「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(87ページ目) - Weblio英語例文検索

Axial alignment is performed by using a mask for adjustment, which has a bored region (white subfield) having practically the same dimensions as those of a pattern region transferred and exposed at a time, and a film region (black subfield) in which holes are not made.例文帳に追加

一度に転写露光するパターン領域と実質的に同じ寸法の孔明き領域（白サブフィールド）、及び、孔の開いていない膜領域（黒サブフィールド）を有する調整用マスクを用いて軸合わせを行う。 - 特許庁

Then, the first lens pattern 24 is partially or entirely exposed to light via a second photo mask 20 to conduct a second exposure process for making at least part of each portion that will become a microlens thinner.例文帳に追加

次に、第２のフォトマスク２０を介して第１のレンズパターン２４を部分的もしくは全面的に露光し、マイクロレンズとなるべき各部分について、少なくとも一部の膜厚を薄くする第２の露光処理を行う。 - 特許庁

A gray scale light proximity effect compensating device feature conducts the convolution of a device feature and two-dimensional compensation kernel or two one-dimensional compensation kernel, added to a mask pattern by generating an OPC feature of the gray scale.例文帳に追加

グレースケール光近接効果補正デバイスフィーチャは、デバイスフィーチャと２次元補正カーネル又は２つの１次元補正カーネルとの畳み込みを行いグレースケールのＯＰＣフィーチャを生成することによりマスク・パターンに追加される。 - 特許庁

Grayscale optical proximity effect correction device features are added to a mask pattern by convoluting the device features with a two-dimensional correction kernel or two one-dimensional correction kernels to generate grayscale OPC features (S11).例文帳に追加

グレースケール光近接効果補正デバイスフィーチャは、デバイスフィーチャと２次元補正カーネル又は２つの１次元補正カーネルとの畳み込みを行いグレースケールのＯＰＣフィーチャを生成するS11ことによりマスク・パターンに追加される。 - 特許庁

To provide a method for forming a pseudo foreign substance having a different reflectance for surveying an effect of a foreign substance adhered to a mask on a transfer pattern and evaluating a quantitative inspection of the foreign substance in lithography of a short-wavelength range.例文帳に追加

短波長領域のリソグラフィにおいて、マスクに付着した異物の転写パターンへの影響の調査、異物の定量的な検査評価のため、反射率の異なる擬似異物の形成方法を提供する。 - 特許庁

On a light shielding mask 24 opposed to a fly eye lens 23, a light transmission part 25 opening respectively corresponding to the respective lens parts 23b of the fly eye lens 23 is arranged, and the respective light transmission parts 25 are made to have variations in an opening pattern.例文帳に追加

フライアイレンズ２３に対向する遮光マスク２４上に、フライアイレンズ２３の各レンズ部２３ｂに対応してそれぞれ開口する光透過部２５を配列し、各光透過部２５の開口パターンにバリエーションを持たせる。 - 特許庁

The area is calculated by a highly precise model, when the minimum dimension of the mask pattern is lower than a prescribed threshold value set in the vicinity of an exposure wavelength, and the area other than the area is calculated by a fast model (STEP 5).例文帳に追加

マスクパターンの最小寸法が露光波長付近で設定される所定のしきい値を下回る場合に、その領域を高精度なモデルで計算し、それ以外の領域を高速なモデルで計算する（ＳＴＥＰ５）。 - 特許庁

Further, the vibration of stage 112 in the z-axis direction is controlled and the phase grating mask 150 vibrates in the longitudinal direction relative to the optical fiber 211 at a vibration pattern corresponding to respective positions in the z-axis direction.例文帳に追加

また、ステージ１１２のｚ軸方向の振動が制御されて、ｚ軸方向の各位置に応じた振動パターンで光ファイバ２１１に対して相対的に位相格子マスク１５０が長手方向に振動する。 - 特許庁

A mask pattern is formed having a pair of slits corresponding to the side faces, and after wet etching is performed to form the side faces formed of the (111) faces, a part other than the plate-like structure is eliminated by dry etching.例文帳に追加

側面に対応して一対のスリットを有するマスクパターンを形成し、ウエットエッチングを行って（１１１）面からなる側面を形成した後、板状構造体以外の部分をドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 40 is vertically dry-etched with respect to the surface of the semiconductor substrate 20 with the resist pattern 50 as a mask, and an opening 100' toward the S/D region 25 is formed in the interlayer insulating film 40.例文帳に追加

次に、このレジスパターン５０をマスクに層間絶縁膜４０を半導体基板２０表面に対して垂直にドライエッチングして、層間絶縁膜４０にＳ／Ｄ領域２５に至る開口部１００´を形成する。 - 特許庁

To provide a pellicle glue removing device capable of removing glue that remains after pellicle is removed from a photomask, in a state where a mask pattern is protected, and to provide a method for the device.例文帳に追加

本発明は、マスクパターンを保護した状態でフォトマスクからペリクルを外した後に残ったグルーを取り除くことができるペリクル・グルーの除去装置及びその方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

When analysis data (A')36 is read into the navigation unit 24, the navigation unit 24 displays information based on the data (A') on the CAD image of the mask pattern displayed on the display unit 32.例文帳に追加

解析データ（Ａ’）３６がＣＡＤナビゲーション部２４に読み出されると、ＣＡＤナビゲーション部２４は、ディスプレイ装置３２に表示されたマスクパターンのＣＡＤ画像上に、解析データ（Ａ’）に基づいた情報を表示する。 - 特許庁

It lowers detection sensitivity from a case of comparing and inspecting other parts when detecting defect of the OPC pattern by comparing and inspecting a detection image obtained to scan the optical proximity effect mask with the reference image 3'.例文帳に追加

光学近接効果マスクをスキャンして得た検出画像と、参照画像３’とを比較検査することにより、ＯＰＣパターンの欠陥検査を行う際に、他の部分の比較検査する場合よりも検査感度を下げる。 - 特許庁

When the resist 3 of an upper layer has been eliminated, etching gas is changed for mixture gas of O2 gas and N2 gas, the resist 1 of a lower layer is etched, by using the SiO2 film 2 as a mask, and a pattern of an SiO2 film is transferred to the resist 1 of a lower layer.例文帳に追加

上層のレジスト３が消滅したら、エッチングガスをＯ_2 ガスとＮ_2 ガスとの混合ガスに換え、ＳｉＯ_2 膜２をマスクにして下層のレジスト１をエッチングし、ＳｉＯ_2 膜のパターンを下層のレジスト１に転写する。 - 特許庁

As a result, dots, which are formed by driving nozzles while distributing mask-processed dot data to two nozzle arrays corresponding to the block pattern, are excellently dispersed without biasing the number of the dots in one nozzle array.例文帳に追加

その結果、マスク処理がなされたドットデータをブロックパターンに従い２つのノズル列に振り分けてノズルを駆動して形成されるドットは、その数が一方のノズル列に偏ることなく、また、良好に分散したものとなる。 - 特許庁

After a substrate containing an active area defined by an element separation film is manufactured, an etching mask containing a silicidation preventive pattern that exposes a part of the active areas on the element separation film and the active areas is formed.例文帳に追加

素子分離膜により定義される活性領域を含む基板を製造した後、素子分離膜及び活性領域上に活性領域の一部を露出させるシリサイデーション防止パターンを含むエッチングマスクを形成する。 - 特許庁

Since exposure which does not affect the finally obtained accuracy of the pattern position is enabled by adjusting the center of gravity in multiple exposure to zero by positive and negative mixed shifts, a mask is efficiently and accurately produced.例文帳に追加

また正負混合のシフト量で多重露光時の重心を０にすることで最終的に得られるパターン位置精度に影響を与えない露光が可能であるため効率的で高精度なマスク作製が可能である。 - 特許庁

Thus, pattern matching (adaptation) is executed in a state to simultaneously detecting two or more colors of pixels in the mask area MSK so that the image where two or more colors coexist is directly recognized with high precision.例文帳に追加

これにより、マスクＭＳＫ内において２以上の色の画素を同時検出する形でパターンマッチング（適合）が行われるので、２以上の色が混在した画像を直接的にかつ精度高く認識可能となる。 - 特許庁

That is, the height of the pattern on the mask producing an unwanted phase shift effect is varied corresponding to 360° phase, and an out-of-focus state is generated on a wafer so as to attain increase in the intensity of light in the area originally intended to be dark.例文帳に追加

より詳しくは、不要な位相シフト効果が発生するマスク上のパターンの高さを３６０度位相で変更させ、ウェーハ上で焦点ズレを発生させ、本来暗くなる領域で光強度を大きくする。 - 特許庁

To rapidly and highly precisely calculate influence of backward scatter by rapidly searching an adjacent pattern, in a range wherein forward scatters overlap mutually when exposure data are corrected for preparing a mask or a reticle for exposure.例文帳に追加

露光用のマスクまたはレチクルを作製するための露光データを補正する際、前方散乱同士が重なる範囲の隣接パターンを高速に探索し、後方散乱の影響を高速かつ高精度に計算する。 - 特許庁

Both sides of a continuously running metallic sheet 1 are coated with photosensitive resin by a photosensitive resin coating device, a shadow mask pattern is baked and exposed to both sides of the metallic sheet 1 coated with the photosensitive resin.例文帳に追加

連続走行する金属板１の両面に感光性樹脂塗布装置で感光性樹脂を塗布し、シャドウマスクパターンを感光性樹脂が塗布された金属板１の両面に露光装置で焼き付け露光する。 - 特許庁

To provide a method of producing CAM data for an electronic circuit board by which the CAD data of line conductors or surface conductors can be properly and efficiently converted into CAM data composed of plating windows of the exposure mask for pattern plating.例文帳に追加

線路導体や面導体のＣＡＤデータを、パターンメッキ用露光マスクのメッキウィンドウからなるＣＡＭデータに適正かつ効率的に変換することができる電子回路基板用ＣＡＭデータ作成方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem in which: a defective deposition pattern is caused on a vapor deposition mask having a plurality of slit-like openings because foils between the adjacent slit-like openings are in close contact with each other to block the slit-like opening.例文帳に追加

複数のスリット状の開口を持つ蒸着マスクにおいて、隣接するスリット状の開口間の箔が互いに接触して密着し、スリット状開口部が塞がって成膜パターンの不良を引き起こしてしまう。 - 特許庁

In a mask used to expose the active layer in such a manner, a translucent section consisting of a folded line thin slit pattern is formed in a recessed region between a source shielding section and a drain shielding section.例文帳に追加

活性層をそのように露出させるために用いられるマスクでは、ソース遮光部とドレイン遮光部との間の凹形状の領域に、折線形状の細いスリットパターンから成る半透過部が形成されている。 - 特許庁

To collectively demagnetize data areas between servo pattern transfer sections with a simple configuration with respect to a medium for the demagnetization mask, a perpendicular medium magnetic transfer/demagnetization method, a vertical recording medium and a magnetic disk device.例文帳に追加

消磁マスク用媒体、垂直媒体磁気転写／消磁方法、垂直記録媒体、及び、磁気ディスク装置に関し、サーボパターン転写部の間のデータ領域に対する消磁を簡単な構成により一括して行う。 - 特許庁

A pattern is sequentially drawn on a plurality of stripe regions S1 and S2 which extend in X direction on a mask blank 10, have the widths in Y direction orthogonal to the X direction and are aligned in the Y direction.例文帳に追加

マスクブランクス１０上でＸ方向に延びかつＸ方向と交差するＹ方向における幅を有するとともにＹ方向に並ぶ複数のストライプ状領域Ｓ１，Ｓ２に順にパターンの描画が行われる。 - 特許庁

To provide a stencil mask for batch electron beam exposure having a stencil pattern region capable of exposing to high throughput in batch electron beam exposure while reducing the loss of yield due to connection.例文帳に追加

電子線一括露光において、高スループットに露光することが可能で、かつ、つなぎによる歩留まりの低下を軽減することが可能なステンシルパターン領域を持つ、電子線一括露光用ステンシルマスクを提供すること。 - 特許庁

Inside a vacuum chamber 100, a deposit film formed on the surface of a reflection-type mask 106 having a desired pattern is removed by an oxygen plasma generated inside the vacuum chamber 100.例文帳に追加

真空チャンバー１００の内部において、所望のパターンを有する反射型マスク１０６の表面に形成されている堆積膜を真空チャンバー１００の内部に発生させた酸素プラズマ１１５により除去する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a mask blank having the thin film for forming a transfer pattern on a substrate, after forming a thin film on the substrate, an oxide film is formed by radiating ozone gas to a surface of the thin film.例文帳に追加

基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクの製造方法において、基板上に薄膜を成膜した後、該薄膜表面にオゾンガスを照射して酸化物膜を形成する。 - 特許庁

A plurality of glass masks 14 each having an exposure pattern 12 formed thereon are connected and fixed while the patterns 12 are positioned so as to obtain the glass mask having the plurality of patterns 12 as a whole.例文帳に追加

それぞれに露光用のパターン１２が形成された複数のガラスマスク体１４を互いのパターン１２同士を位置決めした状態で連結し固定してなることで、全体として複数のパターン１２を有するものとする。 - 特許庁

A channel-etch type bottom gate TFT (reverse-staggered TFT) structure is employed to pattern source and drain regions and a pixel electrode with the same mask.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明では、チャネルエッチ型のボトムゲート（逆スタガ）型ＴＦＴ構造を用いて、ソース領域およびドレイン領域のパターニングと画素電極のパターニングを同じマスクで行うことを特徴とする。 - 特許庁

To generate an expected value required at the time of write-in test of byte mask for a memory in which a burst address in generated and in/from which parallel pattern data columns given externally to this burst address can be written and read out.例文帳に追加

メモリの内部でバーストアドレスを発生し、このバーストアドレスに外部から与えた並列パターンデータ列を書き込み、読み出すことができるメモリに対し、バイトマスク書き込み試験時に必要とする期待値を発生させる。 - 特許庁

To provide an alignment mark, having a pattern of a box-in-box for clearly evaluating the overlap of masks at positioning the mask, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the mark.例文帳に追加

マスクの位置合わせを行う際に、マスクの重ね合わせを明確に評価できるボックスインボックスのパターンを有するアライメントマークを提供すると共に、そのマークを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A reflection film 2, on which a slit pattern is integrally formed, is formed on a flat transparent substrate 1 using a mask member 4, and a substrate block 5 is obtained by cutting the transparent substrate 1 along a cutting line 2A.例文帳に追加

平板状の透明基板１にマスク部材４を使用してスリットパターンが一体的に形成されている反射膜２を成膜し、切断ライン２Ａに沿って透明基板１を切断することにより基板ブロック５を得る。 - 特許庁

The present invention includes a method for forming a word line pattern of the nonvolatile memory array including a step of producing the sub-F word lines using a mask producing device having a width of at least minimum characteristic size F through the use of spacer technology.例文帳に追加

少なくとも最小特徴サイズＦの幅を有するマスク生成素子から、スペーサー技術を用いてサブＦワード線を生成する段階を含む不揮発性メモリアレイのワード線パターン形成のための方法を含む。 - 特許庁

Moreover, when oxidation is conducted with the use of the nitride membrane as a mask, the pattern more stabilized in shape can be obtained.例文帳に追加

例えば表面変化抑止膜として窒化膜を用いると，その反射防止効果が高いことと、窒化膜上には薄いレジスト膜を形成するだけでよいことから、レジスト形状が安定して微細パターンがばらつき少なく形成できる。 - 特許庁

To obtain a microlens array formed by exposure using a density distributed mask, wherein the exposure efficiency in pattern exposure of a photosensitive material is improved, as well as errors in horizontal and vertical dimensions in a form of the microlens are reduced.例文帳に追加

濃度分布マスクを用いて露光して形成するマイクロレンズアレイの、感光性材料へのパターン露光の露光効率を良くするとともに、マイクロレンズの形状の縦横の寸法の誤差を小さくしたマイクロアレイレンズを得る。 - 特許庁

To provide a method for selecting a crystal orientation matching a desired TFT channel orientation to a different area of a device by rotating a mask pattern to a different orientation for a different crystal orientation.例文帳に追加

異なる結晶配向に対する異なる配向にマスクパターンを回転することによって、デバイスの異なるエリアへの所望のＴＦＴチャネル配向に適合する結晶配向を選択する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board having low resistance wiring by an ink jet film which does not generate cracks, and a manufacturing method of the wiring board capable of forming a wiring pattern on demands without using a mask.例文帳に追加

この発明は、クラックの生じないインクジェット膜で低抵抗配線を有する配線基板と、マスクを使用せずにオンデマンドで配線パターンを形成できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The sacrifice film 105 formed with the trench pattern 105a is then used as a mask, a wiring forming groove 104a is formed in the insulating film 104, and a metal film 106b is formed in the wiring forming groove 104a.例文帳に追加

その後、トレンチパターン１０５ａが形成された犠牲膜１０５をマスクとして、絶縁膜１０４に配線形成溝１０４ａを形成し、該配線形成溝１０４ａに金属膜１０６ｂを形成する。 - 特許庁

The resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 レーザ光１３をマスク１２を介して照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

By irradiating the plane waveguide type optical circuit with an ultraviolet laser beam 50 through a phase grating mask 30, the diffraction grating 25 is formed in the core layer 20 (figure 1 (d)) by the refractive index modulation pattern.例文帳に追加

そして、この平面導波路型光回路に対して、位相格子マスク３０を介して紫外レーザ光５０を照射して、屈折率変調パターンによる回折格子２５をコア層２０内に形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

The EUV light scattered/reflected by the mask 8 passes through a projection optical system and is perpendicularly inputted onto a wafer loaded on a wafer stage 12 to shrink/transfer the device pattern 21 to a resist on the wafer.例文帳に追加

マスク８によって、散乱・反射されたＥＵＶ光は、投影光学系を通過して、ウェハステージ１１上に載置されているウェハに垂直に入射し、デバイスパターン２１がウェハ上のレジストに縮小・転写される。 - 特許庁

The method corrects a preset separation mask in a dot pixel level with high accuracy on the basis of a relation of location of contradictory pixels caused cross-referencing the pattern pixels to SPM data resulting from the particularized position.例文帳に追加

その結果を元にした、絵柄画素とＳＰＭデータとの対応付けに際して生じる矛盾画素の配置関係に基づいて、あらかじめ設定された分離マスクが網点画素レベルで高精度に修正される。 - 特許庁

To provide a method of selecting crystal orientations, so as to be suited to a desired TFT channel orientation to the different region of a device by selecting a different mask pattern for each desired crystal orientation.例文帳に追加

各所望の結晶配向に対する異なるマスクパターンを選択することによってデバイスの異なる領域への所望のＴＦＴチャネル配向に適合するように結晶配向を選択する方法を提供する。 - 特許庁