which can stably supply a printing material when a printing matter to be printed using a metal mask with a printing pattern, as well as a method for manufacturing a squeegee and a screen printing method.例文帳に追加

印刷パターンが形成されたメタルマスクを用いて、印刷対象物を印刷する際、印刷材を安定して供給するスキージ、スキージの作製方法、およびスクリーン印刷方法を提供する。 - 特許庁

In the mask 14 for exposure, protective sheets 26a and 28a are put on the front and/or rear of the pattern forming region 14a by adhesive layers 26b and 28b made of a photosetting resin.例文帳に追加

この露光用マスク１４は、パターン形成領域１４ａの表面及び／又は裏面に、保護シート２６ａ、２８ａが、光硬化性樹脂からなる接着剤層２６ｂ、２８ｂで貼付されている。 - 特許庁

By using a metal mask 2 of a smaller size than a substrate 1, the vapor deposition is sequentially carried out on one part of the substrate 1 after another, and a pattern of vapor-deposited matter 6 is film-formed on a whole surface of the substrate 1.例文帳に追加

基板１よりも小さなサイズのメタルマスク２を用いて、基板１の一部ずつに対して順次に蒸着を行ない、基板１の全面に蒸着物質６のパターンを成膜する。 - 特許庁

The radiation that is emitted from two added poles 221 and 222 to pass through a mask pattern MP is blocked from reaching a wafer W by a radiation blocking opening part PD arranged in a projection optical system.例文帳に追加

２つの追加された極２２１，２２２から発せられ、マスクパターンＭＰを通過する放射は、投影光学系に配置された放射ブロック開口部ＰＤにより、ウェーハＷに到達することを阻止される。 - 特許庁

Further, a part of the light passing through the light transmission plate 36 is diffusely reflected on the rough face 37, so that a part of the illuminating light is highlighted in association with the pattern formed by the light shielding mask 38.例文帳に追加

さらに、導光板３６内を進行する光の一部が粗面３７で乱反射されることにより、遮光マスク３８で形成された模様に関連付けて照明光の一部が強調される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device to reduce the time required for verifying DRC (design rule check) while improving reliability in a mask pattern data subjected to optical proximity correction, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

光近接効果補正したマスクパターンデータについて信頼性を向上させつつＤＲＣの確認に要する時間を短縮する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To eliminate dispersion in the temperature in the cooling surface of a stage by allowing a cooling water for controlling temperature of a pattern mask in an exposure stage to flow in a cooling water bath provided over the entire surface of a substrate placement surface which is to be exposed in the stage.例文帳に追加

液晶表示装置のカラーフィルタパターンの露光方法において、基板ステージ内でガラス基板の温度制御を行う際の面内温度のばらつきを低減する手段を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser driving circuit which can make an eye pattern satisfy a specified eye mask by making the rising time and falling time of a waveform shorter when pulse-modulated signals are supplied to a vertical cavity surface emitting laser(VCSEL).例文帳に追加

面発光半導体レーザにパルス変調信号を加えた際の、波形の立ち上がり・立ち下がり時間を改善して、アイパターンが規定のアイマスクを満足する半導体レーザ駆動回路を提供する。 - 特許庁

The layered film pattern 24, 25 of Al (alloy) and a high melting point metal are formed as recessed from a photoresist 51 as an etching mask, and in this state, a protective film 38 is formed on the side face of the Al (alloy) film.例文帳に追加

Ａｌ（合金）と高融点金属の積層膜パターン２４、２５をエッチングマスクであるフォトレジスト５１から後退して形成し、この状態でＡｌ（合金）膜の側面に保護膜３８を形成する。 - 特許庁

Resist 26 is eroded uniformly from a shoulder part in accordance with etching, since a spacer film 17 is etched by using the resist 26 as a mask which resist has a thickness wherein a pattern cannot be maintained at the case of etching the spacer film 17.例文帳に追加

スペーサ膜１７のエッチング時にパターンを維持できない厚さのレジスト２６をマスクにしてスペーサ膜１７をエッチングするので、エッチングに伴ってレジスト２６が肩部から不均一に侵食される。 - 特許庁

The phase shift mask 304 comprises a glass substrate 201 as a transparent substrate having a main surface and a light shielding body 202 formed to cover a part of the main surface of the glass substrate 201 with a desired pattern.例文帳に追加

位相シフトマスク３０４は、主表面を有する透明基体としてのガラス基板２０１とこの主表面の一部を所望パタンで覆うように形成された遮光体２０２とを備える。 - 特許庁

The aberration-measuring mask for measuring the lens aberrations of an exposure device is provided with a substrate for transmitting exposure light of the exposure device, and a pattern part inverting the phase of the exposure light by 180 degree.例文帳に追加

露光装置のレンズ収差を測定するための収差測定用マスクにおいて、露光装置の露光光を透過する基板と、露光光の位相を１８０度反転させるパターン部とを備える。 - 特許庁

To provide a near-field exposing method with which the pattern of a fine opening formed on an exposure mask can be accurately and efficiently exposed, with proximity EB lithography, to 1:1 with respect to an object to be exposed.例文帳に追加

露光用マスク上に形成された微小開口のパターンを、被露光物に対して正確に効率よく、１：１に等倍露光することが可能となる近接場露光方法を提供する。 - 特許庁

An etching mask of photoresist film having an opening pattern of contact holes is formed on a pixel transistor part 12, a gate terminal part 14, a drain terminal part 16, and a D-G junction 18 of a protective transistor.例文帳に追加

画素トランジスタ部１２、ゲート端子部１４、ドレイン端子部１６、及び保護トランジスタのＤ−Ｇ接続部１８上にはコンタクトホールの開口パターンを有する、フォトレジスト膜からなるエッチングマスクを形成する。 - 特許庁

To perform high-precision processing by suppressing pitting or striation due to resist damage when the pattern is formed by a dry etching method using a resist film of the post ArF lithography generation or the subsequent as a mask.例文帳に追加

ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成においてレジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁

To improve the resolution of a maskless exposure method of digitally generating a projection pattern without using a mask to perform exposure, without having to uses a complex processes or mechanism element.例文帳に追加

本発明は、マスクを用いることなく投影パターンをデジタル的に生成して露光するマスクレス露光方法に関し、複雑なプロセスや機構要素を付加することなく、分解能を向上することを目的とする。 - 特許庁

The exposure apparatus measures a shape of the reverse surface of the pattern surface of the mask 2 before a substrate 5 is exposed, and compares the measurement result with the measurement result of the shape stored in the storage part 11 in advance.例文帳に追加

露光装置が、基板５の露光前に、マスク２のパターン面の裏面の形状を計測し、該計測結果と上記格納部１１に予め格納された形状の計測結果とを比較する。 - 特許庁

Print data on AM dot data is divided into 4×4 pixel blocks Z and a dot recording order is decided by a pixel group unit comprising two pixels which are adjacent to each other horizontally, based on a mask pattern.例文帳に追加

ＡＭ網点データの印刷データを４×４画素のブロックＺ毎に分割し、マスクパターンに基づいて、左右に隣接する２画素で構成される画素組単位でドット記録順序を決定する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilevel gradation photomask, by which a resist level difference structure having different resist residual film values within the film plane can be formed with high accuracy, and thereby, a mask pattern with high accuracy can be formed.例文帳に追加

面内でレジスト残膜値の異なるレジスト段差構造を精度良く形成することができ、これによって精度の高いマスクパターンを形成できる多階調フォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a wafer, that can easily align the OF part of a thin-plate semiconductor wafer and the display reference point of a photo mask, and can bake a highly accurate photoresist pattern.例文帳に追加

薄板状半導体ウエハのＯＦ部とフォトマスクの表示基準点との位置合わせ作業が容易にでき、それにより高精密なフォトレジストパターンを焼付けできるウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The insulating film 6 and the conductive film 5 are sequentially etched as a resist pattern 7 as a mask, a patterned insulating film 8 and the laminate of a gate electrode 9 of the high breakdown voltage transistor are formed.例文帳に追加

レジストパターン７をマスクとして絶縁膜６および導電膜５が順次エッチングされ、パターニングされた絶縁膜８および高耐圧トランジスタのゲート電極９の積層体が形成される。 - 特許庁

Then a selection device 21 selects a mask blanks based on the distribution of the calculated RBI and on the allowable value of dimensional fluctuation in a pattern transferred onto a photoresist film formed on a wafer.例文帳に追加

そして、算出したＲＢＩの分布とウエハに形成されたフォトレジスト膜に転写される転写パターン寸法のばらつきの許容値に基づいて選定装置２１がマスクブランクスを選定する。 - 特許庁

The entire surface of the substrate, after the base film has been peeled, is exposed to cure the unexposed negative resist layer left on the substrate so as to form the resist pattern reflecting the exposure mask in the negative resist layer.例文帳に追加

ベースフィルムを剥離した基板の全面を露光して基板に残された未露光のネガ型レジスト層を硬化させることにより、ネガ型レジスト層に、露光マスクを反映したレジストパターンを形成する。 - 特許庁

A method of inspecting and calibrating a component for inspecting a printed board and an integrated circuit includes a camera (10) for creating an image of a precision pattern mask (Fig.4) placed on a transparent reticle (20) is disclosed.例文帳に追加

透明な焦点板（２０）の上に設置された精密パターン・マスク（図４）の画像を作成するためのカメラ（１０）を含む、プリント基板および集積回路を検査するための部品検査および校正方法。 - 特許庁

A selective epitaxial silicon layer 68 is formed on the surface of the contact pad 62 exposed through the contact hole 66, so as to shield the insulated mask layer pattern 54 of the interconnect line 55.例文帳に追加

前記コンタクトホール６６を通じて露出されたコンタクトパッド６２の表面上に、前記配線５５の絶縁マスク層パターン５４を遮蔽するように選択的エピタキシャルシリコン層６８を形成する。 - 特許庁

To provide a metal mask for printing for improving the printing tact and printing efficiency, a micro-printing pattern, and improve the printing quality, and provide further a manufacturing method thereof.例文帳に追加

印刷タクトを向上させて印刷能率を上げることができ、しかも微細印刷パターンを得ることができ、印刷品質の向上も図ることができる印刷用メタルマスクとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photomask that is free of generation of black defects or white defects, without causing thickening or thinning of a predetermined pattern, even if foreign matters are deposited on the photomask, and to provide an exposure method that uses the mask.例文帳に追加

フォトマスクに異物が付着していても、所定のパターンに太り、細りを引き起こすことなく、黒欠陥或いは白欠陥を発生させないフォトマスク、それを用いた露光方法を提供する。 - 特許庁

In the mask 1 for exposure obtained by sticking a film 3 with a formed pattern 5 for exposure to a glass plate 2 using an adhesive, the adhesive is a water-soluble adhesive.例文帳に追加

ガラスプレート２に、露光用パターン５を形成したフィルム３を、接着剤を用いて固着してなる露光用マスク１において、前記接着剤が水溶性接着剤であることを特徴とする露光用マスク。 - 特許庁

By aligning an extending direction of a stripe pattern on the mask M to the direction where the viewing angle α of the incident light is large, illuminance can be increased while keeping preferable exposure accuracy.例文帳に追加

マスクＭのストライプパターンの伸びる方向と、入射する光の視角αが大きい方向とを一致させることにより、良好な露光精度を維持した状態で、照度を大きくすることができる。 - 特許庁