「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(88ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, the stored mask drawing data is moved and transferred to an operation memory 23a of a pattern forming device 23 of the receiver 20 while decrypted, transferred to an operation processing part and transferred to a signal processing part.例文帳に追加

次いで、格納されたマスク描画データが復号化されながら受信装置２０のパターン形成用装置２３の演算メモリ２３ａに移動転送され、演算処理部に転送され、信号処理部に転送される。 - 特許庁

Thus, by compositing the enlarged/reduced input image on a background image according to the converted mask pattern, the boundary of the input image and the background image is clearly displayed and the image quality is improved.例文帳に追加

従って、変換されたマスクパターンに従って、拡大縮小処理された入力画像を背景画像上に合成することにより、入力画像と背景画像との境界が鮮明に表示され、画質が向上する。 - 特許庁

Also, the alignment mask of the substrate can be detected directly from the surface of the color filter material 49 which is approximate in distance from a substrate 41, when the pattern is transferred and exposed, and the deterioration of image quality can be reduced by lessening the errors in detection.例文帳に追加

また、上記パターン転写露光時に下地アライメントマークを基板４１からの距離が近いカラーフィルタ材料４９の面から直接検出でき、検出誤差を小さくして画質劣化を少なくする。 - 特許庁

Using a mask pattern, only the digital image data of a transmitted part are cut out, the digital data of a background image are synthesized with the other part, the resultant digital image data of the synthesized image are subjected to compression processing and the result is transmitted.例文帳に追加

マスクパターンを用いて送信部分のディジタル画像データのみを切り出し、他の部分には背景画像のディジタル画像データを用いて合成し、この合成画面のディジタル画像データを圧縮処理して送信する。 - 特許庁

To provide a digital transmission that is not susceptible to the effect of the performance of a reception circuit section 2 and can conduct a DS3 transmission pulse mask test without the need for a '001' pattern generator 20 at the outside of the transmission apparatus.例文帳に追加

受信回路部２の性能による影響を受けることなく、且つ、外部に“００１”パターン発生器２０を用意しなくともＤＳ３送信パルスマスク試験を行なうことができるディジタル伝送装置を提供する。 - 特許庁

Since a material, having a low adhesive property to particles, is used for forming the protective film 6 the adhesion of the particles to, particularly, the opening 5 of the mask pattern can be suppressed and the accuracy of the patterning can be improved.例文帳に追加

保護膜６の材料としてパーティクルとの密着性の低い材料を用いることにより、特にマスクパターンの開孔５へのパーティクルの付着を抑えることができ、パターニング精度を向上させることができる。 - 特許庁

Thus, stripping of the mask pattern 6, caused by penetration of plating liquid into an interface of the plating electrode film 3 and dissolution of the plating liquid can be suppressed surely and highly accurate and stable wiring can be formed.例文帳に追加

これにより、めっき電極膜３界面へのめっき液のしみ込みや、めっき液の溶解によるマスクパターン６の剥離を確実に抑制することができ、高精度で安定した配線形成を可能とすることができる。 - 特許庁

The stencil mask or the aperture includes a thermal oxidation film formed at a comparatively low temperature at least on its side or on its whole surface of opening pattern, thereby achieving a small corner R value.例文帳に追加

本発明のステンシルマスク又はアパーチャは、開口パターンの少なくとも側面または全面に、比較的低温で形成した熱酸化膜を備えることにより、コーナＲ値の小さいステンシルマスク又はアパーチャを提供する。 - 特許庁

The etching mask 12 of a plane pattern which is coupled with an island-shaped region 13 where a plurality of island-shaped regions 13 adjoin each other through coupling parts 18, 19 is formed on a surface of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の表面に、複数の島状領域１３が連結部１８，１９を介して隣り合う島状領域１３に連結された平面パターンのエッチングマスク１２を形成し、トレンチエッチングをおこなう。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern-like thin film layer which has a mask layer material having a high heat resistance by a lift-off process and has a good stripping property, while preventing generation of a decomposed gas at its processing temperature upon formation of the thin film.例文帳に追加

マスク層材料の耐熱性が高く、又薄膜形成時の処理温度下での分解ガスの発生もなく、さらに、剥離性が良好なリフトオフ方式のパターン状薄膜層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The size of the hard mask composition structure is controlled by the development rate, which yields a feature size that is a fraction of the imaging layer feature size, and finally gives a pattern that can ultimately be transferred to the substrate.例文帳に追加

ハードマスク組成物の構造体の寸法は、現像速度で制御され、イメージング層の形状の寸法の何分の一かの形状の寸法を生成し、最終的に基板に転写されるパターンを作製する。 - 特許庁

The filter 62 extracts a generated image (moving picture) having already been generated and stored in e.g. a storage medium such as a HDD as sown in Figure 1 (b) and pastes the generated image to the original photographing image by using a mask pattern.例文帳に追加

上記フィルタ６２では、図１の（ｂ）に示すように、既に生成され、例えばＨＤＤ等の記憶媒体に記憶されていた生成画像（動画）を取り出し、マスクーパターンを使って、撮影された元の画像に貼り付ける。 - 特許庁

An upper laminated photosensitive coating layer and a lower laminated photosensitive coating layer, which are applied on the upper/lower layers of the carrier, are processed photosensitively, through a mask where a circuit track is formed and a circuit pattern which is concavely inputted is formed.例文帳に追加

キャリアの上下層に塗布される上積層感光塗料層および下積層感光塗料層は回路軌跡が形成されているマスクを介して感光処理され、凹入した回路パターンが形成される。 - 特許庁

To provide a positive resist composition superior in lithography characteristics such as resolution and an MEF (Mask Error Factor), to provide a resist pattern forming method using the positive resist composition, and a high molecular compound useful for the positive resist composition.例文帳に追加

解像性およびＭＥＦなどのリソグラフィー特性に優れるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、および該ポジ型レジスト組成物用として有用な高分子化合物の提供。 - 特許庁

Fine exposure by small σ oblique illumination and rough exposure by large σ vertical illumination are conducted on a wafer, without developing the wafer in the middle with the gate pattern of a mask set at a projection aligner, so that double exposure is attached.例文帳に追加

投影露光装置に設置したマスクのゲートパターンで、ウエハに対して、途中で現像することなく、小σの斜め照明によるファイン露光と大σの垂直照明によるラフ露光の多重露光を行なう。 - 特許庁

The patterning of a phosphor is carried out on a glass substrate instead of a slit for detecting the rays of light from a reference pattern on a mask, and visible lights emitted by the phosphor are measured by a photo-diode through the glass substrate.例文帳に追加

マスク上の基準パターンからの光を検出するためのスリットの代わりに、ガラス基板上に蛍光体をパターニングし、蛍光体が発光する可視光を、ガラス基板を通してフォトダイオードで測定する。 - 特許庁

To provide a gray mask by which positioning to a surface to be exposed is easy and even when reducing projection is performed, a concentration pattern of a light shielding agent dispersed layer can be surely image-formed on the surface to be exposed.例文帳に追加

露光対象面に対する位置合わせが容易で、縮小投影を行うときでも遮光剤分散層の濃度パターンを露光対象面に確実に結像させることが可能なグレイマスクを提供する。 - 特許庁

A resist film 56 is formed on the interlayer insulating film 50, a resist mask 56A having a connection hole pattern 58 is formed, and the connection hole 60 is formed as far as a halfway part of the interlayer insulating film 50.例文帳に追加

次いで、層間絶縁膜５０上にレジスト膜５６を成膜し、接続孔パターン５８を有するレジストマスク５６Ａを形成し、レジストマスク５６Ａを用いて、層間絶縁膜５０の中途まで接続孔６０を形成する。 - 特許庁

N-type impurities 6 are introduced into a depth of the surface layer of the P-type region 5 by ion implantation, using the pattern 3 as a mask to form an electric charge transfer region 7 of a vertical register on the surface side of the substrate 1.例文帳に追加

パターン３をマスクにしたイオン注入によって、Ｐ型領域５の表面層になる深さにＮ型不純物６を導入し、基板１の表面側に垂直レジスタの電荷転送領域７を形成する。 - 特許庁

To provide polarization illumination of an exposure apparatus with which resolution property can be enhanced, in exposure of gate lines, or the like, having strict dimensional rules, when a desired pattern is obtained by projection mapping that uses a phase shift mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いた投影写像によって所望パターンを得る場合において、寸法ルールの厳しいゲート線等の露光における解像性を高めること露光装置の偏光照明を提供する。 - 特許庁

The resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 laser light having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2レーザ光１３をマスク１２を介して照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a low concentration diffusion region 8 is formed by implanting low concentration N-type impurity ions using a second masking means which has a reduced pattern width by slimming the first masking means 6a as a mask.例文帳に追加

その後、第１マスク手段６ａに対してスリミング処理を施してパターン幅を狭めた第２マスク手段をマスクとして、低濃度のＮ型不純物イオンを注入して低濃度不純物拡散領域８を形成する。 - 特許庁

To obtain a radiation-sensitive resin composition capable of faithfully reproducing a design size of a mask pattern even by proximity exposure and forming a spacer for a display panel excellent in strength, heat resistance, etc., required for the spacer.例文帳に追加

プロキシミティー露光によってもマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつスペーサーとして必要な強度、耐熱性等に優れた表示パネル用スペーサーを形成しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Consequently, a mask pattern can be formed by not preparing a plurality of reticles in which the cutting patterns CP_1-CP_5 are formed respectively, but using only a cutting reticle CR and a masking reticle MR integrating them.例文帳に追加

これにより、カッティングパターンＣＰ_１〜ＣＰ_５がそれぞれ形成された複数のレチクルを用意することなく、それらが統合されたカッティングレチクルＣＲとマスキングレチクルＭＲのみを用いてマスクパターンの形成が可能となる。 - 特許庁

To provide a photoresist that has superior shape retainability during post baking and is also superior in plasma processability, and with which a half tone pattern used for processing of a display element substrate by a four-Mask system is formed.例文帳に追加

ポストベーク時の優れた形状保持性を有し、プラズマ加工性にも優れた４Ｍａｓｋ方式による表示素子基板加工に利用することができるハーフトーンパターンが形成可能なフォトレジストを提供する。 - 特許庁

A mask used for forming the ink channel 12 (pressure chamber 31) and/or forming a piezoelectric element 21 has a predetermined pattern formed by an equal pitch profile to the pitch profile of the nozzles 14 formed in the nozzle plate 83.例文帳に追加

インク流路１２（圧力室３１）の形成及び／又は圧電素子２１の形成に用いるマスクは、ノズル板８３に形成したノズル１４のピッチ特性と同じピッチ特性で所定のパターンを形成したものとする。 - 特許庁

To facilitate formation of pad metals separated individually by making a trench between adjacent pads thereby forming a pad metal film without requiring a pattern mask reflecting the individual pad shape in the pad metal film forming process.例文帳に追加

隣接するパッド間に溝を形成し、パッドメタル成膜工程で個々のパッド形状を反映したパターンマスクを用いることなくパッドメタルの成膜を可能とし、個々に分離されたパッドメタルを容易に形成可能とする。 - 特許庁

The scanning exposure apparatus 300 includes a mask 10 for measurement which is disposed on a first stage 325 and has a measurement pattern, a first measuring unit 20 disposed on a second stage 345, and a control unit 350.例文帳に追加

本発明の走査露光装置３００は、第１ステージ３２５に配置され測定パターンを有する測定用マスク１０と、第２ステージ３４５に配置される第１測定部２０と、制御部３５０とを備える。 - 特許庁

By lowering the temperature of forming the hard mask pattern 4a, the copper deposit on the aluminum electric conductive film 3 can be suppressed so that the copper deposit might not be arranged between circuit patterns 3a formed by ething.例文帳に追加

ハードマスクパターン４ａの形成を低温化したことで、アルミニウム導電膜３中の銅の析出を抑制することができ、蝕刻によって形成される配線パターン３ａ間に銅析出物が配置されることはない。 - 特許庁

The selective growth of the semiconductor thin film crystal is carried out by forming a mask pattern for the selective growth into the one obtained by arranging root forms having symmetric properties corresponding to the crystal structure of the substrate in parallel at a proper interval.例文帳に追加

選択成長用のマスクパターンを、基板の結晶構造と一致させた対称性を持つ基本形をある適当な間隔で平行に並べたものとし、半導体薄膜結晶の選択成長を行う。 - 特許庁

Each liquid crystal mask can optionally set a cell that the laser light can pass through among cells arranged in matrix, and consequently the machining pattern of the HDD head can be set arbitrarily.例文帳に追加

各液晶マスクは、マトリクス状に配置された複数のセルのうちレーザ光の通過を可能にするセルを任意に設定することができ、これによって前記ＨＤＤヘッドに対する加工パターンを任意に設定できるようにした。 - 特許庁

Each of electrodes of the electrode layer is formed so that a multitude of sensor electrodes extending from each bridge wire to horizontal direction and having a specific area precipitate aluminum following the second mask pattern.例文帳に追加

電極層の各々の電極は、各々のブリッジ線から各々水平方向に延び且つ所定の面積を有する多数のセンサ電極が、第２のマスクパターンに従ってアルミを析出させることにより形成される。 - 特許庁

The method for etching the aluminum-based material includes etching the aluminum-based material having a resist pattern mask formed on its surface with an etching solution containing at least ferric chloride and ammonium chloride.例文帳に追加

表面にレジストパターンマスクが形成されてなるアルミニウム系材料を少なくとも塩化第二鉄と塩化アンモニウムを含有するエッチング溶液でエッチング処理することを特徴とするアルミニウム系材料のエッチング方法。 - 特許庁

Thus, contrast to x-ray with wavelength shorter than about 8 Å-9 Åis improved further than the contrast of the mask pattern of 50 nm line and space cycle, consequently, a high quality optical image can be obtained.例文帳に追加

これにより、約８Å〜９Åより短波長のＸ線に対するコントラストが５０ｎｍライン＆スペース周期マスクパターンのコントラストよりも向上するため、高品質な光学像を得ることができる。 - 特許庁

In this method of manufacturing the semiconductor optical device, a mask pattern 46 formed on an imprint resin layer 42 by a nano-stamper 43 is transferred to the other surface side of a semiconductor substrate 21 to form the monolithic semiconductor lens 23.例文帳に追加

この半導体光デバイスの製造方法では、ナノスタンパ４３によってインプリント樹脂層４２に形成したマスクパターン４６を半導体基板２１の他面側に転写してモノリシック半導体レンズ２３を形成する。 - 特許庁

A normal contact hole 10a and a shared contact hole 10b are formed by etching the interlayer insulating film 10, second etching stopper film 9, and the first etching stopper film 8 using the resist pattern 50 as a mask.例文帳に追加

レジストパターン５０をマスクとして層間絶縁膜１０、第２のエッチングストッパー膜９、及び第１のエッチングストッパー膜８をエッチングすることにより、ノーマルコンタクトホール１０ａ及びシェアードコンタクトホール１０ｂを形成する。 - 特許庁

To ideally correct a master pattern in a mask for exposure by quantitatively grasping the fitting strain of a process model and generating the process model for simulation fitted with high accuracy.例文帳に追加

プロセスモデルのフィッティングの歪み度を定量的に把握し得るようにして、高精度にフィッティングされたシミュレーションのプロセスモデルの生成を可能にし、これにより露光用マスクにおけるマスクパターンの補正も好適に行えるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer wiring board capable of readily forming a thin-film pattern which is superior in uniformity as a mask for forming a wiring layer, even if there are multilayer wiring board warpages or irregularities.例文帳に追加

多層配線板の反りや凹凸が生じても、配線層を形成するためのマスクとして均一性に優れた薄膜のパターンを簡易に形成することができる多層配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the metal film is etched by using a second resist mask having a pattern intersecting the edge of the second insulating film, and first and second wires 30, 40 are formed on the second insulating film and the substrate, respectively.例文帳に追加

そして、第２の絶縁膜のエッジを横切るパターンを有する第２のレジストマスクを用いて金属膜をエッチングして、第２の絶縁膜上及び基板上それぞれに第１及び第２の配線３０，４０を形成する。 - 特許庁

The diffraction optical element having cyclic step shape is manufactured by repeating a series of processes for exposing and developing a base plate 1 coated with a resist 2 by using a mask so as to form a resist pattern, and for etching it.例文帳に追加

マスクを用いてレジスト２が塗布された基板１を露光，現像してレジストパターンを形成し，エッチングする一連のプロセスを繰り返して，周期的な階段形状を有する回折光学素子を製造する。 - 特許庁

When such a gas plasma is employed, bubbling phenomenon due to recombination of nitrogen molecule at the interface of the oxide film and the organic film is prevented and a mask pattern of the oxide film can be transferred accurately to the organic film.例文帳に追加

このようなガスプラズマを用いることにより、酸化膜と有機膜との界面で窒素分子の再結合による発泡現象を防止し、酸化膜のマスクパターンを精度よく有機膜に転写することができる。 - 特許庁

When the pattern is formed by dry etching for the carbon nano-tube, metal film or film of material not damaged during dry etching and not damaging the carbon nano-tube during removal is used as a mask.例文帳に追加

また、カーボンナノチューブをドライエッチング法を用いてパターンを形成するに当たり、マスクとして金属膜またはドライエッチング時にダメージを受けない物質であり、除去時にカーボンナノチューブにダメージを与えない物質の膜を用いる。 - 特許庁

A conductive film 3 is formed on a substrate 1, and a lower electrode 3a is formed by patterning the conductive film 3 by etching with the use of a resist pattern 5a formed on the conductive film 3 as a mask.例文帳に追加

基板１上に導電性膜３を成膜し、導電性膜３上に形成したレジストパターン５ａをマスクに用いたエッチングによって導電性膜３をパターニングしてなる下部電極３ａを形成する。 - 特許庁

An insulating film 108 is formed on the hard mask including the silyrated first auxiliary patterns 106a, and a second auxiliary pattern is formed on the insulating film 108 between the silyrated first auxiliary patterns.例文帳に追加

シリレーションされた第1の補助パターン１０６ａを含む上記ハードマスク膜上に絶縁膜１０８を形成し、上記シリレーションされた第1の補助パターンの間の絶縁膜１０８上に第2の補助パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by which an underlayer film can freely be worked without rupturing an etching mask formed on the underlayer film even when a material having a high carbon content is used for the underlayer film.例文帳に追加

下層膜に炭素含有量が高い材料を用いても、下層膜上に形成したエッチングマスクの破裂を起こすことなく、支障なく下層膜を加工することが可能なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁